T60404-M4645-X009 | Siemens MC, Erlangen

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DATENBLATT / Specification
VAC UU M SCH M ELZE
K-Nr.:
K-no.:
21934
Sach Nr.:
T60404-M4645-X010
Item no.:
Datum:
4...40 A -Stromsensor-Modul / Current Sensor Module
15.04.2014
Date:
Kunde:
Kd. Sach Nr.:
Seite
Customer
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Maßbild siehe Blatt 2
Mechanical outlines page 2
Anschlußschema:
Schematic diagram
I1
+
3
4
N 10
5
N1
6
7
N2
8
9
N3
10
11
1
N 11
I1
N4
+
Pin 1: K1
Pin 2: K2

Kompensationswicklung
Compensation winding
Pin 3: S1
Pin 4: S2

Sensorwicklung
Sensor winding
Pin 5...16

Primärstrom-Bügel
Primary current turns
2
12
13
N5
14
15
N6
16
Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):
Operational data/characteristic data (nominal values):
Nennstrom (siehe Blatt 2)
i1Neff
=
4...40
A
KN
=
1: 1: 1: 1: 1: 1: 1000
î1max
=
 60
A
Ri
<
74

Ra
=
50...250 
Umgebungstemperatur/ambient temperature:
Lagertemperatur/storage temperature:
Tu
Tu
=
=
-40°C...+ 85°C
-40°C...+105°C
Widerstand der Strombügel ( N1...N6 )
RP
=
1 m Bügel/bare
Rated current (see page 2)
Nennübersetzungsverhältnis
Transformation ratio
Max. meßbarer Strom (UB =  15 V, Ra < 110 )
Maximal measurable current (UB =  15 V, Ra < 110 )
Innenwiderstand (TU = -40...85°C)
Internal resistance (TU = -40...85°C)
Abschlußwiderstandsbereich
Rated load resistance
Resistance Cupper bare
Weitere Vorschriften:
Siehe Blatt 3
Applicable documents:
see page 3
Datum
15.04.14
05.11.08
Hrsg.:
editor
Name
Psotny
Le
KB-E
Index
82
82
Änderung
VAC“ aus Beschriftungsfeld gelöscht, da bereits im Spritzgusswerkzeug vorhanden. Lapidaränderung.
Kd.-Namen entfällt. Kein kundenspezifisches Teil mehr. Lapidaränderung.
freig.: HS
Bearb: Le
KB-PM: KRe.
designer
Weitergabe sowie Vervielfältigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
nicht gestattet, soweit nicht ausdrücklich zugestanden. Zuwiderhandlungen verpflichten zu
Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
released
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Any offenders are liable to pay all relevant damages.
DATENBLATT / Specification
Sach Nr.:
K-Nr.:
K-no.:
21934
T60404-M4645-X010
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VAC UU M SCH M ELZE
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Maßbild (mm):
Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c
Anschlüsse:
Mechanical outline
General tolerances
Connections:
Stifte:
Pins
1 ... 4:
0,6 x 0,88 mm
Ziffern 1-16 nicht aufgedruckt
(Numbers 1-16 not imprinted)
Toleranz der Stiftabstände ±0,2mm
(Tolerances grid distance)
15
5
2,5 tief
I1
8,89
2,1
6
Beschriftung:
16
3
1
10,2
5 ... 16:
 1,0 0,15 mm
Ø1,0
5x2,54
24,5
DC = Date Code
F = Factory
marking
6,98
0,88x0,6
3
2
17,78
2,54
4
23,9
F
DC
4645-X010
F
DC
typ 0,5
15
3,5 +0
-0,8
26
Prüfung: (V: 100%-Test; AQL...: DIN ISO 2859-Teil1)
Inspection
Prüfung 1) und 2) und 3) mit Elektronikbaustein Sachnummer T60404-Q5790-X011
Test 1), 2) and 3) measured with electronic item No. T60404-Q5790-X011
1) (V)
Übersetzungsverhältnis (I1 =12 A, 50 Hz)
ü
= 6:1000  0,5 %
IO
 0,1
(K1 - K2)
= 11,5...13,5 Vs
(S1 - S2)
= 16...35
nVs
R (K1 - K2)
= 48...58

R (S1 - S2)
= 2,4...3,6

Transformation ratio
2) (V)
Offsetstrom
mA
Offset current
3) (V)
Flußhub
Magnetic flux
4) (V)
Wicklungswiderstand
Winding resistance
5) (V)
Prüfspannung (50 Hz, 1 s)
Vd
= 3,8
N1...N6 gegen/to N10…N11
Test voltage (50 Hz, 1 s)
6) (AQL1/S4) M3024: Glimmaussetzspannung (RMS) <15s Ve
 1,3
kV
kV
Partial discharge (RMS)
Vorspannung (RMS)
<5s
Defined voltage (RMS)
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Le
KB-PM: KRe.
designer
Weitergabe sowie Vervielfältigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
nicht gestattet, soweit nicht ausdrücklich zugestanden. Zuwiderhandlungen verpflichten zu
Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
Vvor
= 1,63
N1...N6 gegen/to N10…N11
kV
freig.: HS
released
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Typprüfung:
Type test
1)
Stoßspannungsprüfung in Anlehnung an M3064
HV transient test according to M3064
N1….N6 gegen/to N10+N11
Einstellwerte:
1,2 µs / 50 µs-Kurvenform (waveform)
Vw= 8 kV
Ri
= 60 
Settings
10 Impulse im Abstand t = 10 Sekunden mit wechselnder Polarität
10 pulses in a cycle of t = 10 seconds with changing polarity
2)
Glimmaussetzspannungsprüfung in Anlehnung an EN 61800-5-1
partial discharge test according to IEC 61800-5-1
3)
Ve(RMS) 
1,3
kV < 15s,
Vvor(RMS) =
1,63
kV < 5s,
N1…N6 gegen/to N10…N11
Prüfspannung (50 Hz, 5s) in Anlehnung an IEC 61800-5-1
Test voltage (50 Hz, 5s) according to IEC 61800-5-1
Vd =
3,6 kV
N1...N6 gegen/to N10…N11
Prüfspannung (50 Hz, 60 s) in Anlehnung an UL508C
Test voltage (50 Hz, 60s) according to UL508C
Vd =
2
N1...N6 gegen/to N10…N11
kV
Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur
Measurements after temperature balance of the samples at room temperature
Weitere Vorschriften:
Applicable documents:
Konstruiert, gefertigt und geprüft nach EN 61800 und erfüllt die Vorschriften.
Parameter: Verstärkte Isolierung,
Isolierstoffklasse 1,
Verschmutzungsgrad 2
Luftstrecke
≥ 6mm,
Kriechstrecke ≥ 9 mm
Bemessungsisolationsspannung: (N1…N6 gegen N10…N11)
Netzspannung
Überspannungskategorie 3
RMS
Arbeitsspannung
Überspannungskategorie 2
DC oder RMS
Vsys = 300 V
Vwork = 900 V
Bemessungs-Entladungsspannung (Spitzenwert)
UPD
= 1,2 kV
Designed, manufactured and tested in accordance with EN 61800 and complies with the standards.
Parameters:
Reinforced insulation,
Insulation material group 1, Pollution degree 2
Clearance distance ≥ 6mm
Creepage distance ≥ 9 mm
Rated insulation voltage: (N1…N6 to N10…N11)
System voltage
Overvoltage category: 3
Working voltage
Overvoltage category: 2
RMS
DC or RMS value
Rated discharge voltage (peak value)
Gehäuse- und Spulenkörperwerkstoff :
Housing and bobbin material:
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Vsys
Vwork
= 300 V
= 900 V
UPD
= 1,2 kV
UL-gelistet
UL listed
Le
KB-PM: KRe.
designer
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4...40 A -Stromsensor-Modul / Current Sensor Module
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Kunde:
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** UB=  15 V
Beschaltungsmöglichkeiten
15.04.2014
Date:
4
von
8
of
Connections variants
N’1
i1Neff
î1**
iaNeff
Wdg
A
A
mA
1
40
60
40
1
35
60
1
30
1
KN
Ra
PVE**
Fges
Fges
Beschaltung
(i1Neff)
(i1Neff/2)
connection
Ohm
mW
%
%
1 : 1000
100
395
1,1
1,8
35
1 : 1000
100
370
1,2
1,9
60
30
1 : 1000
100
340
1,3
2,2
25
40
25
1 : 1000
200
240
1,5
2,5
2
20
30
40
2 : 1000
100
395
1,1
1,8
15
5
2
15
30
30
2 : 1000
100
340
1,3
2,2
16
6
3
12
20
36
3 : 1000
100
375
1,2
1,9
15
3
10
20
30
3 : 1000
100
340
1,3
2,2
5
3
8
12
24
3 : 1000
200
235
1,5
2,6
16
15
6
5
16
6
15
4
6
15
24
4 : 1000
100
295
1,5
2,6
6
6
10
36
6 : 1000
100
375
1,2
1,9
6
5
10
30
6 : 1000
100
340
1,3
2,2
6
4
6,5
24
6 : 1000
200
235
1,5
2,6
Î
5
16
6
15
5
16
6
Maximal meßbarer Strom Î1 (Ra)
(A)
Maximum measurable current Î1 (Ra)
90
80
UB = 15V
70
60
50
40
UB = 12V
30
20
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Ra (Ohm)
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Le
KB-PM: KRe.
designer
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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung
General data ascertained by type test
Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur
Fi
<
0,5
%
FLi
<
0,1
%
FTi
<
0,1
%
f
=
DC...100 kHz

<
2,5
s
t (î1max, 100 A/s) <
1
s
Offsetstrom (beinhaltend Io, Iot, IoT)
Ioges
<
0,2
mA
Offsetstrom bei Raumtemperatur
Io
<
0,1
mA
Iot
<
0,1
mA
IoT
<
0,1
mA
IoH
<
0,1
mA
ioss
<
1,5
mA
Io/UB
<
0,01 mA/V
Ck
<
4
pF
IaSt
<
0,1
mA
aKrit
<
3,5
cm
m
<
16
g
Measuring accuracy at room temperatur
Linearität
Linearity
Temperaturdrift von Fi (-40...+85°C)
Temperature drift of Fi (-40...+85°C)
Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude)
Frequency range (with limited amplitude)
Ansprechzeit
Response time
Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/s
Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/s
Offset current (including Io, Iot, IoT)
Offset current at room temperature
Drift von Io
Offset current drift
Temperaturdrift von Io (-40...+85°C)
Offset current temperature drift (-40...+85°C)
Hysterese von Io
Hysteresis of Io
Offsetripple (s.Blatt 5)
Offset ripple (s. page 5)
Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io
Supply voltage rejection ratio
Koppelkapazität primär - sekundär
Coupling capacitance (primary - secondary)
Ausgangsstörgleichstrom
Interference output current
Kritischer Abstand bei einem Störimpuls
Critical distance with an interference pulse current
Masse
Masse
Stromrichtung: Ein positiver Meßstrom erscheint am Anschluß ia, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.
Current direction: A positiv output current appears at point i a by primary current in direction of the arrow.
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Le
KB-PM: KRe.
designer
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Sach Nr.:
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Item no.:
4...40 A -Stromsensor-Modul / Current Sensor Module
Datum:
15.04.2014
Date:
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Kd. Sach Nr.:
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8
of
Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:
Avariable offset ripple reduction means of a low pass:
Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca
.
geschaltet werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra Ca)) bezogen auf
den Wert ohne externe Kapazität (ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach
der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the
remaining value of the offset ripple (ioss(Ra . Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is
lengthened. It is calculated from:
1
a   + 2,5 Ra Ca
.
.
bzw. fg = -------------------.
.
2 Ra Ca
.
Beispiel:
ioss (Ra Ca)
Example:
-------------------- = 25%
ioss
Ra = 47 ;
Ca = 100 nF
a  21 s; fg = 34 kHz
100
ioss (Ra Ca)
ioss
%
10
1
0,1
1
10
100
Ra * Cas
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Le
KB-PM: KRe.
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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)
Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)
aKrit:
Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenfläche, bei dem auch an ungünstiger Stelle die
zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben liegt ein
sinusförmiger Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 s in Höhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the applicable interference at the sensor
output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse current with a pulse width of 50 s having the same
magnitude as the rated current.
Fges(i1):Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i 1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:
Fges = 100 

ia (i1)
 ---------------- - 1
.

KN i1



Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch
Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by
Fi

. Ia

 ----------- - 1
 …. iaNeff

= 100 
wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)
 I1
Ia…….
--------- - ---------
Linearity fault defined by
 I1Neff
…Ian…
Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. I o = 0). Ian
FLi: Linearitätsfehler definiert durch
FLi = 100 
s. Erläuterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).
FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen I an (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen
Temperaturbereich, gegeben durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:
FTi = 100 
Hrsg.:
editor
KB-E
 Ian (TU2 ) - Ian (TU1) 
-------------------------------

iaNeff

Bearb:
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IaSt:
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Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem Leiter
in 1 cm Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the sides of
the housing (unfavourable position).
IoH:
Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)
Iot:
Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.
Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 °C.
PVE:
Die maximale Verlustleistung des Elektronikbausteins, die durch das Stromsensormodul und den Abschlußwiderstand
Ro bei einem Ausgangsstrom ia,eff bewirkt wird.
The maximum power loss of an electronic module, caused by the current sensor module, the external resistance and the output current ia,eff
.
PVE = ia,eff ( UBmax - (Ra + Ri / 1,5) . ia,eff).
:
Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i 1 = 0,9
und dem dazugehörigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9
t (î1max, 100 A/s):
.
.
î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom
î1 between a rectangular current i1 and the output current ia
Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom i a bei einem
Stromanstieg des Primärstroms von di1/dt = 100 A/s.
Delay time between î1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/s
UPD
Bemessungs-Entladungsspannung (in der Anwendung zugelassene wiederkehrende Scheitelspannung, die durch die
Isolation getrennt wird) nachgewiesen mit einer sinusförmigen Spannung Ve
Rated discharge voltage (recurring peak voltage separated by the insulation) proved with a sinusoidal voltage Ve
UPD
Vvor
= √2 * Ve / 1,5
Vorspannung ist der Effektivwert einer sinusfömigen Spannung deren Spitzenwert 1,875 *
UPD ergibt, die in der Norm EN 61800 zum Nachweis der Teilentladungsprüfung gefordert wird.
Defined voltage is the RMS valve of a sinusoidal voltage with peak value of 1,875 * UPD required for partial discharge test in IEC 61800
Uvor
Vsys
Vwork
= 1,875 *UPD / √2
Netzspannung:
Effektivwert der Bemessungsspannung nach EN 61800 -5-1
System voltage
RMS value of rated voltage according to IEC 61800-5-1
Arbeitsspannung: Spannung nach EN 61800-5-1, die durch Auslegung in einem Stromkreis oder über der Isolierung
auftritt
Working voltage
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
voltage according to IEC 61800-5-1 which occurs by design in a circuit or across insulation
Le
KB-PM: KRe.
designer
Weitergabe sowie Vervielfältigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
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freig.: HS
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