E - Desy

Halbleiterdetektoren 1
Benno List
Universität Hamburg
Vorlesung “Detektoren für die Teilchenphysik”
Teil 5
19.11.2007
B. List 19.11.2007
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Literaturhinweise, Quellen
Festkörperphysik
N.W. Ashcroft and N.D. Mermin: Solid state physics, Philadelphia (CBS
Publishing) 1976.
– C. Kittel, Introduction to solid state physics (8th ed.), Hoboken (Wiley) 2005.
–
–
H. Ibach und H. Lüth, Festkörperphysik. Einführung in die Grundlagen, Berlin
(Springer) 2002.
Halbleiterbauteile
–
S.M. Sze and K.K. Ng, Physics of semiconductor devices (3rd ed.), Hoboken
(Wiley) 2007.
Halbleiterdetektoren
–
G. Lutz, Semiconductor radiation detectors. Device physics, Berlin (Springer)
1999.
Vorlesungen:
M. Krammer: Detektoren, VL SS 07,
http://wwwhephy.oeaw.ac.at/p3w/halbleiter/VOTeilchendetektoren.html.
– G. Steinbrück: Detektoren in der Teilchenphysik, Uni Hamburg, WS 06/07.
–
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Einleitung: Halbleiterdetektoren in der HEP
1951: Einsatz von Ge-pn-Dioden als Detektoren (McKay)
In der heutigen Teilchenphysik:
● Einsatz von Streifen- und Pixeldetektoren aus Silizium
●
Sehr gute Ortsauflösung (5-100µm)
– Schnell
– Strahlenhart
–
●
Verbreitung zunehmend in anderen Feldern
Synchrotronstrahlung
– Medizintechnik
–
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Inhalt
●
Heute:
Motivation
– Halbleiterphysik in 30 Minuten
– (Silizium-) Streifendetektoren
–
●
Nächste Woche:
Streifendetektoren: Signal/Rauschen, Ortsauflösung
– Pixeldetektoren
– Neue Detektorkonzepte
– Strahlenschäden
–
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Motivation
●
●
●
●
●
●
Schwere Quarks (c und b) und τ-Leptonen signalisieren häufig
“interessante” Physik: t->b W+, H->bb / ττ, Z0->bb/ττ, etc.
Charm- und Bottom-Hadronen und τ-Leptonen haben
Lebensdauern im ps-Bereich
(D0: 0.41ps, D+: 1.05ps, B0: 1.53ps, B+: 1.64ps, τ: 0.29ps)
mit Flugstrecken im 100μm-Bereich: cτ=87...490μm
Zerfallsteilchen von c,b-Mesonen und τ-Leptonen haben einen
Versatz (Impakt-Parameter) von einigen 10μm
Eine möglichst genaue Spurmessung nahe am Vertex ist nötig, um
schwere Quarks nachzuweisen.
Heutzutage Standard bei allen großen Teilchenphysik-Detektoren
Mittel der Wahl: Silizium-Detektoren (Streifen oder Pixel)
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Beispiel von CMS: pp->ttH, H->bb
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Zoom
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Ein echter Higgs-Candidat bei LEP
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Funktionsweise von Silizium-Detektoren
●
●
●
Diode in Sperrichtung, ca. 300μm dick
Geladenes Teilchen erzeugt Elektron-Loch-Paare in Verarmungszone
Impulse werden verstärkt und nachgewiesen
Metallkontakte
25-100µm
300µm
p+
n-Silizium, verarmt
25-500V
n+
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Teil 1: Halbleiterphysik in 30 Minuten
●
●
●
Bänder, Leitfähigkeit, effektive Masse, Zustandsdichte, FermiEnergie
Dotierung, spezifischer Widerstand
Der PN-Übergang
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Bänder
Erinnerung:
Bei der Bildung von Festkörpern spalten die diskreten Energieniveaus der
Hüllenelektronen einzelner Atome in Bänder auf, sobald sich die Atome so
nahe kommen, dass ihre Elektronenhüllen überlappen.
Energy levels of silicon atoms arranged in a diamond structure. Fig. 2.4 from Lutz
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Bloch'sches Theorem
●
●
●
Das Blochsche Theorem:Die Lösungen der
Schrödingergleichung in einem periodischen Potential haben die
Form ebener Wellen, multipliziert mit einer Funktion mit der
Periodizität des Bravais-Gitters.
Alternative Formulierung:Jedem Energieeigenzustand im
periodischen Potential kann man einen Wellenvektor k zuordnen,
so dass
Ψ(r+R) = eik·R Ψ(r)
für jeden Ortsvektor R im Bravais-Gitter gilt.
Das bedeutet: Es gibt für die einzelnen Bänder
Dispersionsrelationen, die eine Verbindung zwischen Wellenvektor
(also Impuls) und Energie herstellen.
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Zustandekommen der Bänder
(a) Dispersionsrelation für ein freies
Elektron
● (b) 2. Elektronpotential, verschoben um K
● (c) Aufhebung der Entartung am
Kreuzungspunkt
● (d) Dispersionsrelation mit Bandlücken
● (e) Gefaltet in die erste Brillouin-Zone
● (f) Im periodischen Potential
●
Aus Ashcroft&Mermin, Fig. 9.4
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Bandstruktur von Silizium
●
Parabeln im 3D-Raum plus Aufhebung der Entartung
aus Ashcroft&Mermin, Fig. 9.5
nach Sze, Fig. 5, verändert
aus Ashcroft&Mermin, Fig. 9.5
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Leiter, Halbleiter, Isolatoren
●
●
●
Elektrische Leitfähigkeit benötigt teilweise gefüllte Bänder;
volle und leere Bänder tragen nicht zur Leitfähigkeit (elektrisch und
thermisch) bei!
Leiter: halb gefülltes Band, oder überlappende Bänder
Halbleiter: Valenzband (oberstes gefülltes Band) und Leitungsband
(unterstes leeres Band) sind nur durch eine geringe Bandlücke
(~1eV) getrennt
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Ladungsträger im Halbleiter
●
●
●
●
Elektronen im Leitungsband sind Ladungsträger
Fehlende Elektronen im Valenzband heißen Löcher und sind
ebenfalls (positiv geladene) Ladungsträger
Löcher sind ein quantenmechanisches Phänomen!
Ein Loch ist nicht ein fehlendes Elektron an einem bestimmten Ort!
(Vorzeichen der Hallspannung)
Elektronen und Löcher (definierter Energie) haben definierte
Impulse, sind nicht lokalisiert
Sehr naïve
Vorstellung!!!
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Effektive Masse
●
●
●
Für ein freies Elektron gilt
E=p2/2m = ħ2k2/2m.
In Analogie kann man die effektive Masse meff eines
Elektrons in einem Band in der Nähe eines Minimums
entlang einer Kristallrichtung definieren, so dass gilt:
E = ħ2k2/2meff + EC .
EC ist die untere Bandkante (C steht für conduction
band, V für valence band).
Analog kann man auch für Löcher eine effektive
Masse definieren.
Silizium:
Elektronen: mn = 0.98 / 0.19 me (long/transv.)
Löcher:
mp = 0.16 / 0.49 me (leicht/schwer)
nach Sze, Fig. 5, verändert
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Besetzungswahrscheinlichkeit
●
●
●
Elektronen folgen der Fermi-Dirac-Statistik.
Die Besetzungswahrscheinlichkeit Fn(E) eines Zustandes der Energie E bei der
Temperatur T beträgt also
Fn(E) = 1/(1+exp ((E-EF)/kT)),
wobei k die Boltzmann-Konstante und EF die Fermi-Energie ist.
Besetzungswahrscheinlichkeit für Löcher: 1-Fn(E)
Fp(E) = 1-Fn(E) = 1/(1+exp (-(E-EF)/kT)).
Wichtige Zahl: kT=25,9 meV bei T=300K => Bandlücke Si: 1,12eV = 43,2 kT!
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Fermi-Energie
●
●
●
Intrinsischer Halbleiter (ohne Dotierung):
Gesamtanzahl von Elektronen und Löchern muss gleich sein
=> Integral Zustandsdichte*Besetzungswahrscheinlichkeit muss
gleich sein für Valenz- und Leitungsband
=> bestimmt die Fermi-Energie
Fermi-Energie liegt fast genau in der Mitte zwischen den Bändern!
Bänder
Aus Sze, Fig.
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Zustandsdichte
Besetzungswahrscheinlichkeit
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Ladungsträgerdichte
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Ladungsträgerdichte
●
Die Ladungsträgerdichte ist das Integral über Besetzungswahrscheinlichkeit mal
Zustandsdichte:
n = 2 (2π mn kT/h2)3/2 exp (-(EC-EF)/kT)) = NC exp (-(EC-EF)/kT))
p = 2 (2π mh kT/h2)3/2 exp (-(E -E )/kT)) = NV exp (-(E -E )/kT)).
F
●
V
F
V
Das Produkt n·p hängt nicht von der Fermi-Energie ab, sondern nur von der
Bandlücke EG = EC -EV:
n 2 = n·p = N · NV exp (-(E -E )/kT))
i
C
C
V
Dabei ist ni die intrinsische Ladungsträgerdichte.
●
●
Mit der Definition der intrinsischen Energie Ei kann man schreiben:
n = ni·exp (-(EF-Ei)/kT)) und
p = ni·exp (-(Ei-EF)/kT)),
dabei ist
Ei = (EC + EV)/2 + 3kT/4 · ln(mp/mn)
Silizium bei 300K: ni = 1.45·1010 cm-3 , EG = 1.12 eV.
vergleiche Atomdichte: 5.0·1022 cm-3 => 3.4·1012 größer!
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Drift und Mobilität
●
●
●
●
Elektrisches Feld beschleunigt
Ladungsträger
Kollisionen mit Gitterdefekten
bremsen sie wieder ab
Resultat: Drift
Für kleine Felder gilt:
νn = -q·τC/mn E = -μn E
Dabei ist: νn : Driftgeschwindigkeit, q: Ladung, τ C: mittlere Zeit zwischen Kollisionen,
mn: effektive Masse der Elektronen, E : elektrische Feldstärke, μn: Mobilität der
Elektronen
●
Silizium (bei 300K):
μn = 1450 cm2 / Vs
μp = 450 cm2 / Vs
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Lorentzwinkel
●
●
●
●
Bei Magnetfeld senkrecht zum E-Feld:
Lorentzkraft wirkt auf Ladungsträger FL = q v·B
(v: Driftgeschwindigkeit, q: Ladung)
mit v = µ·E folgt:
tan θL = µH·B
Die Mobilität ist eine etwas andere als beim Drift,
namlich die Hall-Mobilität:
µnH=1670 cm2/Vs für Elektronen,
µpH= 370 cm2/Vs für Löcher
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FL=qμEB
θL
FE=qE
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Diffusion
●
●
●
●
Inhomogene Ladungstägerverteilungen führen zu Diffusion
Diffusionsgesetz:
Fn = -Dn ∇ n
Fn ist der resultierende Fluss der Elektronen.
Zusammen mit Drift: Strom
Jn = qμn n E +q Dn ∇ n
Einstein-Relation verbindet Diffusionskonstante Dn und Mobilität μn:
Dn = kT/q · μn
Nützliches Resultat:
● Für eine gaussische Ladungsverteilung wächst das σ mit
σ(t) = sqrt (2 Dn (t+t0)), wobei t0= σ2(0)/2Dn
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Halbleiter im Periodensystem
●
●
●
●
Gruppe-IV-HL:
Si, Ge
4 Valenzelektronen
Gruppe III-V-HL:
GaAs
(3+5)/2 Valenzelektr.
Gruppe III:
3 Elektronen
=> 1 Loch
“Akzeptoren”
Gruppe V:
5 Elektronen
=> 1 Leitungselektron
“Donatoren”
http://www.pci.unizh.ch/e/documents/Periodensystem.jpg
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Eigenschaften von Silizium
Ordnungszahl Z
Atomgewicht A
Gitterkonstante a
Dichte ρ
Bandlücke Eg bei 300K
Bandlücke Eg bei 0K
Dielektrizitätskonstante ε
Schmelzpunkt
Effektive e-Masse mn
Effektive Loch-Masse mp
1,12 eV
1,17 eV
11,9
1415 ˚C
0,98 / 0,19 me
0,16 / 0,49 me
Eff. Zustandsdichte im LB nCB
3·1019 cm-3
Eff. Zustandsdichte im VB nVB
1·1019 cm-3
Mobilität der Elektronen μn bei 300K
Mobilität der Löcher μp bei 300K
Intrins. Ladungsträgerdichte bei 300K
Intrins. Widerstand bei 300K
1450 cm2 / Vs
450 cm2 / Vs
1,45·1010 cm-3
230 kΩ cm
Mittlere Energie für eh-Paarerzeugung
Min. Energieverlust (dE/dx)min
1,664 MeV/(g/cm2)
Strahlungslänge X0
21,82 g/cm2
Wechselwirkungslänge λI
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Silizium
14
28,086
5,431 Å
2,328 g/cm3
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3,62 eV
106 g/cm2
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Dotierung
●
Dotierung: Geringe Beigaben von Elementen der
Gruppen III (Akzeptoren, liefern Löcher, bzw.
– Gruppe V (Donatoren, liefern Leitungselektronen)
–
●
●
Erhöht Ladungsträgerdichte
Ein Ladungsträgertyp überwiegt
Gruppe III: Akzeptoren
(z.B. Bor)
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Gruppe V: Donatoren
(z.B. Phosphor)
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Dotierung im Bändermodell
●
●
●
Donatoren: zusätzliche, volle Zustände nahe am Leitungsband
=> (viel) mehr freie Elektronen als Löcher: “n-Leiter”
Akzeptoren: zusätzliche, leere Zustände nahe am Valenzband
=> (viel) mehr Löcher als Leitungselektronen: “p-Leiter”
Geringe Beigaben
von Dotierungselementen (typ. 10-7)
verschieben die
Fermi-Energie
dramatisch!
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Aus Sze, Fig.
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Dotierung im Bändermodell
●
Fermi-Energie wandert von der Mitte der Bandlücke in die Nähe der
Donator- bzw. Akzeptor-Niveaus
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Spezifischer Widerstand
●
●
Spezifischer Widerstand: Gegeben durch
(Einheit: Ω·cm, R=ρ·d/A)
Normalerweise überwiegt Leitung durch
einen Ladungsträgertyp, und der andere kann vernachlässigt
1ppb
1ppm
0,1% 1%
werden
Geeignet für Sensoren
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Sze, Fig. 21
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Der pn-Übergang
●
●
●
Fermi-Energie muss im Festkörper konstant sein
Elektronen und Löcher diffundieren, bis sich resultierendes
elektrisches Feld und Konzentrationsgefälle kompensieren
Resultat: Ladungsträgerarme Zone: Verarmungszone zwischen pund n-leitendem Gebiet
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pn-Übergang quantitativ
Annahmen:
●
●
●
Abrupter Übergang zwischen konstanten
Akzeptor- und Donator-Konzentrationen NA
und ND
Majoritäts-Ladungsträgerdichten sind
gegeben durch NA und ND
Ladungsträgerdichte ändert sich abrupt
(widerspricht Diffusionsgesetz)
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pn-Übergang quantitativ, cont'd
Rechnung:
● Poisson-Gleichung:
mit E x = − dU / dx
2
d U (x) − ρ (x)
=
2
dx
ε ε0
=>
dEx ( x ) ρ ( x)
=
dx
ε ε0
●
Ladungsneutralität: a ND = b NA
●
1. Integration ergibt Ex
●
●
●
a b
2. Integration ergibt Potential U
2ε ε0U 0
b
(
a
+
b
)
=
Resultat:
eN A
Für stark asymmetrischen Übergang p+/n:
(ND<<NA), mit d=a+b≈b:
2ε ε0U 0
(U0 enthält die eingebaute d = eN
A
Spannung Ubi!)
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Diffusionsspannung
●
●
Ohne externe Spannung bildet sich eine interne Potentialdifferenz,
die Diffusionsspannung:
V0 gleicht den Unterschied zwischen den Fermi-Niveaus der p- und
n-dotierten Seite aus
B. List 19.11.2007
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Der pn-Übergang in Durchlassrichtung
●
●
●
●
Negative Spannung an n-Gebiet,
positive Spannung an p-Gebiet:
Ladungsträger werden “nachgeliefert”
Verarmungszone wird schmaler
Mehr Strom fließt
Bandschema:
● Potentialbarriere wird verkleinert
● Diffusion wird erleichtert
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Der pn-Übergang in Sperrichtung
●
●
●
●
Positive Spannung an n-Gebiet,
negative Spannung an p-Gebiet:
Ladungsträger werden “abgesaugt”
Verarmungszone wird breiter
Weniger Strom fließt
Bandschema:
● Potentialbarriere wird vergrößert
● Diffusion wird erschwert
Wichtig:
● Ladungsträgerpaare, die in der
Verarmungszone erzeugt werden, fließen nach
beiden Seiten hin ab!
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Die Shokley-Gleichung
●
●
●
Theorie von Shokley (1949) berücksichtigt nur Diffusionsstrom
Sperrstrom: JS = e (np,0 Dn/Ln + pn,0 Dp/Lp)
mit der Diffusionslänge Ln/p= sqrt(Dn·τr, n/p ), dabei ist
τr, n/p die Rekombinationslebensdauer
im n/p-Gebiet, und
np,0 bzw. pn,0 sind die Minoritätsladungsträgerdichten
Die Shokley-Gleichung:
I(U) = Js (exp(qU/kT) - 1)
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Diodenkennlinie, real
●
●
●
●
Shokley-Theorie macht diverse
Näherungen
Ge-Dioden auch im Sperrbereich
recht gut beschrieben, aber nicht Si!
Wichtigster Grund:
Vernachlässigung der
Ladungstragererzeugung in der
Sperrzone
(Generationsdunkelstrom):
jgen ≈ e/2 ni/τg·W
τg: Generationslebensdauer,
W: Breite der Verarmungszone
Sze, Fig. 21
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Dunkelstrom
●
●
●
Shokley-Gleichung sagt für den Sperrstrom voraus:
JS = e (np,0 Dn/Ln + pn,0 Dp/Lp),
das ist der sog. Diffusionsdunkelstrom
Ursache: Thermisch generierte Ladungsträger außerhalb der
Verarmungszone wandern in die Verarmungszone ein, bevor sie
regenerieren
Weit wichtiger bei Silizium-Sensoren:
Der Generations-Dunkelstrom (generation dark current):
Ursache: Ladungsträgerpaare, die in der Verarmungszone erzeugt
und durch das elektrische Feld getrennt werden
Stromdichte des Generations-Dunkelstroms:
W: Breite der Verarmungszone,
τ0: Erzeugungslebensdauer (generation lifetime) der
Minoritätsladungsträger in der Verarmungszone
(Größenordnung ms)
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Energieverlust in Silizium
●
Erinnerung: Bethe-Bloch-Formel
●
Energieverlust streut um Mittelwert: Theorie von Landau
Mittlerer Energieverlust von Pionen
in Silizium
e+
Energieverlust
von 2-GeV Positronen,
Pionen und Protonen
in 290µm Silizium
π
p
Lutz, Fig.
2.14
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Lutz, Fig. 2.15
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Seite 39
Erzeugung von Ladungsträgerpaaren
●
Ionisationsenergie wird vollstandig aufgebraucht durch:
Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren
– Erzeugung von Phononen
–
●
●
●
Mittlere Anzahl von Elektron-Loch-Paaren bei Energiedeposition E:
<N> = E/Epair
Epair ist Energie für ein Elektron-Loch-Paar; Epair = 3.eV in Si
(Epair ist signifikant größer als Bandlücke Eg = 1.12eV!)
N ist nicht Poissonverteilt (sondern die Anzahl der Phononen)!
Varianz von N ist gegeben durch
<∆N2> = F·E/Epair
Der Fano-Faktor [1 F [1] ist immer deutlich kleiner als 1,
für Si: F = 0.08.
[1] U. Fano, Ionization yield of radiations. II. The fluctuations of the number of ions, Phys. Rev. 72 (1947) 26-29
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Teil 2: Silizium-Streifendetektoren
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Seite 41
Entwicklung der Streifendetektoren
●
Erste Streifendetektoren: ca. 1983
CMS
ATLAS
CDF-II
CDF
E. Belau et al, Nucl. Instr. Meth. 217 (1983) 224.,
ibid. 214 (1983) 253.
H1
NA14
1997 H1
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Seite 42
Streifendetektoren
H1
CDF
CMS
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Seite 43
Mikro-Streifen-Detektoren: Prinzip
●
●
●
●
Ebener Sensor (ähnlich Solarzelle)
Vollständig verarmt durch externe Spannung (25-500V)
Streifen an Oberfläche(n) sammeln Ladung aus
Teilchendurchgang
Extern: Verstärker und weitere Elektronik
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Warum Silizium?
Si
• zur Zeit bester Kompromiss für
Streifendetektoren
•Ausgereifte, weitverbreitete Technologie
Ge
GaAs
●
aber: Ladungssammlungseffizienz sehr
abhängig von Reinheit und Zusammensetzung
●
●
kleine Bandlücke -> hohe erzeugte
Ladung -> gut geeignet für Energiemessung
gutes Verhältnis erz. Ladung/ Rauschen
strahlungshart
●
hohe intrinsische Ladungsträgerkonz. ->
Muss gekühlt werden (fl. N2)
●
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Diamant
●
strahlungshart, aber noch recht teuer
●
Ladungssammlungslänge ca 80µm
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Wafer-Herstellung
Wafer für Sensoren:
● Zylindrische Einkristalle (Ingots):
10-15cm Durchmesser (4”, 6”)
– Gitterorientierung <111> oder <100>
(in Längsrichtung)
– Spez. Widerstand 1-10kΩcm
=> viel reiner als für Mikrochips
–
●
●
●
Herstellung im FloatingZone-Verfahren
Waferdicke 500μm
Polieren auf 300μm
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Planartechnologie (vereinfacht)
Ausgangspunkt: Hochreines Silizium
1. Oxidieren => SiO2-Schicht
2. Photolithographie+Ätzen => Fenster (z.B. Für Streifen)
3. Dotieren mit Ionenimplantation oder Diffusion,
z.B. Vorderseite Bor, Rückseite Arsen
4. Ausheilen (Annealing) der Strahlenschäden durch Tempern
bei ca. 600˚C => Dotierungsatome wandern auf reguläre Gitterplätze
5. Metallisierung mit Aluminium durch Sputtern oder Aufdampfen
6. Strukturieren der Metallisierung durch Photolithographie und Ätzen
7. Metallisierung der Rückseite, Tempern, Schneiden
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Bonding
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Wire-Bonding: Dünne
Aluminiumdrähte (17-25µm) werden
mit Ultraschall auf entsprechende
Metallkontakte (bond pads)
aufgedrückt
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Auslesechips
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Vielkanal-Vorverstärkerchips (typ. 128 Knäle pro Chip)
Direkt an Sensoren gebondet
Teilweise mit integrierter Signalverarbeitung (Treffer-identifikation)
Auslesechips sind durchgängig Eigenentwicklungen aus den
HEP-Instituten: ASIC: Application Specific Integrated Circuit
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Guard-Ringe
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Kristallfehler an den Schnittkanten
verursachen hohe Leckströme
Sogenannte Guard-Ringe aus p+-Implantat
umgeben das sensitive Gebiet und saugen
Leckströme auf
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AC- und DC-Kopplung
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Typisches Signal bei Teilchendurchgang: 4fC
Typischer Leckstrom pro Streifen: 1nA => 1fC pro 1000ns
Verstärker müssen sehr kleine Ladung messen, Leckstrom stört
DC-Kopplung (DC=direct current): Streifen sind direkt mit
Verstärker verbunden, Leckstrom fließt durch Verstärker
Sensorherstellung einfacher
– Verstärkerdesign wird schwieriger, u.U. Suboptimales Rauschverhalten
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AC-Kopplung (AC=alternating current): Streifen wird über
Kopplungskondensator mit Verstärker verbunden
Optimal für Verstärker => heute allgemein Standard
– Integration der Kondensatoren auf Sensor nicht trivial
– Falls Bias-Spannung (Verarmungsspannung) über Kopplungskondensatoren
abfällt, begrenzen Kopplungskondensatoren die Spannungsfestigkeit
– Leckströme müssen über zusätzliche Widerstände abgeführt werden
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AC-Kopplung: Beispiel CMS
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Einseitige und Doppelseitige Sensoren
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Einseitige Streifensensoren:
Nur auf einer Seite befinden sich Auslesestreifen (meist p-Seite)
Einfacherer Aufbau => relativ presiwert herstellbar (ab ca. 1EUR/cm2)
– Nur eine Koordinate wird mit einer Sensorlage gemessen => mehr Material
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Doppelseitige Streifensensoren:
Auf beiden Seiten befinden sich Auslesestreifen
Aufwändige Herstellung => teuer! (Chiptechnologie immer einseitig!)
– Beide Koordinaten werden gleichzeitig gemessen => weniger Material
– Herausführen der Signale erfordert i.d.R. Zweite Metallage mit orthogonal
laufenden Streifen => teuer, hohe Kapazität => schlechtes Rauschverhalten
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Doppelseitige Sensoren sind chic,
werden aber eher selten eingesetzt
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