Formelsammlung Elektronik - Flo

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Manuel Janocha
Elektronik Formelsammlung
29.06.2009
Elektronikformelsammlung
1.
1.1
1.2
Kühlung
Maximal zulässige Sperrschichttemperatur
Si
220°C
Thermischer Widerstand
∆ϑ Temperaturdifferenz
Rth =
=
PV
Verlustleistung
mit PV = (U E − U A ) ⋅ I E + U E ⋅ I E
in
K
W
Eingangsleistung
Beispiel eines statisches, elektrischen
Ersatzschaltbildes des
Wärmetransports
Wärmewiderstand
Rth =
∆ϑ
PV
in
K
W
Hinweise
Umgebung
Gehäuse
Sperrschicht
Ambient
Case
Junction
RthJA
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebungsluft
RthJC
Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse
RthCK
Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Kühlkörper
RthKA
Wärmewiderstand des Kühlkörpers
1.3 ESB
1.3.1 Ohne Kühlkörper
Rth,JA
TJ
Pv
δJ
Cth,J
elektrisches PrinzipErsatzschaltbild des
Wärmetransports
TA
T
δA
δ
Verlustleistung
Pv
Temperatur
ϑ oder T
junction
J
ambient
A
Wärmewiderstand Rth
Wärmekapazität
-1-
Cth
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29.06.2009
PV
oben
P V0
Verlauf der Verlustleistung
über der Zeit
P V0
unten
Verlauf der JunctionTemperatur über der Zeit
t
τ th = R th , JA C th , J
τ th
TJ
T J2
∆ T = P V 0 R th ,J A
T J1 = T A
t
PV 0 ⋅ Rth , JA
Anfänglicher Temperaturanschstieg:
1.3.2 Mit Kühlkörper
τ th
=
Kann in den meisten fällen
vernachlässigt werden!
IC
Sperrschicht
Rth,JC
TJ
Gehäuse IC
Cth,J
Kühlkörper
Isolator
Rth,CK
TC
Pv
∆T
P
= V0
∆t Cth , J
Rth,KA Umgebung
Ambient
TK
Cth,C
Cth,K
TA
dynamischer ESB des Wärmetransportes
PV
Verlustleistung
J
Junction, Sperrschicht
K
Kühlkörper
A
Ambient, Umgebung
Rth,CK wird meist durch einen Isolator zwischen Bauteil und Kühlkörper hervorgerufen
(z. B. Glimmerscheibe)
TJ
τ th = Rth, KA Cth, K
τth
90 s
TA + ∆T2
thermisches Ersatzschaltbild vom
Transistor zum Kühlkörper
die gestrichelten Teile sind
vernachlässigt
125 °C
1/
3
∆T2 = PV0 (Rth,JC + Rth,KA)
2/
3
TA + ∆T1
TA
Rth,KA thermischer Widerstand
Kühlköper-Umgebung in K/W
35 °C
25 °C
Rth,JC thermischer Widerstand
Halbleiter-Gehäuse in K/W
∆T1 = PV0 Rth,JC
t
Cth,K Wärmekapazität des
Kühlkörpers in Ws/K
thermischer Einschwingvorgang
-2-
TJ
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29.06.2009
TK = PV ⋅ RthKA
TJ = PV ⋅ RthJC
t
thermische Zeitkonstante in s
τ th = Rth , KA ⋅ Cth , K
Wärmekapazität Kühlkörper in Ws/K
Cth = cv ⋅ m
spez. Wärme in Ws/gK
Cu
Al
Si
cv
0,38Ws/gK
0,92 Ws/gK
0,73 Ws/gK;
Kühlköpermasse in g
2.
m
Z- Diode
Näherung
Ersatzschaltbild der Z-Diode
im Arbeitspunkt
I
dI
I
rZ = dU/dI
Arbeitspunkt
U
dU
IAP
U
UZ
UZM
UZ UAP
Differentieller Widerstand:
Testschaltung
• Z-Diode
• Vorwiderstand
• Spannungsquelle
RV
U
rZ =
∆ UR
∆ IR
ID
Spannungsstabilisierung
mit Z-Diode
U0
RV
Strom durch
die Diode
Arbeitspunkt
U
ID
U0
U
0
− D
A rb I D =
eits
RV RV
ger
ade
UD UA
0
Spannung an
der Diode
U0
-3-
UD=UA
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3.
29.06.2009
Transistoren
Dynamischer Basis- Emitter Widerstand: r = UT
BE
IB
Ersatzschaltbild:
Transistor ohne Rückwirkung
B
rBE
SuBE
Kleinsignal NF Transistor-Modell
C
rCE
ßiB
Steilheit
BE-Diode
rBE
Steilheit der BE-Diode
rCE
Early-Effekt
EarlyEffekt
E
Großsignal-Stromverstärkung
BF
Kleinsignal Stromverstärkung
β
überschlägige Rechnungen
β ≈ BF .
BE-Diode Ł
rBE ≈
Steilheit
S=
Early-Effekt Ł
3.1
rCE ≈
ß
rBE
UT
IB
≈
UT=26mV
IC
UT
U early
IC
Grundschaltungen
Emitter-Schaltung
Kollektor-Schaltung
(Emitter-Folger)
Basis-Schaltung
+
+
+
RC
RC
Eingang
Ausgang
u
Eingang
u
Eingang
t
Ausgang
Ausgang
u
t
t
(Wechsel-)
Signal uq
≈
Arbeitspunkt
=
-4-
RE
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3.1.1 Emitterschaltung mit Basisspannungsteiler und Reihen-Strom-Gegenkopplung
ohne CE
UB
RC
RB1
ua
C1
Rq
~
uq
RE
CE
RB2
vU =
Spannungsverstärkung:
v U = − s ⋅ (R C || rCE ) = −
β
rBE
dUa u a
=
⋅
dUe u e
⋅ (R C || rCE )
Eingangswiderstand
re = ue/ie = rBE || RB1 || RB2
Ausgangswiderstand
ra = ua/ia = rCE || RC
Festlegung des Arbeitspunktes:
Strom durch Basisspannungsteiler IT ≥ 10 IBo
Spannung am Emitterwiderstand
UREo ≥ 0,5V
RE
rBE
=
2π ⋅ CE ⋅ RE
1+ β
fgRE
3dB-Grenzfrequenz durch RE /CE:
7.11.8
3.1.2 Emitterschaltung mit Basisspannungsteiler und Reihen-Strom-Gegenkopplung
mit CE
RC
RB1
UB
Spannungsverstärkung
~
uq
RE
RB2
rBE
≈−
RC
RE
β
Spannungsverstärkung an RL (allg. UOUT/UIN)
vURL ≈ v ⋅
Rq
RC
RE +
ua
C1
vU ≈ −
RL
RL + RE
Eingangswiderstand
re ≈ RB1 || RB2 || (rBE + β RE )
Ausgangswiderstand



RE
ra ≈ R C ||  rC E ⋅  1 +



rB E + R E + ( R q || R B 1 || R B 2 )  




R 
≈ R C ||  rC E  1 + E   ≈ R C
rB E  


-5-
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3.1.3
29.06.2009
Kollektorschaltung (Emitterfolger)
+UB
C1
R B1
C2
Rq
Ue
R B2
U
q
Spannungsverstärkung:
Eingangswiderstand:
Ausgangswiderstand:
Ua
RE
vU =
RL
1
≈1
rBE
1+
(RE || RL ) ⋅ (1 + β )
re ≈ RB1 || RB2 || [rBE + β(RE || RL) ]
ra ≈ RE||
(
rBE + Rq|| RB1|| RB2
β
) ≈ Rq
ß
Der Arbeitspunkt wird normalerweise so eingestellt, dass aus Symmetriegründen gilt:
UREo = UB / 2
3.2
Ersatzschaltbild (ESB)
•
3.3
Spannungsquellen und Kondensatoren werden kurz geschlossen
Arbeitspunkt
3.3.1 Eingangsarbeitsgerade
• Basis-Emitter-Strecke auftrennen
Leerlaufspannung
• Arbeitsgerade durch bestehenden Arbeitspunkt legen
3.3.2 Ausgangsarbeitsgerade
• Kollektor-Emitter-Strecke kurzschließen
Kurzschlussstrom
• Kollektor-Emitter-Strecke auftrennen
Leerlaufspannung = UBAT
-6-
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3.4
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Kaskadierung mehrerer Verstärkerstufen
1.Stufe
ie
Rq
ue
2.Stufe
r
a1
r e1
uq
r
r e2
ua1
ue1 vu1* ue1
v u,ges =
a2
RL
ue2 vu2* ue2
u a2
uq
64444444744444448
u a2
=
RL
ra2 + R L
v u2
re2
ra1 + re2
re1
uq
R q + re1
142
4 43
4
u e1
14444
4244444
3
v u1
u e2
4.
Operationsverstärker
+
+
+
+
RC
RC
uA
uA
rBE
uD
uD
≈
rBE
=
≈
=
Konstantstrom:
IE
Konstantstrom:
IE
-
4.1
Invertierender und Nicht- invertierender Verstärker
Impedanzwandler für vu=1
UE
… als LEDQuelle
+
UE
R
~ UE
I=
R
bzw.:
spannungsge
steuerte
Stromquelle
-7-
ua2
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29.06.2009
nicht invertierend
invertierend
+
+
UE
UA
-
R1
R1
UA
UE
R2
re
sehr groß
≈∞
≈ R1
ra
sehr klein
≈0
sehr klein
≈0
vu
4.2
R2
1+
R1
R2
−
R2
R1
Stromquelle; Stromsummierer; U/I-Wandler
Verwendung eines OPs zum
Summieren von Strömen
Spannungs Ł Strom
Wandler
+
R1
U1
…
RN
I1
Uout
IN
R
UN
IR
I1 =
U1
R1
IN =
U U 
IR = −  1 + N 
 R1 RN 
UN
RN
I1 + I R + I N = 0
U R = U OUT = − (U1 + U N )
-8-
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4.3
29.06.2009
Integrator
Verwendung eines OPs zum
integrieren einer Spannung
invertierender Integrator
+
R
U1
Uout
-
U OUT = −U C = −
U1
⋅t
R ⋅C
C
iC =
4.4
LED-Quelle
Verwendung eines OPs zum
stromgesteuerten Betrieb
einer LED
Stromquelle
(massebezogen)
+
+
R
UE
UE
-
links:
R
LED
4.5
U1
R
OP
rechts: dito mit npnTransistor
Differenzverstärker
Sonderfall:
Differenzverstärker mit
einem OP
R/α
U2
+
R/α
U1
Uout
R
R
-9-
U out = α (U 2 − U 1 )
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4.6
29.06.2009
Erweiterung eines bestehenden Differenzverstärker
U out = 2(U 2 − 0V ) +1(0V-U1)
Erweiterung:
Erweiterung eines
Differenzverstärkers mit
einem OP
R
R/2
U2
+
U out = 2U 2 − U 1
R
U1
Uout
R/2
R
R
4.6
Der reale OP
Kennlinien eines OPs
Offsetspannung
begrenzte
Ausgangsspannung
UA
typ: in V
Ubat+
Ubat+
+
UD
typ: in µV
+
UD
UA
-
Uoffset
typ: ± wenige mV
Ubat-
Ubat-
4.7
Slewrate
UA/10
1V
100mV
UE
10ms
- 10 -
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4.8
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Ruhestromkompensation
ri+
R1
IB+
+
R3
Uout
U1
•
•
•
•
4.9
ri-
U2
IBR4
R2
Ausgang OP auf Masse (OP wird als ideale Spannungsquelle betrachtet)
Sämtliche Widerstände am positiven Eingang addieren
Sämtliche Widerstände am negativen Eingang addieren
ri+=ri- vergleichen. Wenn ri+=ri- ist der Ruhestrom kompensiert
Arbeistpunktverschiebung
12(U1-U2)+0,5(5V-0V)+12(5V-5V)
+5V
240k
+5V
10k
10k
Arbeitspunkt
verschieben
Ubat
10k
+
UADC
Umess
10k
UmessGND
UGNDmess
120k
RLAST
120k
240k
- 11 -
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4.10 Nicht linearer Verstärker mit OP (Spitzengleichrichter)
Generator
+15 V
UE
50Ω
+
9k
-15 V
UA
C
1k
4.11 Frequenzgang
Frequenzgangverhalten wie ein Tiefpass 1. Ordnung
AD 0
AD =
1+ j
f
fG
AD = LL- Verstärkung bei DC
AD0 = 100000
Frequenzgänge
fg = 10Hz
100000,00
10000,00
Verstärkung
1000,00
100,00
fG = 10kHz
vU0 = 100
|AD| des OPs
|VU| des 1. nicht-inv. Verst.
|VU| des 2. nicht-inv. Verst.
fG = 100kHz
vU0 = 10
10,00
1,00
1,00
fT = 1MHz
10,00
100,00
1000,00
10000,00
100000,00
1000000,00
10000000,00
Transitfrequenz
0,10
Frequenz in Hz
3db- Grenzfrequenz:
fG =
fT
vu
Frequenzgänge
1,00
0,00
10,00
100,00
1000,00
10000,00
100000,00
1000000,00 10000000,00
-10,00
-20,00
fG = 100kHz
Phase in °
-30,00
-40,00
-50,00
arc(AD) in ° des OPs
arc(VU) in ° des 1. nicht inv. Verst.
-60,00
arc(VU) in ° des 2. nicht inv. Verst.
-45°
-70,00
fG = 10kHz
-80,00
-90,00
fg = 10Hz
-100,00
Frequenz in Hz
- 12 -
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5.
5.1
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Komperatoren
Vergleich „OP <-> Komperator“
+
+
+
+
+
+
Komperator (Bauteil):
Differenz >0
Differenz <0
-
5.2
-
5V
Fensterkomperator“
+5 V
3.33V
Pull-upWiderstand
+5 V
1.67V
0V
1k
100k
Schalter offen
Schalter geschlossen
UE
-
-
Ausgang high
Ausgang low
t
+15 V
+
UE
-
Uout
Uout
open
collector
5V
100k
+15 V
+
0V
t
-
open
collector
100k
3.33V
1.67V
Uout
5V
0V
5.3
Invertierender Schmitt- Trigger
UE
UE
U+
UE
-
0V für UE > U+
Û für UE < U+
Uout
+
t
R1
Uout
U+
Û
R2
0V
=
0V
Uref
t
Uout
Û
0V
Beispiel (invertierend):
- 13 -
UE
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UE
U0
+5 V
100k
R1
U+
5V
+5 V
3,75V
50k R3
R4
1k
2,5V
1,25V
+15 V
0V
+
t
Uout
UE
Uout
100k
5V
R2
2,5V ± 1,25V
0V
t
Fallunterscheidung:
Fall 1: uOUT=high


R2
US = U0 ⋅ 

 R2 + ( R1 || ( R3 + R4 ) ) 


R1
ESB:
R3
R2
Fall 2: uOUT=low


R2 || R3
U S = U 0 ⋅ 

 R2 + ( R1 || R3 ) 
Wenn R3= ∞
5.4
Schaltschwelle: U S = U 0 ⋅
R1
R1 + R2
Multivibrator
UE
-
R
Û
+
0V
UC
C
R1
Uout
U+
R2
Uref
Uref
- 14 -
R4
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