Cu-ETP1

Cu-ETP1
Werksto-Nr.: 2.0060
Cu-ETP1 ist ein durch eletrolytische Ranation hergestelltes, sauerstohaltiges (zähgepoltes) Kupfer, das eine sehr hohe Leitfähigkeit für Wärme und Elektrizität (im weichen Zustand min. 57m · Ω−1 /mm2 ) aufweist.
Halbzeug aus Cu-ETP1 wird meistens über gegossene Formate, wie z. B. Walzbarren und Guÿdrähte, mittels
Umformung gefertigt; das ausgezeichnete Formänderungsvermögen (Umformbarkeit) kommt hier sehr der Fertigung entgegen. Aufgrund des Sauerstogehaltes können keine Anforderungen an die Hartlöt- und Wachweiÿbarkeit gestellt werden (Wasserstokrankheit). Cu-ETP1 kommt zum Einsatz, wenn hohe elektrische Leitfähigkeit
verlangt wird (Elektrotechnik, Elektronik)[1].
1. Zusammensetzung nach DIN 17 666*)
Massenanteil in %
Cu
Sauersto
99,90% 1 ) 0,005 bis 0,040% 2 )
1
) Der Reinheitsgrad gilt als eingehalten, wenn die elektrische
Leitfähigkeit im weichen Zustand min. 57,0m/(Ω · mm
2
)
beträgt. Probenahme und Prüfverfahren sind zu vereinbaren.
2
) Lokale Überschreitungen des oberen Grenzwertes sind zulässig.
Einschränkungen innerhal der angegebenen Grenzen sind bei
Bestellung zu vereinbaren.
*) Gültig sind jeweils die neuesten Ausgaben der Normen
2. Physikalische Eigenschaften
2.1 Dichte im festen Zustand
bei 20 ◦ C
8, 93 kg/dm3
bei Schmelztemperatur 8, 32 kg/dm3
(Die Temperaturabhängigkeit ist linear)
2.2 Schmelztemperatur
(Liquidustemperatur)
1083 bzw. 1089 ◦ C
2.3 Längenausdehnungskoezient
bei -253 ◦ C
0, 3 · 10−6 K−1
bei -183 ◦ C
9, 5 · 10−6 K−1
◦
von -191 bis 16 C
14, 1 · 10−6 K−1
von 20 bis 100 ◦ C
16, 8 · 10−6 K−1
von 20 bis 200 ◦ C
17, 3 · 10−6 K−1
von 20 bis 300 ◦ C
17, 7 · 10−6 K−1
2.4 Spez. Wärmekapazität
bei -253 ◦ C
0,013 J/(g·K)
bei -150 ◦ C
0,282 J/(g·K)
bei -50 ◦ C
0,361 J/(g·K)
bei 20 ◦ C
0,386 J/(g·K)
bei 100 ◦ C
0,393 J/(g·K)
bei 200 ◦ C
0,403 J/(g·K)
bei 300 ◦ C
0,415 J/(g·K)
2.5 Wärmeleitfähigkeit
bei -253 ◦ C
1298 W/(m·K)
bei -150 ◦ C
574 W/(m·K)
bei -50 ◦ C
435 W/(m·K)
bei 20 ◦ C
394 W/(m·K)
bei 100 ◦ C
385 W/(m·K)
bei 200 ◦ C
381 W/(m·K)
bei 300 ◦ C
377 W/(m·K)
2.6 Spez. elektrische Leitfähigkeit
Zustand geglüht
bei -200 ◦ C
460 m/(Ω·mm2 )
bei -100 ◦ C
110 m/(Ω·mm2 )
bei 20 ◦ C
57 m/(Ω·mm2 )
bei 100 ◦ C
43 m/(Ω·mm2 )
bei 200 ◦ C
33 m/(Ω·mm2 )
bei 300 ◦ C
24 m/(Ω·mm2 )
Zustand kaltumgeformt
bei 20 ◦ C
55 bis
57 m/(Ω·mm2 )
2.7 Spez. elektrischer Widerstand
Zustand geglüht
bei -200 ◦ C
0,002 Ω·mm2 /m
bei -100 ◦ C
0,009 Ω·mm2 /m
bei 20 ◦ C
0,018 Ω·mm2 /m
bei 100 ◦ C
0,023 Ω·mm2 /m
bei 200 ◦ C
0,030 Ω·mm2 /m
bei 300 ◦ C
0,042 Ω·mm2 /m
Zustand kaltumgeformt
bei 400 ◦ C
0,017 bis
0,018Ω·mm2 /m
2.8 Temperaturkoezient des elektrischen Widerstands
bei 20 ◦ C (gültig von -100 bis 200 ◦ C)
Zustand geglüht
0,00393 K −1
Zustand kaltumge0,00381 K −1
formt
2.9 Elastizitätsmodul
Zustand kaltumgeformt
bei 20 ◦ C
130 kN/mm2
bei 100 ◦ C
126 kN/mm2
bei 200 ◦ C
122 kN/mm2
bei 300 ◦ C
116 kN/mm2
Zustand geglüht
bei 20 ◦ C
110 kN/mm2
2.10 Spez. magnetische Suszeptibilität bei 20
Cu-ETP1 besitzt weder para- noch ferromagnetische
Eigenschaften. Die Suszeptibilität liegt bei
ca. 7,96 ·10−3 .
◦C
alle Angaben ohne Gewähr
2.11 Kristallstruktur/Gefüge
Cu-ETP1 kristallisiert in einem kubisch-ächenzentrierten Gitter. Der vorhandene Sauersto
(Löslichkeitsgrenze bei 0,09 Massen-%) tritt als
Kupfer(I)-oxid gebunden auf, das mit Kupfer ein
Eutektikum bildet und je nach Herstellung entweder
als netzförmig zusammenhängendes Gebilde an Korngrenzen ausgeschieden wird oder verteilt in Form
von kugelförmigen Einschlüssen vorliegt.