beleuchtungssytem mit einer effizienteren kollektoroptik
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*DE60319735T220090416* (19) Bundesrepublik Deutschland Deutsches Patent- und Markenamt (12) (10) DE 603 19 735 T2 2009.04.16 Übersetzung der europäischen Patentschrift G03F 7/20 (2006.01) (97) EP 1 573 402 B1 (21) Deutsches Aktenzeichen: 603 19 735.3 (86) PCT-Aktenzeichen: PCT/EP03/08968 (96) Europäisches Aktenzeichen: 03 747 891.4 (87) PCT-Veröffentlichungs-Nr.: WO 2004/057424 (86) PCT-Anmeldetag: 13.08.2003 (87) Veröffentlichungstag der PCT-Anmeldung: 08.07.2004 (97) Erstveröffentlichung durch das EPA: 14.09.2005 (97) Veröffentlichungstag der Patenterteilung beim EPA: 12.03.2008 (47) Veröffentlichungstag im Patentblatt: 16.04.2009 (51) Int Cl.8: (30) Unionspriorität: 10260077 (84) Benannte Vertragsstaaten: DE, FR, GB, IT, NL 19.12.2002 DE (73) Patentinhaber: Carl Zeiss SMT AG, 73447 Oberkochen, DE (72) Erfinder: SINGER, Wolfgang, 73431 Aalen, DE (74) Vertreter: Sawodny, M., Dipl.-Phys. Dr.rer.nat., Pat.-Anw., 89073 Ulm (54) Bezeichnung: BELEUCHTUNGSSYTEM MIT EINER EFFIZIENTEREN KOLLEKTOROPTIK Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäische Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist (Art. 99 (1) Europäisches Patentübereinkommen). Die Übersetzung ist gemäß Artikel II § 3 Abs. 1 IntPatÜG 1991 vom Patentinhaber eingereicht worden. Sie wurde vom Deutschen Patent- und Markenamt inhaltlich nicht geprüft. 1/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 Beschreibung [0001] Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungssystem für ein Projektionsbelichtungssystem mit einer Lichtquelle, wobei die Lichtquelle eine Quellgröße Q und eine Emission-Strahlungsenergie in einem räumlichen Winkelelement Ω(α) aufweist, mindestens einen Kollektor, der Strahlungsenergie von einer Quelle bis zu einem ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) empfangt oder aufnimmt, wobei die Quellengröße Q und der erste maximale Aperturwinkel αmax(1) einen ersten geometrischen Fluß G1 definieren, genauso wie eine zu beleuchtende Ebene, die bevorzugt eine Retikelebene darstellt, in der beispielsweise eine Maske positioniert ist. Die Retikelebene hat eine Fläche A und eine numerische Apertur NA, die zu beleuchten sind, wobei die numerische Apertur NA einen zweiten Aperturwinkel α(2) definiert, und ein zweiter geometrischer Fluß durch die Fläche A und den zweiten Aperturwinkel α(2) definiert wird. [0002] Projektionsbelichtungssysteme für die Mikrolithographie, insbesondere für Wellenlängen ≤ 193 nm sind für eine Vielzahl von Anwendungen bekannt geworden. Es wird verwiesen auf die deutsche Patentanmeldung 100 20 592 und ihr Gegenstück, das US-Patent 6 424 471, im Hinblick auf katadioptrische Systeme und das deutsche Patent 198 55 157 und dessen US-Gegenpart US 6 522 484 im Hinblick auf refraktive Systeme. [0003] Gegenwärtig werden Wellenlängen im Bereich von 11 bis 14 nm, insbesondere 13,5 nm, als Wellenlängen für die EUV-Lithographie bei einer numerischen Apertur von 0,2 bis 0,3 diskutiert. Die Bildqualität in der EUV-Lithographie wird durch das Projektionsobjektiv und das Beleuchtungssystem bestimmt. Das Beleuchtungssystem sollte soweit als möglich eine gleichmäßige Beleuchtung einer Feldebene bereitstellen, in der die strukturtragende Maske, das Retikel, positioniert wird. Das Projektionsobjektiv bildet die Feldebene in einer Bildebene, der Waferebene, ab, in der ein lichtempfindliches Objekt positioniert ist. Projektionsbelichtungssysteme für die EUV-Lithographie werden unter Verwendung reflektiver optischer Elemente umgesetzt. Die Form des Felds in der Bildebene eines EUV-Projektionsbelichtungssystems ist typischerweise diejenige eines ringförmigen Feldes mit einem großen Bildseitenverhältnis von 2 mm (Breite) × 22 bis 26 mm (Bogenlänge). Die Projektionssysteme arbeiten typischerweise im Scan-Modus. Es wird verwiesen auf die nachfolgenden Veröffentlichungen im Hinblick auf EUV-Projektionsbeleuchtungsgeräte: W. Ulrich, S. Beiersdörfer, H. J. Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hg.), Proceedings of SPIE, Bd. 4146 (2000), S. 13–24, und M. Antoni, W. Singer, J. Schultz, J. Wangler, I. Escudero-Sanz, B. Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hg.), Proceedings of SPIE, Bd. 4146 (2000), S. 25–34. [0004] Spezielle Beleuchtungssysteme für EUV-Projektionsbelichtungssysteme sind aus den nachfolgend zitierten Veröffentlichungen bekannt geworden. So offenbart das US-Patent 5 339 346 ein Beleuchtungssystem für eine Lithographievorrichtung, die EUV-Strahlung verwendet. Für gleichmäßige Beleuchtung in der Retikelebene und Füllen der Pupille schlägt das US-Patent 5 339 346 einen Kondensator vor, der als Kollektorlinse aufgebaut ist und mindestens vier Paar Spiegelfacetten umfasst, die symmetrisch positioniert werden. Eine Laserplasmalichtquelle wird als Lichtquelle verwendet. [0005] Ein Beleuchtungssystem mit einer Laserplasmalichtquelle, umfassend einen Kondensatorspiegel, mit dem die Beleuchtung einer Maske und/oder einem Retikel, die zu beleuchten sind, mit Hilfe von sphärischen Spiegeln erreicht wird, ist im US-Patent 5 737 137 offenbart. [0006] Das US-Patent 5 361 292 offenbart ein Beleuchtungssystem, in dem eine Lichtquelle bereitgestellt wird, und die punktähnliche Quelle wird mit Hilfe eines Kondensators, der fünf asphärische Spiegel aufweist und versetzt vom Zentrum positioniert ist, in eine zu beleuchtende ringförmige Fläche abgebildet. Die ringförmig beleuchtete Fläche wird dann mit Hilfe einer speziellen Sequenz von streifend einfallenden stromabwärts gelegenen Spiegeln in die Eintrittspupille abgebildet. [0007] Eine Beleuchtungssystem, in dem eine Photonen-Strahlungsquelle mit Hilfe eines Honigwaben-Kondensators in multiple sekundäre Lichtquellen aufgesplittet wird, ist aus dem US-Patent 5 581 605 bekannt. In dieser Art und Weise wird eine gleichmäßige Beleuchtung der Retikelebene erreicht. Das Retikel wird auf den zu beleuchtenden Wafer mit Hilfe einer typischen Reduktionsoptik abgebildet. Es wird präzise ein Spiegel mit Rasterelementen mit identisch gekrümmten Rasterelementen als Honigwaben-Kondensator im Beleuchtungsstrahlweg bereitgestellt. Im Falle der US 5 581 605 wird eine Laserplasmaquelle oder eine sehr kleine Quelle angenommen. 2/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 [0008] Die europäische Patentanmeldung EP-A-0 939 341 und deren US-Gegenstück, US 6 452 661, offenbaren ein Koehler-Beleuchtungssystem für Wellenlängen < 200 nm, insbesondere für den EUV-Bereich, mit einem ersten optischen Integrator, umfassend eine Vielzahl erster Rasterelemente, und einen zweiten optischen Integrator, umfassend eine Vielzahl von zweiten Rasterlementen. Eine Laserplasmaquelle wird als Lichtquelle beschrieben. [0009] Ein weiteres EUV-Beleuchtungssystem, das zwei Spiegel oder Linsen mit Rasterelementen umfasst, ist aus der deutschen Patentanmeldung DE 199 03 807 A1 und deren US-Gegenstück, US 6 438 199, bekannt. Diese Typen von Systemen werden ebenfalls als doppelfacettierte EUV-Beleuchtungssysteme bezeichnet. [0010] Das Prinzip des Aufbaus eines doppelfacettierten EUV-Beleuchtungssystems ist in der deutschen Patentanmeldung DE 199 03 807 A1 und ihrem US-Gegenstück, der US 6 438 199, offenbart. Die Beleuchtung in der Ausgangspupille des Beleuchtungssystems gemäß der deutschen Patentanmeldung DE 199 03 807 und ihrem US-Gegenstück, der US 6 438 199 wird durch die Anordnung der Rasterelemente auf dem zweiten Spiegel bestimmt. Eine kleine Laserplasmaquelle oder eine Pinch-Plasmaquelle mit einem kleinen Strahlungswinkel wird wiederum als Lichtquelle beschrieben. [0011] Beleuchtungssysteme, wie oben beschrieben, weisen entweder eine Laserplasmaquelle mit kleiner Abmessung oder eine Pinch-Plasmaquelle auf, die nur in einem kleinen räumlichen Winkel bestrahlt, als Lichtquelle. In beiden Fallen ist daher der geometrische Fluss, der vom Kollektor eines Beleuchtungssystems aufgenommen werden kann, begrenzt. [0012] Wenn größere Plasmaquellen, wie eine Entladungsplasmaquelle, anstelle der zuvor beschriebenen Lichtquellen verwendet werden, wird zu viel Licht aufgenommen, das nicht in der Retikelebene verwendet werden kann, um die strukturtragende Maske zu beleuchten. Wenn zu viel Licht durch den Kollektor gesammelt wird, entsteht im darauf folgenden Beleuchtungssystem eine unerwünscht hohe thermische Belastung, und das überschüssige gesammelte Licht muss unter Verwendung von z. B. Diaphragmen blockiert werden. Wenn andererseits zu wenig Licht in einem Kollektor gesammelt wird, der für die Pinch-Plasmaquelle zugeschnitten ist, wird beispielsweise in der Waferebene zu wenig Licht für das lichtempfindliche Objektiv zur Verfügung gestellt. Weiterhin können die hohen Anforderungen an die Homogenität der Beleuchtung in der Retikelebene nicht erfüllt werden. [0013] Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Beleuchtungssystem anzugeben, welches die Nachteile des Standes der Technik überwindet. Insbesondere sollte ein Beleuchtungssystem bereitgestellt werden, das durch optimale Effizienz charakterisiert wird und hohe Homogenität der Beleuchtung der Feldebene bereitstellt. [0014] Das Ziel wird durch ein Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle erreicht, wobei die Lichtquelle eine Quellengröße und eine Emission-Strahlungsenergie in einem räumlichen Winkelelement Ω(α) aufweist, wobei α den Aperturwinkel anzeigt. Das Beleuchtungssystem umfasst einen Kollektor, der Strahlungsenergie von der Quelle bis zu einem ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) empfangt oder aufnimmt, wobei ein erster geometrischer Fluss G1 durch die Quellgröße Q und den ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) definiert ist, sowie eine zu beleuchtende Ebene mit einer Fläche A und einer zu beleuchtenden numerischen Apertur NA, wobei die zu beleuchtende numerische Apertur NA einen zweiten Aperturwinkel α(2) definiert, und einem zweiten geometrischen Fluss G2, der von der Fläche A und dem zweiten Aperturwinkel α(2) definiert wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der Kollektor in einer derartigen Art und Weise ausgelegt, dass ein erster maximaler Aperturwinkel αmax(1) derart ausgewählt wird, dass der erste geometrische Fluss G1 um mehr als 15% größer ist als der zweite geometrische Fluss G2 und um nicht mehr als 300% größer ist als der zweite geometrische Fluss G2. [0015] Der Verdienst des Erfinders ist es, erkannt zu haben, wie insbesondere in räumlich ausgedehnten Plasmalichtquellen der Sammelwinkel und/oder Aperturwinkel αmax(1) des Kollektors so ausgewählt werden müssen, dass eine optimale Effizienz mit gleichzeitig optimaler Leistungsfähigkeit eines Beleuchtungssystems erreicht wird. [0016] Räumlich ausgedehnte Plasmalichtquellen, wie im deutschen Patent 101 34 033 und dessen Gegenstück, der WO 2002/082871, beschrieben, können beispielsweise Entladungsplasmaquellen sein. Eine weitere ausgedehnte Laserplasmalichtquelle ist beispielsweise im US-Patent 6 307 913 beschrieben. [0017] Die Lichtmenge, die durch das Beleuchtungssystem empfangen wird und zur Belichtung der struktur- 3/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 tragenden Maske in der Retikelebene zur Verfügung gestellt wird, wird durch die Strahldichte der Quelle und den geometrischen Fluss der Beleuchtungsoptik begrenzt. [0018] In diesem Fall wird der geometrische Fluss angegeben durch wobei sich die Integration über die zu beleuchtende Fläche A in der Feldebene und dem zu beleuchtenden räumlichen Winkel Ω erstreckt. Der Aperturwinkel α beschreibt in diesem Fall den Winkel zwischen den lokalen Oberflächennormalen und dem Hauptstrahl des festen Winkels. Dieser geometrische Fluss wird in optischen Systemen aufrechterhalten, d. h. ist konstant. [0019] Im Beleuchtungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein spezifischer geometrischer Fluss G1 der Lichtquelle durch den Kollektor aufgenommen. Der geometrische Fluss G1 wird durch die Quellgröße und den Aperturwinkel αmax(1) bestimmt. Wenn der Kollektor eine zentrale Abschattierung aufweist, gibt es einen minimalen Aperturwinkel αmin(1). Die maximalen und minimalen Aperturwinkel bestimmen dann einen festen Winkel oder räumlichen Winkel Ω mit maximaler Apertur NA1. [0020] Der geometrische Fluss G2 des Gesamtbeleuchtungssystems wird in der Feldebene des Beleuchtungssystems durch die zu beleuchtende Fläche A = X × Y und die zu beleuchtende Apertur mit maximaler numerischer Apertur σβNA bestimmt, wobei σ dem Kohärenzgrad, NA der maximalen Apertur in der Bildebene des Projektionsobjektivs und β dem Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik entsprechen. Die nachfolgende Gleichung gilt: G2 = X·Y·π(σ·β·NA)2 (2) [0021] Wenn eine rechtwinklige Beleuchtung A = X × Y angenommen wird, beispielsweise mit X = 104 mm, Y = 8 mm, ein Kohärenzfaktor σ im Bereich von σ = 0,5 bis 0,8, β = 0,25 als Abbildungsmaßstab für das Projektionsobjektiv und einer numerischen Apertur NA in der Bildebene des Projektionsobjektivs, die im Bereich NA = 0,25 bis 0,3 liegt, dann resultieren die exemplarischen Werte aus Tabelle 1 für den geometrischen Fluss und/oder den Lichtströmungsleitwert, ebenfalls bezeichnet als etendue (Lichtleitwert), und der Lichtleitwert nimmt um 30% zu (Ausbreitung + 30%): Tabelle 1: σ × NA Beispiel A Beispiel B 0,5 × 0,25 0,8 × 0,3 Geometrischer Fluss 2,55 mm Geometrischer Fluss + 30% 3,3 mm2 2 9,41 mm2 12,23 mm2 [0022] Nachfolgend ist in Bezug auf ein Beispiel gezeigt, wie der maximale Aperturwinkel αmax(1) und, für einen verschachtelten Kollektor mit zentraler Abschattung, der minimale Aperturwinkel αmin(1) ausgewählt werden müssen, um einen Kollektor gemäß der vorliegenden Erfindung bereitzustellen. [0023] Wenn man eine Lichtquelle, beispielsweise eine EUV-Lichtquelle mit einer typischen Ausdehnung im Bereich von 1 mm bis wenigen Millimeter und einer Quellen-Dichtenverteilung der Quelle, die beispielsweise etwa die Form einer Gauss-Verteilungskurve aufweist, als die begrenzende Umhüllung der Fläche, bei der die Quellendichte auf die Hälfte der maximalen Quellendichte abgefallen ist, dann erhält man eine Quellenverteilung in etwa in der Form einer rotierenden Ellipse mit der Länge L = 2a und einem Durchmesser D = 2b, wobei a und b die halbe Breite des Ellipsoids angeben gemäß der typischen Nomenklatur. Für diese Form der Quelle kann der geometrische Fluss dargestellt werden durch: [0024] α entspricht dem Aperturwinkel und die Integration wird über den Sinus des Aperturwinkels durchgeführt, d. h. sinα, d. h. die Integrationskonstante ist dsinα. Wenn der Kollektor auf einem verschachtelten Kol- 4/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 lektor basiert, wie beispielsweise demjenigen in der europäischen Patentanmeldung EP 1225481 A2 und ihrem US-Gegenstück, der US 2003/0043455 A1, weist der veschachtelte Kollektor einen maximalen Aperturwinkel αmax(1) auf, und aufgrund der zentralen Abschattung einen minimalen Aperturwinkel αmin(1). Die Integration ist daher von αmin(1) bis αmax(1) durchzuführen, und nach Integration wird der nachfolgende Ausdruck für den geometrischen Fluss G1 erhalten: mit e = √a² + b² [0025] Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der Kollektor in einer derartigen Art und Weise ausgelegt, dass ein maximaler Sammelwinkel αmax(1) so ausgewählt wird, dass ein gesammelter geometrischer Fluss G1, der gleich oder etwas größer ist als G2, resultiert, bevorzugt nicht größer als beispielsweise 300% von G2, bevorzugt nicht größer als 200%, insbesondere bevorzugt nicht größer als beispielsweise 130% von G2, d. h. G2 < G1 < 1,3 × G2 < 2 × G2 < 3 × G2. Unter diesen Bedingungen kann die von der Quelle ausgesandte Energie optimal verwendet werden. Ein Beleuchtungssystem mit optimaler Effizienz, und daher ebenfalls optimalem thermischen Management resultiert. [0026] Selbstverständlich kann, wie in einem verschachtelten Kollektor für gleichmäßige Beleuchtung einer Ebene, die empfangene oder aufgenommene Apertur der von der Quelle ausgesandten Strahlung Lücken in der radialen Richtung aufweisen. In diesem Fall wird der aufgenommene geometrische Fluss aus einer Summierung unter Verwendung von inneren und äußeren Aperturwinkeln αimin und αimax der jeweiligen Schalennummern i des Kollektors mit N Schalen bestimmt zu: [0027] Aus Gründen der Vereinfachung wird im Nachfolgenden der Fall betrachtet, in dem der Kollektor einen kontinuierlichen Aperturbereich von αmin bis αmax aufnimmt. Dies ist möglich, da die Lichtabschattung zwischen den Schalen nur einen geringfügigen geometrischen Lichtverlust bewirkt, der durch eine geringfügig größere Lichtabsorption beispielsweise von etwa 30% kompensiert wird. [0028] Für das Beispiel A von Tabelle 1 erhält man einen Sammelwinkel von etwa 35,5° < αmax < 39,5° für eine Quelle mit Ellipsenhalbparametern a = 1,2 mm und b = 0,8 mm. Wenn die Quelle durch die Ellipsenhalbparameter a = 1,5 mm und b = 0,65 mm in Beispiel B von Tabelle 1 angegeben wird, wird ein idealer Sammelwinkel 69° < αmax < 78,3° erhalten. Bei diesen maximalen Sammelwinkeln gemäß der vorliegenden Erfindung wird gleichzeitig optimale Leistungsfähigkeit für die vorbestimmten Quellen mit minimaler thermischer Belastung im Beleuchtungssystem erreicht. [0029] In den oben beschriebenen Beispielen ist αmin(1) stets gleich 0. Jedoch ändert sich der gesammelte geometrische Fluss nur um 0,1 mm2 aufgrund der geringfügigen zentralen Abschattung der Kollektorapertur für einen αmin von beispielsweise um etwa 9° im Falle der größeren Quelle und Beispiel B. Dies entspricht etwa 1% des geometrischen Flusses, der in Beispiel B erhalten werden kann. Daher kann diese geringfügige Differenz bei der Betrachtung außer Acht bleiben, sie spielt eine vergleichsweise kleine Rolle in Bezug auf den aufzunehmenden geometrischen Fluss, der bevorzugt mindestens 30% größer ist. [0030] Wenn man einen normalen Einfallskollektor betrachtet, wie dieser beispielsweise in der europäischen Patentanmeldung EP 0 939 341 A1 und ihrem US-Gegenstück, der US 6 452 661, beschrieben ist, resultiert der nachfolgende Fluss G1, wobei eine Sammelapertur von bis zu NA ~1 für diesen Kollektor angenommen wird, wie in der europäischen Patentanmeldung EP 0 939 341 A1. Für einen Kollektor diesen Typs mit einer Sammelapertur von beispielsweise NA = 1 wird ein geometrischer Fluss G1 für eine Quelle, geformt wie ein Rotationsellipsoid, angenommen, der angegeben wird durch: 5/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 wobei der Parameter e wie in Formel (4) definiert ist. [0031] Für eine Quelle mit Halbparametern von a = 1,2 mm und b = 0,8 mm erhält man daher einen geometrischen Fluss G1 von etwa G1 = 16,7, der signifikant größer ist als G1 = 2,55 für Beispiel A, das zuvor mit einem verschachtelten Kollektor gezeigt wurde wie in der europäischen Patentanmeldung EP 1225481 A2 offenbart, beispielsweise, wenn die Aperturwinkel αmin(1) und αmax(1) gemäß der vorliegenden Erfindung ausgewählt werden. In diesem Fall würde unter Verwendung eines Kollektors mit einer numerischen Apertur von NA ~ 1, d. h. einer aufgenommenen Quellenapertur von +/–90°, das 6,5-fache der verwendbaren Quellenenergie, sammeln und durch einen derartigen Kollektor reflektieren. Dies bedeutet, dass von der gesammelten und reflektierten Strahlung etwa 5,5 Anteile blockiert oder im Beleuchtungssystem absorbiert werden müssten, wenn ein derartiger Kollektor in einem EUV-Beleuchtungssystem eingesetzt wird. Dies würde zu einer signifikanten thermischen Belastung führen, die zusätzlich die Zerstörung der Spiegeloberflächen als Funktion der Lichtenergie beschleunigen kann. Zusätzlich kann das Design des Beleuchtungssystems komplizierter ausgestaltet werden, wenn die Quellenenergie, die aufgenommen wird, zu groß ist. Es ist daher vorteilhaft, die Sammelapertur des Kollektors so auszuwählen, dass maximal 300% des verwendbaren geometrischen Flusses G2 aufgenommen wird, insbesondere bevorzugt sogar nur 130%. [0032] Selbstverständlich ist selbst ein normaler Einfallskollektor oder bei anderen Wellenlängen ein refraktiver Kollektor, der nur Strahlungsenergie von der Quelle im Bereich des Aperturwinkels gemäß der vorliegenden Erfindung empfängt, für einen Fachmann im Stand der Technik vorstellbar. [0033] Im Falle des in der europäischen Patentanmeldung EP 0 939 341 A1 beschriebenen Kollektors mit NA ~ 1 führt die Überschussenergie, die absorbiert wird, zu einer signifikanten thermischen Belastung des Beleuchtungssystems. [0034] Im Folgenden soll die vorliegende Erfindung aus veranschaulichenden Zwecken anhand der Zeichnungen beschrieben werden. [0035] Fig. 1: zeigt eine Veranschaulichung des geometrischen Flusses einer Quelle, die wie ein Rotationsellipsoid geformt ist, [0036] Fig. 2: zeigt eine schematische Zeichnung eines Beleuchtungssystems mit einem Kollektor, [0037] Fig. 3: zeigt eine schematische Zeichnung eines reflektiven verschachtelten Kollektors, [0038] Fig. 4: zeigt eine schematische Zeichnung eines refraktiven verschachtelten Kollektors, [0039] Fig. 5: zeigt einen verschachtelten refraktiven Kollektor mit Lücken, [0040] Fig. 6: zeigt den geometrischen Fluss G1 als eine Funktion des maximalen Aperturwinkels αmax(1), [0041] Fig. 7: zeigt ein Projektionsbelichtungssystem entsprechend der vorliegenden Erfindung. [0042] In Fig. 1 ist der geometrische Fluss G1 durch eine Fläche F der Strahlung, emittiert durch eine Lichtquelle, die wie ein Rotationsellipsoid geformt ist, gezeigt. Die rotationssymmetrische Lichtquelle 1 ist auf der z-Achse positioniert. Die Fläche F ist senkrecht zu dieser z-Achse mit einem Abstand zur Lichtquelle 1. Bei jeder Höhe r(α) der Fläche F fallen Strahlen eines Strahlenbündels 6 von der Lichtquelle 1 nur in einem räumlichen Winkel Ω(α) auf, der um den Winkel α geneigt ist. Die Größe des räumlichen Winkels Ω(α) ist eine Funktion der Höhe r(α) und/oder des Winkels α und der Ellipsenhalbparameter a und b, die ihrerseits die Lichtquelle definieren. [0043] Wie zuvor gezeigt, gilt für den geometrischen Fluss, wobei die Integration über den Sinus des Winkels α zur optischen Achse durchgeführt wird, und worin: 6/16 DE 603 19 735 T2 a, b: α: 2009.04.16 Ellipsenparameter Aperturwinkel. [0044] Wie in Fig. 2 gezeigt, wird der räumliche Winkel Ω(α) durch den Kollektor 2 von jedem Punkt der ausgedehnten Lichtquelle 1 aufgefangen. Der Aperturwinkel α wird durch die Neigung des Hauptstrahls 4 des Lichtbündels 6, aufgenommen oder gesammelt durch z. B. den Kollektor, in Bezug auf die z-Achse bestimmt. [0045] Fig. 2 zeigt eine schematische Zeichnung eines Systems mit einer Lichtquelle 1, einem Kollektor 2, einem Quellbild 5 und einer Fläche F, die notwendig ist, um den geometrischen Fluss G1 zu bestimmen, der durch die Quelle erzeugt und durch den Kollektor aufgenommen wird. Die Lichtquelle 1 emittiert eine spezifische Strahlungsintensität im Raum. [0046] Der Kollektor 2 sammelt das emittierte Licht und bündelt es. Dieser bildet die Lichtquelle 1 in einem Lichtquellenbild 5 ab. Das Lichtquellenbild 5 kann entweder real, wie in Fig. 2 veranschaulicht, oder virtuell sein. Die Lichtquelle 1 kann ebenfalls bereits ein Bild einer physikalischen Lichtquelle darstellen. [0047] Eine beliebige Lichtquelle 1 wird in einem Bild der Quelle abgebildet. Das Quellenbild kann real sein (d. h. in Lichtrichtung rechts vom Kollektor 2) oder virtuell (d. h. in Lichtrichtung links vom Kollektor 2) oder in der Unendlichkeit liegen. [0048] Ein verschachtelter Kollektor mit vier Spiegelschalen ist als ein Beispiel in Fig. 3 gezeigt. Die Spiegelschalen sind Ellipsoidsegmente, die rotationssymmetrisch um die Rotationsachse RA angeordnet sind, die mit der z-Achse im vorliegenden Fall zusammenfällt. Aufgrund der Rotationssymmetrie um die z-Achse wird nur die Hälfte des Kollektors 2 im Schnitt veranschaulicht. [0049] Die vier Spiegelschalen 40, 42, 44, 46 sind etwa im gleichen Abstand von der z-Achse angeordnet, bezogen auf den maximalen Schalendurchmesser. In Fig. 4 sind ebenfalls die Lichtquelle 1, die Fläche F und das Quellenbild 5 gezeigt. [0050] Weiterhin sind die Winkelaperturelemente 20, 22, 24 und 26, die von jeder Spiegelschale aufgenommen werden, gezeigt. [0051] Die Bezugszeichen der anderen Elemente entsprechen jenen in den vorangehenden Figuren. [0052] Verschachtelte reflektive Kollektoren haben notwendigerweise zentrale Abschattungen, d. h. unter einem spezifischen Aperturwinkel αmin(1) kann die Strahlung der Quelle 1 nicht gesammelt werden. Diese Strahlung wird daher bevorzugt unter Verwendung eines Diaphragmas blockiert, so dass diese das darauf folgende Beleuchtungssystem nicht erreichen kann. Das Diaphragma kann beispielsweise im Bereich des Kollektors angeordnet sein. [0053] Eine ähnliche Anordnung kann ebenfalls für refraktive Systeme konzipiert sein. In refraktiven Systemen werden die verschachtelten Spiegelschalen 40, 42, 44, 46 durch ringförmige Linsensegmente 50, 52, 54, 56 außerhalb der Achse, wie in Fig. 4 gezeigt, ersetzt. [0054] Fig. 4 zeigt schematisch eine Anordnung von ringförmigen Linsensegmenten außerhalb der Achse. Nur die Hälfte des Systems, das sich rotationssymmetrisch um die Rotationsachse RA, die mit der z-Achse zusammenfällt, befindet, ist schematisch im Schnitt veranschaulicht. Nicht gleich große Winkelelemente werden auf gleich große hohe Segmente deflektiert, und daher wird beispielsweise selbst mit anisotroper Quellenstrahlung eine homogene Beleuchtung erreicht. Identische Bezugszeichen, wie in den vorangehenden Figuren, geben identische Elemente an. [0055] Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform eines verschachtelten Kollektors mit beispielsweise zwei Spiegelschalen 1004.1, 1004.2, angeordnet eine innerhalb der anderen, worin die Ringaperturelemente, über die das Licht der Lichtquelle 1 durch den Kollektor empfangen wird, eine Spalte 1000 zwischen dem objektseitigen Ringaperturelementen 1002.1 und 1002.2 der ersten Spiegelschale 1004.1 und der zweiten Spiegelschale 1004.2 aufweisen. Die bildseitigen Ringelemente 1003.1, 1003.2 sind direkt angrenzend aneinander, so dass im Bildraum, d. h. der auf der Bildseite zu beleuchtenden Ebene, kein Spalt vorliegt, außer für die notwendige zentrale Abschattung 1005. Im veranschaulichten Kollektor sind Kühlvorrichtungen 1006.1, 1006.2, 1006.3 in der nicht verwendeten Region zwischen den zwei Spiegelschalen 1004.1, 1004.2 und innerhalb und außerhalb des Kollektors angeordnet. Die Spiegelschalen 1004.1, 1004.2 enden etwa in einer Ebene 1008 und 7/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 werden in dieser Ebene 1008 durch ein Speichenrad, von dem beispielsweise eine Speiche 1010 gezeigt ist, gehalten. Jede Spiegelschale 1004.1, 1004.2 der veranschaulichten Ausführungsform umfasst zwei Spiegelsegmente, ein erstes Spiegelsegment 1007.1, 1007.2 mit einer ersten optischen Oberfläche und einem zweiten Spiegelsegment 1009.1, 1009.2 mit einer zweiten optischen Oberfläche, die eine hinter der anderen ohne Lücken angeordnet sind. Die ersten Spiegelsegmente 1007.1, 1007.2 sind Segmente von Hyperboloiden der vorliegenden exemplarischen Ausführungsform und die zweiten Spiegelsegmente 1009.1, 1009.2 sind Segmente von Ellipsoiden. [0056] Wie in der in Fig. 5 gezeigten meridionalen Sektion klar ersehen werden kann, definieren die inneren und äußeren Kantenstrahlen 1016.1, 1016.2, 1018.1, 1018.2 der jeweiligen Spiegelschale und/oder die Verbindungslinien, die hierzu zugeordnet sind, zwischen der Quelle 1, dem Bild der Quelle 5, den Schalenenden 1024.1, 1024.2 und in Systemen mit zwei Spiegelsegmenten ebenfalls die Übergangsregion zwischen dem ersten Spiegelsegment 1007.1, 1007.2 und dem zweiten Spiegelsegment 1009.1, 1009.2 eine optische verwendete Region oder eine Strahlleitung, durch die der Strahlungsfluss vom Objekt und/oder von der Lichtquelle 1 zum Bild 5 der Lichtquelle fließt. Eine meridionale Sektion oder eine meridionale Ebene ist die Ebene, die die Rotationsachse RA enthält, die mit der z-Achse zusammenfällt. Eine nicht verwendete Region 1032 liegt somit zwischen den verwendeten Regionen 1030.1, 1030.2 mindestens zweier Spiegelschalten 1004.1, 1004.2, die eine in der anderen angeordnet sind. [0057] Weitere Komponenten des verschachtelten Kollektors können in der nicht verwendete Region 1032 zwischen zwei Spiegelschalen 1004.1, 1004.2 angeordnet sein, ohne den Strahlungsfluss von der Lichtquelle 1 zum Bild der Lichtquelle 5 zu beeinflussen. Beispiele von Komponenten dieses Typs würden Detektoren oder Ausgabespiegel sein, die Licht auf die Detektoren oder nicht optischen Komponenten umlenken, wie Hitzeschilde oder Kältefallen. Die Külvorrichtungen 1006.1, 1006.2, 1006.3 können in direktem Kontakt mit den Rückseiten der Kollektorschalen sein. Die Anordnung von Elektroden oder Magneten zum Umleiten geladener oder magnetischer Teilchen ist ebenfalls möglich. Elektrische Leitungen oder Leitungen zur Versorgung und Entfernung von Kühlmittel können in der bildseitigen Ebene geführt werden, nach wie vor außerhalb des Kollektors, mit nur geringfügiger Abschattung der bildseitigen Kollektorapertur, d. h. der beleuchteten Region in der bildseitigen Ebene. Diese Leitungen 1044 werden bevorzugt in der Region der Schatten der Speichen 1010 des Speichenrads mit den Speichen 1010 geleitet. Das Speichenrad ist in x-Richtung ausgerichtet, d. h. im vorliegenden Fall senkrecht zur gescannten Richtung. Die Schalen des verschachtelten Kollektors an sich sind rotationssymmetrisch um die Rotationsachse z. Selbstverständlich können weitere Kühlelemente oder Detektoren in Regionen außerhalb der äußersten Schale 1004.2 oder der zentralen Abschattung 1052 angeordnet werden. Ein Diaphragma kann ebenfalls bevorzugt in der Region der zentralen Abschattung angeordnet sein. [0058] Für den aufgenommenen geometrischen Fluss G1 eines verschachtelten Kollektors dieses Typs mit Lücken, und einer Lichtquelle mit einer Quellenverteilung von der Form eines Rotationsellipsoids resultiert der aufgenommene geometrische Fluss aus einer Summierung über die inneren und äußeren Aperturwinkel αimin min und αiman der jeweiligen Schalennummern i des Kollektors mit N Schalen mit: für sämtliche N Schalen. [0059] In Fig. 6 ist der aufgenommene oder gesammelte geometrische Fluss G1 ebenfalls als eine Funktion der maximalen Apertur αmax(1) für die Lichtquelle 1 mit den Halbparametern a = 1,2 mm und b = 0,8 mm und einer Quellenverteilung in Form eines Rotationsellipsoids gezeigt. Der geometrische Fluss G1 als eine Funktion des maximalen Aperturwinkels wird mit 500 wie in Fig. 6 angegeben. Die Gleichung: die im einführenden Teil angegeben ist, wird als Basis verwendet. In Fig. 6, die nur als ein Beispiel des Prinzips gemäß der vorliegenden Erfindung zu verstehen ist, wurde die Integration von der minimalen Apertur αmin(1) = 0 bis zur Apertur αmax(1) durchgeführt. Die Kurve kann kaum von einem Kollektor mit zentraler Abschattung, mit beispielsweise einem minimalen Aperturwinkel αmin von etwa 9° unterschieden werden, da der aufgenommene geometrische Fluss bis zu diesem Aperturwinkel nur etwa 0,15 mm2 beträgt. 8/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 [0060] Die gestrichelte horizontale Linie 502.1 in Fig. 6 gibt den geometrischen Fluss für das gesamte Beleuchtungssystem an, der in der Feldebene des Beleuchtungssystems durch die zu beleuchtende Fläche A = X × Y und die zu beleuchtende Apertur mit der maximalen numerischen Apertur σβNA bestimmt wird, wobei σ dem Kohärenzgrad, NA der maximalen Apertur in der Bildebene des Projektionsobjektiv und β dem Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik entsprechen. Die nachfolgende Gleichung gilt: G2 = X·Y·π(σ·β·NA)2 [0061] Die horizontale Linie 502.1 stellt den geometrischen Fluss G2 für ein Beleuchtungssystem mit einer rechtwinkligen Beleuchtung A = X × Y mit X = 104 mm, Y = 8 mm, G × NA = 0,5 × 0,25 und β = 0,25 dar. Der geometrische Fluss oder die etendue beträgt 2,55 mm2 für diesen Zweck. Wie klar ersehen werden kann, erreicht der geometrische Fluss G1 der Quelle den geometrischen Fluss G2 des Beleuchtungssystems bei einem Sammelwinkel von ~35°. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der ausgewählte maximale Aperturwinkel αmax(1) größer als ~35°, aber bevorzugt nicht größer als 40°. Die Grenze von 40° für αmax(1) resultiert aus der Anforderung, dass der Fluss G1 nicht mehr als 130% des Flusses G2 betragen soll, um die thermische Belastung des Beleuchtungssystems niedrig zu halten und/oder unnötige thermische Belastungen zu vermeiden. Die horizontale Linie 502.2 bezeichnet den geometrischen Fluss von 1,3G2. Die Grenzen des Bereichs für den maximalen Winkel αmax, der aus der Anforderung G2 < G1 < 1,3G2 resultiert, werden mit den Bezugszeichen 504 und 506 angegeben. Die untere Grenze von αmax(1) ~ 35° wird durch das Bezugszeichen 504 angegeben und die obere Grenze von ~40° durch das Bezugszeichen 506. [0062] In den obigen Betrachtungen wird angenommen, dass das zu beleuchtende Feld in der Feldebene, in der die Maske angeordnet ist, ein rechtwinkliges Feld darstellt. Die Feldform kann beliebig sein und kann insbesondere einen Kreisbogen darstellen. Für einen Fachmann im Stand der Technik ergibt sich die Berechnung des geometrischen Flusses G2 für Feldformen dieses Typs, ohne von der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die Berechnung der Fläche, die von der Fläche A umfasst ist, wird dann nur gemäß der Feldform, beispielsweise für ein Feld, geformt, wie ein Kreisbogen durchgeführt, wobei die Fläche A gegeben ist durch: A = γ360°π(r2max – r2min) worin γ: rmax: rmin: Krümmungswinkel des Felds, geformt wie ein Kreisbogen, maximaler Radius des kreisbogenförmigen Felds, beispielsweise rmax = 134 mm, minimaler Radius des kreisbogenförmigen Felds, beispielsweise rmin = 126 mm. [0063] Jedoch sind die gezeigten Ausführungsformen nur Beispiele für die vorliegende Erfindung, wobei andere gut bekannte refraktive Ausführungsformen oder Kombinationen von reflektiven und refraktiven Kollektoren und Kondensatoren in einer für den Fachmann im Stand der Technik offensichtlichen Art und Weise einsetzbar sind. [0064] Fig. 7 zeigt eine schematische Ansicht eines Projektionsbelichtungssystems für die Erzeugung von beispielsweise mikroelektronischen Komponenten, worin die vorliegende Erfindung eingesetzt werden kann. [0065] Das in Fig. 7 gezeigte Projektionsbelichtungssystem umfaßt eine Lichtquelle 2001, genauso wie einen verschachtelten Kollektor 2003 mit einer Vielzahl von beispielsweise 7 oder 8 Schalen zum Sammeln oder Empfangen des geometrischen Flusses aus der Lichtquelle. Die Konstruktion des Kollektors ist im Prinzip in den Fig. 4 und Fig. 6 gezeigt. Der planare Spiegel 2006 im Strahlenweg zwischen dem verschachtelten Kollektor und vor dem Zwischen-Fokus Z kann als Spektralfilter mit einem Diffraktionswinkel von 2° zwischen 0 und der Größenordnung der verwendeten Diffraktion implementiert werden. Dem folgt ein optisches System, wie es dem Fachmann im Stand der Technik bereits bekannt ist, als ein reflektiver oder refraktiver Honigwaben-Kondensator, beispielsweise aus dem US-Patent 2 183 249. Das erste optische Element 2102 umfasst beispielsweise 122 erste Rasterelemente der Form des Felds, jeweils mit einer Ausdehnung von 54 mm × 2,75 mm. Das zweite optische Element 2104 weist 122 zweite Rasterelemente auf, die den ersten Rasterelementen zugeordnet sind, der Form der Lichtquelle, jeweils mit einem Durchmesser von 10 mm. Die optischen Elemente 2106, 2108 und 2110 werden im Wesentlichen zum Zweck der Bildung des Felds in der Feldebene 2114 verwendet. Eine strukturierte Maske (nicht gezeigt), die unter Verwendung eines Projektionsobjektivs 2126 auf dem Objekt in der zu belichtenden Ebene 2124 abgebildet wird, ist in der Objektebene und/oder Feldebene 2114 angeordnet. Im Prinzip ist das Beleuchtungssystem ein doppel-facettiertes Beleuchtungssystem, wie im US-Patent 6 198 793 B1 offenbart. 9/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 [0066] Es ist ein Charakteristikum von optischen Systemen im Allgemeinen und auch für Honigwaben-Kondensatoren im Besonderen, dass sie den geometrischen Fluss unverändert lassen und/oder höchstens geringfügig durch Streuung oder Diffraktion erhöhen. Durch die Ausführung des rotationssymmetrischen Kollektors, der einen rotationssymmetrischen Lichtfluss erzeugt, sowie eines ersten optischen Elements 2102, das erste rechtwinklige oder gekrümmte Rasterelemente umfasst, tritt ein Lichtverlust am ersten optischen Element durch die geometrische Strahlung der rechtwinkligen oder gekrümmten ersten Rasterelemente unter Verwendung einer im Wesentlichen runden Beleuchtung auf. Dieser Lichtverlust wird in der Ausführung der Kollektorapertur gemäß der vorliegenden Erfindung durch Absorbieren eines geometrischen Flusses, der beispielsweise nur bis zu 30% größer ist, kompensiert, ohne die thermische Belastung des Beleuchtungssystems gleichzeitig deutlich zu erhöhen. [0067] Das System ist für einen Feldradius von 130 mm bei einer Beleuchtungsapertur von NA = 0,03125 in der Objektebene 2114 ausgelegt, d. h. auf dem Retikel, entsprechend einem Füllgrad von σ = 0,5 in der Eintrittspupille E eines nachfolgenden 4:1-Projektionsobjektivs, mit einer Apertur NA = 0,25 in der Ebene 2124 des zu belichtenden Objekts. Das Retikel kann in der Richtung 2116, die in der Projektionsbelichtungsvorrichtung gezeigt ist, bewegt werden, die als Scan-System ausgelegt ist. [0068] Die Austrittspupille des Beleuchtungssystems wird weitgehend homogen beleuchtet. Die Austrittspupille fällt mit der Eintrittspupille des nachfolgenden Projektionsobjektivs 2126 zusammen. Die Eintrittspupille befindet sich an der Stelle des Schnitts des Hauptstrahls, der aus dem Retikel reflektiert wird, mit der optischen Achse HA des Projektionsobjektivs. [0069] Das Projektionsobjektiv 2126 umfasst beispielsweise sechs Spiegel 2128.1, 2128.2, 2128.3, 2128.4, 2128.5, 2128.6 gemäß der US-Patentanmeldung 09/503640 und bildet das Retikel in der Objektebene 2114 auf dem zu belichtenden Objekt 2124 ab. [0070] Durch die Ausdehnung des Kollektors 2003 gemäß der vorliegenden Erfindung, der einen geometrischen Fluss G1 aufnimmt, der mehr als 15% größer ist, aber besonders bevorzugt nicht mehr als 130% größer, als der zweite geometrische Fluss G2, wobei die thermische Belastung des Projektionsbelichtungsgeräts reduziert wird. Diaphragmen, die insbesondere in der Region der optischen Elemente 2106, 2108 und 2110 im Belichtungssystem gemäß des Standes der Technik angeordnet sind, um die überschüssige Energie, die gesammelt wird, auszublenden, sind nicht länger notwendig. [0071] Gleichzeitig werden die geometrischen Lichtverluste, die typischerweise in einem Beleuchtungssystem auftreten, durch den Kollektor gemäß der vorliegenden Erfindung mit der ausgewählten Sammelapertur entsprechend einem geometrischen Fluss, der größer ist als der geometrische Fluss, der in der Feldebene notwendig ist, kompensiert, wobei der erfindungsgemäße Kollektor jedoch so ausgelegt ist, dass die thermische Belastung bei optimaler Effizienz des Beleuchtungssystems minimal ist. Patentansprüche 1. Beleuchtungssystem mit – einer Lichtquelle, wobei die Lichtquelle eine Quellengröße und eine Emissions-Strahlungsenergie in einem räumlichen Winkelelement Ω(α) aufweist, wobei α den Aperturwinkel anzeigt; – einem Kollektor, der Strahlungsenergie von der Quelle bis zu einem ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) sammelt, wobei die Quellengröße Q und der erste maximale Aperturwinkel αmax(1) einen ersten geometrischen Fluss G1 definieren; – einer zu beleuchtenden Ebene mit einer Fläche A und einer zu beleuchtenden numerischen Apertur NA, wobei die zu beleuchtende numerische Apertur NA einen zweiten Aperturwinkel α(2) definiert; und – einem zweiten geometrischen Fluss G2, der von der Fläche A und dem zweiten Aperturwinkel α(2) definiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass – der Kollektor einen ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) aufweist, der so ausgewählt wird, dass der erste geometrische Fluss G1 um mehr als 15% größer ist als der zweite geometrische Fluss G2 und um nicht mehr als 300% größer ist als der zweite geometrische Fluss G2. 2. Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor einen ersten maximalen Aperturwinkel αmax(1) aufweist, der so ausgewählt wird, dass der erste geometrische Fluss G1 nicht mehr als 200%, vorzugsweise nicht mehr als 130% des zweiten geometrischen Flusses G2 beträgt. 10/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 3. Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor eine Mehrzahl von rotationssymmetrischen Spiegelschalen aufweist, die mindestens eine optische Fläche besitzen, und wobei die Spiegelschalen rund um eine gemeinsame Rotationsachse eine in der anderen angeordnet sind. 4. Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass dem Kollektor eine Apertur-Abdeckung und ein erster minimaler Aperturwinkel αmin(1) zugeordnet sind. 5. Beleuchtungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor ein normaler Einfallkollektor ist. 6. Beleuchtungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle eine Entladungsplasmaquelle ist. 7. Projektionsbelichtungssystem, das Folgendes umfasst: – ein Beleuchtungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, – eine Maske, die von dem Beleuchtungssystem beleuchtet wird und in oder nahe der zu beleuchtenden Ebene positioniert ist, – ein Projektionsobjektiv zur Abbildung der Maske darauf – ein lichtempfindliches Objekt. 8. Verfahren zur Produktion mikroelektronischer Komponenten, insbesondere Halbleiterkomponenten, unter Anwendung eines Projektionsbelichtungsgeräts gemäß Anspruch 7. Es folgen 5 Blatt Zeichnungen 11/16 DE 603 19 735 T2 2009.04.16 Anhängende Zeichnungen 12/16 DE 603 19 735 T2 13/16 2009.04.16 DE 603 19 735 T2 14/16 2009.04.16 DE 603 19 735 T2 15/16 2009.04.16 DE 603 19 735 T2 16/16 2009.04.16
