POTENTIALINDUZIERTE DEGRADATION (PID) TESTVERFAHREN IM LABOR UND FREIFELD 12.11.2015, 12. Workshop „PV-Modultechnik“ – TÜV, Köln Christian Hagendorf, Dominik Lausch, Volker Naumann, Stephan Großer, Jörg Bagdahn Thanks to PV Guider/Taiwan, 2015 © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Agenda Warum PID-Tests? PID Grundlagen PID Modultest (IEC 62804 Standard) PID Tests von der Solarzelle bis zum Solarmodul Testprozedur Reproduzierbarkeit und Zuverlässigkeit Vergleich zwischen Solarzellen-Test und Modul-Test Freifeld PID-Prüfung Zusammenfassung © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Warum PID-Tests? Produktversagen kommerzieller PV-Module PV-Magazin Umfrage (01/2015): mindestens 160 MWp betroffen © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Potential-induzierte Degradation (PID) in Solarmodulen & PV-Systemen PID bei hoher Spannung zwischen Modulrahmen/Frontglas und Zellen beobachtet (2010) Hohe Spannungsdifferenzen führen zu Drift der beweglichen Na-Ionen [1,2] PID-s weltweit Vorbeugende Maßnahmen bei Invertern, Modulen, Zellen Schematische Darstellung des Potentials in aufgereihten Modulen © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP http://files.sma.de/dl/7418/PID-TI-UEN113410.pdf SMA Solar [1] P. Hacke et al., Proc. of 25th EU-PVSEC, Valencia, Spain, 2010 [2] S. Pingel et al., Proc. of 35th IEEE PVSC, Honolulu, USA, 2010 PID an Solarzellen Ursache und Versagensmechanismus Lamelle PID-s PID-s TEM Lamella Surface PID-s bedingt durch mikroskopische Defekte an den Solarzellen Mechanismus: Leckstöme und resultierende Spannung über SiN-Schicht Entwicklung von Tests für R&D, Prozess und Qualitätskontrolle für die gesamte Produktionskette [1] Naumann, V. et al., Energy Procedia 33, S. 76–83 © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Wissenschaftlicher Hintergrund der PID-Tests erforderlich für Definition von Testparametern und Einflussfaktoren Untersuchung von Potentialinduzierter Degradation durch Überbrückung des p-n Übergangs (PID-s) Planare Defekte in Si {111} Ebenen “Stapelfehler” dekoriert mit ~1 Monolage Na Hohe elektrische Leitfähigkeit Messung des Shunt-Widerstands Rp, um PID-Zustand zu quantifizieren © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Produktqualitäts-Test IEC Standard für den PID Modultest (IEC 62804 TS Ed.1) Auf Modul-Level: PID Standard verfügbar - IEC 62804 TS Prozedur: Kontaktierung der Oberfläche durch Bedeckung mit einer geerdeten, elektrisch leitfähigen Elektrode in kontrollierter Umgebung Klimakammer + Modul mit Al-Folie in Klimakammer metal foil Temperatur: 60 °C glas V front contact - Solar cell EVA back contact back sheet R © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Parameter: Luftfeuchtigkeit < 60% Dauer: 168 h Spannung: 600 V/1000 V oder 1500 V Solarzellen, Polymer, Glasprüfung Setup und Testprozedur Kons is tent zu IEC (> 1 kV, max. 140 °C) Tes t v on S olarzellen und Modul Komponenten ohne Modulhers tellung Test von Mini-Modulen möglich Prozes s - oder Qualitäts kontrolle Zuverlässig, reproduzierbar, kosteneffizient, schnell Benchm ark für PID-Anfälligkeit In-situ Messung von Rp EL image of a multicrystalline Si solar cell after PID test on an area of 4x4 cm² © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Luftfeuchtigkeitsmessung Vergleichbar mit Mini-Modul Tests Test von PID-anfälligen und PID-resistenten Solarzellen für S olarzelle v s . Mini-Modul Tes t S olarzellen-Tes t (PIDcon) 180 100 160 140 PID resistant (PIDcon) 120 PID prone (PIDcon) 100 50 PIDcon 80 60 40 0 20 200 PID resistant (Climate chamber) PID prone (Climate chamber) 150 80 100 Climate chamber 50 5 10 15 Time [h] 20 23 40 20 0 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Time [h] PID-freie S olarzelle PID-freies Mini-Modul! © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP 60 0 0 0 100 Parallel Resistance Rp [] 200 Parallel Resistance Rp [] 220 Parallel Resistance Rp [] 120 150 Parallel Resistance Rp [] Mini-Module (Klim akam m er) Anwendungen für Material- und Prozesstests Parallel Resistance Rp [] 1200 PIDcon Test - Encapsulant 1 PIDcon Test - Encapsulant 2 1000 800 600 PIDcon 400 200 0 0 200 400 600 Time [min] 800 1000 Weitere Parameter beeinflussen PID (z.B. EVA, Laminationsprozess, Modulkontaktierung, …) Testbedingungen müssen für eine Korrelation zwischen Solarzellen- und Modultests spezifiziert werden Materialien für Solarzellentests müssen im gleichen Zustand 1200 sein, wie bei der Herstellung für Module PID-Prüfung im PIDcon Tes ter v or dem Lam inations s chritt durch Freiberg Ins trum ents eingeführt Lam inations folien und Prozes s param eter können getes tet w erden © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Vergleichbare PID-Testresultate für 60 Zellmodule und Mini-Module 1 von 3 der 60-Zellmodule mit moderater PID-Anfälligkeit (am CSP gebaut) Elektrolumineszenz (EL) bei niedriger Injektion (0.85 A) Nur einige Zellen zeigen Verlusten Rp wird durch intakte Zellen aufgrund der Reihenschaltung dominiert Shunt resistance [k] 25 module 1 (60 cells) module 2 (60 cells) module 3 (60 cells) 5 one-cell laminates x 12 20 15 10 5 0 0 vor PID Test © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP nach PID Test 20 40 Time [h] 60 Zwischenfazit 1. PIDcon S olarzellentes t is t eine v erläs s liche und reproduzierbare Methode für die industrielle Prüfung von Solarzellen und Modulkomponenten auf PID-Anfälligkeit 4-fach PIDcon4 1. Resultate von Solarzellen, Mini-Modul und 60-Zellmodul PID Tes ts können aufeinander kalibriert w erden 2. Tes tbedingungen müssen spezifiziert werden Materialien müssen den gleichen Zustand während der Solarzellen- und Modultests haben SEMI Task-Force “PV Material Degradation” since 06_2015 © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Outdoor-Prüfung Mobiler PID-Modul Tester S tate-of-the-art PID-Prüfung im Freifeld: 1. PV-Anlage zeigt Leistungsverlust 2. Schwachlicht-Performance (Morgen/Abend) Anzeichen einer Abnahme von Rp 3. EL Inspektion von individuellen Modulen bis dato keine voraussagende PID-Testprozedur vorhanden Lösung: Patentanmeldung: D. Lausch, V. Naumann, C. Hagendorf, J. Bagdahn, Verfahren und Anordnung zur Prüfung eines Solarmoduls auf Anfälligkeit für Potential-induzierte Degradation, Patentanmeldung DE 102015213047.9, eingereicht am 13.07.2015. © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Outdoor-Prüfung Schema Setup Frontelektrode auf Solarmodul Hochspannungsquelle (-Pol an Zellen) Spannungsquelle, Strommessung Heizung Solarmodul: 1 2 3 4 Modulglas Verkapselungsmaterial (Polymer) Solarzellen Rückseitenfolie Prototyp am Fraunhofer CSP Elektrode Solarmodul 1 2 3 2 4 UHV Hochspannungsquelle Heizelement Messung © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Outdoor-Prüfung Vorteile direkte, eindeutige PID Nachweis durch Provokationstest Demontage von Modulen nicht nötig keine Logistik, kein Ertragsausfall PID-Anfälligkeit von Modulen bei neuen oder jungen Solaranlagen Vorhersage für zukünftiges Auftreten von PID Ausheilen im Feld (Bewertung/Demonstration von Gegenmaßnahmen, z.B. PV Offset Box) mobiles Gerät einfache Bedienung, einfache Datenauswertung/-Interpretation © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Simulation von Modul I-V Kennlinien mit PID-Zellen Simulation: Standard c-S i S olarzellenm odul m it 60 Zellen Blaue Kennlinie: I-V Kennlinie einer realen in Reihe geschalteten Zelle (60-fach) Rote Kennlinie: 20 von 60 Zellen haben einen verkleinerten Shunt-Widerstand entsprechend dem Leistungsverlust von 5 % (unter STC) Dark I-V curves (logarithmic current axis) 10 1 Current [A] -40 -30 -20 -10 0 0,1 0,01 0,001 Voltage [V] © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP 10 20 30 40 PID-free ohne PID 20 20 cells with PID Zusammenfassung PID-Kontrolle “from cradle to grave” 1. Produktqualitäts -Prüfung: PID Modultest IEC 62804 TS verfügbar 2. PV-Materialien und S olarzellentes t entlang der Hers tellungs kette: PIDcon verfügbar, SEMI Standard in der Entwicklung 3. PID Freifeld-Tes t: Voraussagender Modultest für PV-Anlagen Patent angemeldet © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP Dr. Christian Hagendorf Contact: [email protected] www.csp.fraunhofer.de © Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP