Der pn-Übergang Fünf Punkte Programm

Der pn-Übergang
feststehende Dotieratome
p
n
UD
qN D
-l n

qN DI ln
qN
Dn
lp
-qN AI lp
-qN
Ap
E max
-qN A
E
-l n
lp
x

n
file:///C:/pn_Uebergang.html
file:///C:/Drift.html
x
x
lp
-l n
p
Diffusion.html
Prof. Glösekötter
np
1
Elektronik I
Fünf Punkte Programm
1. a) Elektronen strömen aufgrund des Konzentrationsgefälles in das p-Gebiet. Zurück bleiben ortsfeste,
ionisierte Donatoratome (pos. geladen)
b) Löcher strömen aufgrund des Konzentrationsgefälles
in das n-Gebiet. Zurück bleiben ortsfeste ionisierte
Akzeptoratome (neg. geladen).
Es fließen also die Diffusionsströme IDn und IDp
2. Es entsteht eine Raumladungszone RLZ:
a) positiv im n-Gebiet
b) negativ im p-Gebiet
3. Die Ladungen erzeugen ein elektrisches Feld E, dieses
erzeugt einen Feldstrom.
a) Elektronenstrom IFn
b) Löcherstrom IFp
Prof. Glösekötter
2
Elektronik I
Fünf Punkte Programm
4. Ohne äußere Spannung heben sich Feld- und
Diffusionsstrom gegenseitig auf ∑
0, es stellt sich ein
Gleichgewichtszustand ein.
5. Das bestehende elektrische Feld führt zu einer inneren
Spannung, der sog. Diffusionsspannung VD.
Prof. Glösekötter
3
Elektronik I
Der pn-Übergang
feststehende Dotieratome
p
n
UD

qN D
1. Raumladung:
-l n
qN DI ln
qN
Dn
lp
-qN AI lp
-qN
Ap
E max
-qN A
x
2. Feldstärke:
E
-l n
lp
x
:
3. Spannungsverlauf:
0
x
lp
-l n
∙
ä ,

n
1
E x
8,86 ∙
10
np
p
Prof. Glösekötter
4
Elektronik I
0
∙
Diffusionsspannung
n1=ND
n2=ni2/NA
1
2
n
+
+
+
+
n1
p
-
n2
IDn
IFn
IDp
IFp
∑
,
0:
Gleichung für die Elektronen: IFn=IDn
∙
∙
∙
| ∙
∙
∙
1
Prof. Glösekötter
∙
|
5
Diffusionsspannung
n1=ND
n2=ni2/NA
1
;
∙
Elektronik I
1
2
n
+
+
+
+
n1
-
p
n2
IDn
IFn
IDp
IFp
∙
∙
∙ ln|
1
∙ ln
2
1
1
1
ln
2
=UT
∙
1
2
Prof. Glösekötter
6
Elektronik I
n-Seite: n1= ND; p-Seite: n2=ni2/NA
UD hängt also von den Dotierkonzentrationen und der
Eigenleitungsdichte ab.
typische Werte: Si: 0,7V; Ge:0,3V
Prof. Glösekötter
7
Elektronik I
Sperrschichtweite
allgemein: pn-Übergang mit unsymmetrischer Dotierung z. B:
N D > NA
qNDln
-qNAlp
Neutralitätsbedingung:
Q+ =
QN D * q * A * l n = N A * q * A * lp
N D * l n = NA * l p
Die Sperrschicht erstreckt sich vor allem in die niedrig dotierte
Seite des pn-Übergangs!
Prof. Glösekötter
8
Elektronik I
Sperrschichtweite lges = ln + lp = ?
qNDln
-qNAlp
Feldstärke:
1
E x
:
∙
∙
ä ,
0
8,86 ∙
10
0
∙
∙
Neutralitätsbedingung: ND * ln = NA * lp
∙
∙
∙
Spannungsverlauf:
1
1
Emax2
2
UD x
Prof. Glösekötter
1
9
Elektronik I
Sperrschichtweite lges = ln + lp = ?
UD x
1
Emax2
2
1
1

2
1
1
1
1
1

Merke: - Technische Dioden haben fast immer eine unsymmetrische Dotierung.
- je höher die Dotierung desto kleiner die RLZ
Prof. Glösekötter
10
Elektronik I
Verhalten mit äußerer Spannung
a) U < 0 (Rückwärtsrichtung)
n
U
+ +
+ +
−
+ +
+ +
- - +
- - -
p
Elektronen im n-Gebiet werden nach links „gesaugt“.
Löcher im p-Gebiet werden nach rechts „gesaugt“.
1) RLZ verbreitert sich
2) RLZ ist nach wie vor (fast) ohne freie (bewegliche)
Ladungsträger
3) Die ständige thermische generierten Minoritätsträger erzeugen
einen kleinen Sperrstrom (Feldstrom).
Prof. Glösekötter
11
Elektronik I
Verhalten mit äußerer Spannung
b) U > 0 (Vorwärtsrichtung)
U
n
+
+
+
+
−
-
p
+
Elektronen strömen von der linken Seite ins n-Gebiet.
Löcher strömen von der rechten Seite ins p-Gebiet.
Sie kommen bis zur RLZ und werden dort vom Feld abgedrängt:
1) RLZ wird schmaler
2) Bei steigender Spannung verschwindet die RLZ ganz; Strom
beginnt zu fließen. Dieser Strom ist ein reiner Diffusionsstrom.
Prof. Glösekötter
12
Elektronik I
Sperrweite für U≠0
U
UD
n
+
+
+
+
+
+
+
+
-
p
Uges
Die insgesamt an der Raumladungszone anliegende Spannung ist
jetzt: Uges = UD – U
1. Bei Sperrspannung (U<0) addieren sich UD und U.
2. Bei Spannungen in Durchlassrichtung (U>0) subtrahieren sich
U und UD.
Die Sperrschichtweite hängt jetzt von Uges ab (Einsetzen von Uges
= UD – U anstelle UD):

Prof. Glösekötter
13
Elektronik I
Sperrweite für U≠0
U
UD
n
+
+
+
+
+
+
+
+
-
p
Uges
lges
2ε
U
q D
U
UD
1
NA
1
ND
∙ ln
UT
Prof. Glösekötter
14
∙
ni 2
Dn
μn
Elektronik I
Ladungsträgerdichten
n
U
+
+
+
+
n=ND
p
-
Flusspolung
n=ni2/NA=np0
ND
Verlauf der
Minoritäten im
Fremdgebiet bei
Flusspolung
n*
U = 0,8 V
n*
U = 0,6 V
∗
∗
=
Ln
x
Ladungsträgerdichten
n*
n (x) = n* · e
n(x)
-x/Ln
n* = np0 · e U/UT
p(x)
Ln
np0
x
Ladungsträgerdichten
Für U > 0:
• Elektronen strömen als Feldstrom von der Spannungsquelle
durch das n-Gebiet in die RLZ.
• Die Dichte am rechten Rand der RLZ erhöht sich von np0 auf
n*. Die Elektronen diffundieren dann ins p-Gebiet wo sie mit
den Löchern rekombinieren.
• Es ergibt sich ein exponentieller Abfall:
n (x) =
∗
−
/
·
Näherung:
n (x) = ∗ ·
/
+
(**)
+
mit Ln: Diffusionslänge der Elektronen im p-Gebiet
Prof. Glösekötter
17
Elektronik I
Ladungsträgerdichten
Nebenbei: Es gilt:
∙
Diffusionskonstante
Minoritätsträgerlebensdauer
Typ. Größen: Dicke der RLZ: lges < 0,5µm
Ln = 10 – 50 µm
Prof. Glösekötter
18
Elektronik I
Zeichnen einer Funktion
• Beispiel:
f(x)
1
x
a
0
1
1
0,368 ≅ 0,37
∙
Ableitung:
0
Steigung bei x=0:
Prof. Glösekötter
19
Elektronik I
Ladungsträgerdichten: Wie groß ist n*?
Für U =0 kennen wir die Formel schon:
∙
1
2
1
2
1
| ∗
2;∗
2
2
1
1
∙
Für U≠0 wird Uges zu: Uges= UD – U

∗
2
1
∙
1
∙
∙
=np0

∗
Prof. Glösekötter
U>0:  Anhebung von n*
U<0:  Absenkung von n*
∙
20
Elektronik I
Welcher Strom fließt?
U > 0: Diffusionsstrom
Bei Spannungen in Vorwärtsrichtung ergibt sich ein
Diffusionsstrom der Elektronen auf der p-Seite.
∙
Gleichung (**):n (x) =
∗
−
·
/
=
∗
−
·
/
+
1
Wir wählen x=0:
=
∗−
∙
∗
Prof. Glösekötter
1
∙
21
Elektronik I
Welcher Strom fließt?
=

=−
A∙q∙
∙
=
∗
−
∙
∙
1
−
A ∙ q∙
∙
∙
1
∙
1
2
An der linken Seite der RLZ ergibt sich für die Löcher eine
ähnliche Formel.
Gesamtstrom:
A∙q∙
∙
∙
∙
1
I0: Sättigungsstrom
Prof. Glösekötter
22
Elektronik I
Die Diodenkennlinie
• Die Shockley-Gleichung: Für den pn-Übergang ergibt
sich folgende Gleichung (Shockley-Gleichung):
•
•
A∙q∙
∙
ä
∙
Elektronenstrom
Löcherstrom
• Sonderfälle:
– U<0:
→0→
– U>>0:
Prof. Glösekötter
23
Elektronik I
Gesamtstrom
U
p
n
ND = 2 NA
Strom I
IGes
Elektronenstrom
(Feldstrom)
Löcherstrom
(Feldstrom)
Löcherstrom
(Diffusionsstrom)
Elektronenstrom
(Diffusionsstrom)
Die Schleusenspannung
Die Diodenkennlinie hat beim
Spannungswert US scheinbar
1
10
einen Knick, ab dem der Strom
deutlich ansteigt.
US nennt man Schleusenspannung. Sie wird typischerweise
definiert als Spannung, bei der 1/10 des Maximalstroms
fließt. Gleichzeitig ist US die Spannung, die die am pnÜbergang vorhandene Diffusionsspannung UD gerade
kompensiert:
US ist also die Spannung, bei der die RLZ ganz abgebaut
ist.
typische Werte:
Si: US=0,7V
Ge: US=0,3V
Prof. Glösekötter
25
Elektronik I
Temperaturabhängigkeit der Diodenkennlinie
1. Fall: Sperrpolung
;
A∙q∙
μ
μ
∙
∙
stärkste Abhängigkeit von T
Wir kennen:
²∙
∆
→
physikalischer Grund: Es werden mehr
Ladungsträgerpaare erzeugt, die entstandenen
Minoritätsträger führen zu stark steigendem Sperrstrom.
Faustregel bei Si:
Sperrstrom verdoppelt sich alle 7 Kelvin
Prof. Glösekötter
26
Elektronik I
Temperaturabhängigkeit der Diodenkennlinie
2. Fall: Durchlasspolung:
• Bei Flusspolung fließt vor allem ein
Diffusions-strom. Dieser steigt mit
steigender Temperatur (allerdings
nicht so stark wie der Sperrstrom).
• Lässt man den Strom konstant, so
sinkt die Diodenspannung etwas.
Faustregel: Pro Kelvin verringert
sich U um 2mV.
•
∆
∆
.
Prof. Glösekötter
27
Elektronik I
Dynamisches Verhalten, Kleinsignalverhalten
Angenommen wir legen eine Gleichspannung an unsere
Diode und überlagern dieser noch eine kleine
Wechselspannung. In diesem Fall bezeichnet der
Widerstand und die Kapazität, die diese Wechselspannung
„sieht“, das Kleinsignalverhalten der Diode.
Einfaches Ersatzschaltbild (ESB):
:
≜
:
:
ä ä
Die einzelnen Größen ändern sich je nach dem eingestellten
Gleichstrom bzw. Arbeitspunkt.
Prof. Glösekötter
28
Elektronik I
Differentieller Leitwert
An jedem Punkt der Kennlinie ergibt sich
ein anderer differentieller Leitwert .
Arbeitspunkt
∆
∆
für
≫
∆
∆
gilt:
∙
1
Der differentielle Leitwert ist also
direkt proportional zum Strom.
Prof. Glösekötter
29
Elektronik I
Sperrschichtkapazität
n
U
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
p
U=0V
U<0V
gespeicherte Ladung
Allgemeine Definition von Kapazität:
∆
∆
Bei Anlegen einer Sperrspannung verändert sich die Breite
der RLZ  Die gespeicherte Ladung ändert sich  es wirkt
die Sperrschichtkapazität .
Prof. Glösekötter
30
Elektronik I
Andere Betrachtungsweise zur
Sperrschichtkapazität
n
+
p
+
-
+
-
+
+
-
Die vielen positiven und negativen Ladungen wirken wie
viele kleine Kapazitäten, die parallelgeschaltet sind. Wir
vergleichen dies mit einem Plattenkondensator, der einen
hat. Wir setzen
≅
:
mittleren Plattenabstand
Im Gegensatz zu einem normalen Plattenkondensator ist hier der „Plattenabstand“
und damit auch die Kapazität eine Funktion der Spannung!
Prof. Glösekötter
31
Elektronik I
Andere Betrachtungsweise zur
Sperrschichtkapazität
Von Folie 13 wissen wir:
2
1
1
~

In Kapazitätsdioden nutzt man diese
Abhängigkeit aus. Falls man
kennt, kann man daraus
bestimmen:
1
~
Prof. Glösekötter
32
X
1
X
X
Elektronik I
Diffusionskapazität
Wird eine Diode in Durchlassrichtung betrieben, so strömen Majoritätsträger
über den Übergang ins fremde Bahngebiet, wo sie Minoritätsladungsträger
nach kurzer Zeit und Wegstrecke rekombinieren. Sie sind dort eine gewisse
Zeit lang „gespeichert“.
Erhöht man die Spannung, so werden
mehr Ladungsträger gespeichert:
-
n
-
-
-
-
-
- - - - - - -
p
∆
∆
+
Formel für
n(x)
ND
(ohne Herleitung):
∙
U = 0,6 V
L: Diffusionslänge
D: Diffusionskonstante
: differentieller Leitwert
U = 0,3 V
x
~ →
~
Die Diffusionskapazität wirkt faktisch nur bei Flusspolung
und ist i.a. größer als .
Prof. Glösekötter
33
Elektronik I
Diffusionskapazität
-
ND
n
-
-
-
-
-
- - - - - - -
p
+
CGes= CS + CD
n(x)
C = f(U)
U = 0,6 V
CS
CD
U = 0,3 V
x
US
U
Ein- / Ausschaltverhalten
u(t)
R
i(t)
U1
u(t)
t
RechteckGenerator
1) Einschalten: Sperrschicht
wird abgebaut,
und R
bestimmen die Einschaltzeit
(rise time).
2) Ausschaltzeit: Die freien
Ladungsträger (Minoritäten)
müssen ausgeräumt werden.
und R bestimmen die
Rückwärtshaltezeit
(reverse recovery).
-U1
i(t)
Imax
0,9·Imax
t
-0,1·Imax
tr
-Imax
trr
Ersatzschaltbilder
Je nach Anwendung benutzt man
auch für das Großsignalverhalten
unterschiedliche ESB:
ideale
Diode
a) Ideale Diode (ideales Ventil)
b) Ideale Diode mit
Schleusenspannung
ideale
Diode
=
Prof. Glösekötter
36
Elektronik I
Ersatzschaltbilder
c) Linearisierte Diode
ideale
Diode
∆
=
∆
p
Anode
Prof. Glösekötter
∆
∆
n
Kathode
37
Elektronik I
Technische Dioden, verschiedene Arten
Zenerdioden
• Durchbrucheffekte
1. Lawinendurchbruch (avalanche breakdown)
Beim Lawinendurchbruch (LD) werden die wenigen
freien Elektronen in der RLZ so stark beschleunigt,
dass sie weitere Elektronen aus der Kristallbindung
schlagen können und dabei selbst erhalten bleiben
(Stoßionisation, Lawineneffekt).
Die notwendige
Feldstärke liegt bei
etwa 200 KV/cm
Quelle: http://www.tep.e-technik.tu-muenchen.de/pages/lehre/praktika/prozess--und-bauelementesimulation/einfuehrung/lawinendurchbruch.php
Prof. Glösekötter
38
Elektronik I
Durchbrucheffekte
Wird die Temperatur erhöht, stoßen die
beschleunigten Elektronen öfter mit den stärker
schwingenden Gitteratomen zusammen. In diesem
Fall ist eine größere Feldstärke notwendig, um den
Effekt auszulösen!
2. Zenerdurchbruch
Wird eine Diode hochdotiert, so ergibt sich eine
kleine Raumladungszone. Bei extrem kleiner RLZ
reicht die „Beschleunigungsstecke“ nicht mehr aus,
um den LD auszulösen. Stattdessen tritt ab ca. 500
KV/cm der Zenerdurchbruch (ZD) auf. Bei
steigender Temperatur sind die Kristallelektronen
lockerer gebunden, somit reicht eine kleinere
Feldstärke um sie aus den Bindungen zu reißen.
Prof. Glösekötter
39
Elektronik I
Durchbrucheffekte
3. Wärmedurchbruch (WD)
Der Wärmedurchbruch kann sich LD und ZD
überlagern. Durch die hohen Ströme erwärmt sich
die Diode. Dies führt ggf. zum Einsetzen der
) und einem weiteren
Eigenleitung (ab
Stromanstieg.
Im Gegensatz zu LD und ZD führt der WD leicht zur
Zerstörung der Diode.
Prof. Glösekötter
40
Elektronik I
Symbol und Zenerspannung
a) Schaltsymbol
b) Zenerspannung
Die Zenerspannung von Zenerdioden nach dem
Zenereffekt liegt zwischen 0 und -6 V, die von solchen
nach dem Lawineneffekt bei unter -6 V.
6
Zenereffekt
Lawineneffekt
5
Definition:
5
Prof. Glösekötter
41
Elektronik I
Symbol und Zenerspannung
c) Ersatzschaltbild (gilt im Bereich der Sperrkennlinie)
ideale
Diode
≜
=
: Durchbruchspannung
5
∆
∆
∆
∆
Prof. Glösekötter
42
Elektronik I
Reale Kennlinie
a) Durchlassbereich: Die reale Kennlinie weicht von der
idealisierten Diodenkennlinie ab (Rekombination in der RLZ).
Angleichung durch Verwendung des Idealitätsfaktors m.
ideale
∙
reale Si-Diode
z. B. für m=2
b) Sperrbereich: Sperrstrom ist (etwa 3 Größenordnungen)
5 500 ; Ge:
5 500μ
höher als : z.B. Si:
Gründe: Randeffekte, Generation in der Sperrschicht
Prof. Glösekötter
43
Elektronik I
Bahnwiderstand
Bei hohen Strömen ist der Bahnwiderstand nicht mehr
vernachlässigbar.
-
p
n
+
Bahngebiete haben gewissen Widerstand
Prof. Glösekötter
44
Elektronik I
Durchbruch bei hohen Sperrspannungen
• Si-Dioden: Lawinendurchbruch bei 80 – 1500 V
Sperrspannung
• Ge-Dioden: Wärmedurchbruch bei 50 – 100 V
(Ge) 80° )  nicht geeignet als
Sperrspannung (
Gleichrichtdiode
Anwendung Einweggleichrichtung
: Glättungskondensator
 siehe Übung
Anforderungen an Gleichrichtdioden:
‐
möglichst groß
‐
möglichst groß
‐
möglichst klein
‐
möglichst klein
Prof. Glösekötter
45
Elektronik I
Kapazitätsdioden
oder
Bei Kapazitätsdioden nutzt man folgendes aus:
Dotierung des
niedrig dotierten
Bereichs
Prof. Glösekötter
46
Elektronik I
Kapazitätsdioden
Kennlinie
Anwendung: z.B. Frequenzeinstellung beim Fernsehtuner
Prof. Glösekötter
47
Schwingkreis
Elektronik I
Ge-Spitzendioden
Verschweißen der Metallspitze mit Ge-Kristall:
 p-Zone entsteht durch Dotierung
 sehr kleine Fläche der Sperrschicht
 + kleines Cs und Cd
 - großes Rb
Verwendung von Ge:
+ kleines Us (0,3V)
+ hohe Beweglichkeit (μ
zum Vergleich Si: μ
3500
1350
)
;μ
480
Einsatz: Gleichrichtung von HF-Spannung [HF-Mischer]
Prof. Glösekötter
48
Elektronik I
Schottky-Dioden
Schaltsymbol
Funktionsweise:
Eine Schottky-Diode (auch Hot-Carrier-Diode) besteht aus
einem Metall-HL-Übergang:
Damit sich eine Sperrschicht ausbilden kann, müssen die
von HL und Metall unterschiedlich sein.
Austrittsenergien
: Energie, die notwendig ist, um ein Elektron aus dem Kristall
). Ist
,
ins Unendliche zu bringen (nach
so entsteht im Energiediagramm eine Stufe.
Prof. Glösekötter
49
Elektronik I
Aufbau und Banddiagramm
(getrennte Kristalle)
(verbundene Kristalle)
WFermi: Die Energie, die die Elektronen „im Mittel“ haben
Prof. Glösekötter
50
Elektronik I
Schottky-Dioden
• Elektronen strömen von der HL-Seite zum Metall, um
einen niedrigeren Energiezustand zu erhalten. Zurück
bleiben ionisierte Donatoratome. Auf der Metallseite
bildet sich eine negative Oberflächenladung.
[Elektronenaffinität z.B. Al 4,1eV, n-Si 4,05eV]
1. Fall: U>0 (Minus an n-Seite)
Elektronen strömen „von rechts“ zum Übergang und
0,3
bauen die RLZ ab.  Strom fließt,
2. Fall U<0: Die „Stufe“ kann nicht überwunden werden. 
Diode sperrt.
Prof. Glösekötter
51
Elektronik I
Vergleich der Diodenkennlinien und -werte
Parameter
Si-Diode
Ge-Diode
Schottky-Diode
Schleusenspannung US
0,7 – 0,8 V
0,3 – 0,4 V
0,3 – 0,4 V
Sperrstrom IR
nA-Bereich
A-Bereich
A-Bereich
100 – 1500 V
50 – 100 V
50 – 100 V
100 ns
10 ns
0,1 ns
Durchbruchspannung URmax
Rückwärtserholzeit trr
Prof. Glösekötter
52
Elektronik I
Praxiswissen Bauformen
Je nach Anwendung werden verschiedene Bauarten von HLDioden verwendet.
a) Flächendioden: typischerweise Si-Dioden (normale Bauart)
Aufbau als Planardiode:
b) Spitzendiode (hatten wir schon)
c) Leistungsdioden (Gleichrichter)
meist aus Si, ist allerdings empfindlich gegen Überströme
sonst Selen (Se)
Prof. Glösekötter
53
Elektronik I
54
Elektronik I
Bauformen von Dioden
Si-Planardiode
Ge-Spitzendiode
Prof. Glösekötter
Bauformen von Dioden
Schottkydiode
Leistungsdiode
Prof. Glösekötter
55
Elektronik I
Dioden-Bezeichnungsschema nach
PRO ELECTRON
Die Typenbezeichnung besteht aus zwei Buchstaben und
einem laufenden Kennzeichen.
A A 119
B A Y93
z.B.:
Material
Material:
A
B
C
R
Prof. Glösekötter
Germanium
Silizium
GaAs oder InP
Photoleitermaterial
Funktion
Kennzeichen
Funktion:
A
B
E
P
X
Y
Z
Schalt-, Universaldiode
Kapazitätsdiode
Tunneldiode
Photodiode
Varaktordiode
Leistungsdiode
Z-Diode
56
Kennzeichen:
3 Ziffern bei Konsumertypen
1 Buchstabe + 2 Ziffern bei
Industrietypen
Elektronik I
Dioden-Bezeichnungsschema nach
PRO ELECTRON
Da die Bauteile meist zu klein zum Aufdrucken einer
Kennung sind, wird vielfach eine Ringkodierung verwendet:
zwei breite Ringe
zwei schmale Ringe
Kathode
1. Ring:
2. Ring:
Braun: AA
Rot:
BA
Weiß: Z
Grau: Y
Schw.: X
Blau: W
Grün: V
Gelb: T
Orange: S
Prof. Glösekötter
Schmale Ringe:
Schw.: 0
Braun: 1
Rot:
2
Orange: 3
Gelb: 4
Grün: 5
Blau: 6
Violett: 7
Grau: 8
Weiß: 9
57
(Codierung wie bei
Widerständen)
Elektronik I
Dioden-Bezeichnungsschema nach
PRO ELECTRON
Bei Industrietypen gibt es auch folgende Abwandlung der
Kennzeichnung:
Gehäusefarbe
breiter Ring schmaler Ring
Kathode
Prof. Glösekötter
Gehäusefarbe:
Breiter Ring:
Hellgrün: BAV
Hellblau: BAW
Schwarz: BAX
Codierung wie
bei Widerständen
58
Schmale Ringe:
Codierung wie
bei Widerständen
Elektronik I
Dioden-Bezeichnungsschema nach
JEDEC
Die Typenbezeichnung besteht aus „1N“ und einer
Kennung aus vier Buchstaben.
1N 4148
z.B.:
1 PN-Übergang
ein breiter Ring
Kennzeichen
drei schmale Ringe
Kathode
Codierung wie bei
Widerständen:
Prof. Glösekötter
Schw.: 0
Braun: 1
Rot:
2
Orange: 3
Gelb: 4
Grün:
Blau:
Violett:
Grau:
Weiß:
5
6
7
8
9
59
Elektronik I
Bezeichnungsschema für Z-Dioden
Neben der Kennzeichnung von Material
und Funktion wird noch die
Zenerspannung samt Toleranz codiert:
- Material: Si
- Funktion: Z-Diode
- Industrietyp
- Seriennr.
- Toleranzangabe
A=1%, B=2%,C=5%, D=10%, E=15%
-Z-Nennspannung
z.B.:
B Z X 97 C 5 V 6
- Kommastelle für Z-Spannung
Diese Codierung wird meist bei Z-Dioden kleiner Leistung angewendet.
Prof. Glösekötter
60
Elektronik I
Bezeichnungsschema für Z-Dioden
Leistungs-Zenerdioden heißen z.B.
ZX3,9 Diode mit Zenerspannung 3,9 V; 12,5 W; Toleranz +/-5 %
ZPU120 Diode mit Zenerspannung 120 V; 1,3 W; Toleranz +/-10 %
Prof. Glösekötter
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