Newsletter 1/2012 - Leibniz Gemeinschaft

 F o r s c h u n g. S e r v i c e. E n t w i c k l u n g e n.
Newsletter I - 2012
Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
1 NACHRICHTEN AUS DEN INSTITUTEN FERDINAND-BRAUN INSTITUT, LEIBNIZ-INSTITUT FÜR HÖCHSTFREQUENZTECHNIK (FBH) Hochtechnologie auf Weltraum-Reise
Wenn Mitte 2012 der Kommunikationssatellit Alphasat in eine geostationäre Umlaufbahn
geschossen wird, ist auch ein Stück Hightech aus dem Ferdinand-Braun-Institut mit an Bord.
Die Europäische Raumfahrtorganisation ESA wählte das Leibniz-Institut als Lieferanten für
Galliumnitrid-Hochleistungstransistoren aus.
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Die Zukunft ist optisch: Neuartiges Kommunikationsmodul, das die Mikrowellen-Kommunikation
von Satelliten ersetzen kann
Satelliten kommunizieren derzeit mit Hilfe von Mikrowellentechnik. Wegen ihrer großen
Wellenlänge können diese Kommunikationsmodule nicht beliebig verkleinert werden, wodurch
die Übertragungsrate beschränkt bleibt. Für diese Probleme kann Laserlicht der optischen
Kommunikationsmodule des FBH die Lösung sein.
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Mehr Effizienz für die Leistungselektronik
Unter Federführung des Ferdinand-Braun-Instituts startete jetzt das EU-Projekt HiPoSwitch. Es
zielt auf energieeffizientere, kompaktere und leistungsfähigere elektronische Energiekonverter
für vielfältige Applikationen, etwa in der Informations- und Kommunikationstechnologie oder bei
der Umwandlung von Solarenergie. Die Projektpartner decken die komplette Wertschöpfungskette ab, von der Bauelemententwicklung bis zur industriellen Verwertung.
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Kompakte Lichtquelle für Materialanalytik und Materialbearbeitung
Forscher am Ferdinand-Braun-Institut haben eine neue Laserquelle entwickelt, die optimierte
Komponenten der Diodenlaser- und HF-GaN-Technologie sowie ein maßgeschneidertes
Schaltungsdesign nutzt und Lichtpulse im Picosekundenbereich erzeugt.
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Effizientere Leistungstransistoren mit Galliumnitrid
Leistungstransistoren sind die elementaren Bauelemente elektronischer Leistungskonverter, die
Gleich- und Wechselstrom auf unterschiedliche Spannungen transformieren. Das EU-Projekt
HiPoSwitch will nun diese mit Galliumnitrid statt Silizium energieeffizienter, kompakter und
leistungsfähiger machen. Dies könnte auch die Umwandlung von Solarenergie verbessern. Das
vom Ferdinand-Braun-Institut koordinierte EU-Projekt HiPoSwitch beschäftigt sich in den
kommenden drei Jahren mit neuartigen Galliumnitrid-basierten Transistoren.
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2 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
Preiswerte Leistungstransistoren
Vom EU-Projekt "HiPoSwitch" versprechen sich Forscher und Industrie einen Quantensprung
bei der Nutzung von Gallium-Nitrid (GaN) für Leistungstransistoren – auch für Solarelektronik.
Bislang stellt man die eigentlich preiswerten GaN-Halbleiter epitaktisch (in Schichten
abgelagert) auf SiC-Wafern her. Die sind über 30-mal so teuer wie gleichgroße Si-Wafer.
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Lang lebe der Laser: Mittlere Betriebsdauer von 10 Jahren bei roten Breitstreifenlasern
Diodenlaser mit Emissionswellenlängen von 650 Nanometern haben vielfältige Einsatzgebiete,
beispielsweise in der Medizin zur photodynamischen Krebstherapie oder in der
Augenheilkunde, zum Pumpen von Femtosekundenlasern oder in der Displaytechnologie. Rote
Breitstreifenlaser des FBH erreichen bei 15°C eine Ausgangsleistung von 2,5 W bei einem
Konversionswirkungsgrad von 35%. Aus Alterungstests über 20.000 Stunden lässt sich eine
mittlere Betriebsdauer bis zum Ausfall von über 80.000 h bei 1,2 W extrapolieren.
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Mikroresonatoren für Anwendungen in der Sensorik, Analytik, Laser-Messtechnik und optischen
Telekommunikation
Monolithische Mikroresonatoren zeichnen sich durch ihre sehr geringe Größe und ihre extrem
hohe optische Güte aus. Das macht sie für Anwendungen in der optischen Signalverarbeitung
und Sensorik attraktiv. Dafür entwickelt das FBH derzeit zusammen mit der HumboldtUniversität zu Berlin eine neuartige Technologieplattform. Ziel ist es, die technologischen
Voraussetzungen für den Einsatz und die Kommerzialisierung der Technologie zu schaffen.
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Selbstsperrende GaN-Schalttransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand
GaN-basierte
Hochspannungsschalttransistoren
ermöglichen
besonders
effiziente
Leistungskonverter. Am FBH wurden jetzt selbstsperrende 300 V GaN-Transistoren entwickelt
mit nur 80 mW Einschaltwiderstand für den bei +5 V Gatespannung geöffneten Transistor. Die
Pulsstrombelastbarkeit liegt oberhalb 50 A.
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Prof. Dr.-Ing. Wolfgang Heinrich als Präsident der European Microwave Association
wiedergewählt
Wolfgang Heinrich, Abteilungsleiter Mikrowellentechnik des Ferdinand-Braun-Instituts und
Professor der Technischen Universität Berlin, übernahm zum Januar 2012 für weitere drei
Jahre die Präsidentschaft der European Microwave Association (EuMA). Er war im Januar 2010
erstmalig gewählt worden und wurde nun einstimmig für eine neue Amtsperiode wiedergewählt.
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Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
3 Trapezlasermodul bei 636 nm mit > 500 mW für die Displaytechnologie
Das FBH hat eine Laserstrahlquelle entwickelt, die >500 mW Leistung bei einer Wellenlänge
von 636 nm emittiert. Das Modul bietet einen nahezu beugungsbegrenzten, kollimierten Strahl.
Dank dieser Eigenschaften konnte eine Strahldichte von über 19 MW/cm²/sr erzeugt werden,
das entspricht einer Leuchtdichte von über 27 TCd/m². Dies ist mehr als 10.000-mal heller als
die Sonne und stellt zugleich einen Weltbestwert für rote Laserdioden dar.
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3D Elektromagnetische Simulation unerlässlich für das Design von Höchstfrequenz-CMOSSchaltungen
Passive Elemente und periphere Effekte haben einen signifikanten Einfluss auf
Millimeterwellen-Schaltungen, die mithilfe von High-End-CMOS-Prozessen hergestellt werden.
Die elektromagnetischen Effekte müssen daher bereits in der Entwurfsphase modelliert werden.
Dies wurde am FBH umfassend untersucht.
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LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG (IFW)
Das Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (IFW) und die von ihm
ausgegründete Firma ScIDre Scientific Instruments Dresden GmbH wurden im Wettbewerb
„wissen.schafft.arbeit“ mit einem Sonderpreis ausgezeichnet.
Bei der Preisverleihung am 24.11.2011 in Chemnitz wurde die erfolgreiche Kooperation
zwischen dem Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung und der ScIDre Scientific
Instruments Dresden GmbH mit dem Sonderpreis für herausragenden Technologietransfer mit
besonderem Entwicklungspotenzial des Sächsischen Staatsministeriums für Wissenschaft und
Kunst (SMWK) ausgezeichnet. Die ScIDre Scientific Instruments Dresden GmbH vermarktet
seit 2009 die Entwicklung hochinnovativer Geräte zur Realisierung komplizierter
Forschungsvorhaben. Sie ist dabei auf die Entwicklung von Vakuum-, Kryo- und
Reinstraumkomponenten sowie Versuchsstandentwicklung und -modifikation spezialisiert.
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LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK (IHP)
InnoSenT startet neues Forschungsprojekt „PreLocate“ in Zusammenarbeit mit der HumboldtUniversität Berlin und dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik IHP
Mit einem Kick-off-Meeting der beteiligten Wissenschaftler aus Industrie und Wissenschaft
startete am 2. Dezember das Verbund-Projekt „PreLocate“. Unter Leitung der InnoSenT GmbH
sollen Lösungen entwickelt werden, mit denen Kommunikationssysteme im 60-GHz-Band um
eine Abstandsmessung und Ortsbestimmung für mobile Empfangsgeräte erweitert werden. Es
soll ein System erforscht und umgesetzt werden, das eine gerichtete Kommunikation und eine
genaue Lokalisierung von beweglichen Geräten für verschiedenste Anwendungen ermöglicht.
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4 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
Präsentation eines mobilen Lab-on-Chip-Gerätes für das kleine Blutbild
Der T(h)era-Diagnostik T-850 ist ein autonomes Gerät für die Messung relevanter Parameter in
flüssigen biologischen Proben, zum Beispiel zur Erstellung des kleinen Blutbildes. Dieser in
Kooperation des Fraunhofer IBMT mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP)
entwickelte Prototyp verwendet für die Messung der Blutparameter die Mikrofluidikkartusche der
Fraunhofer ivD-Plattform. Die Erfassung der Messwerte erfolgt durch elektrochemische
Biosensoren und speziell dafür entwickelte Messschaltungen. Das System vereint
Komponenten der Mikrofluidik und Mikroelektronik: von der Probenaufbereitung, über die
Signalgenerierung und -verarbeitung, bis zur drahtlosen Übertragung der Messdaten an einen
Computer oder ein Smartphone.
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Brandenburger Konsortium unter Leitung des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik
(IHP) in Frankfurt (Oder) erforscht neue Ansätze zur Schlaganfallrehabilitation im häuslichen
Umfeld
Das kürzlich gestartete StrokeBack Projekt mit einem Projektumfang von insgesamt 4,3
Millionen EURO erweckt bereits jetzt großes Interesse in der internationalen
Forschungslandschaft. Ziel ist die Entwicklung eines telemedizinischen Gesamtsystems, das
die ambulante Rehabilitation von Schlaganfallpatienten in deren eigenen vier Wänden
unterstützt und mit minimaler medizinischer und therapeutischer Intervention auskommt. Dazu
wird der Patient mit modernsten drahtlosen Sensoren ausgestattet, die sowohl seinen
Gesundheitszustand als Vitalparameter, als auch die Ausführung von physiotherapeutischen
Übungen, überwachen.
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LEIBNIZ-INSTITUT FÜR KRISTALLZÜCHTUNG (IKZ)
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin liefert erste Aluminiumnitrid-Einkristalle für WideBaSe
aus
Im Januar 2012 hat das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
(IKZ) begonnen, erste Einkristalle aus Aluminiumnitrid (AlN) an
die Partner im regionalen Wachstumskern Berlin WideBaSe
auszuliefern. Die Verfügbarkeit von AlN-Kristallscheiben gilt als
Voraussetzung für die Herstellung effizienter UV-Leuchtdioden,
die u.a. zur Wasserentkeimung und für medizinische
Anwendungen benötigt werden.
Ansprechpartner: Prof. Dr. Matthias Bickermann, Leiter Abteilung Dielektrika & Wide Bandgap
Materialien Email: [email protected]
Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
5 LEIBNIZ-INSTITUT FÜR NEUE MATERIALIEN (INM)
Innovative Materialien aus dem Saarland auf der MATERIALICA 2011
Verbesserungen und Neuentwicklungen von Materialien für verschiedene Anwendungsbereiche
zeigt das Saarbrücker INM – Leibniz-Institut für Neue Materialien auf der MATERIALICA in
München.
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TCO-Nanopartikel: Druckbare Elektronik auf Kunststoff-Folien
Transparente leitfähige Schichten aus so genannten TCO (transparent conducting oxides)
finden sich heute in vielen alltäglichen Anwendungen. Ihre Rolle als transparente Elektroden in
Displays, Touch Screen Panels und Flachbildschirmen ist in der modernen
Kommunikationstechnologie nicht mehr wegzudenken. Forscher am INM – Leibniz-Institut für
Neue Materialien haben nun ein Verfahren entwickelt, bei dem sie TCO Nanopartikel durch
Tiefdruckverfahren direkt auf Kunststofffolien aufbringen können. Damit wird das strukturierte
Drucken von transparenten Leiterstrukturen auf Folien möglich.
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Glasartige Diffusionssperre erhöht den Wirkungsgrad von CIGS-Solarzellen
Forscher am INM – Leibniz-Institut für Neue Materialien entwickelten eine Barriereschicht, die
den Metallträger von der Absorberschicht trennt und somit den Wirkungsgrad von
metallbasierten CIGS-Solarzellen erhöht. Der Programmbereich „Optische Materialien“ des INM
stellt diese Entwicklung auf der MATERIALICA in München aus: vom 18.-20. Oktober, Halle A6,
Stand 302, Smart Materials, SchauPlatz Nano.
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Einstufiges Photolithografie-Verfahren für druckbare Elektronik
Metallische Leiterbahnen aus Silber in kleinsten Struktureinheiten werden zum Beispiel in TFTBildschirmen oder Solarzellen verwendet. Üblicherweise erfolgt die Herstellung durch ein
vielschrittiges Lithographie-Verfahren. Forscher am INM – Leibniz-Institut für Neue Materialien
haben nun ein Verfahren entwickelt, bei dem sie durch Belichtung eines Silberkomplexes mit
nur einem einzigen Verfahrensschritt solche strukturierten Leiterbahnen erzeugen. Der
Programmbereich „Optische Materialien“ des INM stellt diese Entwicklung als „LiveDemonstrator“ auf der MATERIALICA in München aus: vom 18.-20. Oktober, Halle A6, Stand
302, Smart Materials, SchauPlatz Nano.
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Gold-Oberflächen reparieren sich bei Raumtemperatur von selbst
Wissenschaftler am INM konnten im Atommaßstab zeigen, dass sich Gold-Oberflächen bei
Raumtemperatur von alleine glätten.
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6 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
Das Leibniz-Institut für Neue Materialien in Saarbrücken eröffnet das Centrum für
Funktionelle Mikroskopie (CFM)
Durch den Erwerb eines hochauflösenden Raster-Transmissions-Elektronenmikroskops
(TEM/STEM) weitet das INM – Leibniz-Institut für Neue Materialien seine Analytik zum Centrum
für Funktionelle Mikroskopie (CFM) aus.
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LEIBNIZ-INSTITUT FÜR PLASMAFORSCHUNG UND TECHNOLOGIE (INP) Plasmagestützte Verfahren zur Herstellung von Präzisions-Dünnschichtoptiken
Für die Herstellung von hochwertigen Komponenten für die Dünnschichtoptik, z.B. Laserfilter
oder dielektrische Spiegel werden u.a. Verfahren der Plasma-Ionen gestützten thermischen
Deposition (PIAD) eingesetzt. Im Rahmen des BMBF-Verbundprojektes 'Plasma und optische
Technologien' (PluTO) ist es Forschern des INP gemeinsam mit Experten zur optischen
Dünnschichtforschung und zu Niedertemperaturplasmen aus Jena, Bochum, Bremen und
Hannover gelungen, die bisherigen, weitgehend empirischen Ansätze bei der Entwicklung von
Beschichtungsprozessen durch neue Steueralgorithmen zu ersetzen. Diese basieren auf der
Kenntnis der für das Schichtwachstum eigentlich relevanten Plasmakenngrößen, insbesondere
der Teilchen- und Energieeinströme, welche aus dem Plasma auf die Oberfläche der
wachsenden Schichten auftreffen. Die quantitative und raumaufgelöste Erfassung der
Plasmaparameter erlaubt nun PIAD-Prozesse die eine neue Qualität hinsichtlich solcher
Aspekte wie Reproduzierbarkeit und räumlicher Homogenität der optischen Kenngrößen
verkörpern. Somit eröffnen sich Perspektiven für die Fertigung neuartiger optischer
Schichtsysteme.
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Innovationsforum „Plasma plus Umwelt“
Mit Reinraumtechnik und weiteren Einsatzfeldern der plasmaunterstützten Luftreinhaltung
beschäftigt sich das Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. (INP Greifswald)
derzeit im BMBF-geförderten Innovationsforum „Plasma plus Umwelt“ unter Federführung der
INP-Ausgründung neoplas GmbH. Das Innovationsforum fokussiert sich auf die Entwicklung
von innovativen, effizienteren Konzepten für den Abbau von Schad- und Geruchsstoffen aus
Abgasen und Abluft unter Verwendung moderner Plasmaverfahren. Die Kombination von
konventionellen Filtertechniken und katalytischen Prozessen mit nicht-thermischen
Plasmaverfahren verspricht neue energiesparende und kostengünstige Lösungen mit einem
breiten Anwendungspotenzial.
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Synthese von Katalysatoren für Brennstoffzellen
Am INP werden Methoden zur plasmagestützten Synthese von Katalysatoren für PEMBrennstoffzellen entwickelt. Hierbei spielen sowohl edelmetallhaltige als auch edelmetallfreie
Katalysatoren z.B. metallorganische Verbindungen eine Rolle, die mit Hilfe geeigneter
Plasmaverfahren in ihrer Wirksamkeit wesentlich verbessert werden, und damit einen Beitrag
zur Effizienzsteigerung von Brennstoffzellen leisten können. Die plasmachemisch
synthetisierten Elektrrodenkatalysatoren werden sowohl Wasserstoff/Luft-Brennstoffzellen aber
auch für Brennstoffzellen mit flüssigen Reaktanten, wie z.B. mit Wasserstoffperoxid als Oxidanz
eingesetzt.
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Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
7 LEIBNIZ-INSTITUT FÜR POLYMERFORSCHUNG (IPF)
Polymere ernten Sonnenenergie
Solarzellen auf Polymerbasis sind ein Leichtbauwerkstoff, leicht zu
verarbeiten und vergleichsweise preiswert. In Dresden synthetisierte
Nanoteilchen mit geordneten funktionellen Polymerbürsten auf der
Oberfläche wurden für den Einsatz auf Solarmodulen unter
Freilandbedingungen erfolgreich getestet. Die Effizienz der
Polymerzellen lag im Bereich von 0.8%-1.2%.
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LEIBNIZ-INSTITUT FÜR ANALYTISCHE WISSENSCHAFTEN (ISAS)
IR-ellipsometrischen Messungen an Graphen
Wissenschaftler des ISAS haben in Kooperation mit der TU Eindhoven die
optischen Eigenschaften von Graphenflocken im infraroten Spektralbereich
bestimmt. Für diese ersten IR-ellipsometrischen Messungen an Graphen
im Rahmen des von der EU geförderten Projektes NIM_NIL nutzten sie das
vom ISAS betriebene Synchrotron-IR-Ellipsometer bei BESSY II. Die
Ergebnisse wurden kürzlich in Applied Physics Letters veröffentlicht
(doi:10.1063/1.3624826).
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WEIERSTRAß-INSTITUT FÜR ANGEWANDTE ANALYSIS UND STOCHASTIK (WIAS)
Berliner Mathematiker erhält „Mega-Grant“ der russischen Regierung
Prof. Vladimir Spokoiny vom Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik
(WIAS) erhält einen „Mega-Grant“ der russischen Regierung in Höhe von 150 Mio. Rubel (ca.
3,4 Mio. Euro). Insgesamt wurden 39 weltweit forschende Wissenschaftler unter 507 Bewerbern
ausgewählt. Unter den 39 jetzt ausgezeichneten Wissenschaftlern sind zwei Nobelpreisträger.
Die Preisträger müssen das Geld für den Aufbau einer Forschungsgruppe an einer
Hochschule/Universität in Russland ausgeben. Diese Arbeit läuft parallel zur Tätigkeit des
Forschers im jeweiligen Land. Vladimir Spokoiny wird also weiterhin am WIAS arbeiten, wo er
die Forschungsgruppe „Stochastische Algorithmen und Nichtparametrische Statistik“ leitet.
Gleichzeitig baut er eine Forschungsgruppe mit dem Schwerpunkt „Predictive Modelling“ an der
renommierten Universität für Physik und Technik in Moskau auf.
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Neues Konzept für optische Transistoren
Veröffentlichung zu einem neuen Konzept für optische Transistoren von der Internationalen
Society für Optik und Photonik (SPIE) als Highlight Article in den "Top Ten" ausgezeichnet.
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8 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
ASSOZIIERTE PARTNER
HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN-ROSSENDORF (HZDR)
Ultrapräzise Materialanalytik
Das junge Dresdner Unternehmen „Saxray“ entwickelt, baut und vertreibt innovative
Komponenten für die Röntgenanalytik, mit denen sich Materialien präziser und einfacher
untersuchen lassen. Davon profitieren die Materialwissenschaft und insbesondere die
Nanotechnologie. Das „Saxray“-Team ist erst vor Kurzem mit einer eigenen Firma auf den
Markt gegangen. Sie ist ein gemeinsames Ausgründungsprojekt des HZDR, der TU
Bergakademie Freiberg und der TU Dresden.
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Ferromagnetisches Nanonetzwerk im Halbleiter Germanium
Wissenschaftler aus dem Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) haben in
Kooperation mit der Industrie einen Fortschritt bei der Herstellung von ferromagnetischen
Halbleitern erzielt: Ihnen ist es gelungen, mit Hilfe von Ionenimplantation und gepulster
Laserausheilung ein in den Halbleiter Germanium eingebettetes ferromagnetisches
Nanonetzwerk herzustellen. Dieses Nanonetz weist wegen seiner hohen Manganhaltigkeit
besondere elektrische und magnetische Eigenschaften auf, welche in zukünftigen
Speichertechnologien und anderen neuartigen Halbleiter-Spintronik-Bauelementen wichtig sein
könnten. Die Arbeiten wurden vor kurzem im Fachjournal "Applied Physics Letters"
(doi:10.1063/1.3674981) veröffentlicht.
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Wie lange leben Elektronen in Graphen?
Wissenschaftler aus dem HZDR haben mit internationalen Kollegen einen wichtigen Baustein
zum Verständnis des derzeit intensiv erforschten Materials Graphen hinzugefügt: sie haben die
Lebensdauer von Elektronen in Graphen in niedrigen Energiebereichen bestimmt. Dies ist für
die künftige Entwicklung schneller elektronischer und optoelektronischer Bauteile von großer
Bedeutung. Die Ergebnisse sind vor Kurzem in der Onlineausgabe der Zeitschrift Physical
Review Letters (DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.237401) erschienen.
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Helmholtz bringt Technologien für neuartige Beschleuniger voran
Teilchenbeschleuniger werden zunehmend auch in der Medizin, den Lebenswissenschaften
und der Materialforschung eingesetzt. Entwicklung und Bau neuartiger Komponenten für
Beschleuniger sind damit zu einer übergreifenden Aufgabe geworden, die die HelmholtzGemeinschaft nun verstärkt fördert: Im Portfoliothema „Accelerator Research and Development“
(ARD) arbeiten sechs Helmholtz-Zentren, zwei Helmholtz-Institute, elf Universitäten, zwei MaxPlanck-Institute und das Max-Born-Institut eng zusammen. Zwischen 2011 und 2014 werden
dafür 16,7 Mio. Euro aufgebracht. Im Anschluss soll die Beschleunigerinitiative im Rahmen der
programmorientierten Förderung verstetigt werden.
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Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
9 Laser-Heizung – Milliarden Grad heiße Elektronen in neuem Licht
Eine neue Klasse von Hochleistungslasern kann mit extrem intensiven, kurzen Laserpulsen
sehr effektiv Teilchen wie Elektronen oder Ionen beschleunigen. Deshalb interessieren sich
Forschergruppen weltweit für den Beschleunigungsprozess, bei dem ein Laserstrahl auf eine
dünne Folie gelenkt wird, um Ionen von der Folienrückseite auf hohe Energien zu
beschleunigen. In diesem Prozess vermitteln die vom Laser geheizten Elektronen in der Folie
den Energieübertrag zwischen den Ionen und dem Laserpuls. Physiker im HZDR entwickelten
nun ein neues theoretisches Modell, denn bisherige Modelle geben die Temperatur und die
Dichte dieser heißen Elektronen nicht korrekt wider.
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Forscher entdecken Material mit ähnlichen Eigenschaften wie Graphen
Nachdem 2010 der Nobelpreis für Physik an zwei Wissenschaftler ging, die das Material
Graphen untersuchten, wird dieser Stoff viel diskutiert. Dr. Frederik Wolff-Fabris vom HelmholtzZentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat nun gemeinsam mit Kollegen aus Korea ein Material
entwickelt und untersucht, das ähnliche physikalische Eigenschaften aufweist wie eben dieses
Graphen. Strukturell ähnelt es zudem der Klasse der Eisen-Pniktide, also HochtemperaturSupraleitern, und zukunftsträchtig ist es allemal: Aufgrund der Lage der einzelnen Bestandteile
im Periodensystem der Elemente lässt sich ein Teil der Atome einfach durch Fremdatome
ersetzen. Heraus kommen neue Materialien, die supraleitend, magnetisch oder Topologische
Isolatoren sein können.
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Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf begleitet Energiewende mit Tochterfirma für
Technologietransfer und Produktionsaufgaben
Nach der Eintragung in das Handelsregister geht die HZDR INNOVATION GmbH nun an den
Start. Das Besondere: die Firma nutzt die vorhandene Infrastruktur und das wissenschaftliche
Know-how am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) für verschiedene
Geschäftsfelder in den Bereichen Energie und Materialien. Als erfahrenen Partner hat sie sich
die GWT-TUD GmbH mit ins Boot geholt.
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IPHT INSTITUT FÜR PHOTONISCHE TECHNOLOGIEN
Leibniz-Senat empfiehlt Institut für Photonische Technologien (IPHT) in Jena als
künftiges Leibniz-Institut
Der Leibniz-Senat hat gegenüber der Gemeinsamen Wissenschaftskonferenz (GWK) von Bund
und Ländern Stellungnahmen zu Neuaufnahmen in die Leibniz-Gemeinschaft abgegeben. Darin
empfiehlt er, u.a. das Verfahren zur Evaluierung des Instituts für Photonische Technologien
(IPHT) in Jena durch den Wissenschaftsrat in die Wege zu leiten.
"Das Institut für Photonische Technologien e.V. (IPHT) erforscht und entwickelt photonische
Verfahren und Systeme höchster Sensitivität, Effizienz und Auflösung von den Grundlagen bis
zur Anwendung in den Forschungsschwerpunkten Biophotonik, Faseroptik und Photonische
Detektion. Es wird dabei getragen von einer starken Basis in der Mikro-/ Nano- und der
Fasertechnologie und hat die Beantwortung drängender Fragestellungen aus den Bereichen
Gesundheit, Sicherheit, Energie und Umwelt zum Ziel." (http://www.ipht-jena.de)
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10 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
TERMINE & VERANSTALTUNGEN
LEIBNIZ-INSTITUT FÜR PLASMAFORSCHUNG UND TECHNOLOGIE (INP)
Innovationsforum „Plasma plus Umwelt“ (22.-23.03.2012, Rostock)
Die Reduzierung von Geruchs- und Schadstoffen in Abgasen und Abluft sowie neue Wege in
der Reinraumtechnik sind durch den effizienten Einsatz moderner Plasmatechnologie möglich.
Experten aus Forschung, Industrie und Verbänden informieren über aktuelle Entwicklungen und
zeigen Anwendungs- und Marktpotenziale auf.
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WEIERSTRAß-INSTITUT FÜR ANGEWANDTE ANALYSIS UND STOCHASTIK (WIAS)
Workshop: From Particle Systems to Differential Equations (21.-23.02.2012, Berlin)
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International Conference on Mathematical Methods in Economy and Industry
(24.-28.06.2012, Berlin)
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Workshop: Mathematics for Semiconductor Heterostructures: Modeling, Analysis and
Numerics (24.-28.09.2012, Berlin)
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MESSEN (AUSWAHL)
microsys (19.-21.03.2012, Berlin)
Messe und Kongress für marktgerechte Lösungen aus der Mikrosystemtechnik
http://www.microsys-berlin.de/
elektro:mobilia (22. -23.02.2012, Köln)
Kompetenztreffen Elektromobilität mit Fachmesse
http://www.elektromobilia.de
Laser Optics (19.-21.03.2012, Berlin)
Internationale Fachmesse und Kongress für Optische Technologien und Lasertechnik
http://www.laser-optics-berlin.de/
Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
11 Avionics & Defence Electronics Europe (21.-22.03.2012, München)
Internationale Ausstellung und Konferenz zu allen Aspekten von Luft-, Raumfahrt- und
Verteidigungselektronik
http://www.avionics-event.com/index.html
Hannover Messe (23.-27.04.2012, Hannover)
Die größte Investitionsgütermesse der Welt
http://www.hannovermesse.de/
MicroNanoTec (23.-27.04.2012, Hannover)
Internationale Leitmesse der Mikro- und Nanotechnologie sowie Laser
Mikromaterialbearbeitung
http://www.hannovermesse.de/en/about-the-trade-show/programme/tradeshowslineup/micronanotec
in
der
Euroid (24.-26.04.2012, Berlin)
Internationale Fachmesse und Wissensforum für automatische Identifikation
http://www.euro-id-messe.de
SMT-Hybrid-Packaging (08.-10.05.2012, Nürnberg)
Europas größte Veranstaltung für Systemintegration in der Mikroelektronik
http://www.mesago.de/de/SMT/home.htm
Optatec (22.-25.05.2012, Frankfurt am Main)
Internationale Fachmesse optischer Technologien, Komponenten, Systeme und Fertigung für
die Zukunft
http://www.optatec-messe.de/de/optatec
Lasys (12.-14.06.2012, Stuttgart)
Internationale Fachmesse für Laser-Materialbearbeitung
http://www.lasys-messe.de
O&S (12.-14.06.2012, Stuttgart)
Internationale Fachmesse für Oberflächen & Schichten
http://www.ounds-messe.de
Microsys (08.-11.10.2012, Stuttgart)
Fachmesse für Mikro- und Nanotechnik in der Entwicklung, Produktion und Anwendung
http://www.microsys-messe.de
Semicon Europe (09.-11.10.2012, Dresden)
Europas führendes Forum für Halbleiterprodukte, -stoffe und Dienstleistungen
http://www.semiconeuropa.org
- Angaben ohne Gewähr -
12 Transferverbund Mikroelektronik: 030 / 206049-17
Leibniz‐Gemeinschaft Transferverbund Mikroelektronik Chausseestraße 111 10115 Berlin
[email protected]
www.leibniz-mikroelektronik.de
PARTNER IM TRANSFERVERBUND
Ferdinand‐Braun‐Institut, Leibniz‐Institut für Höchstfrequenztechnik Berlin www.fbh‐berlin.de Leibniz‐Institut für Festkörper‐und Werkstoffforschung Dresden www.ifw‐dresden.de
Leibniz‐Institut für Innovative Mikroelektronik Frankfurt (Oder) www.ihp‐microelectronics.com
Leibniz‐Institut für Kristallzüchtung Berlin www.ikz‐berlin.de
Leibniz‐Institut für Neue Materialien Saarbrücken www.inm‐gmbh.de
Leibniz‐Institut für Plasmaforschung und Technologie Greifswald www.inp‐greifswald.de
Leibniz‐Institut für Polymerforschung Dresden www.ipfdd.de
Leibniz‐Institut für Analytische Wissenschaften Dortmund und Berlin www.isas.de
Paul‐Drude‐Institut für Festkörperelektronik Berlin www.pdi‐berlin.de
Weierstraß‐Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Berlin www.wias‐berlin.de
Helmholtz‐Zentrum Dresden‐Rossendorf www.hzdr.de
Impressum:
Der Newsletter wird herausgegeben von
Leibniz-Gemeinschaft
Transferverbund Mikroelektronik
Chausseestraße 111
10115 Berlin
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