Elektronik 2. Lehrjahr, Version 2015

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Elektronik
für Elektroniker im
2. Lehrjahr
von
Alexander Wenk
Quellen:
Unterlagen von Urs-Peter Quitt
Vogel Fachbücher Elektronik 1-3
Elektronik Unterlagen HTL Brugg-Windisch
und weitere 
 2010, Alexander Wenk
Inhaltsverzeichnis
Der Bipolartransistor ______________________________________________________ 1
Laborübung NPN-Transistor __________________________________________________ 3
Erfassung von IB, UBE und IC _________________________________________________________ 4
Kennlinienfeld vom Transistor _________________________________________________ 5
Schlussfolgerung und Ersatzmodell _____________________________________________ 6
Der Transistor als Schalter ____________________________________________________ 8
Verlustleistung am Transistor__________________________________________________ 8
Feldeffekt-Transistoren ____________________________________________________ 9
Wo werden Feldeffekttransistoren eingesetzt _____________________________________ 9
Welche Eigenschaften haben Feldeffekttransistoren _______________________________ 9
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren _______________________________________ 10
Messung der FET-Steuerkennlinien ____________________________________________ 11
Auswertung der FET-Kennlinien ____________________________________________________ 13
FET als Konstantstromquelle _________________________________________________ 14
Funktion der KO-Eingangsstufe _______________________________________________ 15
FET-Typen ________________________________________________________________ 16
Leistungsendstufen _______________________________________________________ 18
Darlington Schaltung ________________________________________________________ 18
Gegentaktverstärker ________________________________________________________ 18
Strom- und Spannungsquellen _____________________________________________ 19
Merkmale von Strom- und Spannungsquellen ___________________________________ 19
Versuche zur einfachen Strom- und Spannungquelle _____________________________ 20
Auswertung Strom- und Spannungsquellen _____________________________________ 21
Stromquelle _____________________________________________________________________ 21
Spannungsquelle _________________________________________________________________ 21
Lineare Spannungsregler und getaktete Schaltregler _____________________________ 22
Getakteter Schaltregler ____________________________________________________________ 23
Vergleich lineare und getaktete Spannungsquelle ________________________________________ 24
Kenndaten von Spannungsreglern _____________________________________________ 25
Bipolare Quellen ____________________________________________________________ 26
Bereichserweiterung von Festspannungsreglern__________________________________ 27
Interpretation von Anwendungsschaltungen_____________________________________ 28
Operationsverstärker _____________________________________________________ 31
Differenzverstärker _________________________________________________________ 32
Übung Differenzverstärker _________________________________________________________ 32
Messübung Operationsverstärker _____________________________________________ 33
Der ideale Operationsverstärker _____________________________________________________ 34
Der reale OP ____________________________________________________________________ 34
Der invertierende Verstärker _________________________________________________ 35
Der nichtinvertierende Verstärker _____________________________________________ 36
Leistungsendstufen mit OP als Vorverstärker ___________________________________ 38
Addierverstärker ___________________________________________________________ 39
Subtrahierverstärker ________________________________________________________ 40
Instrumentenverstärker _____________________________________________________ 41
Der Schmitt-Trigger_________________________________________________________ 42
Invertierender Schmitt-Trigger ______________________________________________________
Nicht invertierender Schmitt Trigger__________________________________________________
Nicht invertierender Schmitt-Trigger mit Offsetspannung _________________________________
Übung Schmitt-Trigger ____________________________________________________________
42
43
44
45
Timer und Taktgeneratoren ________________________________________________ 46
Funktion vom Timerbaustein _________________________________________________ 46
Timerbaustein als Taktquelle _________________________________________________ 48
Der Bipolartransistor
Wie können wir einen grossen Strom mit einem kleinen Strom steuern? 1948
entwickelten Forscher den ersten Transistor. Prinzipiell ist ein Transistor ein
Dreischicht-Element: Zwei gleich dotierte Schichten werden durch eine sehr
dünne, umgekehrt dotierte Schicht getrennt. Wir kennen entsprechend den
Anfangsbuchstaben der Dotierungsart NPN- und PNP-Transistoren.
Wie sind die Transistoren prinzipiell aufgebaut? Abbildung 1 erklärt die
beiden Transistortypen:
Abbildung 1: Transistoraufbau (Grundlagen der Elektronik S. 101)
Wir sehen die drei Anschlüsse des Transistors:

C = Kollektor

B = Basis

E = Emitter
Die zwischen Emitter und Kollektor gezeichneten Dioden sind gegeneinander
gerichtet. Wenn wir also nur diese Anschlüsse verwenden, kann nie ein Strom
fliessen. Wenn ich die Basis-Emitter-Diode durch eine entsprechend gerichtete
Spannung leitend mache, beginnt der Transistor zu leiten. Dass aber nicht nur
ein Basis-Emitter Strom fliessen kann, sondern auch ein entsprechender
Kollektor-Emitterstrom, vermag das Dioden-Ersatzschaltbild nicht zu
veranschaulichen. Die Erklärung der Funktion finden wir nur, wenn wir die
drei Schichten so zeichnen, wie sie in Tat und Wahrheit auch aussehen.
Von der Diode her wissen wir, dass sich beim Kontakt zweier unterschiedlich
dotierter Schichten Raumladungszonen aufbauen. Da die Basisschicht sehr
dünn ist, erstreckt sich diese beim Transistor praktisch über die ganze Schicht.
Um diesen Effekt besser zu verstehen, zeichnen wir den Aufbau einmal stark
vergrössert:
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Seite 1
Aufbau vom NPN-Transistor ohne angelegte Basis-Emitter-Spannung
(Abbildung 2):
C
N
B
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
P
N
Weil die freien Elektronen des N-Materials teilweise
in das angrenzende P-Material diffundieren, wird
das elektrische Gleichgewicht gestört, es bleiben
etwas mehr (feste) positive Ladungen in der NSchicht als Elektronen vorhanden sind. Umgekehrt
wird durch die eindiffundierten Elektronen die PSchicht negativ geladen. Das dadurch entstehende
elektrische Feld verhindert, dass Elektronen direkt
vom Emitter zum Kollektor gelangen können.
Der Grund ist das elektrische Feld zwischen Emitter
und Basis, das alle vom Emitter in die
Raumladungszone eindringenden Elektronen
zurückdrückt.
E
Abbildung 2: Transistor ohne
Spannung
In der Basiszone (P-Schicht) gibt es ausser den
eindiffundierten Ladungen keine freien Elektronen,
die zum Kollektor gelangen könnten.
Es fliesst also kein Strom, selbst wenn wir eine Kollektor-Emitter-Spannung
UCE anlegen würden.
Nun legen wir eine Spannung UBE an. Dadurch wird die Raumladungszone
zwischen Basis und Emitter aufgehoben wie Abbildung 3 zeigt:
Nun fliesst zwischen Basis und
C
Emitter ein Strom, was die PZone mit Elektronen aus der NN
Zone des Emitters
überschwemmt. Diese Elektronen
werden zum grossen Teil durch
das elektrische Feld zwischen
+ + + + +
Kollektor und Basis zum
B - - - - - P
Kollektor katapultiert.
Voraussetzung dafür ist natürlich,
dass auch eine KollektorEmitterspannung UCE vorhanden
ist.
N
Es gelingt also mit einem relativ
kleinen Strom direkt den grossen
Kollektorstrom zu steuern.
E
Abbildung 3: Transistor mit angelegter Spannung
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Seite 2
Nehmen wir den Basisstrom wieder weg, entsteht zwischen Basis und Emitter
wieder die isolierende Raumladungszone. Der Stromfluss wird also wieder
unterbrochen.
Der PNP Transistor funktioniert ähnlich, nur ist alles umgekehrt polarisiert.
Um Verwirrungen vorzubeugen, wollen wir darauf aber erst später wieder zu
sprechen kommen.
Vielleicht hilft uns zum prinzipiellen Verständnis vom Transistor noch eine
weitere Grafik. Abbildung 4 zeigt uns den prinzipiellen Elektronenfluss am
NPN-Transistor:
Abbildung 4: Elektronenfluss im NPN Transistor (Grundlagen Elektronik S. 103)
Wie werden die Ströme und Spannungen
am Transistor bezeichnet? Abbildung 5
zeigt uns das Schaltzeichen und die dazu
gehörenden genormten Bezeichnungen:
Hierbei ist zu erwähnen, dass die
gezeichnete Spannungsquelle mit UBE
etwas irreführend ist. Da die BasisEmitter-Diode ja in Durchlassrichtung
Abbildung 5: Bezeichnungen am Transistor
( Grundlagen Elektronik S.104)
steht müssen wir den Basistrom mit
einem Basiswiderstand begrenzen, damit der Transistor nicht zerstört wird.
Laborübung NPN-Transistor
Es ist nun an der Zeit, dass wir wichtige Kenngrössen am Transistor
messtechnisch erfassen. Wir wollen die Kenndaten vom Transistor ausmessen,
indem wir verschiedene Messungen durchführen und damit Kennlinien
aufzeichnen. Am Schluss der Laborübung seid ihr im Besitz vom
Kennlinienfeld Eures Transistors, den ihr selbst ausgemessen habt.
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Seite 3
Erfassung von IB, UBE und IC
Im Prinzip können wir den Transistor einfach ausmessen, indem wir eine
Stromquelle an die Basis anhängen und damit einen definierten Eingangsstrom
IB einspeisen
Allerdings besitzen wir keine Stromquelle. Deshalb verwenden wir eine
Spannungsquelle und einen genügend grossen Basiswiderstand (RB. = 10 k),
so wie es Abbildung 6 zeigt.
Wir verwenden die Schaltung aus
Abbildung 6 für unsere Messung.
A
+
Ic
+
Uein
+
+
T1
IB
RB
+
V
A
Uce
UCE
+
V
UBE
Wir haben wahrscheinlich nicht 4
Messgeräte pro Arbeitsplatz zur
Verfügung. Wir können deshalb auch
Abbildung 6: Kennlinien-Messschaltung
nur dort ein Multimeter einsetzen, wo wir gerade einen Effekt messen wollen.
Mindestens 2 Geräte müsst ihr aber haben, um problemlos messen zu können.
Anleitung:
 Baue die Schaltung auf mit RB = 10 k
 Fülle die Tabelle mit deinen Messergebnissen aus:
UCE
10 V
IB
UBE
IC
0 mA
10 V
1 mA
10 V
2 mA
10 V
5 mA
10 V
10 mA
10 V
20 mA
10 V
50 mA (nur kurz
messen)
 Zeichne die Kennlinien grafisch auf:
o Kennlinie 1: IC = f(IB)  IB als X-Achse verwenden.
o Kennlinie 2: IB = f(UBE)  UBE als X-Achse verwenden.
 Wenn Du noch Zeit hast…: Lasse die Basisspannung konstant, und
verändere die Spannung UCE. Beobachte dabei den Strom IC. Was stellst Du
fest?
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Seite 4
Kennlinienfeld vom Transistor
In der Laborübung haben wir zwei Kennlinien vom Transistor ausgemessen.
Aus diesen Kennlinien können wir uns ein vereinfachtes Modell für den
Transistor entwickeln. Allerdings gibt es noch weitere Kennlinien, die wir für
dieses Modell benötigen. Die wichtigsten sind IC = f(IB) und IC = f(UCE) und
UB = f(IB) Weniger von Bedeutung ist die Rückwirkung vom Ausgang auf den
Eingang (Abbildung 7).
Lasst uns hier nochmals diese Kennlinien betrachten, diesmal in einer
speziellen Darstellung:
Abbildung 7: Kennlinienfeld vom Transistor (Bauelemente S. 173)
Was könnten wir für Vereinfachungen aus unseren Kennlinienfeldern lesen?



UBE ist konstant und beträgt etwa 0.7 V
Der Verstärkungsfaktor ist konstant.
Er beträgt
 = I C / IB
IC ist fast unabhängig von UCE, sofern UCE > 1 V
 IC ist konstant (gesteuerte Stromquelle)
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Wie gross ist der Stromverstärkungsfaktor  bei deinem gemessenen
Transistor?
 = IC / IB = 125; 145; 117; 120 …
Wie gross ist RCE bei Deinem Transistor
RCE = UCE/IC = …
Schlussfolgerung und Ersatzmodell
Der Transistor ist also ein Stromverstärker. Wenn wir ein erstes einfaches
Modell für den Transistor entwickeln, berücksichtigen wir nur UBE und 
(Abbildung 8)
C
C
+
B
B
IC = IB
UBE = 0.7 V
E
E
Abbildung 8: Ersatzmodell für Transistor
Interessant ist nun, dass wir mit dieser Ersatzschaltung einen Transistor relativ
einfach mit uns bekannten Bauelementen beschreiben können!
Übungen zu den Transistoren:
Westermann S. 181 Nr. 1, 3, 4, 5.
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Seite 6
Rc 1k
Lasst uns die Transistor-Ersatzschaltung gerade einmal mit einer ersten
Steuerschaltung testen.
Erstelle unter Verwendung Deines ausgemessenen Transistors die dargestellte
Schaltung, und messe sie aus.
Zeichne dazu die Ein- Ausgangskennlinie Ua(Ue). Was für einen Faktor spielt
hier eine sich ändernde Stromverstärkung?
+
RB 100k
T1 BD 135
Ub 15
+
+
V
Ua
Ue 15
Ue
0V
UCE = Ua
15 V
0.6 V
1V
2V
4V
6V
8V
10 V
12 V
0.14 V
14 V
Wer noch Zeit hat: Simuliere die Schaltung und erstelle die EinAusgangskennlinie automatisch.
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Seite 7
Der Transistor als Schalter
Häufig werden Transistoren als Schalter eingesetzt. Wir können mit
Transistoren LED's Relais oder sogar Motoren ansteuern. Ist der Transistor als
Schalter eingesetzt, wollen wir möglichst kleine Verlustleistungen realisieren.
Deshalb muss im ausgeschalteten Zustand der Strom 0 sein (logisch).
Andererseits soll der Transistor im leitenden Zustand fast keinen
Spannungsabfall bewirken, also in der Sättigung sein. Um dies zu erreichen,
übersteuern wir den Transistor, wir geben ihm also einen höheren Basisstrom
als eigentlich erforderlich wäre. Wir sprechen hier vom Übersteuerungsfaktor,
der üblicherweise zwischen 2..10 liegt. Das Schema zum Schalten einer
Ohmschen Last sieht folgendermassen aus:
Übungen zum Thema: Westermann S. 241 Nr. 1-3, 7
Verlustleistung am Transistor
Die Verlustleistung vom Transistor ist einfach zu berechnen. Die gesamte
Verlustleistung ist die Leistung des Eingangskreises summiert mit der
Leistung des Ausgangskreises:
PV = PE + PA = UBEIB + UCEIC
Die erzeugte Verlustleistung im Transistor bewirkt eine Erwärmung dieses
Bauteils. Wenn wir nicht für genügend Kühlung sorgen, wird der Transistor
durch zu starke Erwärmung zerstört!
Übungen: Westermann S. 191 Nr. 2
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Seite 8
Feldeffekt-Transistoren
In diesem Kapitel werden wir zunächst eine Anwendung vom
Feldeffekttransistor betrachten. Dann werdet Ihr die theoretische Funktion
vom FET kennen lernen. Schliesslich werdet Ihr die Kennlinie des neu
eingeführten Bauteils Feldeffekttransistor aufnehmen.
Wo werden Feldeffekttransistoren eingesetzt
Das dargestellte Schema stellt die Eingangsstufe von einem KathodenstrahlOszilloskop (KO) dar.
KO-Eingänge besitzen sehr hohe Innenwiderstände (1 M). Das muss also
heissen, dass die eingesetzte Schaltung am Eingang sehr hochohmig ist.
Welche Eigenschaften haben Feldeffekttransistoren
Wir möchten unser neues Bauteil im Vergleich zu einer Transistorschaltung
kennen lernen. Dazu nehmen wir eine LED-Ansteuerung, realisiert mit einem
Bipolar- und mit einem Feldeffekt-Transistor:
Feldeffekttransistor-Schaltung
Bipolartransistor-Schaltung
IB
T2 BF245C
+
LED1 CQX35A
+
T1 BD135
Ub 5
+
A
Elektronik
IG
+
A
R1 220
+
Ub 5
R1 220
R2 12k
LED1 CQX35A
SW1
SW2
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UGS 5
Seite 9
Wie gross ist der Strom an den Eingängen der beiden LED-Ansteuerungen?
Und was machen die LED's?
Bipolartransistor-Schaltung
SW1 offen:
Feldeffekttransistor-Schaltung
SW2 ist oben:
LED ist dunkel
IB = 0
LED leuchtet
IG = 0
SW1 zu:
SW2 ist unten:
LED leuchtet
IB ≠ 0 (302 A)
LED ist dunkel
IG = 0
Fazit: Mit einem Feldeffekttransistor können wir also einen Ausgang steuern,
ohne dazu einen Eingangsstrom zu benötigen.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren
Im Gegensatz zum stromgesteuerten Bipolartransistor ist der
Feldeffekttransistor, wie das Wort schon sagt, feldgesteuert. Dies gibt den
grossen Vorteil, dass wir einen Strom leistungslos steuern können! Es muss
also kein Steuerstrom durch den Eingang fliessen.
Der einfachste Feldeffekttransistor ist der Sperrschicht-FET. Er wird auch
JFET genannt (von Junction-FET).
Schaltsymbol und Anschlüsse vom N-Kanal-JFET:
D: Drain = (Elektronen)-Abfluss
G: Gate
= Tor (Steuereingang)
S: Source = (Elektronen)-Quelle
Funktionsbilder vom N-Kanal-JFET:
D
D
N
-
+
-
+
G P-
+
-
+
-
+
N
G P
N
+
-
+
-
+
-
+
-
+
N
S
S
JFET ohne Spannungen
Elektronik
-
JFET mit UDS
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Seite 10
D
N
-
+
-
+
G P-
+
-
+
-
+
N
S
JFET mit UGS (und UDS)
Erkenntnisse aus den Funktionsbildern:
 Was isoliert den Gate-Eingang von der Drain-Source-Strecke?
Die Sperrschicht vom PN-Übergang.
 Wie muss UGS gewählt werden, damit der N-Kanal-JFET sperrt?
UGS muss genügend negativ sein.
 Was passiert, wenn UGS irrtümlich falsch polarisiert angelegt wird?
Der PN-Übergang beginnt zu leiten.
 Vorsicht: Fehlfunktion, Zerstörung!
Messung der FET-Steuerkennlinien
Nachdem wir das Funktionsprinzip vom JFET verstehen, wollen wir einen
realen JFET ausmessen. Die aus diesem Versuch ermittelten Daten werden wir
für weitere Experimente benötigen. Es ist deshalb wichtig, dass die Nummer
der verwendeten Platine notiert wird.
Die wichtigste Kennlinie vom FET ist die Eingangskennlinie ID = f(UGS)
Sie sagt aus wie gross der Drainstrom bei bestimmten Gate-SourceSpannungen ist.
Ferner interessiert auch das Ausgangskennlinienfeld, weil ID auch von UDS
abhängig ist.
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Messanleitung:
ID
+
A
D
+
G
T1
UD S
+
UGS
+
V
UGS
Rv 120 k 
UDS
10 V
UGS
0
10 V
-0.5 V
10 V
-1.0 V
10 V
-1.5 V
10 V
-2.0 V
10 V
-3.0 V
10 V
-4.0 V
10 V
S
 Notiere hier die Platinen-Nr:_______
(Damit Du für die nächsten Versuche
denselben FET verwenden kannst)
 Baue nebenstehende Messschaltung
auf. (Der Widerstand Rv dient hier nur zu
Schutzzwecken).
 Bestimme bei verschiedenen
Gatespannungen UGS den Drainstrom ID.
Achtung: Beim N-Kanal-JFET muss UGS
negativ sein. Führe Deine Messsungen
gemäss der Tabelle aus und halte die
Messergebnisse fest:
ID
0 mA
 Zeichne die resultierende Kennlinie grafisch auf (ev. Excel-Darstellung):
o ID = f(UGS)  UGS als X-Achse verwenden.
Wenn Du noch Zeit hast…:
 Nehme den Strom ID in Funktion von UDS auf für UGS = 0 V.
 Für grafische Aufzeichnung: UDS als X-Achse nehmen, ID als Y-Achse.
Richte Dein Augenmerk vor allem auf kleine UDS.
Achtung: UDS maximal 10 V wählen (wegen Verlustleistung des FET's)
 Nehme danach dieselbe Funktion für weitere UGS auf, die einen
mittleren/kleinen Drainstrom ID bewirken.
 Eine gute Dokumentation erleichtert die Arbeit in den folgenden Versuchen
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Seite 12
Auswertung der FET-Kennlinien
Betrachten wir uns zuerst die Kennlinie ID = f(UGS):
Sie zeigt quadratisches Verhalten.
Es gilt ungefähr die Formel:
Strom (A)
14.83m
 U
I D  I DSS  1  GS
 U
p

7.42m




2
0.00
-3.00
-1.50
Eingangsspannung (V)
0.00
Bestimme zu dieser Formel die Parameter IDSS
und UP für Deinen FET:
Legende:
ID: aktueller Drainstrom
IDSS: Drain-SourceKurzschlussstrom
(bei UGS = 0)
UGS: aktuelle GateSourcespannung
UP: Pinch-off-voltage;
Abschnürspannung =
UGS, wo ID = 0 wird.
Die zweite FET-Kennlinie war ID = f(UDS):
Strom (A)
14.83m
An ihr sehen wir im Unterschied zum
Bipolartransistor, dass bei UDS nahe von
0 V die Kennlinien verschiedene
Steilheiten aufweisen, was darauf
hindeutet, dass wir mit UGS tatsächlich
den Widerstand der Drain-SourceStrecke verändern.
7.42m
0.00
0.00
5.00
Eingangsspannung (V)
10.00
Transistor Kennlinie IC = f(UCE):
150.00m
Strom (A)
112.50m
75.00m
37.50m
0.00
0.00
2.50
Elektronik
5.00
7.50
Eingangsspannung (V)
10.00
Die Sättigungsspannung ist unabhängig
von IC etwa gleich gross. Im
Kleinsignalbereich sind die Kurven fast
unabhängig der Ansteuerung
deckungsgleich. Deshalb können wir beim
Bipolartransistor nicht von einem
veränderbaren (linearen) Widerstand
sprechen.
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Seite 13
FET als Konstantstromquelle
Wir haben in der Einleitung das Schema einer KO-Eingangsstufe betrachtet,
wessen Funktion wir noch etwas näher betrachten wollen:
Der untere FET im Schema hat
zwischen Source und Gate nur ein
Widerstand geschaltet. Der Strom
im FET muss sich also so
einstellen, dass die dem Strom
zugehörige Gate-SourceSpannung sich einstellt. Dieser
Teil der Schaltung ist also im
Prinzip eine Konstantstromquelle.
R1 150
RG 100k
+
Lasst uns die Vereinfachung dieses Schaltungsteils einmal realisieren:
 Berechne den Wert dieses
Sourcewiderstandes R1, so dass ein
mittlerer Drainstrom zu fliessen kommt.
Verwende zur Lösung dieser Aufgabe die
T1 BF245C
VS2 15V
Steuerkennlinie aus Deiner Messung.
 Baue die Schaltung auf derselben
Laborplatine wie beim vorigen Versuch
auf.
 Messe nach, ob Erwartungen und
Messung übereinstimmen.
Notizen:
Elektronik
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Seite 14
Funktion der KO-Eingangsstufe
Zur Einleitung hatten wir die Eingangsstufe eines KO's betrachtet. Zum
Abschluss dieses Kapitels wollen wir nun die Frage lüften, was diese Stufe
macht. Wir bedienen uns hier eines vereinfachten Modells der KOEingangsstufe.
Aufgabe:
 Zeichne die Schaltung in Tina.
C1 47u
R1 7.13k
 Stelle UE auf 100 mV und 50 Hz
+
UE
R2 332
+
T1 BF245C
VS1 12
UA
+
I
 Beobachte was der Ausgang UA
sowie der Strom I in der Schaltung
macht.
R4 332
C2 47u
R3 332
T1 BF245C
VS2 12
 Interpretiere die Funktion der
Schaltung. Was macht der obere Teil,
was der untere?
Notizen:
Elektronik
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Seite 15
FET-Typen
Wir haben bis jetzt nur den JFET betrachtet. Bei diesem Typ wurde die
Isolationsschicht vom Gate durch die Sperrschicht selber realisiert. Es gibt
aber noch die grosse Gruppe der MOSFET's. Bei ihnen wird mit einem Oxyd
das Gate vom Drain-Source-Kanal isoliert. Solange diese Isolationsschicht
nicht zerstört wird, kann bei diesen Typen nie ein Gatestrom fliessen. Dies gilt
allerdings nur bei Gleichspanung…
Während die JFET's nur Verarmungstypen sind (Sperrschicht wächst mit
zunehmender Sperrspannung) können wir mit MOS-Technik sowohl
Verarmungs- und Anreicherungstypen realisieren.
Folgende Übersicht zeigt die verschiedenen Feldeffekttransistoren:
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 16
Der kleine Sperrschicht FET, auch JFET genannt ist häufig als
Hochfrequenzverstärker im Einsatz.
Power MOSFETS dienen zum Schalten hoher Ströme und Spannungen. Mit
ihnen können auch leistungsfähige Motoren angesteuert werden, oder wir
können verlustarme Wechselrichter damit bauen.
Während wir die prinzipielle Funktion vom JFET schon kennen, sind uns die
MOSFET's neu. Die Schaubilder zeigen die Funktion:
Beim Verarmungstyp kann durch positive Spannung der N-Kanal noch
verbreitert werden, indem Elektronen in die N-Schicht hineingezogen werden.
Durch negative Spannung können wir die Sperrschicht soweit verbreitern dass
wie beim JFET irgendwann keine freien Elektronen mehr im Kanal vorhanden
sind.
Beim Anreicherungstyp sieht die Sache ähnlich aus. Nur haben wir bei
UGS = 0 V gar keine freien Ladungsträger zwischen Drain und Source,
respektive einer der PN-Übergänge sperrt wie eine Diode.
Wenn wir nun ans Gate eine positive Spannung legen, verziehen wir quasi die
Sperrzone soweit, dass sich Elektronen auf der ganzen Länge zwischen den
beiden N-Schichten ansammeln und so ein leitender Kanal zwischen Source
und Drain entsteht. Da wir umso mehr Ladungsträger in den Kanal ziehen, je
höher die Spannung UGS ist, wird der FET immer besser leitend!
Elektronik
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Seite 17
Leistungsendstufen
In diesem Kapitel wollen wir einige Leistungsendstufen-Schaltungen
betrachten.
Darlington Schaltung
Gerade Leistungstransistoren haben den Nachteil, dass sie nicht unwesentliche
Eingangsströme benötigen, um durchgesteuert zu werden. Durch eine
Serieschaltung von 2 Transistoren können wir diese entscheidend verkleinern
Wie gross ist die Stromverstärkung dieser Stufe, wenn wir annehmen, beide
Transistoren hätten das gleiche ?
T1 BD135
T2 BD135
Gegentaktverstärker
Elektronik-Schaltungen dienen eigentlich immer der Ansteuerung von
irgendwelchen Aktoren (Motoren, Anzeigen, Antennen etc.)
Für diese Anwendungen benötigen wir natürlich eine gewisse Leistung, die
wir mit Leistungsendstufen erzeugen können. Eine sehr gute Endstufe ist die
AB-Leistungsendstufe:
Was für Aufgaben haben die beiden Transistoren?
R2 1k
IEnd
U3
UA
T7 !PNP
R1 1k
VG1
D1 1N1183
D2 1N1183
+
T5 !NPN
Der obere Transistor steuert die positive
Halbwelle, der untere die negative.
U4
Elektronik
Wozu dienen die Dioden?
Die Dioden kompensieren die BasisEmitter Spannungen der beiden
Transistoren.
Alexander Wenk
Seite 18
Strom- und Spannungsquellen
In diesem Kapitel behandeln wir die Spannungsversorgungen. Da ohne
Quellen nichts geht, ist das ein ziemlich wichtiger Aspekt der Elektronik.
Wir kennen beispielsweise schon den FET als Konstantstromquelle oder die
Z-Diode als Spannungsstabilisator. Zunächst werden wir diese Erkenntnisse
verknüpfen mit den grundsätzlichen Modellen der Strom- und
Spannungsquellen. Wir werden auf lineare Spannungsregler wie auf getaktete
Schaltnetzteile eingehen und einfache Schaltungen berechnen.
Merkmale von Strom- und Spannungsquellen
Prinzipiell können wir sagen, dass eine Spannungsquelle bei unterschiedlicher
Belastung die Spannung möglichst konstant hält. Bei der Stromquelle wird die
Stromstärke aufrechterhalten.
Diese Ideale kommen in der Praxis natürlich nicht vor. In der Elektrotechnik
habt Ihr die Ersatzschaltungen von Strom- und Spannungsquellen kennen
gelernt:
Reale Spannungsquelle:
Reale Stromquelle:
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 19
Versuche zur einfachen Strom- und Spannungsquelle
Messe zu folgenden Schaltungen das Spannungs- Stromdiagramm
UL = f(IL)aus und bestimme daraus:
 Den Innenwiderstand der Quelle
 Die Leerlaufspannung
 Den Kurzschlussstrom
Achtung: Bitte vor allem bei grösseren Strömen IL und UL jeweils nur
kurz messen und den Stromkreis danach wieder unterbrechen, da sich
sonst der Transistor erhitzt und sich die Messdaten dadurch verfälschen.
R1 = 3.3k
IL
RL = z.B 100
UL
+
T1 BD135
RE = 47
R2 = 1k
UB 15
Rv = 330
+
SW1
Ue = 9V
RL = 1k
Z1 BZX79F5V6
Erstelle zu diesem Versuch einen Laborbericht!
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 20
Auswertung Strom- und Spannungsquellen
Die Versuche haben gezeigt, dass die Schaltungen einen normalen,
vorgesehenen Arbeitsbereich haben. Werden die Quellen überlastet, ergibt
sich ein anderes Verhalten. Generell interessiert uns aber der vorgesehene
Arbeitsbereich besonders. Auf diesen Bereich beziehen wir dann auch unsere
Kennwerte.
Interessant wäre insbesondere der Kurzschlussstrom resp. die
Leerlaufspannung, wenn der Arbeitsbereich durch keine Überlastsymptome
beschränkt würde.
Stromquelle
Die ausgemessene Stromquelle hat einen Kurzschlussstrom von ca. 50 mA
gehabt. Dieser bleibt eigentlich fast konstant bis UL zu stark angestiegen ist.
Dann beginnt der Strom rasch zu sinken. Im Konstantstrombereich ist Ri
mehrere k gross.
Theoretisch, also ohne Zusammenbruch, wäre die Leerlaufspannung:
Spannungsquelle
Die ausgemessene Spannungsquelle war nur mit einer Zenerdiode aufgebaut.
Deshalb können wir von ihr auch keine allzu grosse Dynamik erwarten. Die
Leerlaufspannung beträgt ca. 5.6 V. Die Spannung bleibt solange fast
konstant, bis durch die Zenerdiode kein Strom mehr fliessen kann. Von
diesem Zeitpunkt an wirkt die Schaltung wie ein Spannungsteiler, und die
Spannung sinkt entsprechend. Der Kurzschlussstrom beträgt ca. 27 mA
Im normalen Regelbereich hat die Spannungsquelle einen Innenwiderstand
von 10 bis 30 .
Theoretisch wäre der Kurzschlussstrom:
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Seite 21
Lineare Spannungsregler und getaktete Schaltregler
In diesem Kapitel widmen wir uns den zwei prinzipiellen Reglerarten. Beide
haben Vor- und Nachteile, die wir hier kennen lernen wollen. Beginnen wir
mit den linearen Spannungsreglern, wozu wir die Messschaltung von
vorletzter Seite etwas ausbauen:
Iglein
Uc
RL 1k
Rvz 1k
Z1 BZX55C5V6
C1 100u
+
GR 1 1N1183
Ue = 8V
SW1
T1 BD 135
UL
Vorgehen:
Baue die Schaltung auf. Anstelle von Brückengleichrichter und
Stützkondensator darf auch ein Netzteil mit 10 V DC verwendet werden.

Messe nun in einem Bereich von IL = 0 bis 100 mA:
o Den Eingangsstrom Iglein und die Eingangsspannung
o Den Ausgangstrom IL und die Ausgangsspannung UL

Wie gross ist der Innenwiderstand dieser Stabilisierungsschaltung?

Bestimme aus diesen Daten den Wirkungsgrad des Spannungsreglers.
(Wirkungsgrad in Funktion der Belastung)

Beschreibe in Worten die Stabilisierungsfunktion der Schaltung.
Wenn Du Zeit hast: Simuliere die Schaltung und versuche mit Tina/Multisim
eine Wirkungsgradskurve aufzunehmen.
Halte die Ergebnisse in einem Laborbericht fest!
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Seite 22
Getakteter Schaltregler
Nachdem wir einen linearen Spannungsregler ausgemessen haben, wollen wir
nun einen Schaltregler untersuchen. Simuliere folgende Schaltung in
Tina/Multisim:
C1 100u
R1 200
Ia
D1 1N1183
Ie
Ua
+
L1 50m
Ue 10
T1 BD135
U1
UBE
 Stelle die Pulsquelle folgendermassen ein:
 Beobachte den zeitlichen Verlauf von Ie, Ia und Ua
 Bilde den zeitlichen Mittelwert dieser Strom- und Spannungswerte.
 Berechne aus den gemittelten Werten die Ein- und Ausgangsleistung des
Schaltreglers und bestimme den Wirkungsgrad der Schaltung.
 Vergleiche die Schaltungseigenschaften mit dem linearen Spannungsregler
von voriger Seite und nenne daraus einige Vor- und Nachteile des
getakteten Schaltreglers.
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Seite 23
Vergleich lineare und getaktete Spannungsquelle
Der lineare Spannungsregler hat ungefähr denselben Eingangs- und
Ausgangsstrom. Vom Prinzip her wird der Längstransistor wie ein regelbarer
Widerstand eingesetzt um den
Ausgang zu stabilisieren. Das
bedeutet entsprechende
Wärmeverluste, die einen
schlechten Wirkungsgrad bedeuten,
wie das Ausmessen vom linearen
Spannungsregler bestätigt:
Wirkungsgrad
50%
45%
40%
Wirkungsgrad
35%
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
0
100
200
300
400
500
600
I [mA]
Beim Schaltregler ist das anders: Der Transistor sperrt entweder oder wird voll
24.69m
durchgesteuert. Von dem her
Ia
sind hier geringe Verluste zu
24.37m
erwarten. Wenn wir die Ein51.56m
und Ausgangswerte vom
Ie
Schaltregler betrachten, können
-7.45m
974.15m
wir die Ein- und
UBE
Ausgangsleistung und damit
0.00
den Wirkungsgrad bestimmen.
4.94
Ua
4.87
0.100
0.101
Zeit (s)
0.102
Mittelwerte
Ua
4.90594365
Pa =
0.12035357 W Pe =
Wirkungsgrad
Ia
0.024532196
Ie
Ue
0.01479105 10
0.14791052 W
81%
Schaltregler haben bessere Wirkungsgrade als lineare Spannungsregler, dafür
haben sie aber auch geringe hochfrequente Wechselspannungsanteile
überlagert.
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Seite 24
Kenndaten von Spannungsreglern
Im Datenblatt vom LM7812 sind folgende Kenndaten zu finden:
Es sind hier Begriffe zu finden, die vielleicht nicht auf den ersten Blick
verständlich sind. Eine Hilfe bei der Interpretation bieten die Einheiten der
Werte, aber auch die Bedingungen (Conditions)
Hier sind die wichtigsten Daten umschrieben (in Englisch):
Line regulation is the capability to maintain a constant output voltage level
on the output channel of a power supply despite changes to the input voltage
level. Line regulation is expressed as percent of change in the output voltage
relative to the change in the input line voltage
Uaus=f(Uein) resp. Stromquelle Iaus=f(Uein)
Load regulation is the capability to maintain a constant voltage (or current)
level on the output channel of a power supply despite changes in load
Uaus=f(Iaus)
dropout voltage (minimaler Spannungsabfall) of a voltage regulator is the
smallest possible difference between the input voltage and output voltage to
remain inside the regulator's intended operating range.
Ud = Uein - Uaus
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Bipolare Quellen
Für elektronische Schaltungen werden häufig bipolare
Spannungsversorgungen benötigt, so z.B. 15 V.
Um solche Spannungen gegenüber 0 V zu realisieren benötigen wir positive
und negative Spannungsregler:
U1 LM7815C
IN
OUT
+
VS1 20
VS1 20
GND
IN
RL- 1k
+
RL+ 1k
GND
OUT
U2 LM7915C
Leider funktioniert die Sache mit dem negativen Regler im Tina 6 nicht,
weshalb wir zur bipolaren Stromversorgung auch keine Simulation machen
können… Aber ev. geht das im Multisim???
Deshalb simulieren wir zur Übung nur den oberen Teil der Schaltung:
Realisiere die Schaltung mit dem LM7815C (Tab Spice Makro) und mache
Kennlinien für:
 Line Regulation
 Load Regulation
Wie hoch ist die Dropout Voltage?
Wie gross ist der Innenwiderstand dieses Reglers
Wie hoch ist der Kurzschlussstrom?
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Seite 26
Bereichserweiterung von Festspannungsreglern
Durch einen Trick kann ich beispielsweise einen 5 V Festspannungsregler
auch verwenden um eine andere (höhere) Ausgangsspannung zu realisieren:
Ich hänge den Groundanschluss nicht an Ground sondern an einen
Spannungsteiler.
Wie hoch ist die Ausgangsspannung der gezeigten Schaltung?
U1 LM7805C
IN
OUT
Ue 20
Ireg
R1 1k
+
GND
UR 1
+
UL
R2 1k
V
Unter der Voraussetzung Ireg = 0 A können wir diese Ausgangsspannung
einfach berechnen:
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Seite 27
Interpretation von Anwendungsschaltungen
Gegeben ist folgende Stabilisierungsschaltung:
Fragen:
 Welcher Transistor arbeitet als Stellglied und welcher als Regler?
 Wie wird die Ausgangsspannung UA bei Laständerungen konstant
gehalten?
T1 = Regler, T2 = Stellglied
Bei Belastung der Quelle sinkt die Ausgangsspannung.
Damit sinkt auch UR3, wobei IB1 sinkt. Deshalb sinkt der
Strom IC1, IB2 steigt deshalb und T2 leitet etwas besser,
womit die Ausgangsspannung wieder auf den Sollwert
ansteigt.
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Seite 29
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Seite 30
Operationsverstärker
Wir haben Transistoren für Verstärkungsschaltungen gebraucht. Wir haben
dort bereits gesehen, dass wir mit einer Stabilisierung des Arbeitspunktes, d.h.
einer Rückkopplung ein lineareres Verhalten vom Verstärker hinkriegen.
Allerdings war die Verstärkung unserer Schaltungen doch eher gering. Wie
wäre es, wenn wir einen Baustein mit fast unendlich hoher Verstärkung haben,
den wir dann auf den gewünschten Verstärkungsfaktor zähmen? Diese
Bausteine heissen Operationsverstärker:
Operationsverstärker haben eine invertierenden und einen nicht invertierenden
Eingang. Sie bilden die Differenz dieser Eingangssignale und verstärken
anschliessend diese Differenz. Die Ausgangsspannung rechnet sich mit
folgender Formel:
Bevor wir Operationsverstärker als Bauteile einsetzen, wollen wir betrachten
wie die Eingangsstufe eines Operationsverstärkers aussieht.
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Seite 31
Differenzverstärker
Eine weitere wichtige Grundschaltung ist der Differenzverstärker. Er verstärkt
die Differenz zweier Spannungen, wie schon das Wort verrät. Doch wie genau
funktioniert diese Schaltung?
Am besten analysieren wir die
Schaltung in 2 Schritten:
Indem wir U2 = U1 setzen,
untersuchen wir die sogenannte
Gleichtaktverstärkung.
Ua1
Rc2 10k
Rc1 10k
Ub
Ua2
T2 !NPN
+
+
T1 !NPN
U1
Re 10k
U2
-Ub
Wenn wir U2 = -U1 setzen, beobachten wir die Differenzverstärkung.
Übung Differenzverstärker
Baue einen Differenzverstärker gemäss obigem Schema und messe für diesen
 die Gleichtaktverstärkung mit U1 = U2 = 100 mV
 die Gegentaktverstärkung mit U1 = -U2 = 10 mV (Sinus mit 180°
Phasenverschiebung)
VGleichtakt = Ua2 / U2 = klein (0.5)
VGegentakt = Ua2 / U2 = gross (261)
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Messübung Operationsverstärker
Wir wollen nun einen Operationsverstärker gemäss Schema ausmessen:

Stelle einige Spannungen U1 ein und messe am Ausgang. Welche Werte
messe ich? Und wann ändern sie?

Wie gross ist der Eingangsstrom in den OP?
Theoretisch 0, praktisch 70 nA (gemessen)

Wie erreiche ich, dass der OP bei U1 = 5 V schaltet?

Wie gross ist der Ausgangswiderstand vom OP?
Im Bereich von 100 
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Seite 33
Der ideale Operationsverstärker
Ausgehend von unserem Experiment können wir den idealen OP definieren:




Die Verstärkung vom OP ist unendlich gross: Folgerung: Sobald wir eine
Eingangsspannungsdifferenz haben, geht der Verstärker in die positive
oder negative Sättigung.
Der Eingangswiderstand vom OP ist unendlich gross: Er nimmt durch die
Eingänge keinen Strom auf.
Der OP verstärkt nur die Differenz der Eingangssignale. Setze ich U1 =
U2 = Ue und variiere diese Spannung, so hat das keinen Einfluss auf den
Ausgang Ua:
Der Ausgangswiderstand vom OP ist 0: Er kann jede Last treiben.
Der reale OP
Selbstverständlich gib es solch ideale Bedingungen gar nicht. Jeder OP hat
Fehler, es kommt eigentlich nur auf die Betriebsart an, ob diese einen Einfluss
haben oder nicht. Betrachten wir einmal, was beim OP alles schief gehen
kann:

Die Verstärkung vom OP ist endlich, typischerweise 100'000. Die
Verstärkung nimmt zudem mit steigender Frequenz ab.

Der OP verstärkt nicht nur die Differenz der Eingangssignale. Er ist also
nicht nur ein Differenzverstärker. Wenn wir U1 = U2 = Ue setzen und
diese Spannung variieren so stellen wir am Ausgang eine Veränderung
fest. Wir sprechen von der Gleichtaktverstärkung. Allerdings ist die
Gleichtaktverstärkung bei einem OP klein, typischerweise viel kleiner als
1. Wir konnten diesen Effekt beim Differenzverstärker mit Transistoren
beobachten.

Der Eingangswiderstand ist nicht ganz unendlich.

Der Ausgangswiderstand vom OP ist nicht 0: Er liefert in der Regel nur
einige mA. Zudem ist er kurzschlussgeschützt, d.h. er besitzt meist eine
Strombegrenzung. Die Ausgangskennlinie ist also gekrümmt:
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Seite 34
Der invertierende Verstärker
Um den OP auch anwenden zu können, wollen wir damit eine erste
Verstärkerschaltung aufbauen. Die einfachste Schaltung ist der invertierende
Verstärker. Bei ihm wird der Minuseingang vom Eingangssignal beeinflusst,
der Pluseingang an Masse gelegt. Es muss uns nun gelingen, die unendlich
hohe Verstärkung durch eine Widerstandsbeschaltung zu bändigen. Wir
müssen also eine Rückkopplung erstellen.
Zeichne dazu eine mögliche Schaltung und analysiere sie:
Wie gross wird die Verstärkung dieser Schaltung?
Wie gross ist der Eingangswiderstand?
Und wie gross der Ausgangswiderstand?
Versuch: Dimensioniere einen invertierenden Verstärker mit v = 100. Baue
die Schaltung auf. Gebe eine Wechselspannung ein und messe die
Ausgangsspannung. Variiere die Frequenz zwischen 100 Hz und 100 kHz. Wo
beginnt sich die Ausgangskurve zu verformen(Notiere jeweils die Frequenz)?
Messe die Verstärkung v=Uaus/Uein und schreibe v=f(fsignal) in
tabellarischer Form auf. Lasse in Excel eine Grafik ausgeben, am Besten in
doppelt logarithmischer Darstellungsart.
Zusatz: Baue den Verstärker um auf v = 10. Variiere die Frequenz auch
wieder im selben Bereich und notiere wie oben das Frequenzverhalten.
Übungen: Westermann S. 220 Nr. 1 – 6
Elektronik
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Seite 35
Ergebnisse Laborversuch invertierender Verstärker
Der Frequenzgang vom nicht invertierenden Verstärker zeigt
frequenzabhängigkeit der Verstärkung. Die Schaltung hat Tiefpasscharakter.
Je höher der Verstärkungsfaktor gewählt wird, desto niedriger ist die
Frequenz, wo die Verstärkung einzubrechen beginnt. Bei sehr hohen
Frequenzen treffen die Linien zusammen (besonders gut in der doppelt
logarithmischen Darstellung ersichtlich).
60.00
Verstärkung (dB)
50.00
Die Verstärkung beginnt
einzubrechen bei
v = 1000
40.00
Verstärkung
1000
100
10
v = 100
30.00
20.00
Frequenz
400 Hz
4 kHz
40 kHz
v = 10
10.00
Wir erkennen:
0.00
vf=GBWP =const
v= 1
-10.00
10
100
1k
10k
Frequenz (Hz)
100k
1M
(Gain bandwidth
product)
Auf dem Oszilloskop sehen die Ein- und Ausgangsspannung bei einem
Verstärkungsfaktor v=100 wie folgt aus:
50.00m
50.00m
Ue
VG1
-50.00m
5.00
-50.00m
5.00
Ua
VM1
-5.00
-5.00
0.00
0.00
10.00m
Zeit (s)
Bei 100 Hz stimmt der
Verstärkungsfaktor mit der
Erwartung überein.
Elektronik
20.00m
100.00u
Zeit (s)
200.00u
Bei 10 kHz hat die
Ausgangsspannung gegenüber der
Erwartung bereits deutlich
abgenommen. Der
Verstärkungsfaktor ist kleiner
geworden
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Seite 36
Der nichtinvertierende Verstärker
Beim invertierenden Verstärker legten wir den Pluseingang an Masse und
steuerten nur den Minuseingang an. Deshalb wurde das Eingangssignal
invertiert: Eine Erhöhung der Eingangsspannung bewirkt eine Absenkung des
Ausgangspegels. Beim nichtinvertierenden Verstärker steuern wir den
Pluseingang an, weshalb das Signal nicht invertiert wird. Allerdings müssen
wir auch hier die sehr grosse Verstärkung vom Op auf einen vernünftigen
Wert dämpfen, was mit folgender Schaltung geschieht:
Eingangswiderstand:
Laborversuch: Baue einen nicht-invertierenden Verstärker mit der
Verstärkung v = 1 und v = 10 und v = 100. Teste diese Verstärker ebenfalls in
einem Frequenzbereich von 100 Hz bis 100 kHz aus (wie beim Versuch vom
invertierenden Verstärker!)
 Abgeben: Versuchsergebnisse vom Inv- oder nicht Inv Verstärker
Übungen: Westermann S. 221 Nr. 1 – 3, 6
Elektronik
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Seite 37
Leistungsendstufen mit OP als Vorverstärker
Unser OP-IC kann nur einen Ausgangsstrom von maximal 25 mA liefern. Wie
können wir einen stärkeren Strom erzeugen? Wir wollen eine solche Endstufe
einmal selber entwickeln. Versucht eine Leistungsendstufe so mit einem OP
zu koppeln, dass die Verstärkung trotzdem linear ist, aber die Stromstärke am
Ausgang mindestens 100 mA betragen kann.
Nach einer Kontrolle können wir die Schaltung in Tina austesten und
allenfalls korrigieren.
Elektronik
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Seite 38
Addierverstärker
Der Operationsverstärker hat seinen Namen nicht zuletzt wegen der Tatsache,
dass er auch Rechenoperationen ausführen kann. Er kann einerseits
verschiedene Eingangsspannungen addieren, aber auch subtrahieren, wie wir
später sehen werden.
Der Addier- resp. Summierverstärker ist wie folgt aufgebaut:
Wie wir bereits wissen, ist beim invertierenden Verstärker der invertierende
Eingang stets auf Massepotenzial, solange der Verstärker nicht in Sättigung
ist. Deshalb können wir die einzelnen Eingangsströme einfach berechnen. Der
Strom im Rückkopplungswiderstand muss nun all diese Eingangsströme
abführen können, womit wir eine Formel für die Ausgangsspannung aufstellen
können:
Zur Übung: Westermann S 222 Nr. 1, 2, 6
Elektronik
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Seite 39
Subtrahierverstärker
Etwas schwieriger wird es, wenn wir die Differenz von zwei
Spannungssignalen bestimmen wollen. Dazu wird folgende Schaltung
eingesetzt:
Berechnung der Ausgangsspannung:
Zur Übung: Westermann S 223 Nr. 1 - 4
Elektronik
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Seite 40
Instrumentenverstärker
Der Subtrahierverstärker hat den Nachteil von nicht sehr hohen
Eingangswiderständen. Wenn wir aber ohne Verfälschungen vom Messignal
eine Spannungsdifferenz ermitteln wollen, benötigen wir einen
Instrumentenverstärker. Prinzipiell könnten wir den hohen Eingangswidertand
auch mit nichtinvertierenden Verstärkern am Eingang realisieren. Es wurde
aber eine ausgeklügelte Schaltung entwickelt, die wir nun analysieren wollen.
Dieser Instrumentenverstärker zeichnet sich also nicht nur durch den sehr
hohen Eingangswiderstand aus. Schön ist auch, dass sich die Verstärkung der
Schaltung durch einen einzigen Widerstand variieren lässt.
Einsatzgebiet: 4 Leiter Widerstandsmessung, Messignalverstärker etc.
Elektronik
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Seite 41
Der Schmitt-Trigger
Im Gegensatz zu den bisherigen Schaltungen, wo wir auf Linearität achteten,
geht der OP-Ausgang bei Trigger-Anwendungen immer in die positive oder
negative Sättigung. Trigger können also nur ein- und ausschalten.
Der Komparator wäre eigentlich auch ein Trigger. Was für ein Problem
bereitet aber der normale Komparator?
Wenn der Komparator-Eingang gleich der
Schwellspannung ist, reicht ein sehr kleines Störsignal,
dass der Komparator dauernd hin- und herschaltet.
Dieses Problem können wir mit dem Schmitt-Trigger lösen. Der Trick dabei
ist, dass wir den Operationsverstärker so beschalten, dass eine Mitkopplung
entsteht. Wenn wir mit der Eingangsspannung die Schaltspannung
überschreiten, wechselt der OP seinen Ausgangszustand. Durch die
Mitkopplung wird die Spannungsdifferenz an den OP-Eingängen vergrössert,
der neue Ausgangszustand wird so stabilisiert. Um den Trigger wieder
auszuschalten, muss die Eingangsspannung wesentlich unter die
Einschaltspannung sinken.
UA
Die Differenz zwischen der Ein- und
Ausschaltspannung nennen wir auch
Hysteresespannung. UH.
UE
Wenn wir Eingangs- und Ausganspannung
vom Trigger grafisch darstellen, sieht das in
etwa so aus:
Wir werden nun einige Trigger Schaltungen kennen lernen und miteinander
die Berechnungsgrundlagen erarbeiten.
Invertierender Schmitt-Trigger
Die Invertierung erhalten wir, indem wir das Eingangssignal dem Minuseingang zuführen. Wir müssen nun noch eine Mitkopplung realisieren anstelle
der Gegenkopplung beim Verstärker, und der erste Trigger wäre erfunden.
15.00
12.50
OSC1
10.00
7.50
+
OP1 !OPAMP
Ue
+
+
R2 4.7k
+
-
R1 1k
Ub+
+
+ Ch1 -
+ Ch2 -
Spannung (V)
Ub-
5.00
2.50
0.00
-2.50
-5.00
-7.50
-10.00
-12.50
-15.00
0.00
Elektronik
Alexander Wenk
25.00m
Zeit (s)
50.00m
Seite 42
Bei dieser Schaltung können wir nicht mehr davon ausgehen, dass der Plusund Minuseingang jederzeit dieselbe Spannung haben, denn der
Operationsverstärker wird ja dauernd in der Sättigung betrieben. Zur
Berechnung der Schaltspannung können wir aber aussagen, dass die kritische
Spannung dann erreicht wird, wenn beide OP-Eingänge dieselbe Spannung
haben, womit wir die Schaltspannungen berechnen können:
Nicht invertierender Schmitt Trigger
Der Nicht-invertierende Schmittrigger kann mit folgender Schaltung realisiert
werden:
15.00
12.50
OSC1
10.00
+
7.50
+ Ch1 -
R1 1k
+
+
+
Ue
OP1 !OPAMP
Ub+
+
+ Ch2 -
Spannung (V)
UbR2 4.7k
5.00
2.50
0.00
-2.50
-5.00
-7.50
-10.00
-12.50
-15.00
0.00
25.00m
Zeit (s)
50.00m
Die Berechnung der Schaltung
geht wieder über die Bestimmung der Schaltspannungen, wobei dazu der
positive und negative Eingang dieselbe Spannung haben müssen:
Elektronik
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Seite 43
Nicht invertierender Schmitt-Trigger mit Offsetspannung
Bis jetzt hatten wir die Schaltspannung symmetrisch um den Nullpunkt
angeordnet. In der Praxis möchten wir aber vielleicht einen Trigger, der bei
frei definierbaren Eingangsspannungen schaltet, also z.B. bei +5V ein und bei
-1V wieder aus. Eine solche Schaltung erhalten wir durch eine kleine
Modifikation des Nicht-Invertierenden Triggers von oben:
OSC1
15.00
U
+ b-
12.50
10.00
R2 4.7k
R1 1k
+
+
Ue
+
+
OP1 !OPAMP
+ Ub+
Uofs 1.5V
+ Ch2 -
7.50
Spannung (V)
+ Ch1 -
5.00
2.50
0.00
-2.50
-5.00
-7.50
-10.00
-12.50
-15.00
0.00
25.00m
Zeit (s)
50.00m
Die Berechnung dieses Triggers gestaltet sich schon echt spannend. Versucht
einmal, die Gleichung für die Schwellspannungen herzuleiten. Wir werden die
Formel anschliessend noch etwas genauer analysieren, um herauszufinden,
wie wir uns die Schaltung den Bedürfnissen entsprechend skalieren können.
Interessant ist die Tatsache, dass die Hysteresespannung genau gleich gross ist
wie beim normalen nichtinvertierenden Schmitt-Trigger. Daraus gelingt es
uns, die Werte für R1, R2 und Uofs aus den vorgegebenen
Schwellspannungen zu ermitteln:
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 44
Übung Schmitt-Trigger
1. Löse folgende Aufgaben aus dem Westermann-Rechenbuch:
S. 224 Nr. 1 - 4
2. Ein Operationsverstärker hat eine Sättigungsspannung von 13.5 V. Wir
möchten eine Ladezustandskontrolle für einen 6 V Akku mit diesem OP
realisieren. Konstruiere einen nichtinvertierenden Trigger, der bei 7.2 V ein
und bei 6.4 V wieder ausschaltet. (Tip: Berechne Verhältnis R1/R2 und
Uofs
3. Entwickle vom invertierenden Trigger ausgehend eine Schaltung eines
invertierenden Schmitt-Triggers mit skalierbarer Offsetspannung,
bestehend aus nur einem OP, und suche die Formeln zur Berechnung der
Schwellspannungen.
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 45
Timer und Taktgeneratoren
In elektronischen Schaltungen werden häufig Timer oder Taktgeneratoren
irgendwelcher Art gebraucht Für die Realisation von sequentieller Logik wird
meist irgendein Clock benötigt. Und konventionelle Elektronik braucht
beispielsweise für Schaltnetzteile ein Takt- oder PWM-signal, um verlustarm
Spannungen zu konvertieren.
In diesem Kapitel wollen wir den Timer 555 genauer kennenlernen und damit
verschiedene Timer- und Taktanwendungen ausprobieren.
Funktion vom Timerbaustein
Der Timer 555 gibt es heute sowohl in bipolarer wie auch in low power
CMOS Bauweise. Das Blockdiagramm zeigt die prinzipielle Funktion dieses
Bausteins.
Der Timer besteht aus zwei Komparatoren und einem nachgeschalteten
Flipflop. Die beiden Komparatoren haben folgende Funktion

Der obere Komparator setzt das Flipflop zurück
(Out = 0), sobald der Threshold Eingang höher als
die Control-Voltage wird. Ohne Beschaltung der
Control-Voltage ist das der Fall bei 2/3 VCC.

Der untere Komparator setzt das Flipflop (Out = 1),
sobald der Trigger Eingang kleiner als 1/3 VCC wird.
Zusätzlich hat der Baustein noch ein Reset-Eingang, um einen geordneten
Timerstart durchführen zu können. Als Ausgang haben wir nebst dem
regulären Out noch den Discharge-Pin, um typischerweise den
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 46
Ladekondensator wieder zu entladen, der in den Anwendungsschaltungen
benötigt wird.
Aufgabe zur Funktionsanalyse des Timerbausteins:
 Baue eine Schaltung in Tina auf um auszutesten, wann der Timer Ein- und
ausschaltet.
 Die Anwendungsschaltungen werden üblicherweise mit RC-Schaltungen
aufgebaut. Finde eine Formel um herauszufinden, wie lange es dauert bis
der Kondensator von einer Ausgangsspannung UC0 = 1/3 U0 auf 2/3 U0
aufgeladen wird.
t = 0.693RC
 Suche ein Datenblatt zum Timer 555 auf dem Internet, das möglichst
informativ ist. www.Alldatasheet.com ist eine gute Suchmöglichkeit, um
Datenblätter verschiedener Hersteller zu vergleichen.
Elektronik
Alexander Wenk
Seite 47
Timerbaustein als Taktquelle
Wenn wir einen Taktgenerator benötigen, hilft uns folgende
Anwendungsschaltung:
Die Berechnung der Taktfrequenz leitet sich aus der Berechnung von voriger
Seite ab:
f = 1.44/[(RA + 2 RB)C]
(Die Formel auf dem abgedruckten Schema ist falsch…)
Übung
 Simuliere obige Schaltung in Tina mit sinnvoll gewählten Komponenten, so
dass sie eine Frequenz f = 1 kHz generiert.
 Simuliere nach Lust und Laune eine weitere Anwendungsschaltung aus
Deinem Datenblatt zum Timer.
Elektronik
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Seite 48
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