r - Institut für Experimentelle Physik

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PHYS3100 Grundkurs IIIb für Physiker
Othmar Marti
Experimentelle Physik
Universität Ulm
[email protected]
Vorlesung nach Tipler, Gerthsen, Alonso-Finn, Halliday
Skript: http://wwwex.physik.uni-ulm.de/Lehre/gk3b-2003-2004
Übungsblätter und Lösungen: http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/gk3b-2003-2004/ueb/ue#
29. Oktober 2003
Universität Ulm, Experimentelle Physik
http://wwwex.physik.uni-ulm.de/Lehre/gk3b-2003-2004
29. Oktober 2003
Coulomb-Gesetz erraten
~ (~
• F
r ) ist ein Vektorfeld.
~ ist
• Der mathematische Fluss dieses Vektorfeldes durch ein Flächenelement dA
~ ·F
~ (~
~ die Richtung der Normalen zu
dΦ(~
r ) = dA
r), wobei die Richtung von A
diesem Flächenelement ist.
2
• RR
Der gesamte Fluss
durch
die
Kugeloberfl
äche
A(r)
=
4πr
ist durch Φ(r) =
RR
~ (~
~ gegeben.
dΦ(~
r) = A F
r)dA
A
~ (~
• Da das Problem kugelsymmetrisch ist, kann F
r) nicht von der Richtung abhängen
und muss radial sein. Damit kann die Kraft vor das Integral genommen werden.
RR
• Φ(r) = F (r) A dA = 4πr 2F (r)
~ unabhängig von r sein soll, so muss die Kraft
• Wenn der Fluss des Vektorfeldes F
umgekehrt proportional zu r 2 sein.
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29. Oktober 2003
Elektrostatisches Feld
~ (~
F
r)
~
E(~
r) = lim
q→0
q
(1)
Wir definieren
Das elektrische Feld der Ladung Q ist durch
~ r) =
E(~
1 Q ~r12
2 r
4π²0 r12
12
(2)
gegeben.
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2
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Elektrische Felder von Ladungsverteilungen
N
X
N
X
1
qi
~r − ~ri
~
~
E(~r) =
E(~r − ~ri) =
2 |~
4π²
|~
r
−
~
r
|
r − ~ri|
0
i
i=0
i=0
(3)
∆Q(~r)
ρel(~r) = lim
∆V →0 ∆V
(4)
~ r0) =
E(~
1
4π²0
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ZZZ
ρel(~r) ~r0 − ~r
dV
2
|~r0 − ~r| |~r0 − ~r|
(5)
3
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Berechnung der eingeschlossenen Ladung
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Carl Friedrich GAUSS (1777 - 1855)
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29. Oktober 2003
Approximation von beliebigen Oberflächen durch Kugelsegmente. Approximation einer
kontinuierlichen Ladungsverteilung durch Punktladungen.
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Dielektrische Verschiebung
~ r) = ²0E(~
~ r)
D(~
(6)
~ = C/m2 = As/m2
Die Einheit der dielektrischen Verschiebung ist [D]
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ZZ
ZZ
~ r) · ~n(~r)da(~r) (7)
D(~
~ r) · d~a(~r) =
D(~
a
A
= Qin A
ZZZ
=
ρel(~r)dV
V (A)
~ r) = ρel(~r)
div D(~
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(8)
8
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Dipole
Kräfte auf einen Dipol im homogenen elektrischen Feld
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Geladene Kugelschale
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Robert Jemison VAN DE GRAAFF (1901 - 1967)
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Kugelschale
E-Feld einer Kugelschale
2
E(x)
E
1.5
2
Er = Q/(4π ε0 r )
1 Er = 0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
r
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geladene Kugel
E-Feld einer homogen geladenen Kugel
2 Er = Qr/(4π ε0 R2)
Ek(x)
E
1.5
2
Er = Q/(4π ε0 r )
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
r
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Integrationsfläche
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29. Oktober 2003
Elektrisches Feld ungleich geladener Flächen
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29. Oktober 2003
Elektrisches Feld gleich geladener Flächen
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29. Oktober 2003
Inneres eines Leiters
Leiter haben in ihrem Inneren keine statischen elektrischen Felder.
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Integrationsfläche
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29. Oktober 2003
Makroskopisch beobachtbare Ladungen an Oberflächen von Leitern
• Die makroskopisch beobachtbare elektrische Ladung eines Leiters befindet sich auf
seiner Oberfläche.
• Das elektrische Feld an der Oberfläche eines Leiters steht senkrecht zu dieser Oberfläche und hat die Grösse Er = σ/²0
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Influenz
Links: Feldlinien in der Nähe eines Leiters. Rechts: Diese Feldlinien können
mit einer Bildladung erklärt werden.
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Existenz der potentielle Energie
Eine potentielle Energie existiert, wenn
• Die Arbeit W (~r1 → ~r2)unabhängig vom Weg ist.
• Die Arbeit für jede geschlossene Bahn null ist.
~ × F~ (~r) = 0 für alle ~r
•∇
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Approximation eines beliebigen Integrationsweges
KreisR
~ ·d~s = 0,
segmente. Auf den Kreissegmenten (grün) ist E
R
R
~
entlang der radialen Teile ist E · d~s = E(r)ds.
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Beziehungen
/q
F~ (~r)

R

− F~ d~ry
x
 ~
−∇Epot
−→
←−
·q
~ (~r)
E

~ r
− Ed~
y
R
x
 ~
−∇U
/q
Epot (~r)
−→
←−
U (~r) = U (~r)
·q
(9)
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Potential eines Kreisringes
Kreisring: Potential entlang der Symmetrieachse
0.6
U(x)
0.5
U
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
x
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Potential einer Kreisscheibe
Kreis: Potential entlang der Symmetrieachse
2
U(x)
U
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
x
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Potential einer Ebene
Homogen geladene Ebene: Potential
2
U(x)
1
U
0
-1
-2
-3
-4
-2
0
2
4
x
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Potential einer Kugelschale
Homogen geladene Kugelschale: Potential
2
U(x)
U
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
x
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Potential einer Linienladung
Homogene Linienladung: Potential
2
U(x)
1
U
0
-1
-2
-3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
x
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Kapazität: Integrationsfläche
Integrationsoberfläche an der Grenze Metall-Vakuum
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Plattenkondensator
Geometrie eines Plattenkondensators. Wir betrachten auf beiden Seiten eine
Fläche A die jeweils in eine unendlich ausgedehnte Fläche eingebettet ist.
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Parallelschaltung von Kondensatoren
Parallelschaltung von Kondensatoren
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Reihenschaltung von Kondensatoren
Reihenschaltung oder Serienschaltung von Kondensatoren
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