Aktuelle Herausforderungen der

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Dünnschichttechnologie
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
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Aktuelle Herausforderungen der Dünnschichttechnologie
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen
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Dünne Schichten
Vorteile
• definierte Herstellbarkeit von Materialien mit
- (fast) beliebiger Zusammensetzung,
- (fast) beliebiger Struktur
- höchster Reinheit
Probleme
• aufwändige Anlagen mit mäßigem Durchsatz
• hohe Stück- bzw. Flächenkosten
• Bauteileinschränkungen durch Kammerprozesse
• Geometrie-Einschränkungen durch Zugänglichkeit
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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• präzise laterale Strukturierbarkeit
• geringster Materialverbrauch
(1 cm³ für 1 µm auf 1 m²)
Aktuelle Herausforderungen
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Anwendungen dünner Schichten
problematisch
Kosten
hochwertige Produkte
billige Massenware
Materialeigenschaften
Bauteile
nur als Schicht möglich
klein
einfache Gestalt
glatte Oberfläche
alternativ realisierbar
groß
komplexe Gestalt
raue Oberfläche
Beispiele
Mikrochip
Zahnrad
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günstig
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen
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Schicht
Lässt sich das gewünschte Schichtsystem herstellen?
wichtige Größen:
Schichteigenschaften, Haftfestigkeit, Topographie
Bauteil
Lässt sich das gewünschte Schichtsystem auf dem
vorliegenden Bauteil abscheiden?
wichtige Größen:
Bauteilgeometrie, Temperaturbeständigkeit,
Oberflächenbeschaffenheit / Vorbehandlung
Wirtschaftlichkeit
Lässt sich das gewünschte Schichtsystem mit
akzeptablen Kosten abscheiden?
wichtige Größen:
Investitionskosten, Produktivität, Materialkosten,
Personalaufwand (Nebenprozesse, Qualitätskontrolle)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Auswahlkriterien
Dünnschichttechnologie
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Aktuelle Herausforderungen der Dünnschichttechnologie
Schichteigenschaften
Bauteile / Substratmaterialien
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Wirtschaftlichkeit
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Angestrebte Schichteigenschaften
hohe Leistungsfähigkeit
(auch unter harten Einsatzbedingungen)
z.B.: hohe Härte (auch bei erhöhten Temperaturen)
Multifunktionalität
(auch bei gegensätzlichen Eigenschaften)
z.B. Transparenz + Leitfähigkeit
selektive Empfindlichkeit bei gleichzeitiger Unabhängigkeit von anderen Einflüssen
für Sensorik,
z.B. dehnungsabhängiger Widerstand, unabhängig von Temperatur
der Schichteigenschaften
z.B. von außen steuerbare Transparenz
Anpassungsfähigkeit
an wechselnde Einsatzbedingungen
z.B. selbsttätig anpassende Transparenz
Regenerierbarkeit
bei Schädigung, Oberflächenvergiftung
z.B. Wiederherstellung der Benetzbarkeit nach Verschmutzung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Steuerbarkeit
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Hochleistungsschichten
sehr hohe Härte
Hartstoff-Nanoschichten, CVD-Diamant, ta-C
hohe Warmhärte
Hartstoff-Nanokomposite, z.B. (Ti, Al)N
hohe Reflexion
Röntgenspiegel (nm-Multischichten)
sehr geringe Absorption
Schichten für Laseroptiken (extreme Leistungsdichten!)
sehr wenig Defekte
Halbleiterschichten, z.B. Si-Epitaxie-Grundschicht
hohe Barrierewirkung
Festplatten: Korrosionsschutz mit ultradünnen a-C-Schichten
OLED: extrem geringe Permeation
nanostrukturierte Schichten und/oder
angepasste Beschichtungstechnologien
Realisierung oft durch:
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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hohe Leistungsfähigkeit, auch unter harten Einsatzbedingungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Elektronik mit organischen Halbleitern
Polymerelektronik für Billigelektronik
 preiswerte Massenproduktion (Rolle zu Rolle)
 hohe Produktivität durch Druckverfahren
Organic Light Emitting Devices (OLED)
 dünne, flexible Leuchtsysteme
 großflächige Leuchtsysteme
Anwendungen:
 zunächst Kleinbildschirme (Handy, Uhren, ..)
 mittelfristig: Monitore, Beleuchtung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Anwendungen: flexible Chips, smart Cards
zur Produktverfolgung, Identifizierung (RFID)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Organic Light Emitting Devices (OLED)
OLED
= Schichtsystem auf der Basis von organischen Halbleitern
das bei Anlegen einer Spannung Licht emittiert
Polymer-Schutzschicht
Frontelektrode
organische Schichten
Rückelektrode
Problem:
Schutz der organischen Halbleiter vor Degradation
durch Wasserdampf und Sauerstoff
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Polymer-Träger
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Aktuelle OLED-Anwendungen: Klein-Displays
kleinformatige
Anzeige-Displays
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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ultraflache Bildschirme: 13“ Display von Sony<
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Künftige OLED-Anwendungen: Groß-Displays
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Künftige OLED-Anwendungen: Beleuchtung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Anforderung:
- Wasserdampfdurchlässigkeit
auf < 10-5 g/m²d
- Sauerstoffdurchlässigkeit
auf < 10-5 cm³/m²dbar
entspricht Durchgang
von 3 Monolagen Wasser/Jahr
102
100
10-2
10-4
10-6
10-6
LCD / LED,
Displays,
Photovoltaik-Module
Einzel polymere
1 anorg.
Schicht
Vakuum
Isolations
paneele
2 anorganische
Schichten
OLED-Displays,
organische Solarzellen
10-4
10-2
empfindl.
Lebensmittel
100
Wasserdampfdurchlässigkeit / g/m² d
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Ziel:
Schutz gegen Feuchtigkeit und
Luftsauerstoff (auch bei Biegung)
Sauerstoffdurchlässigkeit / cm³/m² d bar
Ultrabarrieren für OLEDs
102
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Verringerung der Permeation durch Beschichtung
Diffusion durch Schicht
Schichtdefekte durch
• Substrat-Einschlüsse
Strömung durch Poren
• Staub
• Wachstumsdefekte
bestimmende Faktoren:
• Dichte der Defekte
• Dicke der Beschichtung
• Art der Defekte
SiO2 auf PET
2 % Dehnung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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bestimmende Faktoren:
• Material der Beschichtung
• Risse
(bei Zugbeanspruchung)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Ultrabarrieren mit Mehrfachschichten
anorganische Barriereschichten
(mit Defekten)
+ Versiegelung der Defekte
durch eine (Hybrid-)Polymerschicht
Schichtstapel
anorganische Barriere + Polymerschicht
+ weitere anorganische Barriere
(ohne Fortsetzung der primären Defekte!)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Polymerschicht
SiOx-Schicht
PET-Folie
Herausforderungen + aktuelle
Entwicklungen: Schichteigenschaften
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Ultrabarrieren mit Mehrfachschichten
Wasserdampfdurchlässigkeit
WTTR (g/m²·d):
 0,3
 0,03
 0,004
Al2O3 :
+ Hybridpolymer:
 0,03
 0,005
Al2O3
Probleme
• ungenügende Wasserdampfbarriere
• Wechsel Gasphasen-/Flüssigphasenprozess
• dicke Barriere (Hybridpolymer  1 µm)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
SiO2
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SiO2:
+ Hybridpolymer:
+ Mehrfachschicht:
Herausforderungen + aktuelle
Entwicklungen: Schichteigenschaften
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PML Prozess (Polymer MultiLayer)
Stapelung organisch-anorganisch für Ultrabarrieren
in-line Coater
organisch:
z.B. Polyacryl aus HDODA-Monomer (Hexandioldiacrylat),
bis zu 1 µm bei 1 m/s
Problem: Polymerisation im Reaktor
anorganisch: z.B. SiO2, Al2O3, Si3N4
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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BarixTM multilayer
Web Coater
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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PML Prozess
Aushärtung durch UV oder Elektronenstrahl
Kondensation als
viskose Schicht auf
dem gekühlten Substrat
Sprüh-Abscheidung eines Monomers auf der
heißen Innenwand eines fast geschlossenen
Verdampfers (Flash Verdampfung)
Hauptproblem:
Polymerisation innerhalb des Verdampfers
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Jet Verdampfung durch eine Schlitzdüse
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Oberflächenglättung durch PML-Prozess
Polycarbonat, mittels PML beschichtet
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Polycarbonat,
unbeschichtet
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Multifunktionsschichten
Eigenschaftskombinationen, auch bei gegensätzlichen Eigenschaften
hohe Härte
+ hohe Verformbarkeit:
????
Antiadhäsion
+ Kratzfestigkeit:
????
hohe Transparenz
+ geringer Widerstand:
TCO, ultradünne Metallschichten
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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hoher Verschleißwiderstand
+ geringe Trockenreibung: amorphe Kohlenstoffschichten
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Sensor-Schichten
Magnetfeld:
GMR mit Nanoschichtsystemen (z.B. Co-Cu)
für Leseköpfe, für Positionssensoren
Licht:
Photowiderstand (z.B. CdS, CdSe)
für Lichtschranken, Flammwächter
Temperatur:
Platin-Widerstandsthermometer (z.B. Pt100)
Verformung, Druck:
Piezoresistive Sensoren (z.B. Ta, AlN, ZnO, a-C:H)
für Dehnmessstreifen, für Schraubverbindungen, ..
…………..
Vorteile der Dünnschichtsensoren:
 Miniaturisierung
 preiswerte Massenproduktion
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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empfindliche Abhängigkeit (elektrischer) Eigenschaften von bestimmten äußeren
Bedingungen, aber Unabhängigkeit von übrigen Einflüssen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Dünnschicht-Drucksensor
Schichtmaterial: a-C:H:Me (z.B. Ni)
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Vorteile:
 steifes System (Eingangsgröße: Druck,
nicht Verformung)
 auch für Zugbelastung
 hohe Belastung möglich
 geringe Temperaturabhängigkeit
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Steuerbare Schichten
gezielte Anpassung der Schichteigenschaften an unterschiedliche Anforderungen
durch äußere Beeinflussung
Benetzungsverhalten:
TiO2: hydrophil / hydrophob durch UV / Erwärmung
Transparenz:
Änderung der optischen Eigenschaften von Oxiden
durch Änderung der Elektronenstruktur infolge
• Spannungsänderung: elektrochrom
• Gaswechsel: gasochrom
• Belichtung: photochrom
Anwendungen:
• abschattbare Gebäude-, Autoverglasungen
• abblendbare Rückspiegel
• Informations-Displays
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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• Temperaturänderung: thermochrom
Herausforderungen + aktuelle
Entwicklungen: Schichteigenschaften
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Wolframoxid WO3:
Wolfram als W6+-Ion von O2--Ionen umgeben
Bandlücke E = 3,25 eV  Absorption für  < 382 nm,
 im sichtbaren Bereich transparent, farblos
Blaufärbung:
Reduktion = Elektronenzugabe: W6+  W5+
Ladungsausgleich durch Eindiffusion von Ionen:
WO3 + x Li+ + x e-  LixWO3
Entfärbung:
Oxidation = Elektronenabgabe: W5+  W6+
Schaltung:
• elektrochrom (Spannung ein (1-2 V) / aus)
• gasochrom (Wasserstoff / Sauerstoff)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Elektrochrome Schichten: schaltbare Transmission
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Schaltbare Transmission
Funktionsschicht: WO3, V2O5
Reduktion: Färbung
Oxidation: Entfärbung
Gasochrom: Gasart
(Wasserstoff bzw. Sauerstoff)
Interpane: R.Blessing, Metallbau 12 (2001) 92
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Redox-Steuerung:
Elektrochrom: Strom
(Elektronenzufuhr
bzw. Elektronenabgabe)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Elektrochrome Schichten: schaltbare Transmission
Glas
TCO
Ionenspeicher
Schichtdicken: 0,1 – 1 µm
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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alternative Materialien:
V2O5, Ce2O-TiO2, Farbmoleküle
Ionenleiter
Ionenspeicher: NiOx
H+ oder Li+- Speicher, hier zugleich:
komplementäre Elektrochromschicht
anodisch: Färbung bei e--Abgabe
TCO
Ionenleiter: SiO2, ZrO2, Ta2O5
= ionenleitender Isolator
Glas
Elektrochromschicht: WO3
kathodisch: Färbung bei e--Zugabe
Elektrochrom
Systembeispiel
Glas + TCO: Pilkington K-Glas
= Floatglas + SnO2:F
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Elektrochrome Schichten: schaltbare Transmission
Färbung: WO3 als Kathode 
• Elektroneninjektion aus äußerem Stromkreis
Schaltung:
• Spannung nur für Schaltvorgang
• Schaltzeit: einige 10 Sekunden bis einige Minuten
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
TCO
Ionenspeicher
Glas
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• Rückdiffusion der Li+- oder H+-Ionen
Ionenleiter
• Oxidation des WO3 (W5+  W6+)
TCO
Entfärbung: WO3 als Anode 
• Elektronenabfluss in äußeren Stromkreis
Glas
• Kompensation der Aufladung durch
Eindiffusion von Li+- oder H+-Ionen
Elektrochrom
• Reduktion des WO3 (W6+  W5+)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Elektrochrome Schichten:
Oberlicht SLUB-Lesesaal
(Flabeg GmbH, Fürth)
Oberlicht semitransparent (gefärbt)
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Temperaturverteilung:
Oberlicht transparent (entfärbt)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Selbstregelnde Transmission: Photochrome Schichten:
Grundprinzip:
Kombination von WO3
mit Farbstoffsolarzelle
(= Farbstoff auf TiO2)
Fraunhofer-ISE, Freiburg
Transmission:
Sonnenlicht (1000 W/m²):
innerhalb von 15 min
VIS-Transmission 60 %  4 %
solare Transmission 40 %  1 %
vor Bestrahlung
nach Bestrahlung
Dunkelheit: Wiederherstellung der Ausgangstransmission innerhalb von 30 min
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Belichtung 
Injektion von Elektronen
in die WO3-Schicht 
Blaufärbung
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Regenerierbare / selbstheilende Schichten
Wiederherstellung der Schichtfunktionalität nach
Verschmutzung (Oberflächenadsorbate)
mechanischer Schädigung (Kratzer, Ablösungen)
Verschleiß (Schichtabtrag)
Oberflächenreaktionen (insbesondere Oxidation)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Strukturschädigung (durch Temperatur, Strahlung)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Grundaufbau:
Schreiben:
Löschen:
- PC-Scheibe 1 (0,6 mm)
- Dielektrikum 1 (HF-Sputtern)
- Phasenwechselschicht aus Sb-Te-In
(dc-Sputtern)
- Dielektrikum 2 (HF-Sputtern)
- Silber-Reflektor (dc-Sputtern)
- PC-Scheibe 2 (0,6 mm)
lokale Armorphisierung durch kurzeitige Lasererwärmung
bis oberhalb Schmelzpunkt ( 600 °C)
dadurch verringerte Reflexion beim Lesen
lokale moderate Lasererwärmung oberhalb der
Rekristallisationstemperatur ( 600 °C)
dadurch Kristallisation gemäß der kristallinen Umgebung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Wiederbeschreibbare DVD-RW
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Superhydrophile UV-Aktivierung von TiO2
UV-Beleuchtung von TiO2 
Bildung von
Elektron-Loch-Paaren
UV-Licht
O
O
-Ti-O-Ti-O-Ti-
H2O
Einbau von OH—-Gruppen
in Leerstellen
(Anlagerung von H2O begünstigt)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
-Ti-O-Ti-O-Ti-
H2O
OH
H2O
OH
-Ti-O-Ti-O-Ti-
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UV-Licht
Reduktion von Ti4+  Ti3+
(Bildung von O-Fehlstellen)
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Steuerbare Benetzbarkeit von TiO2
Zielstellung: steuerbare Druckplatten für Offset-Druck
(Druckbild durch benetzende/nichtbenetzende Bereiche)
40
Erwärmung 
Wiederherstellung des
Ausgangszustand
30
20
10
0
0
UV-Bestrahlung 
superhydrophil
100 200 300 400 500
Zeit / min
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Problem:
lange Schaltzeiten
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Kontaktwinkel / °
50
UV-Bestrahlung
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Benetzung beim Offsetdruck (= indirekter Flachdruck)
Farbwerk
Prinzip:
druckende und nichtdruckende Bereiche
unterscheiden sich durch Benetzbarkeit
Plattenzylinder
nichtdruckende Bereiche hydrophil:
Benetzung mit Wasser  keine Farbannahme
Gummituchzylinder
Gummituch
Papier
Druckzylinder
druckende Bereiche hydrophob:
keine Benetzung mit Wasser  Farbannahme
indirekter Flachdruck
zur Schonung der Druckform:
Farbübertrag von Druckform auf Gummizylinder,
vom Gummizylinder auf Papier
(set off = absetzen)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Feuchtwerk
Herausforderungen + aktuelle
Entwicklungen: Schichteigenschaften
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leichtes Abwaschen des Schmutzes vom anhaftenden Wasserfilm („easy-to-clean“)
Bioclean, Fa. Saint Gobain (TiO2-Beschichtung: Sprühpyrolyse)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Superhydrophile UV-Aktivierung von TiO2
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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Photokatalytische UV-Aktivierung von TiO2
UV-Bestrahlung
erzeugt
CO2, H2O, N2 , ... Elektron-Loch-Paare
CO2, H2O, N2 , ...
h+: stark oxidierende
OH-Radikale
e-: stark reduzierende
O2--Ionen
h v > Eg
O
O
O RO
2
O2e-
R 
H2O -> H+ + OH
Zersetzung von
O
Makromolekülen
zu flüchtigen
h+
Endprodukten
TiO2 Halbleiteroberfläche

• antibakteriell,
• desodorierend
O
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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O
Aktuelle Herausforderungen:
Schichteigenschaften
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UV-Regeneration der Superhydrophile
R
R
Deaktivierung der OH--Gruppen
durch Anlagerung von organischen Gruppen
OH
OH
UV-Bestrahlung 
photokatalytische Zersetzung der
organischen Gruppen in flüchtige Komponenten
-Ti-O-Ti-O-Ti-
UV-Licht
R
CO2
OH
H2O
OH
Wiederherstellung der Superhydrophilie
durch die erneut mögliche Anlagerung
von Wassermolekülen
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
H2O
OH
H2O
OH
-Ti-O-Ti-O-Ti-
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-Ti-O-Ti-O-Ti-
Dünnschichttechnologie
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Aktuelle Herausforderungen der Dünnschichttechnologie
Schichteigenschaften
Bauteile / Substratmaterialien
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Wirtschaftlichkeit
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
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Abmessungen:
• Großteile (Reaktorgröße, Handling, Reinigung)
• Kleinstteile (Handling, Aufheizung)
Gestalt:
• Gräben, Löcher, Hinterschneidungen
• Innenflächen, Hohlräume
• Fäden, Drähte
• Schüttgut, Pulver
Oberfläche:
• Topographie
• Verunreinigungen
Stabilität:
• Temperatur
• Teilchenenergie, UV-Strahlung des Plasmas
Porosität / Entgasung:
• Sinterwerkstoffe
• Polymere (Wasserabgabe!)
• Gewebe, Vliese
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Bauteil-Probleme
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
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Grundproblem:
Abscheidung in Reaktionskammer
PVD: Hochvakuumbedingungen
CVD: Reaktionsgase, Grobvakuumbedingungen
Batchbetrieb:
Beschränkung der Abmessungen durch Kammergröße
Durchlauf:
offenes System, in Durchlaufrichtung unbeschränkt:
PVD: Druckschleusen
CVD: Gasschleusen
aber: Schleusen nur für ebene oder zylindrische Körper
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Bauteil-Abmessungen: Großteile
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
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Spitzen, Zungen:
Problem:
bei PVD-Beschichtung
starke Aufheizung durch hohen Energieeintrag und
geringe Wärmeabfuhr
Lösungsweg:
Verringerung der Energiezufuhr
(Verminderung der Beschichtungsrate, evt. Pulsbetrieb)
Schneiden:
Problem:
bei dickeren Schichten
Kantenabrundung gemäß Schichtdicke
Lösungswege:
• dünnere Schichten
• einseitige Beschichtung
• nachträgliche Schneidenschärfung (z.B. im Plasma)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Bauteil-Abmessungen: Feinteile
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
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Grundprobleme:
- statistische Umlagerung des Beschichtungsgutes
- Abrieb der Schicht beim Umwälzen
- elektrische Kontaktierung
PVD
Problem:
vorzugsweise nicht zu kleine Teile (> 1 mm, Stückgut)
relative Lage des umzuwälzenden Gutes zur Quelle
Lösungswege:
- Beschichtung von oben nach unten (Sputtern, Arc)
- Nutzung der Zentrifugalkraft
CVD
Problem:
vorzugsweise kleine Teile (< 1 mm, Pulver)
Bewegungseinrichtungen bei hohen Temperaturen
Lösungsweg:
- CVD bei nicht zu hohen Temperaturen
- AP-CVD von in der Schwebe zu haltenden leichten Teilen
(z.B. Pulverbeschichtung im Wirbelbett)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Beschichtung von Schüttgut
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
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PVD-Beschichtung von Schüttgut
Schikane
Drehkorb
Schüttgut im langsam bewegten
Drehkorb
Schichtsysteme: TiN, TiCN, Ti-C:H
Gaseinlass
UBM
Target
Plasma
ECR-Magnete
Blende
Lagerrollen
Shutter
Mikrowelle
Schüttgut
Heizung
Antrieb
Stützen
Plasmareinigung mit ECR-Quelle
W. Reuter, 1997
+
Bias
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Verfahren
unbalanced Magnetronsputtern
in N2- bzw. C2H2-Atmosphäre
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
PVD-Beschichtung von Schüttgut
Sputterkathoden
Verfahren
3-Kammer-Durchlaufanlage
(mit Ein- und Ausgabeschleuse)
Drehkorb
dc-Magnetronsputtern (von oben)
Schüttgut im (langsam) bewegten
Drehkorb
Ladekapazität: 10 l
Anwendung
Widerstandschichten auf
keramischen Trägern
TOTEM 10
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Schichtsysteme: Metallschichten
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
CVD-Beschichtung von Pulver (Wirbelschichtverfahren für Solar-Silizium)
Keimpulver
Abgas
Quarzreaktor
Reaktionszone
CVD-Abscheidung auf Si-Keimpulver
SiHCl3 + n H2  Si, HCl, SiCl4
(1000 - 1100 °C, 1 bar)
Keimpulver = ein Teil des erhaltenen
Pulvers wird zerkleinert und als
Keimpulver dem Prozess zugeführt
Vorteile
 kontinuierlicher Prozess
verringerter Energieaufwand
Widerstandsheizung (isotherme Heizzone)
H2-Strömung
Granulat aus pc-Si
 erhöhte Rate
(große Oberfläche)
 keine Zerkleinerung
SiHCl3
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Wirbelschicht
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
PVD
Problem:
schwierig
im Vakuum (fast) stoßfreie, d.h. geradlinige Ausbreitung
 Sichtlinienprozess
Lösungsweg:
Makrogeometrien: Target im Innenraum
Mikrogeometrien: energiereiche Ionen (Bias, Resputtern)
CVD
Problem:
einfacher möglich
Sicherung des Precursor-Antransportes
Lösungswege:
1) Durchströmung bzw. Füllung des Innenraums
2) reaktionsbestimmte Abscheidung
(nicht durch Precursortransport bestimmt)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Beschichtung von Innenflächen, Kanälen
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
PVD-Beschichtung von Innenflächen
Nutzung des zu beschichtenden
Hohlraums als Vakuumkammer
Einführung der (miniaturisierten) Quelle
in den zu beschichtenden Hohlraum
Verdampfer
Vakuum
Zuleitungen
zum Verdampfer
Cu Al
Ag Au
Beispiel:
Innenbeschichtung von Christbaumkugeln
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Dichtring
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Innenbeschichtung von Hohlkörpern: PICVD
Anwendung
Kaltlichtreflektoren
mit von der Wellenlänge
abhängigem
Reflexionsvermögen
durch SiO2, TiO2, TaO2Vielfachschichten
Einfüllen des
Precursors
MW-Puls zur
Plasmazündung
vollständige
Füllung
Gaswechsel
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PICVD = Plasma-Impuls-CVD
Zyklenfolge von Pulsabscheidungen
 präzise Abscheidung von
Einfach- und Vielfachschichten
Innenbeschichtung von
PET-Flaschen mit SiO2
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
CVD-Innenbeschichtung von Kanalwänden
Aufgabe:
Innen-Beschichtung
von Kühlkanälen
in Turbinenschaufeln
Alitieren:
AlCl3(g) + 1,5 H2(g)
 Al(s) + 3HCl(g)
Bernex® CVA
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Lösung:
Aluminium-Abscheidung
mittels thermischer CVD
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Beschichtung von Kanälen: (Sub-)Mikrometer-Strukturen
Kupfer-Metallisierung in der Mikroelektronik
Aufgabe:
Abscheidung von ultradünnen
Barrieren (< 10 nm) und
Keimschichten ( 20 nm)
bei hohem Aspektverhältnis
Lösungsweg:
Atomic Layer Deposition (ALD)
Abscheidung von vollständigen Monolagen,
gesteuert durch Oberflächenreaktionen
200 nm
Problem:
sehr geringe Abscheiderate
(1-3 Zyklen für 1 Monolage)
konstante Dicke der WNBarriere bei hohem
Aspektverhältnis
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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konforme Abscheidung
von WN mittels ALD
(Cambridge NanoTechInc.)
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Problem:
Gasfreisetzung beim Beschichten,
gefördert durch Vakuum und Erwärmung
Kunststoffe:
Wasseraufnahme (z.B. PMMA)
Gewebe:
große Oberfläche mit (Wasser-)Adsorbatschichten
Sinterwerkstoffe:
offene Porosität mit (Wasser-)Adsorbatschichten
Fertigungshilfsstoffe:
eindiffundierte Bestandteile von Schmierstoffen u.ä.
Alternative:
Prozesse mit geringeren Vakuumanforderungen:
(Atmosphärendruck-)CVD, Flüssigphasenverfahren
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Vakuumtauglichkeit des Bauteilmaterials (für PVD)
Aktuelle Herausforderungen:
Bauteile / Substratmaterialien
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Keramik, Hartmetall:
temperaturstabil bis > 1000 °C
beachten:
thermische Eigenspannungen
spröde intermetallische Phasen (Reaktion mit Schicht)
Stahl:
kein Überschreiten der Anlasstemperatur (oft < 250 °C)
andernfalls:
• Härteverlust
• Verformung durch Relaxation von Eigenspannungen
dann:
Härten nach Beschichtung + Korrektur des Verzuges
Kunststoff:
kein Überschreiten der Erweichungstemperatur
(oft < 100 °C)
elektronische Systeme:
Begrenzung durch die unterliegenden Schichten und
Komponenten (z.B. Lote)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Temperaturempfindlichkeit des Bauteilmaterials
Dünnschichttechnologie
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Aktuelle Herausforderungen der Dünnschichttechnologie
Schichteigenschaften
Bauteile / Substratmaterialien
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Wirtschaftlichkeit
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
Aktuelle Herausforderungen:
Wirtschaftlichkeit
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Kostenerhöhung durch Beschichtung
Schlüsselgröße:
Netto-Stückkosten (bzw. Beschichtungskosten/Fläche)
feste Kosten
Neben-Investition:
variable Kosten
Personal:
Material:
Energie:
Beschichtungsanlage einschließlich Peripherie
Vakuumtechnik, Prozesskontrolle, Sicherheitstechnik
Reinigung, Probenhandling, Qualitätskontrolle
insbesondere auch für Nebenprozesse
(Reinigung, Probenhandling, Qualitätskontrolle)
Targets, Precursoren, Hilfsgase; insbesondere bei:
geringer Ausnutzung, hohem Durchsatz, teurem Material
besonders bei Hochtemperatur-/Hochrateprozessen
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Haupt-Investition:
Aktuelle Herausforderungen:
Wirtschaftlichkeit
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
ebene Bauteile:
Wafer, Festplatten, Compact Disk; Metallband, Glas, Folien
Automatisierung
des Handling möglich  geschlossene Prozesskette
(Entnahme – Reinigung – Beschichtung – Ablage)
Personalaufwand gering:
vorrangig Prozesskontrolle, Qualitätskontrolle, Wartung
3D-Bauteile:
Werkzeuge, Komponenten
erfordern Bauteil-angepasste Halterung und Bestückung
Automatisierung des Handling möglich,
aber aufwändig, nicht flexibel, langsam 
Handarbeit:
Chargierung Reinigung – Chargierung Beschichtung –
Dechargierung
Personalaufwand hoch:
insbesondere für Chargierung / Dechargierung
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Personalaufwand
Aktuelle Herausforderungen:
Wirtschaftlichkeit
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Investionskosten:
Anlagentyp:
Teile-/Flächendurchsatz : Anlagenkosten
Batchanlage (alle Prozesse nacheinander in einer Kammer)
offene Batchanlage (mit Ein-/Ausgabeschleuse)
verkettete Batchanlage / Durchlaufanlage
Vorteile der Verkettung:
konstante Bedingungen
(bei kontrollierten und kompensierten Drifteffekten)
keine Brechung des Vakuums
eingeschränkte Bauteilflexibilität (Geometrie!)
Anpassung der Durchlaufzeiten der verschiedenen
Technologiestationen
Voraussetzungen:
• kontinuierliche Bereitstellung der Bauteile
• hinreichend lange Betriebszeit (Ziel:  5 Tage = 120 h)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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Probleme:
Aktuelle Herausforderungen:
Wirtschaftlichkeit
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Technologische Voraussetzungen für Massenbeschichtung
Langzeitstabilität der Beschichtungsbedingungen
• langzeitstabile Beschichtungsquellen
(z.B. großvolumige rotierende Walzenkathoden)
• wartungsfreier Dauerbetrieb (über 1-3 Wochen)
• robuster (wenig störanfälliger) Prozess
Verkettbarkeit
• günstig: niedrige Prozesstemperaturen
hoher Durchsatz
• hohe Beschichtungsraten
• geringe Schichtdicken ausreichend
• hohe Anlagenverfügbarkeit
(geringe Störanfälligkeit, kurze Wartungszeiten)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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• günstig: geringere Vakuumanforderung (z.B. AP-Plasma-CVD)
Aktuelle Herausforderungen:
Wirtschaftlichkeit
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Wirtschaftlichkeit von Massenbeschichtungen
integrierte Beschichtung:
• beschichtungsgerechte Konzeption / Konstruktion
• Verringerung der Nebenprozesse (Personalkosten!):
Transport, Handling, Konservierung, Reinigung,
Qualitätsprüfung
• technologiegerechte Beschichtung:
Berücksichtigung der Belastung durch Folgeprozesse
(Umformung, Fügen, Wärmebehandlung)
dadurch Sicherung der Produktqualität
Folgerung:
Beschichtung von Massenprodukten zunehmend als
integrierter in-Haus-Prozess größerer Unternehmen
(Beschichtung als zu schützendes Kern-Know-How)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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• beschichtungsgerechte Vorprozesse:
Oberflächentopographie, Reinigung, Bauteilgeometrie
Aktuelle Herausforderungen
Fakultät Maschinenwesen, Institut für Fertigungstechnik, Lehrstuhl für Laser- u. Oberflächentechnik
Tendenzen der Dünnschicht-Technologie
• multifunktionale Schichten
• schaltbare / adaptive Schichten
• Produktivität durch integrierten Prozess
• Kombination mit organischen Schicht- und Substratmateralien
• Kombination mit Druckverfahren (zur strukturierten Beschichtung)
Dünnschichttechnologie Aktuelle Herausforderungen
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