Praktikumsanleitung Solarzellen

Praktikumsversuch:
Elektrische Charakterisierung von Silizium-Solarzellen
1) Einführung
Das heutige Angebot an kommerziell erhältlichen Solarzellen wird durch das
Halbleitermaterial Silizium bestimmt. Die jährlich produzierten Module mit einer elektrischen
Gesamtleistung von gegenwärtig 100 MW bestehen aus:
kristallinem Silizium
(50 %),
polykristallinem Silizium
(30 %) und
amorphem Silizium
(20 %).
Lediglich in dem kleinen Markt der Weltraumanwendung können sich hocheffiziente aber
auch sehr teure Solarzellen aus GaAs behaupten.
Der Markt ist jedoch in Bewegung geraten. Zahlreiche alternative Halbleiter (z.B. CdTe,
CuInSe2, CuInS2) versprechen gegenüber der konventionellen Silizium-Technologie deutlich
geringere Produktionskosten und stehen teilweise kurz von der Markeinführung. Das
I. Physikalische Institut beschäftigt sich mit CuInSe2-Dünnschichten, einem Material dem von
industrieller Seite großes Interesse entgegengebracht wird. Zur Zeit werden in Deutschland
zwei Pilotproduktionen zur Herstellung von CuInSe2-Solarmodulen aufgebaut.
Ziel des Praktikums ist es, zum einen die physikalischen Prozesse in einer Solarzelle zu
verstehen und zum anderen die Meßtechniken kennenzulernen, die für die Entwicklung und
Charakterisierung von Solarzellen eingesetzt werden. Für den Versuch stehen handelsübliche
Solarzellen aus polykristallinem, monokristallinem, amorphem Silizium sowie eine moderne
CIS Zelle zur Verfügung.
2) Schnellkurs Halbleiterphysik
Die Eigenschaften von Halbleitern werden ganz entscheidend durch die Bandlücke (energy
gap) bestimmt. Am absoluten Temperaturnullpunkt ist das untere Valenzband vollständig mit
Ladungsträgern besetzt, während die Zustände im oberen Leitungsband unbesetzt sind. Der
Energiebereich, der diese beiden Bänder trennt, enthält in einem idealen Halbleiter keine
erlaubten Zustände und wird als Bandlücke oder „verbotene Zone“ bezeichnet. In kristallinem
Silizium beträgt die Bandlücke 1,1eV (T=300K).
In amorphen Halbleitern gibt es aufgrund der fehlenden Gittersymmetrie keine feste
Bandkante durch die der Energiebereich mit erlaubten Zuständen und der Bereich mit
verschwindender Zustandsdichte getrennt wird. Vielmehr existieren auch innerhalb der
„verbotenen Zone“ erlaubte Energiezustände. Man kann für amorphe Halbleiter jedoch eine
Beweglichkeitskante definieren, unterhalb der die Ladungen lokalisiert also unbeweglich sind.
Oberhalb dieser Energie sind die Ladungen frei beweglich. Die so definierte Energielücke ist
abhängig von den Herstellungsbedingungen und beträgt für amorphes Silizium etwa 1.7 eV.
Für die technische Anwendung werden Halbleiter dotiert. Wird ein IV-wertiges Silizium
Atom durch ein III-wertiges Atom (z.B. Bor) ersetzt, so erhält man eine p-Dotierung. Das IIIwertige Element wirkt als Akzeptor und nimmt ein Elektron auf, wodurch ein Loch im
Valenzband entsteht. Umgekehrt gibt ein V-wertige Element (z.B. Arsen) ein Elektron an das
Leitungsband ab und wirkt als Donator, wodurch eine n-Dotierung entsteht.
Durch die Dotierung des Halbleiters wird die Elektronendichte n und Löcherdichte p im
Halbleiter bestimmt. Für kristallines Silizium gilt der Zusammenhang
np = 2,1 ⋅ 1019 cm −6 (T=300K)
(2.1).
Typischerweise beträgt die p-Dotierkonzentration des Absorbermaterials in Solarzellen aus
kristallinem Silizium 1016cm-3. Daraus folgt unter der Annahme, daß alle Akzeptoren ionisiert
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sind, eine Löcherdichte von 1016cm-3 und eine Elektronendichte von 2,1*103cm-3. Die
Konzentration von Elektronen und Löchern unterscheidet sich also um mehrere
Größenordnungen.
Für die Beschreibung der physikalischen Prozesse in der Solarzelle wird es sich als vorteilhaft
erweisen, zwischen Majoritätsladungsträger (bzw. Überschußladungsträger) und
Minoritätsladungsträger zu unterscheiden, da sich im untersuchten pn-Übergang die
Majoritätsladungen, also die Elektronen, im n-Gebiet und die Löcher im p-Gebiet sowie die
Minoritätsladungsträger symmetrisch verhalten.
3) Physik der Solarzelle
3.1) Der pn-Übergang
Da eine Solarzelle aus einer p- und einer n-leitenden Halbleiterschicht aufgebaut ist, sollen
zunächst die Grundlagen über den pn-Übergang skizziert werden.
Wenn ein p- und ein n-typ Halbleiter in Kontakt kommen, findet zunächst eine Diffusion der
Majoritätsladungsträger statt. Elektronen aus dem n-Bereich diffundieren in den p-Bereich mit
geringer Elektronendichte, umgekehrt bewegen sich die Löcher in den n-Bereich. Durch die
zurückbleibenden geladenen Atomrümpfe entsteht im n-Bereich eine positive und im pBereich eine negative Raumladung. Daraus resultiert ein elektrisches Feld, das der weiteren
Diffusion entgegenwirkt. Der Bereich, in dem das Feld vorliegt, wird als Raumladungszone
bezeichnet.
Nachdem sich ein thermodynamisches Gleichgewicht zwischen den beiden Halbleitertypen
eingestellt hat (bzw. sich die Fermi-Niveaus angeglichen haben), ist der Nettostromfluß am
pn-Übergang gleich Null. Dieser Zustand läßt sich physikalisch durch die Gleichheit von
Diffusions- und Driftstrom beschreiben. Der Diffusionsstrom jDiff wird durch die
unterschiedliche Konzentration von Elektronen und Löchern auf beiden Seiten des pnKontakts hervorgerufen. Für die Elektronenstromdichte gilt:
dn
j Diff = − eDn
(3.1)
dx
e: Elementarladung,
D: Diffusionskonstante.
Abbildung 1:
a) Bandverlauf in einer nicht beleuchteten Diode. Die Diffusionsspannung ∆U ist gerade so hoch, daß
sich der Diffusionsstrom der Majoritätsladungsträger und der Driftstrom der
Minoritätsladungsträger aufhebt. EF ist die Fermienergie.
b) Strom-Spannungs-Kennlinie der Diode.
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Das elektrische Feld E bzw. das Potential ∆U, das durch die Ladungstrennung erzeugt wird,
führt zu einen Driftstrom jDrift in die entgegengesetzte Richtung. An diesem Stromfluß sind im
Gegensatz zum Diffusionsprozeß die Minoritätsladungen mit deutlich geringerer Dichte
beteiligt. Für die Elektronenstromdichte gilt:
j Drift = neµE
(3.2)
µ: Beweglichkeit.
Im thermodynamischen Gleichgewicht verschwindet der Stromfluß:
j Diff + j Drift = 0 .
Mit dieser Bedingung ist die Berechnung der Potentialdifferenz (oder Diffusionsspannung)
∆U möglich (Abb. 1a). Der Stromfluß I über diese Barriere bei einer angelegten externen
Spannung U wird durch die grundlegende Diodenkennlinie beschrieben (Abb. 1b):
  eU  
(3.3)
I = I 0 exp
 − 1
nk
T


B


kB: Boltzmannkonstante
T:
Temperatur [K]
I0: Sättigungsstrom, abhängig von Materialparametern und der Temperatur.
In Silizium-Dioden beträgt I0: 10-5 ... 10-11 A/cm2.
n:
Idealitätsfaktor: n=1 .. 2; Idealitätsfaktor beschreibt Ausdehnung der Raumladungszone. Wenn Ausdehnung vernachlässigbar klein ist, dann folgt: n=1.
Anschaulich läßt sich die Strom-Spannungs-Kennlinie folgendermaßen verstehen: Bei Polung
in Sperrichtung (U<0) liegt der n-Bereich auf positivem Potential und die Diffusionsspannung
∆U wird verstärkt. Dadurch wird der Strom durch die Majoritätsladungen abgeschwächt. Im
Grenzfall sehr hoher Sperrspannungen wird der Strom der Majoritätsladungen vollständig
unterdrückt und der Stromfluß wird alleine durch den Driftstrom der Minoritätsladungen
bestimmt. Wenn man U → −∞ in die Diodengleichung einsetzt, so erhält man eine
anschauliche Bedeutung für I0. Der Sättigungsstrom entspricht somit dem reinen Driftstrom
der Minoritätsladungsträger.
Bei Polung der Diode in Flußrichtung (U>0) wird die Diffusionsspannung abgebaut und ein
exponentiell ansteigender Stromfluß der Majoritätsladungen setzt ein.
Mit Gleichung 2.3 läßt sich die Kennlinie einer idealen Diode beschreiben. Im Gegensatz zu
elektronischen Bauelementen (Dioden, Transistoren, Mikrochips) sind jedoch die
Herstellungsprozesse für eine Solarzellen im Sinne einer kostengünstigen Produktion stark
Rs
a)
Ip h
b)
I
Rs h
1/ R s h
s
1 /R
U
Abbildung 2: a) Ersatzschaltbild einer realen Diode unter Berücksichtigung von ohmschen
Verlusten. Bei Beleuchtung wird der lichtinduzierte Photostrom durch eine zusätzliche
Stromquelle mit I=Iph beschrieben. b) Die Kennlinie der realen Diode ergibt sich aus der
graphischen Addition der idealen Kennlinie (gestrichelt) und der Kennlinien des Serienund Parallel-Widerstandes (dünne Linien)
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vereinfacht, so daß ohmsche Verluste nicht mehr vernachlässigt werden können. Die reale
Diode/Solarzelle wird durch ein Ersatzschaltbild unter Berücksichtigung eines
Parallel(Shunt)- und eines Reihen-Widerstandes beschrieben (Abb. 2a).
Der Parallelwiderstand Rsh beschreibt einen zusätzlichen Strom durch den pn-Kontakt,
aufgrund von Verunreinigungen oder Kristallfehler an der Grenzfläche zwischen dem p- und
n-typ Halbleiter. Der Parallelwiderstand wird relevant wenn die Ströme durch den pn-Kontakt
gering sind, d.h. im Sperrbereich der Diode. Für die ideale Diode gilt Rsh=∞, in guten
Solarzellen ist Rsh>1000 Ωcm2.
Der Serienwiderstand Rs wird durch die Verluste im Halbleiter und am Halbleiter-MetallKontakt hervorgerufen. Dieser Widerstand wird relevant wenn der Spannungsabfall am pnKontakt gering ist, d.h. in Flußpolung. Im Idealfall beträgt Rs=0, in guten Solarzellen ist
Rs<0,5 Ωcm-2.
Die resultierende Kennlinie kann durch die graphische Addition der Kennlinien der idealen
Diode und der beiden Widerstände (Abb. 2b) bestimmt werden. Rechnerisch ergibt sich:
  e(U − IRs )   U − IRs
I = I 0 exp
(3.4)
 − 1 +
Rsh
  nk B T  
Je mehr die ohmschen Verluste in der Diode an Bedeutung gewinnen, um so stärker geht die
Kennlinie von dem exponentiellen in einen linearen Verlauf über.
3.2) Die Solarzelle
Im unbeleuchteten Zustand werden die Minoritätsladungsträger nur durch die thermische
Anregung von Elektronen aus dem Valenz- ins Leitungsband generiert. Wenn dagegen Licht
auf die Diode bzw. die Solarzelle trifft, so werden durch die Absorption der Photonen
zusätzliche Elektron-Loch-Paare erzeugt. Die Dichte der Majoritätsladungsträger wird
dadurch nicht wesentlich vergrößert, jedoch nimmt die Minoritätsträgerdichte um
Größenordnungen zu. Da in kristallinem Silizium die Raumladungszone, in der das
elektrische Feld vorliegt, eine Ausdehnung der Größenordnung von 1µm hat, die Eindringtiefe
von Licht jedoch etwa 100 mal größer ist, bewegen sich die generierten Ladungsträger
zunächst im feldfreien Raum. Nachdem sie zur Raumladungszone diffundiert sind, findet die
Ladungstrennung statt. Der Driftstrom der Minoritätsladungsträger steigt stark an während der
Diffusionsstrom nahezu unverändert bleibt (Abb. 3a). Dies führt zu einer Aufladung der
beiden Bereiche der Zelle. Der p-Bereich lädt sich positiv und der n-Bereich negativ auf, die
erzeugte Spannung kann über Klemmen abgeführt werden.
Die Strom-Spannungs-Charakteristik der Solarzelle folgt aus der Diodenkennlinie und
entspricht der Summe aus dem Diodenstrom I in Flußrichtung und dem Photostrom Iph, der in
Sperrichtung fließt und somit ein negatives Vorzeichen hat (Abb. 3b). Der Photostrom Iph
beschreibt den Driftstrom der durch die optisch generierten Minoritätsladungen hervorgerufen
wird
  eU  
(3.5).
I = I 0 exp
 − 1 − I ph
nk
T


B


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Abbildung 3:
a) pn-Übergang unter Beleuchtung: Die photogenerierten Minoritätsladungsträger diffundieren
zunächst zur Raumladungszone und werden dort durch das elektrische Feld getrennt.
b) Strom-Spannungs-Charakteristik einer Solarzelle. Die Kennlinie ergibt sich aus der Summe von
Diodenstrom I und Photostrom Iph (negatives Vorzeichen !).
Bei Beleuchtung der Solarzelle wird in der Zelle ein Stromfluß der Minoritätsladungsträger in
Sperrichtung (I<0) hervorgeruften, wodurch sich die Diode selbst in Flußrichtung polt (U>0),
da sich Elektronen im n-Gebiet und Löcher im p-Gebiet ansammeln. Für die
Energieproduktion ist somit nicht die gesamte Kennlinie interessant, sondern nur der Bereich
im 4. Quadranten (U>0, I<0). Die anderen Bereiche sind nur dann von Bedeutung, wenn eine
äußere Spannung angelegt wird. Die Solarzellen-Kennlinie wird in der Regel durch drei
Größen charakterisiert (Abb. 4):
Isc: Kurzschlußstrom (sc=short circuit)
Uoc: Leerlaufspannung (oc=open circuit)
FF: Füllfaktor.
Abbildung 4: Der für die Energieproduktion relevante Bereich der Kennlinie ist der 4. Quadrant. Die
maximale Leistung kann der Zelle bei einer Spannung UMPP (MPP=Maximum Power Point)
entnommen werden.
Der Kurzschlußstrom ist der maximale Strom der aus einer kurzgeschlossenen Solarzelle
entnommen werden kann. Aus der Diodengleichung und der Bedingung U=0 folgt:
I sc = I ph
(3.6).
Der Kurzschlußstrom entspricht also dem Photostrom Iph, und steigt wie dieser linear mit der
Lichtleistung an. Der maximale Kurzschlußstrom kann aus der Energie der Bandlücke
errechnet werden. Je größer die Bandlücke ist, desto ungünstiger ist dies für den
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Kurzschlußstrom, da nur Photonen mit Energien größer als die Bandlücke zum Photostrom in
der Solarzelle beitragen können und somit nur ein geringerer Anteil des Sonnenspektrums
genutzt werden kann. Für ein standardisiertes AM1,5-Sonnenspektrum (entspricht einer
Sonneneinstrahlung unter 45°-Winkel bei unbedecktem Himmel) kann eine Solarzelle aus
kristallinem Silizium eine maximale Kurzschlußstromdichte von 44 mA/cm2 aufweisen.
Dieser Maximalwert wird jedoch in der Realität nicht erreicht, da die generierten Ladungen
nicht alle in der Raumladungszone getrennt werden, sondern zum Teil an Defekten im
Material rekombinieren.
Die Leerlaufspannung ist die Spannung, die sich an der Diode aufbaut, wenn kein Strom
entnommen wird (I=0):
 kT  I ph 
kT  I ph
U oc =
ln 
+ 1 ≈
ln  
für Iph>>I0
(3.7).
e  I0
e  I0 

Die Leerlaufspannung steigt also logarithmisch mit dem Photostrom Iph und somit mit der
Lichtleistung an. Anschaulich kann man sich die Leerlaufspannung folgendermaßen
vorstellen: Die Ladungstrennung durch das Diffusionspotential erfolgt solange, bis die
Spannung der getrennten Ladungen dieses Potential kompensiert. Dann ist die maximale
Spannung erreicht. Das Diffusionspotential ist somit eine obere Grenze für die
Leerlaufspannung. Da das Diffusionspotential durch die Energie der Bandlücke begrenzt ist,
steigt die maximal mögliche Leerlaufspannung mit dem Bandabstand.
Für die Anwendung ist weder der Fall U=0 noch der Fall I=0 interessant, da so der Zelle keine
Leistung (P=U*I) entnommen werden kann. Bei einer optimal angesteuerten Zelle beträgt die
entnommene Leistung:
Pmax = I sc ⋅ U oc ⋅ FF
(3.8).
FF ist der sog. Füllfaktor, der gewöhnlicherweise zwischen 60 und 80% liegt.
Die Energie der Bandlücke beeinflußt den Kurzschlußstrom und die Leerlaufspannung
gegenläufig. Für die Anwendung in der Photovoltaik sind Halbleiter mit einen Bandabstand
von 1.4 eV optimal. Mit diesen Halbleitern kann rein theoretisch bis zu 28 % des einfallenden
Sonnenlichts in elektrischen Strom umgewandelt werden.
Tatsächlich werden im Labormaßstab heute Silizium-Solarzellen mit Wirkungsgraden bis zu
24% realisiert. Solarzellen aus industrieller Fertigung erreichen Wirkungsgrade bis etwa
15 %.
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4) Versuchsdurchführung
In diesem Praktikumsversuch sollen 2 Solarzellen aus amorphem und polykristallinem
Silizium sowie eine Silizium-Diode charakterisiert werden.
4.1) Messung der Dunkelkennlinien
Zunächst sollen von der Diode sowie von den beiden Solarzellen Dunkelkennlinien (dh.
Kennlinien ohne Beleuchtung) aufgenommen werden.
Vorsicht: Um die Solarzelle/Diode nicht zu überlasten, darf die angelegte Sperrspannung
-1 V und der Strom in Flußrichtung 50 mA nicht überschreiten. Bei der Wahl der Spannung ist
zu beachten, daß das Solarmodul aus amorphem Silizium aus 5 in Reihe geschaltenen Zellen
aufgebaut ist. Geeignete Meßbereiche sind:
Diode:
U=-1...+0.8 V
Solarzelle aus polykristallinem Silizium: U= -1...+0,6 V
Solarmodul aus amorphem Silizium:
U= -5...+5 V
4.2) Messung der Hellkennlinien in Abhängigkeit der Beleuchtungsstärke
Die Solarzellenkennlinien sollen nun für unterschiedliche Beleuchtungsstärken bestimmt
werden. Nach der Messung mit voller Lampenstärke (100%) stehen Graufilter mit einer
Transparenz von 10%, 1%, 0,1% und 0,01% zur Verfügung.
Vorsicht: Die Solarzelle generiert einen Strom, der von der Meßelektronik aufgenommen
werden muß. Um die Elektronik nicht zu überlasten muß darauf geachtet werden, daß die
Solarzelle bei maximaler Beleuchtungsstärke nicht mehr als 50 mA Kurzschlußstrom liefert.
Die Elektronik ist zwar gegen höhere Ströme abgesichert, kann diese jedoch nicht mehr
richtig erfassen.
4.3) Messung der spektralen Empfindlichkeit
Die spektrale Empfindlichkeit der Solarzelle beschreibt die Wahrscheinlichkeit, daß ein
Photon mit einer bestimmten Energie/Wellenlänge zur Stromerzeugung beiträgt. Das
Spektrum (d.h. Kurzschlußstrom über Lichtenergie) hat Ähnlichkeiten mit dem
Absorptionsspektrum, da die Lichtabsorption Voraussetzung für die Stromproduktion ist.
Aufbau: Das Licht einer Halogenlampe wird in einen Gitter-Monochromator eingekoppelt.
Durch die Einstellung des Gitters (Drehknopf) wird die Wellenlänge festgelegt, die den
Monochromator in erster Ordnung durchläuft. Mit der Wellenlänge λ wird jedoch in n-ter
Ordnung auch die Wellenlänge λ/n unter dem gleichen Winkel reflektiert. Um zu verhindern,
daß Licht höherer Ordnung auf die Solarzelle trifft, steht ein Bandkantenfilter zur Verfügung,
der unterhalb von 650nm (Bandkante) nicht transparent ist.
Die Wellenlänge des einfallenden Lichts soll für die Zelle aus kristallinem Silizium zwischen
1250 und 900nm und für die Zelle aus amorphem Silizium zwischen 1000 und 700nm in 20
nm-Schritten variiert werden. Im Gegensatz zu einer professionellen Messungen der
spektralen Empfindlichkeit (siehe Kapitel 9.2 in [Goetzberger]) wird hier der Einfachheit
halber nicht der Kurzschlußstrom sondern die Leerlaufspannung mit einem Voltmeter
bestimmt (Abb. 5).
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Abbildung 5: Schematischer Aufbau zur Messung der spektralen Empfindlichkeit.
5) Versuchsauswertung:
Die Auswertung und Darstellung der Meßdaten soll mit geeigneter Software durchgeführt
werden (EXCEL, ORIGIN, o.ä.)
5.1) Auswertung der Dunkelkennlinien
A) Die Diode zeigt eine ideale Kennlinie. Um dies nachzuprüfen sollen die Meßpunkte in
einen U-log(|I|)-Plot aufgetragen und mit Gl. 3.3 gefittet werden.
Wie groß ist der Idealitätsfaktor n und der Sättigungsstrom I0?
B) Die beiden Solarzellen zeigen sichtbar kein ideales Diodenverhalten. Um die Parameter
der Zelle zu beschreiben, müßten die Kennlinien mit Gl. 3.4 gefittet werden. Die
Berechnung dieser impliziten Funktion ist jedoch sehr aufwendig und wird eifrigen
Praktikanten als Fleißarbeit überlassen.
Für die Auswertung reicht eine qualitative Abschätzung mit Hilfe der graphischen
Addition der Ströme (Abb. 2b) aus.
Wie groß sind Rsh und I0 für beide Zellen? Lassen sich die Werte sinnvoll abschätzen?
5.2) Auswertung der Hellkennlinien
A) Aus den Hell-Kennlinien (100 % Beleuchtung) lassen sich die wichtigen Parameter der
Solarzelle bestimmen. Wie groß sind Isc, Uoc? Um die beiden Zellen vergleichen zu
können, muß der Kurzschlußstrom pro Fläche und die Leerlaufspannung pro Zelle
angegeben werden. Wie wirkt sich die Bandlücke von kristallinem und amorphem
Silizium auf die beiden Größen aus?
B) Um den optimalen Arbeitspunkt (MPP) zu bestimmen ist die Leistung der Solarzelle in
Abhängigkeit der Spannung (oder des Stromes) zu berechnen und in einem Graph
darzustellen. Wie groß sind der Füllfaktor (FF) die Leistung, sowie Strom und Spannung
im optimalen Arbeitspunkt?
Der absolute Wirkungsgrad läßt sich mit der vorliegenden Apparatur nicht bestimmen, da die
Leistung der Lichtquelle nicht kalibriert ist und das Lampenspektrum nicht dem der Sonne
entspricht. Dennoch ist ein Vergleich der beiden Zellen möglich. Welche Zelle hat den
höheren Wirkungsgrad?
5.3) Auswertung der Abhängigkeit von der Lichtintensität
Die Abhängigkeit der Leerlaufspannung und des Kurzschlußstroms von der Lichtintensität
soll mit der Theorie verglichen werden. Dazu sollen die Kenngrößen als Funktion der
Lichtintensität geeignet dargestellt werden. Es empfiehlt sich eine einfach bzw. doppeltlogarithmische Darstellung. Stimmt das Verhalten mit der Theorie überein?
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5.4) Auswertung der spektralen Empfindlichkeit
Die spektrale Empfindlichkeit (bzw. die gemessene Leerlaufspannung) soll gegen die
Lichtenergie aufgetragen werden. Wie läßt sich interpretieren, daß die Empfindlichkeit der
Zelle für kleine Energien gleich null ist? Was verursacht den Abfall bei hohen Energien?
VORBEREITUNG:
ES IST EIN CA. 20 – 30 MINÜTIGER KURZVORTRAG ZUM THEMA ZU
ERARBEITEN. DER THEORETISCHE TEIL DER AUSWERTUNG ENTFÄLLT, DIE
ANGEFERTIGTEN FOLIEN / ZETTEL SIND ABZUGEBEN.
Im Vortrag sollte mindestens enthalten sein: Funktionsweise von Solarzellen, physikalische
Grundlagen der Solarzelle, Herstellung von Solarzellen .
Die Auswertung ist in elektronischer Form abzugeben (pdf, ps, doc…)
7) Literatur: (findest sich alles in der Fachbereichs- Bibliothek)
Halbleiterphysik:
Ibach, Lüth: Festkörperphysik
K. Kopitzki: Einführung in die Festkörperphysik
Grundlagen des pn-Kontakts:
R.Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik 1 [Ete 176-01]
A. Goetzberger/ B.Voß/ J. Knobloch: Sonnenenergie: Photovoltaik, [Tph85]
außerdem lesenswert:
Dieter Meisser: Solarzellen [Tph83]
Würfel, Solarzellen
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