P2-50,51: Widerstandskennlinien

Physikalisches Anfängerpraktikum (P2)
P2-50,51: Widerstandskennlinien
Matthias Faulhaber, Matthias Ernst (Gruppe 19)
Karlsruhe, 2.12.2009
Ziel des Versuchs ist die Untersuchung der Eigenschaften verschiedenartiger Widerstände, insbesondere deren Temperaturabhängigkeit.
0 Grundlagen
0.1 Halbleiter
Halbleiter sind Stoe, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von Leitern und Nichtleitern
liegt. Der Wert ihrer Leitfähigkeit ist stark temperaturabhängig und nimmt mit steigender Temperatur zu. Durch Dotieren, d.h. z.B. das Einbringen von Fremdatomen wie Ge oder P in einen
Si-Halbleiter lassen sich die Eigenschaften des Halbleiters gezielt verändern. Durch Hinzufügen
eines Elements mit mehr als 4 Valenzelektronen entsteht ein sogenannter n-Halbleiter, wobei die
überschüssigen Elektronen leicht ins Leitungsband angehoben werden können und der Halbleiter
dann leitend wird. Wird andererseits ein Element mit weniger als 4 Valenzelektronen eingebracht,
so entsteht ein p-Halbleiter mit einer Elektronenlücke (einem Loch). Auch die Löcher können
wandern, indem sie von benachbarte Elektronen gefüllt werden.
0.2 Halbleiterdioden
Werden ein n- und ein p-Halbleiter kombiniert, so erhält man eine Diode. Dabei können überschüssige Elektronen aus dem n-Halbleiter die Löcher im p-Halbleiter besetzen (n-p-Übergang).
Dies erfolgt jedoch nur bis zu einer gewissen Grenze, da der n- und der p-Halbleiter dabei ionisiert werden. Dabei baut sich ein elektrisches Feld auf, was ab einer bestimmten Stärke weitere
n-p-Übergänge verhindert. An der Grenze der beiden Halbleiter ndet sich ein Bereich, in dem
fast keine Ladungsträger vorhanden sind. Wird eine externe Spannung angelegt, so kann diese
den n-p-Übergang begünstigen (bei Polung in Sperrrichtung), was dazu führt, dass keine Elektronen mehr für den Stromtransport verfügbar sind. Bei Polung in Durchlassrichtung werden jedoch
weitere Elektronen in den p-Halbleiter ieÿen, was zu freien Elektronen und somit zu Stromuss
führt. Dies tritt jedoch erst ab einer bestimmten Spannung auf, da zunächst der n-p-Übergang
rückgängig gemacht werden muss.
1
1 Durchführung
1.1 Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands
Die Temperaturabhängigkeit des Widerstands
R(T )
eines Halbleiterwiderstands soll mit einer
◦
Wheatstoneschen Brücke von Zimmertemperatur bis 200 C gemessen werden. Den Aufbau der
Wheatstoneschen Brückenschaltung zeigt Abb. 1.
Iges
U1
U3
R1
I1
Uges
V
R3
Id
I3
Ud
U2
U4
R2
I2
R4
I4
Abbildung 1: Wheatstonesche Brückenschaltung
Die Schaltung dient der Bestimmung eines Widerstands, z.B.
R2 , bei bekannten Werten der
R3 , variabel sein (alternativ
anderen Widerstände. Dabei muss mindestens ein Widerstand, z.B.
kann auch ein Potentiometer statt
vorgegebene Spannung
ist auch
Id = 0
Uges
R3
und
R4
verwendet werden). An die Schaltung wird eine
angelegt und der Widerstand
und die Messung des Widerstands
R2
R2 = R1
R3
so eingestellt, dass
Ud = 0 ist. Damit
erfolgt stromlos. Dann gilt:
R4
R3
(1)
Im Versuch wird das Verstärker-Multimeter in der empndlichsten Einstellung als Brückeninstrument A benutzt, um eine möglichst genaue Messung dieser Spannung zu gewährleisten.
Die Leitfähigkeit eines Halbleiters steigt mit der Temperatur, also fällt dessen Widerstand. Für
die Temperaturabhängigkeit wird der Ansatz gemacht:
b
R = a · eT
(2)
Um diesen Ansatz zu überprüfen, bietet sich die Auftragung des logarithmierten gemessenen Widerstands über der inversen Temperatur an, denn Logarithmieren von Gl. 2 ergibt:
ln(R) =
b
+ ln(a)
T
(3)
Man sollte sich bei Gültigkeit des Ansatzes eine Gerade erhalten. Der Koezient
Steigung der Geraden, der Koezient
a
aus deren Achsenabschnitt
c
gemäÿ
a = ec
b
ist dann die
berechenbar.
Anwendungen von Heiÿleitern (NTC-Widerstände), also Leiter, deren Widerstand mit steigender
Temperatur abnimmt, wie z.B. Halbleiter:
2
•
Temperaturmessung
Unter Verwendung des in Gl. 2 gemachten Ansatzes können NTC-Widerstände zur Temperaturmessung eingesetzt werden, wenn für die Messanordnung die Parameter
sind, indem der Widerstand
RT
und
b
bekannt
bei der gesuchten Temperatur gemessen wird. Dann gilt:
T =
•
a
b
ln(RT ) − ln(a)
(4)
Füllstandsanzeige
Der Füllstandsanzeige liegt der Temperaturausgleich eines NTC-Widerstands durch eine
Flüssigkeit anderer Temperatur zugrunde. Bei unterschiedlichem Benetzungsgrad des NTCWiderstands, der teilweise in die Flüssigkeit hineinragt, wird sich eine vom Füllstand abhängige Temperatur einstellen. Aus dem daraus resultierenden Widerstand kann also der
Füllstand berechnet werden.
•
Strombegrenzung
Um den Strom zu begrenzen, kann ein NTC-Widerstand parallel zum Verbraucher geschaltet
werden. Bei geringen Strömen ieÿen diese quasi vollständig durch das zu schützende Bauteil, da der NTC-Widerstand kalt bleibt und somit einen hohen Widerstandswert aufweist.
Flieÿen hohe Ströme, so erwärmt sich der NTC-Widerstand und sein Widerstandswert wird
geringer, weshalb der Strom zunehmend durch diesen statt durch das zu schützende Bauteil
ieÿt. Dies lässt sich auch z.B. in Lichterketten anwenden, indem parallel zu jedem Lämpchen ein derartiger Widerstand geschaltet wird. Wenn ein Lämpchen durchbrennt, würde
normalerweise die Lichterkette erlöschen oder bei Kurzschluss an dieser Stelle eine höhere
Spannung an den übrigen Lämpchen anliegen, was diese bald überlasen würde. Wenn der
Strom jedoch im Fall eines durchgebrannten Lämpchens durch einen NTC-Widerstand ieÿt,
so wird dieser warm, sodass durch den steigenden Widerstand bei richtiger Einstellungen nahezu dieselbe Spannung abfällt wie an einem funktionsfähigen Lämpchen, was das (bis auf das
durchgebrannte Lämpchen) ordnungsgemäÿe Funktionieren der Lichterkette gewährleistet.
1.2 Messung der Eigenschaften verschiedener Widerstände
1.2.1 Spannungsabhängigkeit eines Edelmetallwiderstands
Mit der Halbwellenschaltung des Experimentiergeräts wird die Spannungsabhängigkeit des Stroms
I(U ) eines Edelmetallwiderstands oszillographisch gemessen. Unter Anwendung des Ohmschen GeU
setzes gilt R =
I , weshalb ein linearer Zusammenhang von Strom und Spannung zu erwarten ist.
Auÿerdem ist zu überprüfen, ob die Erwärmung des Widerstands durch den Messstrom den Widerstandswert ändert. Man könnte annehmen, dass dieser aufgrund der höheren inneren Energie und
dem somit gehinderten Stromuss steigt. Vor den Messungen muss die Eichung des Oszillographen
kontrolliert und ggf. mit Wechselspannung erneuert werden.
1.2.2 Kaltwiderstand einer 60W-Glühbirne mit Wolfram-Glühwendel
Mit einem Ohmmeter wird der Kaltwiderstand einer 60W-Glühbirne mit einer Glühwendel aus
Wolfram gemessen. Aus den Nenndaten der Glühbirne (P
230V)
= 60W
und Netzspannung
UNetz =
kann der Widerstand der Glühbirne im zum Vergleich im Voraus berechnet werden:
R=
U
U2
=
≈ 882Ω
I
P
3
(5)
Da Wolfram jedoch ein Kaltleiter ist, wird der tatsächlich gemessene Widerstand wahrscheinlich
deutlich geringer sein. Aus diesem Grund schadet auch ein stark überhöhter Einschaltstrom der
Glühbirne nicht, da sie sich schnell aufheizt, dabei der Widerstand steigt und so der ieÿende
Strom gesenkt wird.
1.2.3 Kaltwiderstand einer 50W-Kohlefadenlampe
In einem gleichen Verfahren wie oben wird auch der Kaltwiderstand einer Kohlefadenlampe gemessen. Deren aus den Nennwerten (P
= 50W, UNetz = 230V) berechneter Widerstand beträgt 1058Ω.
Kohle ist ein Heiÿleiter, daher ist der erwartete Kaltwiderstand kleiner als der Betriebswiderstand.
Eine Kohlefadenlampe ist bei gleicher elektrischer Leistung dunkler als eine Wolframwendellampe, da sie sich einerseits nicht so stark aufheizt wie diese, andererseits auch mehr Licht im nicht
sichtbaren Bereich abgestrahlt wird.
1.3 Spannungsabhängigkeit des Stroms bei Dioden und Varistoren
Für die folgenden Messungen wird die Halbwellenschaltung des Experimentiergeräts verwendet,
um die Kennlinien der verwendeten Bauteile in Sperr- und Durchlassrichtung getrennt aufnehmen
zu können. Auÿerdem wird die Temperaturabhängigkeit qualitativ durch Anblasen mit heiÿer Luft
untersucht. In allen Fällen wird die Spannungsabhängigkeit des Stroms
I(U ), in Sperr- und Durch-
lassrichtung bei den Dioden bzw. beim Varistors in beiden Richtungen der Polung der Spannung
gemessen.
1.3.1 Spannungsabhängigkeit einer Siliciumdiode
Erwartet wird bei Schaltung in Durchlassrichtung ein verschwindend geringer Stromuss bei Spannungen, die kleiner als die Durchlassspannung sind. Ab dieser wird die Diode leitend und der Strom
steigt stark an. In Sperrichtung ieÿt kein Strom. Der Lastwiderstand einer Diodengleichrichterschaltung darf nicht zu groÿ sein, da sonst die Durchlassspannung nicht erreicht wird und die Diode
somit aich in Durchlassrichtung dauerhaft sperrt.
1.3.2 Spannungsabhängigkeit einer Zenerdiode
Bei in Durchlassrichtung geschalteten Zenerdioden ist qualitativ das gleiche Verhalten wie oben
beschrieben zu erwarten. Jedoch wird sie bei einer groÿen Spannung, der Zenerspannung, in Sperrrichtung ebenfalls leitend. Wird eine Zenerdiode parallel zu einem Verbraucher geschaltet, so bleibt
der durch sie ieÿende Strom über einen charakteristischen Spannungbereich sehr gering und quasi
konstant. Bei gröÿeren und kleineren Spannungen verliert sie an Widerstand. So wird die Spannung
am Bauteil stabilisiert, ggf. muss noch ein Vorwiderstand eingesetzt werden.
1.3.3 Spannungsabhängigkeit einer Germaniumdiode
Eine Germaniumdiode sollte ein ähnliches Verhalten wie eine Siliciumdiode aufweisen, jedoch mit
einer niedrigeren Durchlassspannung und einem weniger abrupten Anstieg des durchgelassenen
Stroms.
4
1.3.4 Spannungsabhängigkeit eines Varistors
Ein Varistor (Kurzform für Variable Resistor) ist ein Bauteil mit einem spannungsabhängigen
Widerstand, wobei die Kennlinie unabhängig von der Polung der Spannung ist. Durch den Herstellungprozess (Sinterung von Pulver) wirkt er wie viele statistisch verteilte Dioden und bei kleinen Strömen ieÿt zunächst kein Strom. Erst bei höheren Spannungen verhält sich der Varistor
dann wie die oben beschriebenen Dioden in Durchlassrichtung. Wird ein Varistor parallel zu einem
Bauteil geschaltet, so wirkt er als Schutz gegen induzierte Überspannungen, da er im Normalbetrieb einen hohen Widerstand aufweist, bei Überspannung aber stark leitend wird und somit die
Spannungsspitze abfängt.
1.4 Messung der Varistor-Kennlinie
Im Gegensatz zur Messung in Abschnitt 1.3.4 wird jetzt die Kennlinie des Varistors mit der vorgegebenen Messaparatur durch punktweise Messung der Spannung und des Stroms aufgenommen.
Auf diese Weise wird die Kennlinie wesentlich genauer aufgenommen, jedoch nicht als Ganzes erfasst, sodass sie erst nach der Auswertung der Wertepaare zugänglich ist. Allerdings dauern diese
Messungen wesentlich länger.
Für die Abhängigkeit der Spannung vom Strom wird folgender Ansatz gemacht:
U = c · Ib
Zur Bestimmung der Koezienten
b
und
c
(6)
bietet sich eine doppeltlogaritmische Auftragung der
Messwerte an, denn es gilt:
ln(U ) = b · ln(I) + ln(c)
b
Der erwartete Verlauf ist dann eine Gerade,
c
erhält man aus dem
(7)
kann also direkt aus der Steigung abgelesen werden,
y -Achsenabschnitt.
1.5 Messungen an einer Tunneldiode
Tunneldioden sind stark dotierte Halbleiterbauelemente, oft aus Germanium- oder Galliumarsenid.
Aufgrund der starken Dotierung leiten sie auch bei kleinen Spannungen bereits Strom, da die
Sperrschicht durchtunnelt wird. Den schematischen Verlauf des Stroms zeigt Abb. 2. Deutlich
ist der sofort ansteigende Strom zu erkennen, der jedoch bei
IP
ein Maximum durchläuft und
anschlieÿend wieder abfällt. In diesem (hier grau angedeuteten) Bereich weist die Diode einen
negativen Widerstand auf, bis die Spannung
UV
erreicht wird, an der der Strom minimal ist.
Anschlieÿend steigt der Strom wieder, wie es bei einer normalen Diode auch der Fall ist. In
Sperrichtung leitet sie den Strom durch, da die Zenerspannung nahe bei 0V liegt.
1.5.1 Messung der Spannungsabhängigkeit des Stromes
Die Spannungsabhängigkeit des Stromes soll in Vorwärtsrichtung durch punktweise Messungen
µA betraµA-Bereich des Messgeräts verwendet. Der Strom, der
des Stroms und der Spannung bestimmt werden. Die Stromstärke soll höchstens 200
gen, für die Spannungsmesung wird der 300
Widerstand sowie der dierentielle Widerstand
dU
dI
5
sollen über der Spannung aufgetragen werden.
Abbildung 2: Schematische Kennlinie einer Tunneldiode
1.5.2 Sprungverhalten des Stroms
Für die Beobachtung des Sprungverhaltens des Stroms muss das Strommessgerät im 100
µA-Bereich
verwendet werden, die Spannung wird abermals von 0V an gesteigert. Für die Auswertung sollen
Arbeitsgeraden der Form
wiederstand im 300
pannung
U0
I=
U0 −U
in das
R
µA-Bereich
I(U )-Diagramm eingezeichnet werden, wobei der InnenµA-Bereich ca. 1,7kΩ beträgt und die Betriebss-
ca. 600Ω, im 100
variiert werden soll.
1.5.3 Oszillographische Beobachtung des Sprungverhaltens
In die Schaltung wird eine Spule eingefügt, sodass beim Sprung des Stromes eine Spannungsüberhöhung auftritt. Dann wird die Spannung an der Tunneldiode oszillographisch beobachtet, wobei die
Spannung am Spannungsteiler erhöht wird. Ohne weitere Messgeräte sind Schwingungen oberhalb
des Sprunges Schwingungen zu erwarten. Diese können nach der Lenzschen Regel erklärt werden,
da sich an dieser Stelle der Strom schnell ändert und sich somit in der Spule eine Gegenspannung
aufbaut. Dadurch fällt die Spannung jedoch wieder unter die Spannung der Sprungstelle ab, was
eine abermalige Induktion einer Spannung in der Spule zur Folge hat. Dadurch steigt die Spannung wieder. Diese Spannungsanstiege und -abfälle wiederholen sich dann, was zu den erwarteten
Schwingungen führt.
Anhang
Quellenangaben
Die folgenden Graken wurden nicht selbst erstellt:
•
Abbildung 2: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/pl/a/ae/Dioda-tunelowa-rd.svg (bearbeitet, abgerufen am 1.12.2009)
6
2 Durchführung
2.1 Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands
Wie in der Vorschrift angegeben wurde mit der vorgegenen Schaltung der Widerstandswert eines
Halbleiterwiderstands mittels einer Wheatstoneschen Brückenschaltung gemessen. Dabei wurde
der Widerstand an einem Potentiometer abgelesen, dessen maximaler Widerstand
betrug, der Vergleichswiderstand für die Brückenschaltung betrug
R1 = 101Ω.
Rmax = 10kΩ
Nach der Kalibra-
tion des als Brückeninstrument eingesetzten Spannungsmessgeräts wurde dieses in der feinsten
Einstellung (30mV) betrieben. Der Halbleiterwiderstand wurde elektrisch geheizt, wobei bei Zim-
◦
◦
◦
mertemperatur begonnen und die Temperatur dann von 30 C bis 300 C je in Schritten von 10 C
erhöht wurde.
5.5
300
5
250
200
4
R [Ω]
ln(R/Ω)
4.5
3.5
150
100
3
50
2.5
2
0
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
3,0
−1
1000 · 1/T [K
3,2
3,4
300
350
400
450
T [K]
]
(a) Logarithmische Auftragung
(b) Lineare Auftragung
Abbildung 3: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands
2438, 7K, der y-Achsenabschnitt −2, 87. Aus diesen
b
Ansatz R = a · e
T zu a = 0, 0565Ω und b = 2417, 6K
Die Steigung der Ausgleichsgeraden beträgt
Werten können die Parameter für den
bestimmt werden. In Abb. 3b ist
Rx
über der linearen Temperatur sowie die berechnete Exponen-
tialfunktion aufgetragen. Der Ansatz beschreibt die gemessenen Werte oensichtlich gut und wie
erwartet sinkt der Widerstand des Halbleiters mit steigender Temperatur.
2.2 Messung der Eigenschaften verschiedener Widerstände
2.2.1 Spannungsabhängigkeit eines Edelmetallwiderstands
Mit der Halbwellenschaltung des Experimentiergeräts wurde oszillographisch die
I(U )-Abhängigkeit
eines Platinwiderstandes oszillographisch aufgenommen und photographiert. Dann wurde der Widerstand mit einem Heiÿluftfön erwärmt und die Kennlinie wieder photographiert. Abb. 4 zeigt
diese Bilder. In beiden Fällen ergab sich ein linearer Zusammenhang, wobei die Geraden eine negative Steigung aufweisen. Dies ist wegen
R=
U
I zu erwarten, wenn die Spannung auf der
x-Achse
aufgetragen wird. Nach der Erwärmung des Widerstands wurde die Gerade minimal steiler, der
7
(a) Messung bei Zimmertemperatur
(b) Messung bei erhöhter Temperatur
Abbildung 4: Spannungsabhängigkeit eines Edelmetallwiderstands
Widerstand also wie erwartet gröÿer. Allerdings war der Eekt bei der erreichten Temperatur (die
nicht bestimmt wurde) nur sehr schwach ausgeprägt.
2.2.2 Kaltwiderstand einer 60W-Glühbirne mit Wolfram-Glühwendel
Mit einem Widerstandsmessgerät wurde der Widerstand einer Wolfram-Glühbirne bei Raumtemperatur gemessen, er betrug 62,7Ω. Dies liegt wie erwartet deutlich unter dem in der Vorbereitung
berechneten Wert von 882Ω.
2.2.3 Kaltwiderstand einer 50W-Kohlefadenlampe
Genauso wurde der Widerstand einer Kohlefadenlampe bei Raumtemperatur bestimmt, dieser
betrug 1,695kΩ. Dieser Wert liegt deutlich über ihrem Betriebswiderstand, was ebenfalls der Erwartung entspricht. Die Kohlefadenlampe erwärmt sich erst allmählich, wobei ihr Widerstand sinkt
und sie zunehmend heller leuchtet.
Abbildung 5: Vergleich einer Glühbirne mit einer Kohlefadenlampe gleicher Leistung
Im Vergleich erscheint eine Kohlefadenlampe in einem klaren Glasgefäÿ trotz einem wesentlich
8
längeren Glühdraht deutlich dunkler als eine Wolframlampe derselben Nennleistung, wie Abb. 5
gut zu erkennen ist.
2.3 Spannungsabhängigkeit des Stroms bei Dioden und Varistoren
Mit dem Oszilloskop wurden die Kennlinien der im Folgenden aufgeführten Bauteile aufgenommen
und wieder photographisch festgehalten. Bei den aufgenommenen Kennlinien waren wegen der
Polung am Oszilloskop die y-Werte gespiegelt, dies wurde bei den abgebildeten Kennlinien digital
korrigiert. Jedes Bauteil wurde wie oben mit dem Fön angeblasen, jedoch konnte in keinem Fall
eine Veränderung der Kennlinie beobachtet werden. Dies liegt wahrscheinlich an der zu geringen
Leistung des Föns und der dadurch nicht ausreichend hohen Temperatur sowie der zu geringen
Empndlichkeit des Oszilloskops.
2.3.1 Spannungsabhängigkeit einer Silicdiode
(a) Polung in Durchlassrichtung
(b) Polung in Sperrrichtung
Abbildung 6: Spannungsabhängigkeit einer Siliciumdiode
Wie erwartet, ieÿt in Sperrrichtung (Abb. 6b) kein Strom, während in Durchlassrichtung (6a)
zunächst kein Strom ieÿt, dann jedoch eine Zunahme des Stromusses zu sehen ist.
9
2.3.2 Spannungsabhängigkeit einer Zenerdiode
(a) Polung in Durchlassrichtung
(b) Polung in Sperrrichtung
Abbildung 7: Spannungsabhängigkeit einer Zenerdiode
Auch das Verhalten der Zenerdiode entspricht den Erwartungen: bei Polung in Durchlassrichtung
verhält sie sich ähnlich wie die Siliciumdiode, bei Polung in Sperrrichtung ieÿt zunächst kein
Strom, sobald die Zenerspannung erreicht ist, steigt dieser sprunghaft an, im Bild als Knick zu
erkennen.
2.3.3 Spannungsabhängigkeit einer Germaniumdiode
(a) Polung in Durchlassrichtung
(b) Polung in Sperrrichtung
Abbildung 8: Spannungsabhängigkeit einer Germaniumdiode
Die Germaniumdiode zeigt ebenfalls wie erwartet ein ähnliches Verhalten wie die Siliciumdiode,
jedoch steigt der Strom schon bei kleinerer Spannung an, jedoch verläuft die Kennlinie nicht so
steil.
10
2.3.4 Spannungsabhängigkeit eines Varistors
(a) Bestimmte beliebige Polung
(b) Polung entgegengesetzt
Abbildung 9: Spannungsabhängigkeit eines Varistors
Beim gemessenen Varistor ieÿt bereits bei kleinen Spannungen ein Strom, der weiter mit der
Spannung ansteigt. Die Kennlinie ist unabhängig von der Polung des Varistors.
2.4 Punktweise Messung der Varistor-Kennlinie
Um die Varistor-Kennlinie zu messen, wurden an den entsprechenden Stellen der Experimentierschaltung ein Strom- und ein Spannungsmessgerät eingebaut, die Spannung jeweils in 1V-Schritten
erhöht und der dabei ieÿende Strom abgelesen. Dabei wurde nur eine Polung des Varistors verwendet.
3
0.045
0.04
2
0.035
ln(U/V)
I [mA]
0.03
0.025
0.02
1
0
0.015
0.01
-1
0.005
0
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
U [V]
(a) Lineare Auftragung von
-12
-10
-8
-6
-4
ln(I/A)
(b) Logarithmische Auftragung von
U (I)
Abbildung 10: Punktweise Messung der Kennlinie eines Varistors
11
ln(I(ln(U )))
In Abb. 10a ist der Strom über der Spannung aufgetragen, Abb. 10b zeigt die Auftragung von
ln(U )
über
ln(I),
die aus dem in der Versuchsvorschrift vorgeschlagenen Ansatz resultiert, sowie
eine Ausgleichsgerade. Dabei ist gut zu sehen, dass die logarithmierten Werte keinem linearen,
sondern einem leicht gebogenen Verlauf folgen, der in der Vorbereitung angegebene Ansatz
c · Ib
U =
ist also im gemessenen Bereich oenbar eine ungenügende Beschreibung der tatsächlichen
Abhängigkeit. Die Parameter wurden dennoch zu
b = 0, 485
und
c = 81, 826VA−0,485
bestimmt.
Bei einer nichtlinearen Anpassung des angegebenen Ansatzes an die Messwerte ergaben sich die
Parameter zu
b = 0, 370
und
c = 44, 5824VA−0,370 .
Die groÿe Abweichung dieser Werte von den
vorher bestimmten zeigt erneut, dass die verwendete Formel den Verlauf nicht gut beschreibt.
2.5 Messungen an einer Tunneldiode
2.5.1 Messung der Spannungsabhängigkeit des Stromes
Mit der Spannungsteilerschaltung des Experimentiergeräts wurde die Spannungsabhängigkeit des
Stroms einer Tunneldiode wie oben punktweise gemessen. dabei wurde im Wesentlichen der Strom
gesteigert und die zugehörige Spannung abgelesen. Die Werte sind in Schaubild 11 dargestellt,
120
100
I
R
dR
80
60
60
40
40
20
20
0
0
bzw. dR [kΩ]
80
R
I [ µ A]
100
-20
0
50
100
150
200
U
250
300
350
400
[mV]
Abbildung 11: Spannungsabhängigkeit der Tunneldiode
des Weiteren sind darin der Widerstand
R=
U
I und der dierentielle Widerstand dR
=
Ui+1 −Ui
Ii+1 −Ii
aufgetragen. Deutlich sind der steile Anstieg mit dem Höcker zu Beginn sowie das lange Tal zu
erkennen. Die Höckerspannung beträgt nach den Messwerten etwa 47mV mit einem Höckerstrom
µA, das Tal erstreckt sich etwa zwischen 268mV und 311mV, wobei der Talstrom etwa
µA beträgt. Dies entspricht den in der Versuchsvorschrift angegebenen Werten für Höckerspannung und -strom (50mV, 100µA) sowie für Talspannung und -strom (300mV, 10µA) sehr gut.
von 118
10
Am Maximum des Höckers durchläuft der dierentielle Widerstand einen Vorzeichenwechsel, um
12
anschlieÿend im Negativen langsam betragsmäÿig zu steigen. Im Schaubild ist auÿerdem zu erkennen, dass der Widerstand zu Beginn noch eher klein ist, im Bereich der Talsohle aber steigt
sein Maxmimum annimt. Auÿerdem wird dort der dierentielle Widerstand unendlich groÿ und
durchläuft eine Singularität mit Vorzeichenwechsel, da in einem langen Bereich der Strom konstant
bleibt (in der Messung ist dies nicht zu sehen, da die Punkte sehr weit auseinander lagen und der
Strom leicht schwankte, der Sprung ist aber trotzdem zu erkennen).
2.5.2 Sprungverhalten des Stroms
Schon bei der ersten Messung traten bei etwa 100mA Sprünge der Spannung auf. Bei einer Messung mit der genaueren Einstellung am Messgerät konnten diese als Sprung von etwa 35,6mV
µA
auf 195,3mV bei einer Stromstärke, die von 118
µA
auf 20
springt, verfeinert werden. Zur Er-
120
gemessene Kennlinie
Arbeitsgerade (gemessener Sprung)
100
R = 600Ω,
R = 1700Ω,
Ag. mit R = 600Ω,
Ag. mit R = 1700Ω,
Ag. mit
Ag. mit
I [ µ A]
80
U0
U0
U0
U0
= 150mV
= 150mV
= 200mV
= 200mV
60
40
20
0
0
50
100
150
200
U
250
300
350
400
[mV]
Abbildung 12: Kennlinie der Tunneldiode mit verschiedenen Arbeitsgeraden
klärung wurden in Abb. 12 Arbeitsgeraden mit den beiden Innenwiderständen des Messgeräts
(600Ω und 1700Ω) gemäÿ der Gleichung
(2)
und U0
=200mV
I =
U0 −U
für die Betriebsspannungen
R
(1)
U0
=150mV
eingetragen. Arbeitsgeraden bei verschiedenen Spannungen, aber gleichem Wi-
derstand sind parallel zueinander. Diejenigen Arbeitsgeraden, die die Kennlinie einmal schneiden,
führen zu einer eindeutigen Anzeige auf dem Messgerät. Schneidet die Arbeitsgerade die Kennlinie
jedoch mehrfach, so ist die Anzeige nicht eindeutig, was zu den beobachteten Sprüngen führt (in
unserem Fall sprang die Anzeige von ersten zum letzten Schnittpunkt). Anhand dieser Erkenntnisse ist es ratsam, wenn möglich ein Messgerät mit hohem Widerstand zu verwenden. Auÿerdem
kann aus dem gemessenen Sprung die Betriebsspannung zu 229mV sowie der Innenwiderstand zu
1639Ω bestimmt werden.
2.5.3 Oszillographische Beobachtung des Sprungverhaltens
Zuletzt wurde in die Schaltung eine Spule integriert und das Sprungverhalten am Oszilloskop
beobachtet. Dabei konnte der in Abb. 13 dargestellte Verlauf photographisch festgehalten werden.
13
Die Abbildung zeigt den zeitabhängigen Verlauf der Spannung an der Tunneldiode bei Anlegen
Abbildung 13: Verhalten der Spannung mit Tunneldiode und Spule
von Gleichspannung. Die in der Vorbereitung erklärten und erwarteten Schwingungen konnten in
der Tat beobachtet werden. Dieser einfache Aufbau aus Tunneldiode und Spule ist also in der Lage,
Gleichspannung in Wechselspannung zu transformieren.
14