Elektronik Lexikon Teil 1 - mini

Der folgende Bericht ist in Ausgabe
3/2006 des Magazins
TRUCKS & Details erschienen.
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Bleiakkumulator: Auch Bleisammler; Akkumulator mit Elektroden
aus Blei (Minuspol) und Bleioxid (Pluspol), Elektrolyt: 30 Prozent
verdünnte Schwefelsäure; Nennspannung: 2,0 Volt je Zelle, Gasungsspannung ~ 2,4 Volt je Zelle, Entladungsspannung 1,75 Volt je Zelle,
Energiedichte ~ 40Wh/kg.
BNC-Stecker: Das sind Stecker, die Anwendung in der Hi-Fisowie in der Mess- und HF-Technik Verwendung finden (Wellenwiderstand 50 Ohm).
Breitband-Verstärker: Das sind Hi-Fi-Audio-Verstärker, die über
ein bestimmtes Frequenzspektrum Signale mit gleich bleibender
Amplitude im Bereich von 15 Hz bis 32 kHz verstärken.
Brückengleichrichter: Die hier wiedergegebene Brückenschaltung
(Bild 1) ist einfach aufgebaut, denn hier ist kein Transformator
erforderlich. Der BG wird daher zur Wechselstrom-Gleichrichtung
am häufigsten angewandt. Er besteht aus vier zu einer Brücke
zusammen geschalteten Dioden, wobei aus der angelegten Wechselspannung eine pulsierende Gleichspannung von 100 Hz gewonnen
wird (Bild 2).
Brummspannung: Das sind unerwünschte Wechselspannungen,
die beispielsweise einer Gleichspannung überlagert oder auch als
Brummton in Lautsprechern zu hören sind. Diese Frequenz der
Brummspannung kann gleich der Netzfrequenz oder ein Vielfaches
davon sein. Ursachen hierfür können auch unzureichende Siebung im
Netzteil, Kapazitäten oder schlechte Masseverbindungen sein.
Bus: Das sind meist mehrpolige Verbindungen zur Übertragung von
Signalen und Informationen zwischen Datensendern (Datenquelle),
beispielsweise Diskettenlaufwerk und Datenempfänger (Datenziel).
Man unterscheidet Adressbus, Datenbus und Kontrollbus.
Byte: Informationseinheit im Binärsystem. 8 Bit entsprechen einem
Byte. Ein Byte kann beispielsweise einen Buchstaben, eine Zahl oder
ein Sonderzeichen aus einem Zeichenvorrat, beispielsweise aus dem
ASCII-Code, darstellen, wobei maximal 28 mal 256 unterschiedliche
Kombinationen möglich sind.
C-MOS: (auch CMOS), complementary metal oxide semiconductor,
Englisch für Komplementäre – also sich ergänzende – MetalloxidHalbleiter-Anordnung; MOS-Technik, bei der eine Zusammenschaltung von P- und N-Kanal-MOS-Transistoren erfolgt. Ein
C-MOS-Element benötigt nur dann Strom, wenn sich der Schaltzustand oder der Ausgangspegel ändert. C-MOS-Schaltungen haben
geringe Verlustleistungen, eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit sowie
eine hohe Störsicherheit; Versorgungsspannung: 3 bis 16 Volt;
Verwendung: Uhren oder Rechner-Schaltkreise aufgrund des geringen Leistungsbedarfs
Cadmiumsulfid: (CdS) Halbleiterwerkstoff für Fotoelemente und
Fotowiderstände
Candela: (cd) Physikalische Maßeinheit für die Lichtstärke,
Symbol Iv
Centronics: Weit verbreitete 8-Bit-Schnittstelle zur Datenübertragung, auch bekannt als C-Schnittstelle.
Chip: Siliziumplättchen von nur wenigen Quadratmillimetern Größe,
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das eine integrierte Schaltung (IC)
enthält. Chips enthalten tausende
von Bauelementen wie
Transistoren, Dioden und
Widerstände. Die Anzahl
der Bauelemente eines Chips
werden ausgedrückt durch
die Integrationsdichte
Chip-Kondensator: Hier handelt es sich um Kondensatoren mit sehr
kleinen Abmessungen zur Verwendung beispielsweise in gedruckten
Schaltungen und in der SMD-Technik.
Clipping: Beim Übersteuern von Verstärkern wird das Ausgangssignal begrenzt (Bild); die dadurch erzeugten Oberwellen erhöhen
den Klirrfaktor drastisch.
Code: Hier handelt es sich um eine verschlüsselte Darstellung von
Buchstaben, Ziffern oder Zeichen, insbesondere in der
Datenverarbeitung; Beispiel: ASCII-C
Cos Phi: (auch Leistungsfaktor), Verhältnis der Wirkleistung „P“ zur
Scheinleistung „S“ (bei Wechsel- und Drehstrom-Verbrauchern);
cos Phi = P/S.
CTR: current transfer ratio, Englisch für Stromübertragungsverhältnis
Darlington-Transistor: Eine Schaltung von meist zwei Transistoren,
bei dem der Emitter des ersten Transistors auf die Basis des zweiten
Transistors führt. Es entsteht eine Schaltung mit hoher Stromverstärkung.
Dauer-Grenzstrom: Der Grenzstrom eines Transistors ist der höchste
Strom, der in Durchlassrichtung fließen darf. Der Dauerstrom ist der
Gleichstrom-Mittelwert. Wichtige Größen für den Dauer-Grenzstrom
stellen außerdem die Frequenz und die Kühlung der Bauteile dar.
Dauerstrom: Strom, den ein Gerät im Dauerbetrieb führen kann,
ohne Schaden zu nehmen. Der Dauerstrom ist meist identisch mit
dem Nennstrom.
D-Flipflop: digitale Speicherschaltung mit einem Dateneingang,
einem Takteingang und meist
zwei Ausgängen;
Verwendung als
Frequenzteiler,
elektronischer Zähler und Schieberegister.
dB: Abkürzung für Dezibel
DC: Englisch für Gleichstrom (direct current); Zeichen: U
DCTL: Englisch für „Direkt gekoppelte Transistor-Logik“ (direct
coupled transistor logic); durch Parallel- oder Reihenschaltung von
Transistoren entstehende logische Schaltung; integrierte Schaltung
Dielektrikum: Isolator zwischen den Elektroden eines Kondensators.
Das Dielektrikum ist in der Lage, ein elektrisches Feld ohne
Energiezufuhr zu erhalten. Dielektrika können fest (Papier, Kunststoff
oder Keramik sowie Luft), flüssig (Öl) oder auch gasförmig sein. Sie
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zeichnen sich durch einen hohen Isolationswiderstand und geringe
Verluste aus.
DIAC: Englisch für „Diode zur Wechselstromsteuerung“ (diode
alternating current); wechselnde Dotierung (PNP); bei
Überschreiten der Schaltspannung wird der DIAC leitend; Verwendung zur Impulserzeugung in Thyristorund Triac-Schaltungen wie in einem Dimmer.
DIN: ursprüngliche Abkürzung für Deutsche Industrie Norm;
jetzt: Zeichen des Deutschen Institutes für Normung. Die DIN
wird durch die neue EN (Europäische Norm) abgelöst.
Diode: Das ist ein Kunstwort aus Di-Elektrode von di (griechisch) =
zwei, doppelt; meist Halbleiter-Bauelement
beispielsweise aus Germanium oder
Silicium mit zwei Anschlüssen. Dioden
haben einen PN-Übergang und lassen den
elektrischen Strom nur in einer Richtung
fließen; Beispiele: Kapazitäts-Diode,
Tunnel-Diode und Zener-Dioden. Legt man beispielsweise eine Spannung (Plus) an die Anode, so fließt nun ein Strom in Durchlassrichtung. Polt man die Spannung um, das heißt Minus an die Anode, so
geschieht nichts, die Diode sperrt. Der gleiche Effekt stellt sich bei
Anlegen einer Spannung an die Kathode ein, Minus an die Kathode
lässt wieder Strom fließen (Diode ist in Durchlassrichtung), beim
Anlegen von Plus an die Kathode sperrt sie.
Dotieren: Gezieltes Einbringen von Fremdatomen in hochreines,
eigenleitendes Halbleitermaterial, beispielsweise Silicium oder
Germanium. Je nach Dotierung erhält man P-leitende (durch Indium)
oder N-leitende (durch Arsen) Halbleiter. Durch Dotieren steigt die
elektrische Leitfähigkeit stark an.
Drahtwiderstand: Hierbei handelt es sich um einen Keramik-Körper,
beispielsweise aus Porzellan, auf den ein isolierter oder oxidierter
Draht gewickelt ist. Drahtwiderstände haben zum Schutz einen Überzug aus Lack, Zement oder Glas.
Drehwiderstand: Auch Potentiometer, veränderbarer Widerstand.
Man unterscheidet Schicht- und Drahtpotentiometer.
Dreischicht-Diode: Elektronisches Bauelement mit der Schichtenfolge PNP; DIAC
Drift: Eine durch Alterung und Verschleiß hervorgerufene Veränderung der charakteristischen Eigenschaften von Bauelementen.
Durchlass-Bereich: Das ist der Kennlinien-Bereich eines HalbleiterBauelements, beispielsweise einer Diode, bei dem der Widerstand
(Durchlass-Widerstand) des Bauelements klein ist. Durch Anlegen
einer Spannung kann ein hoher Durchlass-Strom fließen.
Durchlass-Spannung: UF; Spannungsabfall in Durchlass-Richtung am
PN-Übergang eines Halbleiter-Bauelements, beispielsweise einer
Diode. Die Diode ist vom Halbleiter-Material abhängig und beträgt bei
Germanium etwa 0,2 bis 0,3 Volt, bei Silicium etwa 0,6 bis 0,7 Volt, die
von der angelegten Spannung abgezogen werden muss; Beispiel: angelegte Spannung 6 Volt minus (bei Silicium) 0,7 Volt = 5,3 Volt.
E: Formelzeichen für Elementarladung; Kurzeichen für: ZündschutzArt „erhöhte Sicherheit“
EDV: Abkürzung für Elektronische Datenverarbeitung
EEPROM: Englisch für „Elektrisch löschbarer Festwertspeicher“
(electrical erasable programmable read only memory); Halbleiterspeicher, der durch elektrische Impulse gelöscht werden kann
Eigenerwärmung: Das ist die Erwärmung im Inneren von Bauteilen aufgrund des Stroms, von dem sie durchflossen werden.
Transistoren und Dioden ändern bei Eigenerwärmung ihre Kennlinie
und Kenngrößen.
Eigenleitung: Geringe Zunahme der Leitfähigkeit bei Halbleitern,
beispielsweise bei Erwärmung. Die Eigenleitung von Germanium
nimmt mit steigender Temperatur zu.
Eigenrauschen: In der Regel besitzen Widerstände ein temperaturab-
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hängiges Eigenrauschen, das auch ohne Stromfluss auftritt.
Eingangskapazität: Das ist die Summe aller Einzelkapazitäten, die
sich am Eingang einer Stufe oder Schaltung bilden. Eingangskapazitäten können bei Hochfrequenz starke Störungen hervorrufen und
müssen deshalb ausreichend kompensiert werden.
Eingangssignal: Das sind Signale, die am Eingang einer elektronischen Schaltung, beispielsweise Impulsspannung (Rechteck, Dreieck,
Sinus oder andere) angelegt werden.
Eingangswiderstand: Widerstand, mit dem die Signalquelle oder die
vorhergehende Stufe belastet wird; auch Eingangs-Impedanz
Elko: Abkürzung für Elektrolyt-Kondensator
Emitter-Schaltung: Das ist die am häufigsten verwendete Grundschaltung bei PNP- und NPN-Transistoren. Bei der Emitter-Schaltung ist der
Emitter der gemeinsame Anschluss für
den Eingang und Ausgang der Schaltung. Transistoren in Emitter-Schaltung
haben eine große Strom-, Spannungsund Leistungsverstärkung.
EMV: Abkürzung für elektromagnetische Verträglichkeit
Endschalter: Schalter, der bei Erreichen einer Endlage öffnet oder
schließt, beispielsweise bei Werkzeugmaschinen, Aufzügen oder
Torantrieben; auch: Endtaster.
Entlade-Kapazität: Kürzel: KE; maximale Elektrizitätsmenge in
Amperestunden (Ah) beim Entladen von Akkumulatoren und
Elementen; Produkt aus Entladestrom IE und Entladedauer tE;
KE = IE x tE; Gegenteil: Ladekapazität
Entlade-Nennstrom: Entladestrom, der während der festgelegten
Entladedauer von der Batterie/Akku abgegeben wird
Entladungsspannung: festgesetzte Spannung, die beim Entladen
eines Akkus mit dem zugeordneten Strom nicht unterschritten werden
darf. Sinkt die Entlade-Schlussspannung unter den vorgeschriebenen
Wert, wird beim Bleiakku das Bleisulfat der Platten umgewandelt,
das heißt: der Akku lässt sich dann nicht mehr voll laden; bei BleiStarterbatterien: 1,75 Volt/Zelle
Farad: Einheit der Kapazität; Einheitszeichen „F“ ; benannt nach
dem englischen Physiker Michael Faraday (1791 bis 1867);
1 F = 1As/V; 1µF = 10 -16 F; 1pF = 10 -12 Farad
Farbcode: Widerstände und Kondensatoren werden mit Farbringen
bedruckt. Verschiedene Farbkombinationen kennzeichnen den
Nennwert, die Betriebsspannung und Toleranz dieser Bauteile.
Feldeffekt-Transistor: (FET) elektronisches Halbleiter-Bauelement
mit Verstärker-Eigenschaften.
FET sind unipolare Transistoren; Arten der FET: Sperrschicht-FET und MOS-FET
Feldplatte: Halbleiter-Bauelement, beispielsweise aus IndiumAntimonid, dessen Widerstand durch ein magnetisches Feld steuerbar
ist. Feldplatten werden beispielsweise zur Messung von Magnetfeldern verwendet.
Flip-Flop: Bistabiler Multivibrator. Mit einem Flip-Flop kann ein Bit
abgespeichert werden. Das Flip-Flop kennt nur zwei Zustände, die
über einen Eingangsimpuls gesteuert werden. Dabei unterscheidet
man „Bit setzen“ und „Bit löschen“. Flip-Flops werden meist mit
NAND- und NOR-Gattern realisiert.
Fortsetzung folgt in der nächsten Ausgabe
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