Variante D: 1)NAND-Glied: zeichnen und Schaltbelegungstabelle Negator: dasselbe 2.) Zeigen dass NOR uns AND mit invertierendem Eingang dieselbe Schaltfunktion besitzen + Schaltbelegungstabelle 3.) Berechnung am Bipolartransistor 4.) BCD 0111 1000 1001 in Dezimalzahl umwandeln 5.) Y=(A+B)quer + A*Bquer + Aquer*B mit De Morgan vereinfachen Variante F: 1. NAND und Negation (aus nand basteln), Schaltbild zeichnen und Schaltbelegungstabelle zu beiden 2. Beweisen das NAND und OR mit invertierenden Eingang selbe Schaltfunktion besitzten (->de Morgan) + Schaltbelegungstabelle 3. Berechnungen am Transistor (ähnlich wie oben) 4. y=x1+x2quer Schaltbelegungstabelle 5. 51 als BCD Zahl darstellen Variante E: 1.) Bipolar: a)Icx und Ibx b) erforderliche mind spannung ue errechnen, bei uq 5% beachten...B und übersteuerung geg 2.) BCD 3.) Theorem De Morgan NOR Fkt, und mit NAND realisieren 4.) NAND und NEGATOR; zeichnen und schalbelegunstabelle 5.) geg schaltung aus NAND; y aufstellen und schaltbelegungstabelle ps. bei wahrheitstabelle 00 01 10 11 einhalten, ein "ungeschriebenes gesetz" Tipps: Die Lösung ist nicht Mensch, Maschine und Schnittstelle (so wie es hier irgendwo steht), sondern z.B ein Bitfehler o.ä. Wird ein Transistor als Schalter eingesetzt, muss er übersteuert werden. Das bedeutet, dass der Basisstrom höher als nötig eingestellt werden muss. Wenn man die Stromverstärkung h21 genau kennt, bräuchte man nur wenig zugeben. Denn je größer der Basisstrom, desto langsamer öffnet der Transistor wieder, denn die Ladungsträger müssen erst wieder aus der Basis abfließen können. In der Praxis kennt man oft die exakte Stromverstärkung nicht, also wählt man größzügig z.B. einen 3mal größeren Basisstrom. Im Ausgangskennlinienfeld ist die Arbeitsgerade für eine ohmsche Last blau eingezeichnet. Die beiden Arbeitspunkte für den Schaltbetrieb in Rot. Die unterste Kurve gibt das Verhalten für Basisstrom Ib=0 wieder. Im Schnittpunkt dieser Kurve mit der Arbeitsgeraden befindet sich der Arbeitspunkt für "Transistor gesperrt". Der obere Arbeitspunkt steht für "Transistor leitend", also voll durchgesteuert. Man erkennt sofort, dass eine weitere Steigerung des Basisstroms den Kollektorstrom kaum noch beeinflusst. Dieser maximale Kollektorstrom charakterisiert den Zustand der Sättigung. Der dafür minimal nötige Basisstrom ist somit der Basissättigungsstrom.