WALTER SCHOTTKY INSTITUT Lehrstuhl für Halbleitertechnologie Prof. Dr.-Ing. M.-C. Amann Musterlösung Probeklausur WERKSTOFFE DER ELEKTROTECHNIK WS 2009 / 2010 Aufgabe 1: Ladungsträgerdichten (22 Punkte) Das Lithium-Atom (Li) hat die Elektronenkonfiguration [He] 2s1. Im Metall wird das 2s-Elektron als Leitungselektron abgegeben. a) Geben Sie die Elektronenkonfiguration des verbleibenden Rumpf-Ions an: Li: 1s2 2s1 ≙ [He] 2s1 Li+: 1s2 ≙ [He] Welche effektive Anzahl Z* von Elektronen bestimmt das magnetische Verhalten der Atomrümpfe? Z* = 2 b) Aus welchen Anteilen setzt sich die magnetische Suszeptibilität von Lithium-Metall zusammen? Abgeschlossene Schale keine permanenten Momente kein Para- / Ferromagnetismus der Atomrümpfe! Atomrümpfe: Diamagnetismus Leitungselektronen: Dia- und Paramagnetismus m m el el dia dia para 1 c) Berechnen Sie die Fermi-Energie und die Fermi-Temperatur von LithiumMetall! 3 1 2m 2 3 n 2 2 0 EF 2 3π 2 2 2 EF 3π n 3 2m 0 1e- pro Atom ⇒ Elektronendichte = Atomdichte n Ar u 2 2 2 3 EF 4,68eV 3π Ar u 2m 0 EF k BTF TF EF 54 312 K kB d) Berechnen Sie die einzelnen Aneile der magnetischen Suszeptibilität aus b) sowie die gesamte magnetische Suszeptibilität von metallischem Lithium! m dia el n * 2 2 Z e r µ0 4,89 107 6m 0 el dia el para nµ2Bµ0 6,63 106 k BTF m m dia el 6,14 106 e) Ist metallisches Lithium diamagnetisch, paramagnetisch oder ferromagnetisch? (Begründung!) Wie hängt die gesamte magnetische Suszeptibilität von metallischem Lithium von der Temperatur ab? (Begründung!) 0 m 1 metallisches Lithium ist paramagnetisch m dia ist temperaturunabhängig TF T ⇒ el ist temperaturunabhängig m hängt nicht von der Temperatur ab. 2 Aufgabe 2: Dielektrizität, Polarisation von Gasen (18 Punkte) Betrachtet werden die drei Gase Krypton (Kr), Schwefeldioxid (SO2) und Kohlendioxid (CO2) (Aufbau s. Abbildung). Kr a) S O O O C O Welche Mechanismen tragen jeweils zur elektrischen Polarisation bei? Differenz Elektronegativitäten: keine ionische Bindung ⇒ keine ionische Polarisation Kr, CO2: unpolares Molekül ⇒ nur elektronische Polarisation SO2: b) polares Molekül ⇒ elektron. und Orientierungspol. Skizzieren Sie für die drei Gase jeweils den Verlauf des Realteils der Dielektrizitätskonstante als Funktion der Frequenz! Kr, CO2: (Resonanz d. el. Pol.) ´ 1 SO2: (Or. Pol; el. Pol.) ´ 1 3 c) Gegeben sei nun ein Plattenkondensator mit der Kapazität C0 im Vakuum, der mit einer Spannungsquelle (Spannung U0 = 20V) aufgeladen und anschließend von der Spannungsquellegetrennt wurde. Nach dem Fluten des Kondensators mit Krypton (p=200bar, T = 273K) mißt man am Kondensator eine Spannung U1 = 18,7V. Berechnen Sie den Atomradius von Krypton! C0 ε0 A d C1 ε 0 r r A d U0 1 el 1 U1 el N 4πR3 p k BT N R r 3 p U 4πR3 1 0 k BT U1 k BT U 0 1 101,4 pm 4π p U 1 Aufgabe 3: Metallische Bindung (17 Punkte) Aluminium hat die Elektronenkonfiguration [Ne] 3s23p1. Zu seiner Leitfähigkeit tragen nur die Elektronen der dritten Schale bei. Die Dichte und die relative Atommasse Ar betragen jeweils = 2,7 x 103 kg/m3 und Ar=27. Bei 300K wird ein spezifischer Widerstand von spez = 2,6 x 10-6 cm und ein Elastizitätsmodul von c = 1,09 x 1011N/m2 gemessen. a) Berechnen Sie die Leitungselektronendichte n, die Fermi-Energie EF, die Geschwindigkeit der Elektronen vel an der Fermi-Kante und die Geschwindigkeit der longitudinalen Phononen vph (= Schallgeschwindigkeit) für Aluminium. n 3 n Al n Al Ar u (jedes Atom gibt 3e- ab) 4 n 3 Ar u 1,807 1023 cm -3 3 1 2m 2 3 n 2 2 EF 2 3π EF c 2 2 3π 2 n 3 11,65 eV 2m 2 EF m 2,025 106 m s vel vF v ph|| 6,35 103 m s b) Wie hoch ist die spezifische Wärme der Elektronen pro Volumeneinheit Cel bei Raumtemperatur (T=300K)? Berechnen Sie bei dieser Temperatur die Wärmeleitfähigkeit el und die mittlere freie Weglänge der Leitungselektronen. Cel 6 n k 2B T J 3,32 104 EF Km 3 Wiedemann-Frantz-Gesetz: el π 2 k 2B L 3 e2 T 1 spez π 2 k 2B T W el 281,9 2 3 e spez Km 1 3 el Cel vel lel lel Aufgabe 4: Halbleiter 3 el 12,6 nm Cel vel (28 Punkte) Der Halbleiter Indiumantimonid (InSb) wird zur Herstellung von InfrarotDetektoren verwendet. InSb hat eine Bandlücke von 0,172eV und bei einer Temperatur von 300K eine intrinsische Ladungsträgerkonzentration von ni=2,04 x 1016cm-3. 5 a) Erklären Sie das physikalische Grundprinzip der optischen Anregung in Halbleitern! Warum läßt sich mit Halbleitern nur Licht bis zu einer bestimmten Wellenlänge detektieren? Wo liegt die Grenze bei InSb? Elektronen aus dem Valenzband werden durch Absorption von Photonen ausreichender Energie ins Leitungsband angehoben; Löcher bleiben zurück. Es werden somit Elektron-Loch-Paare erzeugt. E Ph hf hc Eg hc : max Eg Für Wellenlängen größer max hc 7,208 µm Eg ist das Material transparent. b) InSb wird mit Zink (Zn) dotiert. Warum wirkt das 2-wertige Zn immer als Akzeptor, unabhängig davon, auf welchem Gitterplatz es eingebaut wird? In: 3-wertig; Sb: 5-wertig; Zn: 2-wertig. Zn stellt weniger Valenzelektronen zur Verfügung als In und Sb. Zn ist sowohl auf In-Platz als auch auf Sb-Platz ein Akzeptor. c) Im vorliegenden Fall soll Zn-dotiertes InSb verwendet werden, wobei das Konzentrationsverhältnis zwischen Löchern und Elektronen 30:1 betragen soll. Wieviele Dotieratome müssen dazu in den Kristall eingebracht werden, wenn jedes Dotieratom ein Loch zur Verfügung stellt? (T=300K) (Falls Sie diese Aufgabe nicht lösen, rechnen Sie im weiteren mit 1x1017cm-3 Dotieratomen) n N A p N D (Neutralitätsbedingung) T=300K ⇒ (vollständige Ionisation) n NA p n p ni2 (Massenwirkungsgesetz) p 30 n n p 30n 2 ni2 n ni 30 6 p 30 ni 1 29 N A 30 ni 1,08 1017 cm -3 ni 30 30 d) Wie hängt ni von der Temperatur ab? Betrachten Sie das Material aus Aufgabe c) für den Fall einer erhöhten Temperatur von T=400K. Wie groß sind nun ni, p und n? ni N N e * L * V - Eg 2k BT 3 m* k T 2 N L* 2 n B2 2π 3 m* k T 2 NV* 2 p B2 2π ni T 2 mn* m*p 3 3 4 3 Eg 3 k B 2 2 - 2k BT T e 2 2π Eg Eg Eg T 2 ni T C T0 e 2k BT 2k BT0 2k BT0 T0 3 2 3 E g T T T 2 2k B T T00 ni T ni T0 e T0 T0=300K; T=400K ni T ni T0 3,537 7,215 1016 cm -3 ni2 T p n NA NA p p 1 N A N A2 4ni2 1,441 1017 cm -3 2 n ni2 (T ) 3,612 1016 cm -3 p 7