Parametersammlung AR-Resists

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Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
Parametersammlung AR-Resists
Inhalt
1. Gesamtübersicht Resistparameter Photoresists (2 seitige Tabelle)
2. Gesamtübersicht Resistparameter E-Beam Resists (2 seitige Tabelle)
3. Plasmaätzraten und Cauchy-Koeffizienten
4. Entwicklervergleiche und -eignungen
5. Lösemittelbeständigkeit von Resistschichten
6. Ätzresistenz von Resistschichten gegenüber Säuren
7. Absorptionsspektren Photo-/Negativ-Photoresists, Novolak, PMMA
8. Spinkurven Positiv-Photoresists AR-P 3000
9. Spinkurven Negativ-Photoresists/Umkehrresists AR-N/U 4000
10. Einfluss der Schichtdicke auf die Belichtung (Swingkurve)
11. Einfluss der Luftfeuchte auf die Schichtdicke
12. Einfluss des Feststoffgehaltes auf die Schichtdicke
13. Einfluss der Lagerdauer von AR-Resistschichten auf die Empfindlichkeit
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg
Inhalt Parametersammlung AR-Resists 10.10.08 18.03.2016
Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
Photoresist
Parameter / Spezifikation 1210, 1220, 1230
Do / 4000 rpm [µm]
AR-P 3100
AR-P 1200
[ 0,5 - 10 ]
Charakteristische
Eigenschaften
Anwendung
3120
3170
3210
3220
3250
1,0
0,6
0,1
10
10
5
positiv
Galvanik, Mikrosystemtechnik
IC s
4060
1,4
1,4
1,8
1,4
0,6
positiv / negativ
höchste Auflösung, wahlweise positiv oder negativ
3840 eingefärbt
arbeitend, lift-off
VLSIC s
IC s
0,7 / 0,5
0,4
0,8
0,7
0,5
3,0
2,0
2,0
2,5
4,0 / 4,5
4,5 / 5,0
6,0
3,0
3,0
3,5
3,0
2,0
2,5
3,3
4,2
2,5 / 3,3
2,0 / 2,8
2,3
2,0
1,2
i-, g-line, BB-UV
i-, g-line, BB-UV
0,5
0,4
0,4
i-, g-line, BB-UV
i-, g-line, BB-UV
3,5
3,5
i-, g-line, BB-UV
i-, g-line, BB-UV
0,890
1,048
1,025
1,02
1,094
1,094
1,082
1,064
1,056
1,086
1,076
1,069
1,063
1,034
0,5 - 1,3
12
5
2
1990
1820
250
33 / 38
18 / 21
22
22
28
19
6
4
28
21
7
47
47
39
35 / 32
31 / 28
29
29
38
34
23
PGMEA
PGMEA
PGMEA
Verdünner AR
-
300-12
Haftvermittler / HMDS
-
300-80 / HMDS
Entwickler AR 300-26
Puffer (Tauch, Puddle)
-
1:3
1:3
1:4
-
pur
5:1
1:1
300-44
2 : 1 bis 3 : 1
300-47
1,5 : 1
300-47
1:1
300-47
1 : 1,5
Remover AR
4040
positiv
Masken, Gitter
PGMEA 1)
Spray)
4030
positiv
bis
bis 40 µm bis 20 µm
100 µm
PGMEA, MEK 3)
Entwickler AR 300-35
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-40
mif (Tauch, Puddle,
3840
0,8 / 0,6
Aspektverhältnis max.
Hauptlösemittel
3740
1,2
3,0
Festkörpergehalt [%]
positiv
AR-U 4000
3
Kontrast (max. Gradat.)
Viskosität 25°C [mPas]
1,4
AR-P 3700 / 3800
4
1,0
Dichte 20°C [g/cm²]
2,0
haftverstärkt
Sprühresist,
MEMS
3510 / 3510 T 3540 / 3540 T
gr. Prozessbreite, hohe
Empfindl. 3500 T für 0,26 n
TMAH-Entw.
hochempfindlich
Auflösung [µm] max.
Belichtung
AR-P 3500 (T)
3110
positiv
Typ
AR-P 3200
600-71
300-73
300-76
300-73
PGMEA
PGMEA
PGMEA
300-12
300-12
300-12
300-12
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
1:3
pur
bis 10 µm
-
2:1
2 : 1 bis
3:2
1:5
1:2
1:5
1:2
1:3
1 : 5 positiv und negativ
(1,4 µm)
-
-
1:1
pur
1:1
pur
4:1
1 : 1 positiv und negativ
(1,4 µm)
-
-
300-47 1 : 1 300-47 1 : 1
300-44 pur 300-44 pur
300-46 pur
300-47 pur
1 : 2 positiv ; 2 : 3 negativ
300-47 (1,4 µm)
600-71 300-76
300-73 600-71
300-76
600-71
300-76
300-72
300-76
600-71
Die angegebenen Entwicklerkonzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die spezifischen Gegebenheiten anzupassen sind. Die optimal geeigneten Entwickler finden Sie grün markiert
in dieser Parametersammlung unter Entwicklervergleichen.
1)
PGMEA = 1-Methoxy-2-propyl-acetat (Safer solvent)
2)
PM = 1-Methoxy-2-propanol (Safer solvent)
Zu der Positivserie AR-P 1210 « 1230 gibt die parametergleiche Negativserie AR-N 2210 ... 2230, die aus Platzgründen hier nicht aufgeführt sind.
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Photoresists 1 10.10.08 18.03.2016 1 von 2
3)
MEK = Methylethylketon
Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
Photoresist
Parameter / Spezifikation
Do / 4000 rpm [µm]
Typ
Charakteristische
Eigenschaften
AR-N 4400 (CAR 44)
AR-PC 500
AR-P 5300
AR-P 5400
AR-N 4200
AR-N 4300
4240
4340
4400-05
4400-10
4400-25
4400-50
4450-10
503
504
5320
5350
5460
5480
1,4
1,4
5*
10 *
25 *
50 *
10 *
1,0
2,2
5,0
1,0
1,0
0,5
negativ
negativ
hochempfindlich, höchstempfindlich,
hochauflösend
hochaufl., CAR
negativ
-
positiv
positiv
hohe Schichtdicken bis 100 µm, hohe Auflösung,
einfaches Temperhandling, leichtes Removing
Protective Coating, KOHresistent, 503 eingefärbt
lift-off-Strukuren
(1-Lagen-lift-off)
2-Lagen-lift-off
Galvanik, Mikrosystemtechnik, LIGA
Schutzschicht
Aufdampfmuster
Aufdampfmuster
Anwendung
IC s
IC s
Auflösung [µm] max.
0,6
0,5
1
2
3,5
5,0
2, 3,5
-
2
0,5
Kontrast (max. Gradat.)
2,8
5,0
4,0
4,0
5,0
6,0
10, lift-off
-
4,0
5,0
Aspektverhältnis max.
2,3
2,8
5
5
7
10
5
-
2,5
2,0
-
i-, g-line, BB-UV
X-Ray, E-Beam, Tief-UV, i-line
i-, g-line
Belichtung
3,0
1,5
lift-off
-
-
i-, g-line, BB-UV
1,054
1,052
1,086
1,086
1,098
1,106
1,086
1,100
1,120
1,082
1,045
0,980
0,890
Viskosität 25°C [mPas]
10
9
30
260
1970
6270
260
190
350
250
13
73
33
Festkörpergehalt [%]
30
32
33
45
52
58
45
10
13
39
28
12
Dichte 20°C [g/cm²]
9
2)
PGMEA 1)
PGMEA
PGMEA
Chlorbenzen
PGMEA
300-12
300-12
300-12
600-01
300-12
600-07
Haftvermittler / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
Entwickler AR 300-26
Puffer (Tauch, Puddle)
1:1
1:1
-
-
-
-
-
-
2 : 1 bis
3:2
1:7
1:4
1:4
-
pur
-
-
-
-
-
-
-
1:2
1:1
1:1
300-47
pur
300-475
pur
-
-
300-47
2:3
Hauptlösemittel
Verdünner AR
Entwickler AR 300-35
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-40
mif (Tauch, Puddle,
Spray)
Remover AR
300-76
600-71
300-76
72
300-47 6 300-47 3 300-47
300-46 300-47 3
: 1 300- : 2 300- pur 300- pur 300- : 2 30047 pur
47 pur
46 pur
44 8 : 1
47 pur
300-76 (einfach vernetzt)
300600-70 (intensiv vernetzt)
300-76
600-71
300-76
300-73
PM
300-47
1:1
300-70, -76
(auch zum Liften)
Die angegebenen Entwicklerkonzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die spezifischen Gegebenheiten anzupassen sind. Die optimal geeigneten Entwickler finden Sie grün markiert
1)
in dieser Parametersammlung unter Entwicklervergleichen.
PGMEA = 1-Methoxy-2-propyl-acetat (Safer solvent) 2) PM = 1-Methoxy-2-propanol (Safer solvent) 3) MEK = Methylethylketon
Zu der Positivserie AR-P 1210 « 1230 gibt die parametergleiche Negativserie AR-N 2210 ... 2230, die aus Platzgründen hier nicht aufgeführt sind. * Beschichtung bei 1000 rpm
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Photoresists 1 10.10.08 18.03.2016 1 von 2
Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
Photoresist
Parameter / Spezifikation
Do / 4000 rpm [µm]
Typ
Charakteristische
Eigenschaften
AR-N 4400 (CAR 44)
AR-PC 500
AR-P 5300
AR-N 4300
4240
4340
4400-05
4400-10
4400-25
4400-50
4450-10
503
504
5320
5350
5460
5480
1,4
1,4
5*
10 *
25 *
50 *
10 *
1,0
2,2
5,0
1,0
1,0
0,5
negativ
negativ
hochempfindlich, hochempfindlic
hochauflösend
h, CAR
negativ
-
positiv
positiv
hohe Schichtdicken bis 100 µm, hohe Auflösung, einfaches
Temperhandling, leichtes Removing
Protective Coating, KOHresistent, 503 eingefärbt
lift-off-Strukuren
(1-Lagen-lift-off)
2-Lagen-lift-off
Galvanik, Mikrosystemtechnik, LIGA
Schutzschicht
Aufdampfmuster
Aufdampfmuster
Anwendung
IC s
IC s
Auflösung [µm] max.
0,6
0,5
1
2
3,5
5,0
2, 3,5
-
2
0,5
Kontrast (max. Gradat.)
2,8
5,0
4,0
4,0
5,0
6,0
10, lift-off
-
4,0
5,0
Aspektverhältnis max.
2,3
2,8
5
5
7
10
5
-
2,5
2,0
Tief-UV, i-line
i-, g-line
1,054
1,052
1,086
1,086
1,098
1,106
1,086
1,100
Viskosität 25°C [mPas]
10
9
30
260
1970
6270
260
Festkörpergehalt [%]
30
32
33
45
52
58
45
Belichtung
Dichte 20°C [g/cm²]
AR-P 5400
AR-N 4200
1)
3,0
1,5
lift-off
-
-
i-, g-line, BB-UV
i-, g-line, BB-UV
1,120
1,082
1,045
0,980
0,890
190
350
250
13
73
33
10
13
39
28
12
X-Ray, E-Beam, Tief-UV, i-line
-
9
2)
PGMEA
PGMEA
Chlorbenzen
PGMEA
300-12
300-12
300-12
600-01
300-12
600-07
Haftvermittler / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
Entwickler AR 300-26
Puffer (Tauch, Puddle)
1:1
1:1
-
-
-
-
-
-
2 : 1 bis
3:2
1:7
1:4
1:4
Entwickler AR 300-35
Puffer (Tauch, Puddle)
-
pur
-
-
-
-
-
-
-
1:2
1:1
1:1
Entwickler AR 300-40 mif
(Tauch, Puddle, Spray)
300-47
pur
300-475
pur
300-46 pur
300-44 8 : 1
300-47 3 : 2
300-47 pur
-
-
300-47
2:3
Remover AR
300-76
600-71
300-76
300-72
Hauptlösemittel
Verdünner AR
PGMEA
300-47 6 : 1 300-47 3 : 2 300-47 pur
300-47 pur 300-47 pur 300-46 pur
300-76 (einfach vernetzt)
600-70 (intensiv vernetzt)
300-76
600-71
300-76
300-73
PM
300-47
1:1
300-70, -76
(auch zum Liften)
Die angegebenen Entwicklerkonzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die spezifischen Gegebenheiten anzupassen sind. Die optimal geeigneten Entwickler finden Sie grün markiert
in dieser Parametersammlung unter Entwicklervergleichen.
1)
PGMEA = 1-Methoxy-2-propyl-acetat (Safer solvent)
2)
PM = 1-Methoxy-2-propanol (Safer solvent)
Zu der Positivserie AR-P 1210 « 1230 gibt die parametergleiche Negativserie AR-N 2210 ... 2230, die aus Platzgründen hier nicht aufgeführt sind. * Beschichtung bei 1000 rpm
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Photoresists 2 10.10.08 18.03.2016 1 von 2
3)
MEK = Methylethylketon
Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
E-Beam Resist
AR-P 6200 (CSAR 62)
AR-P 617
AR-P 631 - 671
AR-P 639 - 679
AR-P 632 - 672
Copolymer PMMA/MA 33%
PMMA 50K - 950K
PMMA 50K - 950K
PMMA 50K - 950K
6200.04
6200.09
6200.13
6200.18
PMMA
0,09 - 1,75
0,02 - 1,70
0,02 - 0,27
0,01 - 1,87
0,08
0,20
0,40
0,80
45-150 (350 rpm)
positiv
positiv
hochauflösend,
prozessstabil,
univers.
IC s, Masken
positiv
hochauflösend,
prozessstabil,
univers.
IC s, Masken
positiv
positiv
höchstauflösend, hochempfindlich, sehr
plamaätzresistent, lift off
Synchrotron, hohe
Schichten bis 250 µm
IC s, Masken
positiv
hochauflösend,
prozessstabil,
univers.
IC s, Masken
IC s, Masken, Sensoren
Mikrobauteile
Auflösung bester Wert
Auflösung Industieanwend.
10 nm
100 nm
6 nm
100 nm
6 nm
100 nm
6 nm
100 nm
6 nm
100 nm
1 µm (X-Ray)
1 µm (X-Ray)
Kontrast (max. Gradat.)
5-8*
5 - 10 *
5 - 10 *
5 - 10 *
15
Aspektverhältnis max.
8-5
10 - 6
10 - 6
10 - 6
E-Beam, Tief-UV
E-Beam, Tief-UV
E-Beam, Tief-UV
E-Beam, Tief-UV
0,965 - 0,994
1,104 - 1,113
0,964 - 0,970
0,988 - 1,017
0,999
1,006
1,009
1,012
0,999 - 1,003
Viskosität 25°C [mPas]
7 - 235
1 - 285
1 - 43
3,8 - 503
2
6
11
29
24500 - 60500
Festkörpergehalt [%]
3 - 14
1-9
1-7
1 - 11
4
9
13
18
17 - 19
Chlorbenzen
Ethyllactat
Anisol
Anisol
PGMEA 1)
600-07
600-01
600-09
600-02
600-02
300-12
-
-
-
-
300-80 / HMDS
-
600-50, 600-55, -56
600-546, -548, -549
600-51, 600-56
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Parameter / Spezifikation
Do / 4000 rpm [µm]
Typ
Charakteristische
Eigenschaften
Anwendung
Belichtung
Dichte 20°C [g/cm²]
Hauptlösemittel
Verdünner AR
Haftvermittler / HMDS
höchstauflösend, 2x
empfindl. als PMMA
PM
2)
600-50, 600-55, 600- 600-55, 600-56 (600- 600-50, 600-55, 600Entwickler AR
56
50)
56
Lösemittel (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-26
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-35
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-40
mif (Tauch, Puddle,
Spray)
15
AR-P 6510
10 (X-Ray)
20
20
20
E-Beam, Tief-UV
10
X-Ray, E-Beam, Tief-UV
Stopper AR
AR 600-60
AR 600-60
AR 600-60
AR 600-60
AR 600-60
600-61
Remover AR
600-71, 300-76
60-71, 300-76
60-71, 300-76
60-71, 300-76
600-71, 300-76
300-76, 600-71
Die angegebenen Entwicklerkonzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die spezifischen Gegebenheiten anzupassen sind. Die optimal geeigneten Entwickler finden Sie grün markiert
in dieser Parametersammlung unter Entwicklervergleichen.
1)
PGMEA = 1-Methoxy-2-propyl-acetat (Safer solvent)
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
2)
PM = 1-Methoxy-2-propanol (Safer solvent)
Parametersammlung AR-Resists_20160318 E-Beam Resists 10.10.08 18.03.2016 1 von 2
* abhängig vom Entwickler
Allresist Gesellschaft für chemische Produkte zur Mikrostrukturierung mbH
E-Beam Resist
Parameter / Spezifikation
Do / 4000 rpm [µm]
AR-N 7500
AR-P 7400
AR-N 7520 neu
AR-N 7700
AR-N 7720
7400.23
7500.08
7500.18
7520.07
7520.11
7520.17
7700.08
7700.18
7720.13
7720.30
0,60
0,10
0,40
0,10
0,20
0,40
0,10
0,40
0,25
1,40
positiv, negativ
negativ
negativ
negativ
negativ
hochempfindl., mix &
match, plasmaätzresistent
hochauflösend, mix & match,
plasmaätzresistent
höchstauflösend, mix & match,
plasmaätzresistent
CAR, hochauflösend,
hochempfindlich, steile Gradation
CAR, hochauflösend, flache
Gradation f-. 3dimension. Str.
IC s, Masken
ICs, Masken
ICs, Masken
ICs, Masken
Diffraktive Optiken
Auflösung bester Wert
Auflösung Industieanwend.
40 nm
150 nm
40 nm
100 nm
30 nm
70 nm
80 nm
100 nm
80 nm
200 nm
Kontrast (max. Gradat.)
10 neg.
5,0
8,0
5,0
<1
<1
Aspektverhältnis max.
4
6
10
5
1,0
1,5
E-Beam, Tief-UV, i-, g-line
E-Beam, Tief-UV, g-line
E-Beam, Tief-UV, g-line
E-Beam, Tief-UV
Typ
Charakteristische
Eigenschaften
Anwendung
Belichtung
E-Beam, Tief-UV
1,034
0,987
0,988
1,014
1,015
1,016
0,987
1,020
1,004
1,054
Viskosität 25°C [mPas]
6
2
4
2
3
4
2
4
3
20
Festkörpergehalt [%]
23
8
18
7
11
17
8
18
13
30
Dichte 20°C [g/cm²]
Hauptlösemittel
Verdünner AR
Haftvermittler / HMDS
Entwickler AR
Lösemittel (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-26
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-35
Puffer (Tauch, Puddle)
Entwickler AR 300-40
mif (Tauch, Puddle,
Spray)
1)
PGMEA
PGMEA
PGMEA
PGMEA
300-12
300-12
300-12
300-12
300-12
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
300-80 / HMDS
-
-
-
-
-
PGMEA
(2 : 3) 1:2 - 1:8 pos.
1:7
1:4
1 : 2 pos.
1:1
4:1
AR 300-47
(1: 2) 1:3 pos.
300-47
4:1
300-47
4:1
1:1
3:1
3:1
300-47
300-46
300-46
300-46
2 : 1 bis 1 : 3
1:3
1:2
pur bis 3 : 1
-
-
300-47
4:1
300-47
pur
4:
1
300-46
pur
Stopper AR
-
-
-
-
-
Remover AR
300-76, 600-71
600-71, 300-73
600-71, 300-73
300-76, 300-73
300-76, 600-71
Die angegebenen Entwicklerkonzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die spezifischen Gegebenheiten anzupassen sind. Die optimal geeigneten Entwickler finden Sie grün markiert
in dieser Parametersammlung unter Entwicklervergleichen.
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
1)
PGMEA = 1-Methoxy-2-propyl-acetat (Safer solvent)
2)
PM = 1-Methoxy-2-propanol (Safer solvent)
Parametersammlung AR-Resists_20160318 E-Beam Resists 10.10.08 18.03.2016 1 von 2
Plasmaätzraten
Parametersammlung
Beding.
Ar-Sputtern
5 Pa
245 V Bias
O2-Plasma
5 Pa
250 V Bias
CF4
5 Pa
240 V Bias
Cauchy-Koeffizienten
80 CF4 + 16 O2
5 Pa
245 V Bias
Do (nm) Ätzrate (nm/min) Ätzrate (nm/min) Ätzrate (nm/min) Ätzrate (nm/min) Do (nm)
Substrat / AR-Resist
der Messung
Siliziumoxid / Silizium
33 / 84
43 / 93
N0
N1
N2
unbel. /belichtet
unbel. /belichtet
unbel. /belichtet
4010
8
169
38
90
4040
1,625
74,4
AR-P 2220
3980
8
173
33
93
3960
1,595
72,5
85
AR-P 3110
1071
7
165
38
89
1030
1,621
65,6
195,6
AR-P 3210
10250
7
170
39
90
9186
1,597
79,5
105,1
AR-P 3540
1030
8
168
39
90
1587
1,627
172,2
0
AR-P 3540 T
1058
7
165
37
88
1524
1,627
71,4
164,8
AR-P 3740
1472
8
164
38
88
1414
1,623
81,8
160,4
SX AR-P 3740/4
1472
8
168
42
90
1379
1,637
0
316,4
AR-P 3840
1472
8
164
38
88
1413
1,632
65,9
229,3
Photoresists
AR-P 1220
170
1005
8
169
40
89
1410
1,620 / 1,618
57,0 / 82,8
220,4 / 130,5
1077
7
170
39
91
1424
1,610 / 1,609
82,4 / 88,0
93,0 / 85,8
2121
8
173
33
93
1452
1,593 / 1,599
75,4 / 81,4
80,0 / 81,4
AR-P 5350
1012
7
161
38
89
1018
1,623
166,8
10
AR-P 5910 (X 3100/10)
4885
8
174
40
92
4850
1,595
78,3
110
348
8
172
34
88
352
1,610
63,0
0
4887
3
122
31
81
5130
SX AR-P 5800/7
519
6
168
32
84
510
1,622
91,1
SX AR-P 5900/4
1334
7
165
31
83
1340
1,639
164,7
0
AR-P 617.10
1009
16
291
56
151
1338
1,488
44,1
1,1
AR-P 631.12
890
21
344
59
164
701
1,478
47,3
0
505
22
350
61
169
609
1,480
41,9
0
1318
14
283
51
133
1318
1,511
65,7
0
446
10
180
45
99
446
1,543
71,4
0
833
8
170
40
90
833
1,614
157,1
0
220
8
169
41
90
135
AR-N 7700.18
1047
8
168
38
89
469
SX AR-PC 5000/40
5785
-
185
68
120
6040
788
5
208
43
186
942
1,581
146,7
0
1701
5
199
41
188
1563
1,609
58,9
248,3
1210
20
340
61
160
1170
1,528
34,6
0
AR-U 4040
AR-N 4240
AR-N 4340
SX AR-N 4340/8
AR-P 671.05
AR-BR 5460
AR-P 6200
AR-N 7500.18
E-Beam Resists
AR-N 4400-10
SX AR-PC 5000/80.2
SX AR-P 5000/82.7
AR-PC 503, 504, 5040
Spezialresists
AR-N 7520 neu
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
1,615 / 1,614
1,622 / 1,640
77,6 / 83,8
123,2 / 140,4
77,0 / 85,5
1,596 / 1,604
Cauchymodell nicht geeignet
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Plasmaätzraten, Cauchy 10.10.08 18.03.2016
64,1 / 62,5
0
0/0
65,0 / 56,9
Parametersammlung
Entwicklervergleiche wässrig-alkalische Entwickler
Einsatzgebiete für die
Entwicklung
Entwicklervergleiche Lösemittel
Tauch-, Puddle-,
Sprüh-
Tauch-,
Puddle-
Hauptinhaltsstoff
Normalität (n)
Boratpuffer
Silikatpuffer
TMAH
TMAH
TMAH
TMAH
1,10
0,33
0,26
0,24
0,20
0,17
Ethylglycol,
Isopropanol
AR-Resists
AR 300-26
AR 300-35
AR 300-44
AR 300-46
AR 300-47
AR 300-475
AR 600-50
AR 600-55
pur
pur
pur
pur
pur
600-548
600-549
AR-P 1200, AR-N 2200
Tauch-, Puddle-, Tauch-, Puddle-, Tauch-, Puddle-, Tauch-, Puddle-,
SprühSprühSprühSprüh-
1:3
pur ; 5 : 1
1,5 : 1 bis 1 : 1
AR-P 3170
1:4
5:1
1 : 1,5
AR-P 3210
1:3
pur bis 10 µm
AR-P 3220
2:1
AR-P 3250
2 : 1 bis 3 : 2
1:1
AR-P 3510T, 3540T
1:2
pur
1:3
4:1
1 : 4 ; 1: 5 +/-
1 : 1 ; 4 : 3 +/-
1:2+; 2:3-
1 : 8 ; 1 : 6 +/- 1 : 2 ; 2 : 3 +/-
1 : 3 ; 1 : 2 +/-
AR-P 5320
Photoresists
1:5
AR-U 4060
Methylisobutylke- Methylisobutylketon, Isopropanol ton, Isopropanol
pur
pur
2 : 1 bis 3 : 2
1:7
1:2
2:3
AR-BR 5460, 5480
1:4
1:1
1:1
AR-P 5910
pur
AR-N 4240
1:1
AR-N 4340
1:1
pur
pur
pur
AR-N 4400-10, -05; 4450-10
3:2 ;6:1
AR-N 4400-25
5 : 1 bis pur
AR-N 4400-50
8 : 1 bis pur
pur
pur
AR-P 617
AR-P 6510
AR-N 7500.18 ; 7500.08
AR-N 7520.18, .11; .07 neu
E-Beam Resists
AR-P 631-671, 639-679, 632-672
AR-P 6200 (CSAR 62)
AR 600-56
pur
AR-P 5350
AR-P 7400.23
Tauch-,
Puddle-
1:1
AR-P 3510, 3540
AR-U 4030, 4040
Tauch-,
Puddle-
2 : 1 bis 3 : 1
AR-P 3110, 3120
AR-P 3740, 3840
Tauch-,
Puddle-
2:3 ;1:6+
1:2
1:2 ;1:3
600-546
600-51
1:4 ; 1:7
4:1 ; 1:2
3:1 ; 1:1
AR-N 7700.18 ; 7700.08
2:1 ; 1:3
AR-N 7720.30 ; 7720.13
1:2 ; 1:3
pur bis 3 : 1
pur bis 20 µm
4:1
pur
pur
pur ; 4 : 1
- ; pur
pur ; 4 : 1
Die optimal geeigneten und angepassten Entwickler sind grün, die gut geeigneten gelb markiert. Die angegebenen Konzentrationen (Entwickler : DI-H2O) sind Richtwerte, die an die jeweiligen spezif. Gegebenheiten anzupassen sind.
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Entwicklervergleiche und -eignungen 10.10.08 18.03.2016
Lösemittelbeständigkeit von AR-Resistschichten
Parametersammlung
AR-Resists
Temperung (°C)
Aceton
MEK
NEP
Butylacetat
PMA
PM
Novolakbasiert:
AR-P 1200
AR-P 3000
AR-U 4000
AR-P 5000
AR-P/N 7000
95 °C
leicht
leicht
leicht
leicht
leicht
leicht
150 °C
leicht
leicht
mittel
leicht
leicht
leicht
180 °C
mittel
mittel
mittel
schwer
schwer
schmier. Oberfl.
klare Oberfl.
schwer
1 - 60 min
unlöslich
>1h
95 °C
50K-950K
leicht
leicht
150 °C
50K-950K
leicht
180 °C
50K-950K
leicht
schwer
leicht
unlöslich
unlöslich
belegte Oberfl.
belegte Oberfl.
schwer
mittel
unlöslich
leicht
unlöslich
unlöslich
schmier. Oberfl.
trübe Oberfl.
belegte Oberfl.
trübe Oberfl.
belegte Oberfl.
belegte Oberfl.
schwer
unlöslich
unlöslich
schwer
unlöslich
unlöslich
schmier. Oberfl.
klare Oberfl.
belegte Oberfl.
schmier. Oberfl.
klare Oberfl.
klare Oberfl.
schwer
unlöslich
leicht
leicht
leicht
schwer
mittel
60 - 180 s
schwer
3 - 60 min
unlöslich
>1h
mittel
mittel
leicht
schwer
mittel
schwer
schwer
mittel
schwer
schwer
schwer
unlöslich
leicht
mittel
schwer
schwer
mittel
schwer
schwer
schwer
unlöslich
unlöslich
schwer
schwer
180 °C
AR-P 6200
mittel
mittel
mittel
schwer
mittel
unlöslich
unlöslich
unlöslich
unlöslich
mittel
leicht
unlöslich
95 °C
Cop. 617
mittel
schwer
mittel
unlöslich
schwer
mittel
schwer
leicht
unlöslich
schwer
unlöslich
unlöslich
150 °C
Cop. 617
mittel
schwer
schwer
unlöslich
unlöslich
schwer
schwer
mittel
unlöslich
unlöslich
unlöslich
180 °C
Cop. 617
schwer
schwer
schwer
unlöslich
unlöslich
schwer
schwer
unlöslich
unlöslich
ak
ba
si
e
ba
si
er
t
20 - 60 s
mittel
schmier. Oberfl.
Isopropanol Butyrolacton Chlorbenzen Ethylbenzen
< 60 s
M
A-
mittel
Ethanol
leicht
PM
< 20 s
rt
PMMA-basiert:
AR-PC 500(0)
AR-P 600(0)
unlöslich
belegte Oberfl.
leicht
No
vo
l
Legenden zur
Löslichkeit
schmier. Oberfl.
Ethyllactat
schwer
schmier. Oberfl.
schmier. Oberfl.
schwer
wasserfrei!
unlöslich
PMMA-Schichten mit 50K (AR-P 631, 632, 639) lösen sich generell schneller als 950K-Schichten (AR-P 671, 672, 679).
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Lösemittelbeständigkeit 10.10.08 18.03.2016
schwer
schmier. Oberfl.
schwer
schmier. Oberfl.
schmier. Oberfl.
schwer
schmier. Oberfl.
unlöslich
wasserfrei!
Ätzresistenz von AR-Resistschichten gegenüber Säuren
Parametersammlung
Allgemeine
Beschreibung
AR-Resists
AR-Photoresists:
AR-P 1200
AR-P 3000
AR-U 4000
AR-N 4000
AR-P(C) 500(0)
Königswasser
Piranha
HCl : HNO3
2:1
H2SO4 : H2O2
1:1
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
sehr schnelle
Ablösung
< 60 s
schnelle
Ablösung
1 - 3 min
langsame
Ablösung
3 - 20 min
Temperung 95°C /
Schichtdicke
Salzsäure
20 %ig
Salzsäure
37 %ig
Schwefelsäure
50 %ig
Schwefelsäure
96 %ig
< 5 µm
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
> 5 µm
kein Angriff
kein Angriff
Flusssäure
2 %ig
Flusssäure
6 %ig
AR-P 5910
kein Angriff
AR-PC 503, 504
SX AR-PC 5000/40
Flusssäure
50 %ig
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff *
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff *
schnelle
Ablösung *
langsame
Ablösung *
kein Angriff
schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff *
schnelle
Ablösung *
langsame
Ablösung *
kein Angriff
kein Angriff
schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff *
schnelle
Ablösung *
langsame
Ablösung *
kein Angriff
kein Angriff
schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff kein Angriff
BOE 3:1
sehr schnelle langsame
Ablösung
Ablösung *
BOE 10:1
kein Angriff
Ausnahmen > 5 µm:
Legende zur
Säureresistenz
von Resistschichten
E-Beam Resists:
AR-P 600(0)
AR-P/N 7000
Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser, Piranha-Lösung) greifen schon bei Raumtemperatur die Resistschichten stark an und sind als
Remover von hartnäckigen Resiststrukturen bekannt. Dabei werden Novolak-Resists schnell abgelöst, während PMMA-Resists erst anquellen und dann langsam abgehen.
Aber schon relativ geringe Verdünnungen lassen ein Angriff der Säuren nicht mehr zu.
Nichtoxidierende Säuren (Salzsäure) lassen die Resists auch in konzentrierter Form unbeschädigt. Allerdings schwimmen sie in konz. Flusssäure schnell ab.
* Unterätzung durch HF-Diffusion kann nicht ausgeschlossen werden
kein Angriff
2 h (>20' HF) bei Raumtemperatur
< 2 µm
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
langsame
Ablösung *
sehr schnelle langsame
Ablösung
Ablösung *
kein Angriff
< 2 µm
kein Angriff
kein Angriff
kein Angriff
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
sehr schnelle
Ablösung
kein Angriff
langsame
Ablösung *
sehr schnelle langsame
Ablösung
Ablösung *
kein Angriff
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Ätzresistenz geg. Säuren 10.10.08 18.03.2016
Absorptionsspektrum vom AR-Negativphotoresist (CAR)
Absorptionsspektrum von AR-Positivphotoresists
1
1,1
0,9
durchbelichtet
1
0,8
0,9
teilbelichtet
0,8
nach Vernetzung
grün
unbelichtet
0,6
0,7
Absorption
Absorption
0,7
0,5
0,4
0,3
nach Belichtung rot
0,6
0,5
nach Softbake blau
0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0
320
340
360
380
400
420
440
460
480
0
500
320
340
360
380
420
440
460
480
500
Wellenlänge (nm)
Wellenlänge (nm)
Absorptionsspektrum Novolak
Absorptionsspektrum PMMA
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
Extinktion
Extinktion
400
0,4
0,3
0,2
0,4
0,3
0,2
0,1
0,1
0
240
260
280
300
320
340
Wellenlänge (nm)
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
360
380
400
0
200
210
220
230
240
Wellenlänge (nm)
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Absorptionssprektren (2) 10.10.08 18.03.2016
250
260
270
280
Spinkurven AR-P 3100
3,0
2,5
Do/µm
2,0
1,5
1,0
AR-P 3110
AR-P 3120
0,5
0,0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
rpm
Spinkurven AR-P 3200
60
55
50
45
Do/µm
40
35
30
25
20
15
AR-P 3210,
AR-P 3220
AR-P 3250
10
5
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
rpm
Spinkurven AR-P 3500 (T)
6,0
5,5
5,0
Do/µm
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
AR-P 3510 T
AR-P 3540 T
1,0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
rpm
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Spinkurven 3000
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
10.10.2008 18.03.2016
Spinkurven AR-U 4000
6,0
5,5
5,0
4,5
Do/µm
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
AR-U 4030
AR-U 4040
AR-U 4060
1,0
0,5
0,0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
rpm
Spinkurven AR-N 4200 und AR-N 4300
5,0
4,5
4,0
Do/µm
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
AR-N 4240
und
AR-N 4340
rpm
Spinkurven AR-N 4400
140
120
Do/µm
100
80
60
40
20
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
AR-N 4400-50
AR-N 4400-25
AR-N 4400-10
und 4450-10
rpm
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Spinkurven 4000
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
10.10.08 18.03.2016
Einfluss der Schichtdicke auf die Belichtungsdosis (Swingkurve)
Swingkurve AR-Photoresists bei i-line (365 nm)
39
38
37
36
35
34
33
Belichtungsdosis (mJ/cm²)
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
0,79
0,84
0,89
0,94
0,99
1,04
Schichtdicke (µm)
1,09
1,14
1,19
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Swingkurve 10.10.08
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
18.03.2016
Einfluss der Luftfeuchte auf die Schichtdicke
Schichtdicke des AR-P 3510 in Abhängigkeit von der
Luftfeuchtigkeit bei der Beschichtung
2 nm Schichtdickenabnahme je 1% Zunahme der Luftfeuchte
2,14
2,13
Schichtdicke (µm)
2,12
2,11
2,1
2,09
2,08
2,07
2,06
25
30
35
40
45
50
55
60
Luftfeuchte (%)
Die empfohlene Luftfeuchte beträgt 30-50%. Ideal sind 43% Luftfeuchte.
Mit steigender Luftfeuchte sinkt die Schichtdicke. Je Prozent Luftfeuchte sind das ca. 2
nm.
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Einfluss Luftfeuchte
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
10.10.08 18.03.2016
Einfluss des Feststoffgehaltes auf die Schichtdicke
Feststoffgehalt versus Schichtdicke der AR-Resists bei 4000 rpm
10,0
9,0
8,0
Schichtdicke (µm)
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0,0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Feststoffgehalt (%)
Parametersammlung Einfluss Feststoffgehalt 10.10.08
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
18.03.2016
50
Einfluss der Lagerdauer auf die Empfindlichkeit
Empfindlichkeit bei 1,4 µm (mJ/cm²)
AR-P 3540
Abhängigkeit der Resistempfindlichkeit von der
Lagerdauer der beschichteten Substrate
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
0:00
12:00
24:00
36:00
48:00
60:00
72:00
Zeitdifferenz zum Temperende (h)
Beschichtete und getemperte Resistschichten können vor der Belichtung mehrere
Wochen ohne Qualitätsverlust aufbewahrt werden.
PMMA-E-Beamresists bleiben ohne Änderung in der Empfindlichkeit.
Photoresists und novolakbasierte E-Beam Resists sind direkt nach der Beschichtung
empfindlicher, als wenn die Schichten mehrere Stunden bzw. Tage gelegen haben.
Der Abbau der Empfindlichkeit beträgt nach 3 h etwa 3%, nach 24 Stunden 6% und
nach 72 Stunden 8% bezogen auf den Ausgangswert.
Parametersammlung AR-Resists_20160318 Einfluss Lagerdauer
Allresist GmbH . Am Biotop 14 . 15344 Strausberg . www.allresist.de
10.10.08 18.03.2016
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