Methoden zur Optimierung einer EZR-Ionenquelle auf die Produktion hochgeladener Ionen Dissertation Zur Erlangung des Grades eines Doktors der Naturwissenschaften an der Fakultät für Physik und Astronomie der Ruhr-Universität Bochum von Achim Nadzeyka aus Düsseldorf (2002) Inhalt 1 Einleitung und Motivation .................................................................................................. 4 2 Experiment ........................................................................................................................... 7 2.1 Ionenquelle ECRIS 2 ....................................................................................................... 8 2.2 Die Ionenquelle ECRIS 3 in Groningen........................................................................ 17 3 Modelle und Methoden...................................................................................................... 19 3.1 Konventionelle Optimierung einer EZR-Quelle und physikalische Grundlagen .......... 20 3.2 Gasmischungseffekt und Ionenkühlungsmodell ............................................................ 23 3.3 „Biased disk“ und Sekundärelektronenemission .......................................................... 26 3.4 Pulsbetrieb im „Afterglow“ .......................................................................................... 28 3.5 Sonstige Methoden ........................................................................................................ 30 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 ....................................................................... 32 4.1 Zusammenhang zwischen den extrahierten Ionenströmen und den Ionendichten im Plasma................................................................................................................................... 33 4.2 Gasmischung ................................................................................................................. 38 4.2.1 Gasmischungseffekt in der ECRIS 2 ....................................................................... 40 4.2.2 Plasma-Wand-Wechselwirkung in der ECRIS 2..................................................... 42 4.2.3 Wasserstoffanomalie ............................................................................................... 46 4.3 Vorspannen der Endplatte („biased disk“)................................................................... 52 4.3.1 Effekt der vorgespannten Endplatte in der ECRIS 2............................................... 52 4.3.2 Abschätzung der Elektronenemission ..................................................................... 54 4.3.3 Spannungsabhängigkeit der Ionenströme und VUV-Linienintensitäten ................. 57 4.3.4 Spektroskopische Elektronendichtemessung........................................................... 60 4.3.5 Simon Diffusion ...................................................................................................... 63 4.4 Betrieb im „Afterglow“-Modus..................................................................................... 67 4.4.1 Optimierung des Afterglowpeaks ............................................................................ 67 2 Inhalt 4.4.2 Zeitaufgelöste Messungen von Ionenströmen und VUV-Intensitäten im Afterglowbetrieb ................................................................................................................ 69 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow ..................................................................... 75 5.1 Modell der Ionenheizung im Afterglow......................................................................... 76 5.2 Ionenheizung im Afterglow der ECRIS 3 ...................................................................... 77 6 Isotopenanomalie ............................................................................................................... 81 6.1 Isotopenanomalie in 15N/14N-Mischungen .................................................................... 82 6.2 Isotopenanomalie im Ionenkühlungsmodell.................................................................. 88 6.3 Isotopenanomalie durch Ionen-Landaudämpfung ........................................................ 90 7 Zusammenfassung und Ausblick...................................................................................... 99 8 Literatur............................................................................................................................ 104 Danksagung........................................................................................................................... 111 Lebenslauf ............................................................................................................................. 113 3 1 Einleitung und Motivation Ionenquellen, insbesondere EZR-(Elektron-Zyklotron-Resonanz-)Ionenquellen haben sich heutzutage von einem Instrument der Grundlagenforschung als Teilchenlieferant für die Atom-, Kern- und Hochenergiephysik zu einem nützlichen Werkzeug in den verschiedensten Anwendungsgebieten entwickelt. So gibt es beispielsweise in der medizinischen Krebstherapie Projekte zur Tumorbehandlung mit Schwerionenstrahlen. Diese schädigen aufgrund des vergleichsweise eng lokalisierten Energieübertrags massereicher Teilchen das umliegende Körpergewebe außerhalb des Tumors weitaus weniger als herkömmliche Behandlungsmethoden wie die Bestrahlung mit γ- oder Elektronenstrahlen [Kit 99]. Die geringere Reichweite von Ionen in Materie gegenüber Elektronen oder γ-Teilchen macht allerdings die Nutzung sehr leistungsstarker Beschleuniger erforderlich. Aus diesem Grund können zur Zeit auch nur sehr oberflächennahe Tumore behandelt werden. Eine weitere geplante Anwendung in der Medizin ist die Implantation radioaktiver Ionen in sog. „Stents“ zur Aufweitung von Gefäßverengungen. Mit Hilfe der eingelagerten radioaktiven Ionen mit Halbwertszeiten von einigen Tagen bis wenige Wochen können Abstoßungsreaktionen des Körpers vermieden werden [Feh 98]. Die wichtigsten Anwendungsfelder der EZR-Ionenquellen bieten aber immer noch die großen Ionenbeschleuniger in der Grundlagenforschung. EZR-Quellen zeichnen sich hier insbesondere durch ihre hohe Strahlstabilität und ihre lange Laufzeit aus. So werden Betriebszeiten von mehreren Wochen ohne Unterbrechung erreicht. Unübertroffen ist bislang die hohe Intensität der extrahierten Ströme von hochgeladenen Ionen, die moderne EZRQuellen liefern. Auch für den zur Zeit im Bau befindlichen „Large Hadron Collider“ (LHC) am europäischen Forschungszentrum CERN ist kein alternativer Quellentyp in Sicht. Die EZR-Heizung durch eine in das Entladungsgefäß eingestrahlte Mikrowelle zur Produktion hochgeladener Ionen in einer magnetischen Falle zu nutzen wurde erstmals 1970 vorgeschlagen [Pos 70, Her 71] und 1972 von R. Geller in Grenoble [Bli 72] und K. Wiesemann in Marburg [Ber 72] als Ionenquelle realisiert. Seitdem wurden EZR-Quellen immer wieder in Ihrer Leistungsfähigkeit verbessert. Auch heute, fast 30 Jahre nach dem Bau der ersten EZR-Ionenquellen, ist die technische Weiterentwicklung dieses Quellentyps nicht abgeschlossen. Viele der heute bekannten Maßnahmen zur Erhöhung der Ausbeute hochgeladener Ionen wurden dabei von den Quellenanwendern meist nur zufällig gefunden, 4 1 Einleitung und Motivation ohne dass befriedigende physikalische Erklärungen für die entsprechenden Effekte gegeben werden konnten. Beispiele für solche Maßnahmen sind der Gasmischungseffekt, der in einer Erhöhung der Produktion hochgeladener Ionen durch Mischen mit einem geeigneten leichteren Gas besteht, das Vorspannen der Endplatte auf der Gaseinlassseite oder die Verwendung spezieller Wandmaterialien. Aufgrund der sehr empirischen Herangehensweise der Quellenbauer und Anwender werden diese Maßnahmen von ihnen selbst auch meist als „Tricks“ zur Optimierung der Quelle bezeichnet. Das Plasma von „optimierten“ EZR-Ionenquellen ist bisher nur wenig systematisch untersucht worden, da sich einerseits die meisten Quellen im permanenten Strahlbetrieb am Beschleuniger oder anderer Anwendungen befinden und andererseits das Plasma aufgrund der schwer zugänglichen Geometrie nur begrenzt diagnostizierbar ist. Ziel der vorliegenden Arbeit war es deshalb die physikalischen Grundlagen einiger „Tricks“ der Quellenanwender zu untersuchen. Die erforderlichen Messungen wurden dazu zum überwiegenden Teil an der Bochumer Ionenquelle ECRIS 2 vorgenommen. Diese Quelle wurde uns als Dauerleihgabe vom Kernfysisch Versneller Instituut (KVI) zur Verfügung gestellt und löste somit unsere weniger leistungsfähige ECRIS 1 ab. Ein wesentlicher Teil der praktischen Arbeit war die Wiederinbetriebnahme der seit mehreren Jahren demontierten Quelle und einige Reparaturen an ihr. Besonderes Augenmerk wurde bei den experimentellen Untersuchungen auf den Gasmischungseffekt, die vorgespannte Endplatte und den Aftergloweffekt gelegt, bei dem der extrahierte Strom nach Abschalten der Mikrowelle kurzzeitig ansteigt bevor er exponentiell abfällt. Die von G. Shirkov vorgeschlagene selektive Ionenheizung zur Optimierung des Afterglowpeaks [Shi 95] erwies sich als nicht vorteilhaft. Ein wichtiger Teil der Arbeit war auch die Untersuchung der Isotopenanomalie, bei der zwei oder mehr Isotope eines Elementes in der Entladung gemischt werden. Ähnlich wie beim Gasmischungseffekt beobachtet man auch hier eine Verbesserung der Ladungszustandsverteilung des schweren Isotops gegenüber dem leichten. Das sog. Ionenkühlungsmodell, welches üblicherweise zur Beschreibung der Formierung der Ladungszustandsverteilung in ECRIS-Plasmen herangezogen wird kann diese Beobachtungen nur ungenügend erklären. Im Rahmen unserer Untersuchungen wurde auch in der ECRIS 2 der bereits von D. Meyer an unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld nachgewiesene parametrische Zerfall der Pumpwelle beobachtet [Mey 97, Mey 98]. Die dabei beobachteten Zerfallsmoden im Radiofrequenzbereich können über Landaudämpfung sehr massenselektiv Energie auf die verschiedenen Ionenkomponenten übertragen. Diese 5 1 Einleitung und Motivation Wellenphänomene spielen offenbar eine große Rolle bei der Formierung der Ladungszustandsverteilung in EZR-Ionenquellen. 6 2 Experiment Die in dieser Arbeit beschriebenen Messungen wurden in erster Linie an der Bochumer ECRIS 2 durchgeführt. Lediglich eine dreitägige Messkampagne zur selektiven Ionenheizung im Afterglow fand in Groningen während einer Betriebspause des Zyklotrons an der neueren Quelle ECRIS 3 statt. Beide Quellen werden im folgenden beschrieben. Das Kernstück unseres experimentellen Aufbaus in Bochum, die EZR-Ionenquelle ECRIS 2, wurde uns dankenswerterweise vom Kernfysisch Versneller Instituut (KVI) zur Verfügung gestellt. Sie löste damit unsere alte Quelle ECRIS 1 ab, die um drei Größenordnungen geringere Ionenströme lieferte. Die in Groningen konstruierte und gebaute Quelle diente am dortigen Zyklotron des KVI von 1990 bis 1994 als Teilchenlieferant für atom- und kernphysikalische Stoßexperimente und war anschließend mehrere Jahre außer Betrieb gestellt. Die Reaktivierung der Quelle erwies sich daraufhin als nicht trivial. So mußte zum Beispiel die gesamte Peripherie wie Gaseinlass, Mikrowellenzuführung, Strahlsystem und die Vakuumanlage inklusive Flanschen und Pumpen neu konstruiert und aufgebaut werden. Ein Leck in der Kühlung des Resonators ließ sich erst nach einer aufwendigen Modifizierung des Kühlsystems beseitigen. Des weiteren führten in der Anfangsphase des Betriebs Hochspannungsüberschläge des Quellen- oder Einzellinsenpotentials häufig zu einem Durchsteuern der Ansteuerungselektronik für die Spulenstromversorgung. Dies verursachte mehrfach eine Beschädigung der Thyristoren in einem der beiden verwendeten Netzgeräte und somit jeweils eine mehrwöchige Reparatur. Dieses Problem konnte weitgehend durch den Einbau einer elektronischen Schutzschaltung gelöst werden. Die grundlegende Geometrie der Quelle, wie Abmessungen des Entladungsgefäßes oder Abstand der Spulensätze wurde in unserem Labor nicht mehr geändert. 7 2 Experiment 2.1 Ionenquelle ECRIS 2 Die Bochumer Ionenquelle ECRIS 2 ist eine einstufige Elektron-Zyklotron-ResonanzIonenquelle mit magnetischem Hexapol. Ihr Aufbau und ihre Peripherie werden schematisch in Abb. 2.1 dargestellt. Charakteristisch für diese Art von Ionenquellen ist der Plasmaeinschluß in der Überlagerung aus einem axial und einem radial nach außen ansteigenden Magnetfeld. In der ECRIS 2 wird das axiale Feld durch zwei wassergekühlte Spulensätze an den Enden des Entladungsrohrs erzeugt (drei Spulen auf der Gaseinlassseite, zwei auf der Extraktionsseite). Die beiden Spulensätze sind mit zwei separaten Netzgeräten verbunden und können deshalb asymmetrisch mit Strom versorgt werden. Das radiale Feld wird durch die Permanentmagneten des Hexapols (NdFeB) generiert, welche in einer radial geschlossenen Struktur um das doppelwandige Entladungsrohr angeordnet sind. Das innere Rohr besteht aus Kupfer und besitzt einen Innendurchmesser von 70 mm und eine Wandstärke von 3 mm. Zwischen innerem und äußerem Rohr, welches aus Aluminium besteht, befindet sich ein Kühlwasserspalt von 1 mm Breite. Die Kühlung ist notwendig, da bei Temperaturen über 50° C die Magnetisierung der Permanentmagnete dauerhaft abnimmt. Das äußere Rohr dient auch als Träger für die Segmente des Hexapols. Dabei sind sechs 300 mm lange Magnetreihen so auf dem Aluminium-Rohr montiert, dass in azimutaler Richtung Nord- und Südpol abwechselnd nach innen und nach außen zeigen (s. Abb. 2.2). Die verbleibenden Zwischenräume werden von azimutal orientierten Magnetsegmenten ausgefüllt. Vom Zentrum des Plasmas nimmt das Magnetfeld demnach in alle Raumrichtungen zu (s. Abb. 2.3). Diese sog. Minimum-B-Konfiguration bewirkt eine Stabilisierung des Plasmas gegen MHD-Instabilitäten [Kra 86]. Eine zusätzliche Formung des Magnetfeldes wird durch konzentrische Eisenplatten erreicht. 8 2 Experiment VUV-SPEKTROSKOPIE Ventil variabler Austrittsspalt ECRIS 2 holographisches Gitter (R=O,5m) VUV-Monochromator variabler Eintrittsspalt Photomultiplier 142 Ventil Kugelreibungsmanometer Gaseinlaß Hochspannungsisolierung Blendenwechsler Gaseinlaß Mikrowellenzuführung UHV-Rezipient Antenne Cu-Resonator Bleiabschirmung B-Feldspulen Hochspannungsisolierung Hexapol Extraktionsöffnung Einzellinse Zieh-Elektrode 12 0 ° Magneteingangsblende Separationsmagnet Faraday-Cup 10cm Magnetausgangsblende Gegenfeldanalysator Abb. 2.1: Gesamtaufbau des Experimentes mit Ionenquelle ECRIS 2, Strahlführung und VUV-Spektroskopie. 9 2 Experiment Abb. 2.2: Querschnitt durch Entladungsrohr und kennzeichnen die Orientierung der Magnetsegmente. Hexapol: Die Pfeile Abb. 2.3: a) Magnetfeld, gemessen entlang der optischen Achse mit den Spulenströmen Iin = 958 A auf der Gaseinlaßseite und Iex = 562 A auf der Extraktionsseite. b) Radiales Magnetfeld innerhalb des Hexapols, gemessen entlang eines vollen Rohrdurchmessers. 10 2 Experiment Die Elektronen des ECRIS-Plasmas werden durch Wechselwirkung mit einer axial eingekoppelten Mikrowelle geheizt. Zu diesem Zweck wird ein Rechteckhohlleiter (x-Band) ca. 3 cm abseits der Symmetrieachse auf der Gaseinlassseite ins Entladungsrohr geführt. Die Frequenz der Mikrowelle, in unserem Fall f MW = 10,115 GHz, wird generell so gewählt, dass auf einer geschlossenen Fläche des inhomogenen Magnetfeldes die Elektron-ZyklotronResonanzbedingung 2π ⋅ f MW = ω MW = ω ce ≡ & e⋅ B (2.1) me erfüllt ist. Dabei bezeichnen ω MW die Kreisfrequenz der Mikrowelle und ω ce die Gyrationsfrequenz der Elektronen mit Ladung e und Masse me an der Stelle der magnetischen & Induktion B . Die sog. Resonanzzone des Magnetfeldes mit Bres = ω MW ⋅ me e bildet dabei ein geschlossenes Ellipsoid, das vollständig innerhalb des Entladungsvolumens liegen sollte ohne die Wände zu schneiden (Bres = 0,36 T für f MW = 10,1 GHz). Die hochenergetischen Elektronen des ECRIS-Plasmas ionisieren die Gasatome stufenweise zu hohen Ladungszuständen. Der Gaseinlass erfolgt in unserer Quelle durch ein Loch mit 2,2 cm Durchmesser in der Mitte der Endplatte (Material: Edelstahl) des Entladungsgefäßes. Diese verhältnismäßig große Öffnung wurde gewählt, um für das VUV-Spektrometer (s. Abb. 2.1) genügend Intensität zu erhalten. Auf der Außenseite des Loches wurde ein 10 cm langes Edelstahlrohr angeschweißt, in dem sich zwei Bleche mit kreuzförmigen Querschnitt befinden, um austretende Mikrowellenleistung abzudämpfen. Ohne diese Maßnahme könnte bereits außerhalb des Entladungsgefäßes ein Plasma zünden und die VUV-Messungen verfälschen. Die Partialgasdrücke konnten ursprünglich mit Hilfe zweier motorgesteuerter Nadelventile reguliert werden. Speziell für die Messungen zur Isotopenanomalie (Kap. 6) wurde ein drittes Nadelventil angebaut, so dass maximal drei Gassorten gemischt werden können. Die Endplatte auf der Gaseinlaßseite ist isoliert aufgebaut und kann separat vorgespannt werden (s. Kap 4.2). Extrahiert werden die Ionen durch eine Lochblende mit 8 mm Durchmesser gegenüber des Gaseinlasses. Dazu wird an die Quelle eine positive Hochspannung angelegt, während das Strahlsystem geerdet bleibt. Zur Hochspannungsisolierung gegen die Spulenhalterung befindet sich das Entladungsrohr inklusive Hexapol in einem Kunststoffzylinder. Der 11 2 Experiment Gaseinlass ist durch ein Keramikrohr und das Strahlsystem durch einen Glasstutzen isoliert. In der Mikrowellenzuführung dient eine 0,5 mm starke Teflonfolie als Isolierung. Eine weitere Folie dient als Vakuumfenster. Zur Abschirmung der von den hochenergetischen Elektronen generierten Röntgenbremsstrahlung ist der Zwischenraum zwischen Hexapol und Kunststoffzylinder mit Bleikugeln aufgefüllt. Zusätzlich ist das Strahlsystem komplett mit Bleimatten abgeschirmt. Am Gaseinlass genügen seitlich angebrachte Bleimatten für eine hinreichende Abschirmung. Somit ist gewährleistet, dass unter allen Betriebsbedingungen der Grenzwert der Strahlenschutzverordnung von 7 µS/h an allen zugänglichen Stellen des Experimentes problemlos eingehalten wird. Die axiale Position der Ziehelektrode auf der Extraktionsseite kann über eine Vakuumdurchführung von außen variiert werden. Für eine erste Fokussierung des Ionenstrahls kann die Ziehelektrode separat vorgespannt werden. Zusätzlich fokussiert wird der Strahl durch eine elektrostatische Einzellinse. Ein 60°-Sektormagnet dient der Separation der Ionen nach Masse-Ladungs-Verhältnis gemäß BS = 2U Ex mi ⋅ ~ R02 qe Ai , q (2.2) wobei BS die magnetische Induktion zwischen den Polschuhen des Separationsmagneten bezeichnet, U Ex die Beschleunigungsspannung der extrahierten Ionen, R0 den Sollbahnradius, q deren Ladungszustand und mi die Ionenmasse bzw. Ai die Massenzahl. Da unser Magnet verhältnismäßig klein dimensioniert ist (der Abstand zwischen den Polschuhen beträgt lediglich 3 cm), steht für den Ionenstrahl im Vakuum lediglich ein Raum mit 2,5 cm Höhe zur Verfügung, was leider unvermeidlich zu Strahlverlusten an dieser Stelle führt. Am Ende des Strahlsystems werden die Ionen in Abhängigkeit von BS elektrisch auf einem Faraday-Cup gemessen. In Abb. 2.4 ist ein so entstandenes Massenspektrum dargestellt. Wegen der oben erwähnten Strahlverluste ist die Summe der Ströme aller Ionen am FaradayCup stets kleiner als der Gesamtstrom aus der Quelle. Der Gegenfeldanlysator zur Bestimmung der Energiebreite der Ionen und des Plasmapotenzials wurde erst gegen Ende meiner Arbeit eingebaut. 12 2 Experiment N5+ 12 10 4+ N 8 I s / µA He+ He2+ N7+ H2+ 6 N3+ 4 N2+ N6+ 2 N+ H+ 0 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 UB / V 0,8 0,9 1 1,1 1,2 Abb. 2.4: Beispiel eines Massenspekrums der ECRIS 2 (N2-He-Entladung mit vorgespannter Endplatte). Dargestellt sind die am Faraday-Cup gemessenen Ionenströme Ii in Abhängigkeit zur Steuerspannung UB des Separationsmagneten (UB ~ Bs ~ (mi/Z)1/2). 900 NIV 800 HeII Zählrate / s -1 700 600 NI NI 500 400 NI 200 100 NIV NV 300 NV NII NI NI HI 0 1180 NII 1280 1380 1480 1580 1680 1780 1880 λ/Å Abb. 2.5: Beispiel eines VUV-Linienspektrums an der ECRIS 2 (N2-HeEntladung mit vorgespannter Endplatte). Die Kenzeichnung der Linien erfolgt in spektroskopischer Notation (z. B. NI: neutraler Stickstoff, NII: N+, NIII: N2+, ...). 13 2 Experiment In Verlängerung des Gaseinlasses befindet sich ein VUV- (Vakuum-Ultraviolett-) Monochromator, der mit drei verschiedenen holographischen Gittern (1200 bzw. 3600 Striche / mm) und zwei verschiedenen Sekundärelektronenvervielfachern betrieben werden kann. Somit lässt sich ein Wellenlängenbereich des vom Plasma emittierten Lichts von 30 nm bis 550 nm spektral analysieren. Vor dem Anbau an die Ionenquelle diente der Monochromator bereits einige Jahre an unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld zur Dichtebestimmung der verschiedenen Ionenspezies. Eine detaillierte Beschreibung des Spektrometers findet sich bei [Jet 94] und [Vin 94]. Abb. 2.5 zeigt ein in einer N2-HeEntladung gemessenes VUV-Linienspektrum. Zeitweilig war als weiteres Instrument zur Plasmadiagnostik eine Stabantenne auf der Innenseite der Endplatte montiert, deren Spitze 4 cm in Richtung Plasma ragte. In Verbindung mit einem Spektrumanalysator diente diese zur Messung des vom Plasma emittierten niederfrequenten (bis 200 MHz) und hochfrequenten (8 bis 10 GHz) Rauschens (s. Kap. 6). Für die Experimente zur Ionenheizung (s. Kap. 5) wurde die Antenne in Verbindung mit einem Hochfrequenzgenerator und einem Hochfrequenzverstärker als Sendeantenne genutzt. Mit eingebauter Antenne waren allerdings die Ströme hochgeladener Ionen wegen der an ihr auftretenden Plasmaverluste um mindestens 30 % geringer als ohne Antenne. Des weiteren war nach dem Einbau jeweils eine lange Konditionierungsphase nötig, in der insbesondere bei hohen Mikrowellenleistungen große Mengen von Restgasionen gemessen wurden. Um ein gutes Vakuum zu gewährleisten, ist die Anlage insgesamt mit vier Turbomolekularpumpen und zugehörigen Vorpumpen ausgestattet. Zwei im Bereich der Quelle (im Extraktionsbereich und am UHV-Rezipient auf der Gaseinlassseite) und jeweils eine weitere am Monochromator und am Faraday-Cup. Auf diese Weise erreicht man einen Restgasdruck von ca. 1⋅10-5 Pa, im Bereich des Faraday-Cups sogar bis 1⋅10-6 Pa. Für die Druckmessung stehen insgesamt vier Ionisationsmessröhren zur Verfügung, die in der Nähe der Turbopumpen montiert sind. Zusätzlich befindet sich ein Kugelreibungsmanometer neben den Nadelventilen am Gaseinlass. Unter Betriebsbedingungen (Einlassen des oder der Arbeitsgase) liegt der Druck hier in der Größenordnung von 1⋅10-2 Pa. Für das Entladungsvolumen läßt sich ein Druck von etwa 1⋅10-3 Pa extrapolieren. Eine direkte Druckmessung im Entladungsrohr wäre wegen der geschlossenen Struktur des Hexapols (s. Abb. 2.2) nur schwer möglich. Der Druck kann aber aus den Werten am Gaseinlass und der Extraktion extrapoliert werden. Aus dem gleichen Grund ist auch eine Diagnostik des Plasmas von der Seite nicht möglich. 14 2 Experiment Zur Überwachung der Zusammensetzung der Arbeitsgas- und Restgaskomponenten war der Aufbau zeitweilig mit einem Quadrupolmassenspektrometer (QMS) ausgerüstet. Ursprünglich wurde dieses am geerdeten Extraktionsbereich montiert. Eine Montage an den UHV-Rezipienten auf der Gaseinlassseite des Entladungsrohrs war erst nach der Anschaffung eines Hochspannungsisolierstücks möglich, da der Rezipient elektrisch leitend mit dem Entladungsrohr verbunden ist und daher ebenfalls das Potential der Extraktionsspannung besitzt. Die grundlegenden Merkmale der hier vorgestellten EZR-Quelle, wie Minimum-BStruktur des Magnetfeldes, asymmetrisches Feld der Spulen, axiale Mikrowelleneinkopplung und Gaseinlass, sind im Prinzip bei allen EZR-Quellen vorhanden. Unterschiede bestehen vor allem in der Frequenz der Mikrowelle, der Stärke des Magnetfeldes (vereinzelt werden supraleitende Spulen verwendet), der Größe des Plasmagefäßes und dem verwendeten Wandmaterial der Entladungskammer. Manche Quellen verfügen auch über eine Vorionisierungsstufe oder eine Elektronenkanone zur axialen Elektroneninjektion in das Plasma [Krau 86, Xie 95]. Die technischen Daten der ECRIS 2 und typische Betriebsparameter sind in den Tabellen 2.1 und 2.2 zusammengefasst. Mikrowellenfrequenz 10,115 GHz Resonanzinduktion 0,36 T Innendurchmesser des Entladungsrohrs 70 mm Länge des Hexapols 300 mm Länge des Entladungsrohrs 400 mm Tab. 2.1: Technische Daten der ECRIS 2 15 2 Experiment Restgasdruck 1⋅10-5 Pa Entladungsgasdruck (extrapoliert) 1⋅10-4 – 1⋅10-2 Pa Eingehende Mikrowellen-Leistung 100 – 800 W Reflektierte Mikrowellen-Leistung 10 – 200 W Spulenstrom Gaseinlass 940 – 1000 A Spulenstrom Extraktion 500 – 650 A Extraktionsspannung Maximal 10 kV Tab. 2.1: Typische Betriebsparameter der ECRIS 2 16 2 Experiment 2.2 Die Ionenquelle ECRIS 3 in Groningen Eine mehrtägige Meßkampagne zur Ionenheizung wurde von mir in Groningen an der Quelle ECRIS 3 (s. Abb. 2.4) zusammen mit A. G. Drentje und D. Meyer durchgeführt [Nad 99, Nad 00]. Diese Quelle dient seit 1994 der Erzeugung hochgeladener Ionen für kernund atomphysikalische Experimente am Zyklotron AGOR (Accelerateur Groningen Orsay) des KVI [Dre 95]. Sie besitzt eine erheblich kompaktere Bauweise als unsere Ionenquelle ECRIS 2, liefert aber um einen Faktor 5 bis 10 höhere Ströme. Die Quelle ECRIS 3 arbeitet mit einer koaxial zugeführten Mikrowelle der Frequenz 14 GHz. Die Resonanzfeldstärke des Magnetfeldes beträgt damit 0,5 T. Der Gaseinlass erfolgt durch das innere Rohr des koaxialen Mikrowellenhohlleiters. Das Entladungsrohr ist aus Edelstahl gefertigt und besitzt einen Innendurchmesser von 68 mm. Ähnlich wie bei der ECRIS 2 ist das Entladungsrohr für die Kühlung der Permanentmagneten des Hexapols doppelwandig. Der Hexapol selbst besitzt eine Länge von 260 mm. Die magnetische Induktion auf der Innenseite des Entladungsrohrs beträgt 0,93 T. Entladungsvolumen Spannungsisolierung MW-Koax-Leiter Extraktionsblende Ziehelektrode Gaseinlass Weicheisen Hexapol Spulen Abb. 2.6: Ionenquelle ECRIS 3 in Groningen. 17 2 Experiment Die Spulen können mit maximal 1000 A betrieben werden und sind zur zusätzlichen Formung des Magnetfeldes komplett mit Weicheisen ummantelt. Des weiteren befinden sich Weicheisenzylinder mit unterschiedlichen Innendurchmessern innerhalb der Spulen sowohl auf der Gaseinlass- als auch auf der Extraktionsseite. Somit lässt sich auf der optischen Achse eine maximale Induktion von 1,28 T auf der Gaseinlassseite und 0,93 T auf der Extraktionsseite erreichen. Das Minimum auf der Achse liegt dann bei 0,34 T. Der Abstand zwischen den Resonanzpunkten auf der Achse (0,5 T) beträgt 100 mm. Hexapol und Entladungsgefäß sind elektrisch durch ein Kunststoffrohr, welches die gleiche Länge besitzt wie die komplette Quelle selbst, vom Rest des Aufbaus isoliert. Auf diese Weise lassen sich Extraktionsspannungen von bis zu 40 kV erreichen, wodurch indirekt über eine starke Krümmung des Plasmaminiskus (die gekrümmte Plasmagrenze am Extraktionsloch) eine niedrige Emittanz gewährleistet wird. Der Separationsmagnet (nicht in Abb. 2.6 enthalten) ist wesentlich größer und leistungsfähiger als unser Magnet an der ECRIS 2. Der nutzbare Spalt innerhalb des Vakuumbereichs zwischen den Polschuhen des Groninger Magneten beträgt 6 cm, was geringe Strahlverluste gewährleistet. Die ECRIS 3 gehört zu den besten EZR-Ionenquellen der Welt. Da sie aber nahezu ständig für den Beschleunigerbetrieb zur Verfügung stehen muss, bleibt für Grundlagenuntersuchungen an dieser Quelle leider nur wenig Zeit. Eine Diagnostik des Plasmas, z. B. durch Spektroskopie wie an unserer ECRIS 2, ist hier aber ohnehin nicht möglich. 18 3 Modelle und Methoden Auch heute, fast 30 Jahre nach dem ersten Bau einer EZR-Ionenquelle, gibt es noch keine vollständige Theorie, welche die Formierung der Ladungszustandszustandsverteilung im EZR-Plasma zufriedenstellend beschreibt. Die nach dem „Trial and Error“-Verfahren gefundenen Methoden zur Erhöhung der Ausbeute hochgeladener Ionen, wie beispielsweise der Gasmischungseffekt oder das Vorspannen der Endplatte auf der Gaseinlassseite des Endladungsgefäßes, sind daher nur unzureichend erklärbar. Für jeden einzelnen dieser Effekte gibt es zum Teil mehrere konkurrierende Erklärungsmodelle. Für den Gasmischungseffekt ist hier insbesondere das sog. Ionenkühlungsmodell zu erwähnen (s. Kap. 3.2). Dieses Modell ist in der Gemeinschaft der Anwender von EZR-Ionenquellen mittlerweile nahezu allgemein akzeptiert, weist aber vom plasmaphysikalischen Standpunkt erhebliche Mängel auf. Dieses und einige andere Modelle sowie die zugehörigen Effekte sollen im Folgenden erläutert werden. 19 3 Modelle und Methoden 3.1 Konventionelle Optimierung einer EZR-Quelle und physikalische Grundlagen Konstruktion, Bau und Optimierung einer EZR-Ionenquelle stellen immer einen Kompromiss dar aus der Notwendigkeit einer möglichst langen Ioneneinschlusszeit und einem möglichst hohen Strom von Ionen in den Extraktionskanal. Eine lange Einschlusszeit ist nötig, um über Stufenionisation zu den hohen Ladungszuständen zu gelangen. Um die Entladung als Ionenquelle zu betreiben, darf der Ioneneinschluss andererseits aber auch nicht so gut sein, dass kaum noch hochgeladene Ionen extrahiert werden können. Im Gegensatz zu den Elektronen, deren Einschlusszeit stark von der Magnetfeldkonfiguration abhängt, werden die Ionen vom Magnetfeld nur sehr wenig beeinflusst. Der Mechanismus des Ioneneinschlusses wird meistens durch einen negativen Potenzialdip ∆Φ im Zentrum des positiven Plasmapotenzials beschrieben, welcher die Ionen elektrostatisch einschließt [Wes 82, Pas 87, Shi 92, Shi 93] (s. Abb 3.1). Abb. 3.1: Postulierter Verlauf des Plasmapotenzials in einer ECRIS mit Potenzialdip ∆Φ im Zentrum des Plasmas. Die Ioneneinschlusszeit ist in diesem Modell gegeben durch [Pas 87] τ qj = RM L0 (m j 2k BT j )1/ 2 exp(qe∆Φ k BT j ) . (3.1) Dabei bezeichnet RM das Spiegelverhältnis des Magnetfeldes, also das Verhältnis der maximalen zur minimalen magnetischen Induktion (RM = Βmax/Bmin). L0 bezeichnet die 20 3 Modelle und Methoden charakteristische Plasmalänge, kB die Boltzmann-Konstante und mj die Ionenmasse der Spezies j im Ladungszustand q mit der Ionendichte n qj und der Ionentemperatur Tj. Demnach hängt die Ioneneinschlusszeit stark von der Ladung des Ions und der Tiefe des Potenzialdips ab. Die Existenz eines solchen Potenzialdips konnte allerdings bis heute nicht eindeutig nachgewiesen werden. Die Elektronen des ECRIS-Plasmas werden im magnetischen Spiegelfeld eingeschlossen, wobei die Invarianz des magnetischen Moments µ der Elektronen im inhomogenen Feld der EZR-Entladung ausgenutzt wird. Es ist µ= me v ⊥2 , 2B (3.2) wobei v ⊥ die senkrechte Komponente der Elektronengeschwindigkeit während der Gyration um die Magnetfeldlinien bezeichnet. Bewegt sich ein Elektron von einem Bereich mit niedriger Induktion in einen Bereich mit hoher Induktion nimmt die senkrechte Geschwindigkeitskomponente zu während die parallele aus Energieerhaltungsgründen abnimmt. Der Betrag der Geschwindigkeit v bleibt dabei erhalten. Elektronen mit einem genügend großen Verhältnis v⊥,min / v am Ort des Minimums des B-Feldes werden eingeschlossen, während Teilchen mit einem Verhältnis v⊥ ,min v < Bmin 1 = Bmax RM (3.3) in den sog. Verlustkegel gelangen und aus dem Plasma verloren gehen (s. z. B. [Che 84] Kap. 2.3.3). Diejenigen Elektronen, die nicht in den Verlustkegel gelangen, laufen zwischen den Spiegelhälsen – den Magnetfeldmaxima – hin und her und werden in den Resonanzzonen geheizt. Die Elektronen können aber auch durch Stöße in den Verlustkegel gestreut werden. Die Stoßfrequenz für einen solchen Streuprozess kann durch die sog. Spitzer-Formel berechnet werden [Spi 56]: ν = 8π ne Z eff e 4 ln Λ me2 v 3 (3.4) 21 3 Modelle und Methoden mit der Elektronendichte ne, der effektiven Ladung Z eff = (∑ i 2 ni ) / ne und dem CoulombLogarithmus ln Λ. Elektronen hoher Energie haben dementsprechend niedrigere Stoßfrequenzen und sind damit besser eingeschlossen als Elektronen mit niedriger Energie, da sie seltener einem Streuprozess unterliegen. Die Elektroneneinschlusszeit ergibt sich für ein hohes Spiegelverhältnis RM nach [Pas 87]: me (k BT e ) 2eΦ , τe = 8πne Z eff e 4 ln Λ k BTe 32 12 (3.5) wobei Te die Elektronentemperatur und Φ das Plasmapotenzial bezeichnen. Da das EZR-Plasma ein Nicht-Gleichgewichts-Plasma darstellt, ist es streng genommen nicht zulässig von einer Elektronentemperatur zu sprechen, da die Elektronen keine Maxwellverteilung besitzen. Die tatsächliche Energieverteilung lässt sich aber in unterschiedliche Elektronenpopulationen mit unterschiedlichen Temperaturen unterteilen, die je nach Population ein paar eV bis einige 10 keV betragen können [Mey 97]. Die meisten Elektronen besitzen Energien deutlich unterhalb von 10 eV [Bib 98, Bib 02]. Die Wechselwirkung zwischen Elektronen und dem Feld der Mikrowelle besteht nicht allein in der Zyklotron-Resonanz-Heizung (s. Gl. 2.1). Welche komplizierten Wellenphänomene in einem EZR-Plasma auftreten können wird bei [Wol 01] am Beispiel einer Entladung mit einfachem magnetischem Spiegelfeld ohne Hexapol diskutiert. Erste Messungen eines parametrischen Zerfalls der Pumpwelle wurden 1996 von D. Meyer durchgeführt [Mey 97, Mey 98]. Aber auch an der ECRIS 2 wurden parametrische Zerfälle der ins Plasmagefäß eingestrahlten elektromagnetischen Welle nachgewiesen [Kaw 01] (s. Kap. 6). Bei der Optimierung einer EZR-Quelle werden die plasmaphysikalischen Größen, wie Elektronenverteilungsfunktion sowie Ionen- und Elektroneneinschlusszeit gezielt beeinflusst. Dazu werden vom Operateur sukzessiv die Spulenströme, der Neutralgasdruck und die Mikrowellenleistung justiert. Das von den Spulen generierte axiale Magnetfeld kann in der Regel asymmetrisch eingestellt werden. Für die Extraktion der Ionen hat sich bewährt das Magnetfeld auf der Extraktionsseite niedriger einzustellen als das auf der Injektionsseite. Das Spiegelverhältnis RM sollte im Allgemeinen jedoch möglichst hoch gewählt werden, um den 22 3 Modelle und Methoden Elektronenverlustkegel klein zu halten (s. Gl. 3.3). Der Gasdruck sollte in einem Bereich liegen, in dem die Dichte hoch genug ist, um genügend Ionen hervorzubringen, andererseits aber auch nicht so hoch, dass die Wirkungsquerschnitte für Rekombination und Ladungsaustausch zu groß werden. Mit Hilfe der Mikrowellenleistung lässt sich die Elektronenenergie beeinflussen. Bei zu großen Leistungen bilden sich allerdings Plasmainstabilitäten. Die oben genannten Parameter verhalten sich bei der Optimierung nicht linear und sind stark abhängig von einander. Das heißt, optimiert man aus einem gegebenem Zustand beispielsweise den Gasdruck auf bestmögliche Produktion eines bestimmten Ladungszustands, dann müssen auch die übrigen Parameter neu optimiert werden. Notwendige Bedingungen für die Optimierung der Quelle auf einen bestimmten Ladungszustand sind [Gir 96]: 1. Die Elektronenenergie muss größer sein als die Ionisationsenergie des betreffenden Ions. 2. Die Ioneneinschlusszeit muss so groß sein, dass die Ionen über Stufenionisation in den gewünschten Ladungszustand gelangen können. 3.2 Gasmischungseffekt und Ionenkühlungsmodell Der Gasmischungseffekt besteht in einer signifikanten Erhöhung der extrahierten Ströme hochgeladener Ionen, wenn man zu dem eigentlichen Arbeitsgas der Quelle ein leichteres Mischgas hinzufügt. Er wurde bereits Anfang der 80er Jahre in Groningen und in Jülich entdeckt und gehört seitdem zu den Standardverfahren für die Optimierung von EZRIonenquellen [Bra 84, Dre 85, Mac 86]. Die Bedingung AMischgas < AArbeitsgas ist allerdings nur eine notwendige Bedingung und keine hinreichende. Das leichteste Element Wasserstoff liefert beispielsweise in jeder Entladung einen negativen Effekt [Dre 93, Mey 95, Mey 96, Nad 96, Mey 97]. Gute Mischgase für Argon sind vor allem O2 und N2. Für Stickstoff hat sich Helium als Zusatz bewährt. Die mögliche Steigerung der Ausbeute hochgeladener Ionen durch den Gasmischungseffekt variiert stark für unterschiedliche Quellen. So lässt sich bei einigen modernen EZR-Quellen, die bereits bauartbedingt eine sehr hohe Güte besitzen, nur eine geringe oder gar keine Verbesserung der Ladungszustandsverteilung im Mischgasbetrieb 23 3 Modelle und Methoden erzielen. Gewöhnlich wird der Gasmischungseffekt im Rahmen des Ionenkühlungsmodell erklärt, dass ursprünglich 1989 von T. A. Antaya als qualitatives Model eingeführt wurde [Ant 89]. Quantitative Berechnungen auf der Basis dieses Modells wurden erstmalig von Shirkov erstellt [Shi 92, Shi 93]. Das Ionenkühlungsmodell beruht auf der Annahme, dass durch elastische Stöße zwischen den Ionen kinetische Energie von der schwereren auf die leichtere Ionenkomponente übertragen wird. Wegen des grundsätzlich schlechteren Einschlusses der leichteren Ionen tragen diese am stärksten zum Energieverlust aus dem Plasma bei. Dies führt in der Gesamtbilanz auch zu einer Kühlung der schweren Ionenkomponente, da die Energieausgleichszeit zwischen den Ionen kürzer ist als deren Energieeinschlusszeit und damit alle Ionen innerhalb eines gegebenen Plasmazustands die gleiche Temperatur Ti haben. Eine Kühlung bedeutet aber auch eine Verbesserung des Einschlusses der schweren Ionenkomponente. Aufgrund der längeren Einschlusszeit der schweren Teilchen, können diese dann zu höheren Ladungszuständen ionisiert werden. Im Allgemeinen ergibt sich der extrahierbare Strom I qj der Ionenkomponente j und des Ladungszustands q zu [Mel 99] q 1 n j qeVex I ≈ . 2 τ qj q j (3.6) Dabei ist n qj die Ionendichte der Spezies j mit Ladungszustand q im Plasma, τ qj die Ioneneinschlusszeit und Vex ist das effektive Plasmavolumen entlang der magnetischen Flusslinien zum Extraktionsbereich. Die Bilanzgleichung für die Ionisation ist gegeben durch [Mel 99, Hes 83] dn qj dt = ne σν ion q −1→ q + n0 j σν n qj −1 − ne σν cx q +1→ q n q +1 j ion q → q +1 − n0 j σν n qj cx q → q −1 wobei ne die Elektronendichte bezeichnet, σν n qj − ion k →l n qj τ qj (3.7) , und σν cx k →l die Ratenkoeffizienten der Ionisation vom Ladungszustand k nach l bzw. die Ladungsaustauschraten. Die Rekombination mit den kalten Elektronen des Plasmas wird in diesem Bild vernachlässigt. Diese Annahme ist 24 3 Modelle und Methoden insbesondere für die hohen Ladungszustände nicht gerechtfertigt. Außer für die sehr hohen Ladungszustände ist der Ladungsaustausch kein dominanter Verlustprozess im Vergleich zur Diffusion zu den Wänden [Hes 83, Dre 00]. Wenn die meisten Ionen an den Wänden verloren gehen und die Ionisation in höhere Ladungszustände vernachlässigbar ist, erhalten wir für ein stationäres Plasma ( d n qj d t = 0 ) n qj ≈ ne σν ion q −1→ q n qj −1τ qj . (3.8) Für einen gegebenen Plasmazustand mit konstantem Te und ne wird die Ionendichte n qj als proportional zum Produkt der Einschlusszeiten aller Ladungszustände bis zum Ladungszustand q betrachtet: q n qj ∝ ∏τ qj′ . (3.9) q′=1 Dies lässt sich leicht durch sukzessives Einsetzen aus Gleichung (3.8) ableiten. Setzt man einen elektrostatischen Einschluss voraus, ist nach Gl. 3.1 die Ioneneinschlusszeit bei einer gegebenen Temperatur proportional zur Wurzel aus der Ionenmasse. Betrachtet man ein einfaches Diffusionsmodell, dann ist die Ioneneinschlusszeit proportional zu 1/vthj und damit ebenfalls proportional zu m1j / 2 . vthj = (2k BT j / m j )1 / 2 ist die thermische Geschwindigkeit de Spezies j. Auch wenn man eine ausgedehnte Vorschicht annimmt, in der die Ionen auf die Bohmgeschwindigkeit vB = (k BT j / m j )1/ 2 beschleunigt werden, ist die Einschlusszeit proportional zur Wurzel aus der Masse. Für den extrahierbaren Strom der Spezies j und des Ladungszustands q ergibt sich somit aus Gleichung 3.6 und Gleichung 3.8 näherungsweise 1 qeVex (ne ) σν I ≈ 2 q q j ion q −1→ q τ qj σν ion q − 2 → q −1 τ qj τ qj −1 ⋅ ⋅ ⋅ σν ion 0 →1 n 0j τ 1j . (3.10) Berücksichtigt man die Proportionalität der jeweiligen Einschlusszeiten zur Wurzel aus der Masse des Ions erhält man 25 3 Modelle und Methoden I qj ∝ qe(ne ) σν q ion q −1→ q σν ion ⋅ ⋅ ⋅ σν q − 2→ q −1 ion n0 ⋅ 0→1 j ( mj ) q −1 . (3.11) Betrachtet man ein Plasma aus einem Isotopengemisch des gleichen Elementes unterscheiden sich die Ionenströme eines Ladungszustandes q in diesem Modell nur um einen Faktor ( mj ) q −1 . Detaillierte Messungen ergeben für diesen Fall aber deutlich größere Unterschiede [Kaw 01]. Diese sog. Isotopenanomalie wird in Kap. 6 ausführlich behandelt. Aufgrund von Untersuchungen an unserer EZR-Entladung wurde ein zur Ionenkühlung konkurrierendes Modell entwickelt, dass den Gasmischungseffekt auf eine Stabilisierung des Plasmas über eine Absenkung des Plasmapotenzials und einer reduzierten Plasma-WandWechselwirkung zurückführt. 3.3 „Biased disk“ und Sekundärelektronenemission Das Vorspannen der Endplatte oder einer zusätzlichen Metallscheibe („biasesd disk“) auf der Gaseinlassseite als Methode zur Optimierung der Ladungszustandsverteilung in EZRIonenquellen wurde erstmalig in Grenoble von Melin et al. experimentell gefunden [Mel 90]. Erste systematische Untersuchungen wurden von Gamino et al. in Groningen durchgeführt [Gam 92] (s. Abb. 3.1). Diese Methode ist technisch einfach zu realisieren und wird deshalb häufig angewendet. Dabei wird entweder die Endplatte des Plasmagefäßes isoliert aufgebaut oder eine zusätzliche Metallscheibe auf der optischen Achse des Entladungsrohrs positioniert und mit einer variablen Spannungsquelle negativer Polarität verbunden. Durch Optimierung der Spannung auf der Endplatte bzw. der Scheibe und der Scheibenposition können die extrahierten Ströme hochgeladener Ionen bis zu einem Faktor 20 gesteigert werden. Auch eine floatend aufgebaute Endplatte oder Scheibe hat einen positiven Effekt auf die Ladungszustandsverteilung, während das Anlegen einer positiven Spannung die Ausbeute hochgeladener Ionen verschlechtert (s. Kap 4.3.3). 26 3 Modelle und Methoden Spannung / V Abb. 3.2: O3+- und O7+- Ionenstrom in Abhängigkeit von der Spannung an einer axial auf der Gaseinlassseite montierten Scheibe [Gam 92]. Erklärt wird dieser Effekt üblicherweise durch Sekundärelektronenemission, verursacht durch auf die Metalloberfläche treffende Plasmapartikel und eine daraus resultierende Erhöhung der Elektronendichte in der Entladung. Die zusätzlichen Elektronen bewirken in diesem Modell über Stufenionisation eine Erhöhung des mittleren Ladungszustandes des Ionenensembles. Die Plasmapartikel, die auf die Endplatte treffen, können sowohl selbst hochenergetische Elektronen sein, die genügend Energie besitzen, um das elektrische Potenzial der Endplatte zu überwinden, als auch Ionen, die von der negativen Spannung auf die Endplatte beschleunigt werden. Im letzteren Fall spricht man korrekterweise von ioneninduzierter Elektronenemission. Dieser Prozess ist der häufigere von beiden, da die meisten Elektronen des Plasmas nicht genügend Energie besitzen, um das negative Potential der Endplatte zu überwinden [Bib 98]. D. h., legt man ein negatives Potential an die Endplatte nimmt die Zahl der aus dem Plasma auf die Platte treffenden Elektronen ab. 27 3 Modelle und Methoden Die Elektronenausbeute γ für diese beiden Wechselwirkungen mit der Wand variiert über einen Bereich von ca. 0,1 bis 10 [Var 92]. Sie ist definiert als Anzahl der von der Wand emittierten Elektronen pro auftreffendes Teilchen und hängt stark vom Wandmaterial, seiner Reinheit, der Teilchenenergie und deren Winkel zur Wand ab. Für Ionen spielt auch der Ladungszustand eine wesentliche Rolle. Rechnungen unter Berücksichtigung sinnvoller Elektronenausbeuten und gemessener elektrischer Ströme auf der Endplatte ergeben keine signifikante Erhöhung der Elektronendichte durch Elektronenemission und lassen dieses Modell daher zweifelhaft erscheinen (s. Kap. 4.3.2). 3.4 Pulsbetrieb im „Afterglow“ Häufig benötigt man bei Beschleunigerexperimenten mit Ionenstrahlen einen gepulsten anstelle eines kontinuierlichen Teilchenstroms. Dies kann grundsätzlich auf zwei Arten realisiert werden. Entweder man blendet den Ionenstrahl irgendwo innerhalb des Strahlsystems abwechselnd ein und aus oder man schaltet periodisch die Quelle ein und aus, was am einfachsten durch periodisches Schalten der Mikrowelle erreicht wird. Im letzteren Fall nutzt man bei modernen EZR-Ionenquellen den sog. Aftergloweffekt aus [Sor 92, Bri 93, Bou 95, Lan 95]. Dieser äußert sich darin, dass unter bestimmten Betriebsbedingungen nach dem Abschalten der Mikrowelle der extrahierte Ionenstrom bis zu einem Mehrfachen des ursprünglichen Werts zunächst steil ansteigt und erst danach exponentiell gegen Null abfällt (s. Abb. 3.2). Der mögliche Gewinn gegenüber dem kontinuierlichen Betrieb kann dabei bis zu einem Faktor 10 betragen, wobei die Steigerung für schwere Elemente größer ist als für leichte [Gel 98]. Die Justierung der Quellenparameter unterscheidet sich in der AfterglowMode deutlich von der im normalen Betrieb. Der „Afterglowpeak“ besitzt je nach Element und Ladungszustand eine Halbwertsbreite von wenigen 100 µs bis einige ms, wobei der Peak mit wachsendem Ladungszustand schmaler wird. Die in Beschleunigerexperimenten benötigten Pulslängen besitzen in etwa die gleiche Größenordnung. 28 3 Modelle und Methoden Abb. 3.3: Schematischer Verlauf des extrahierten Ionenstroms nach Abschalten der Mirowellenleistung („Afterglowpeak“). Erklärt wird dieser Effekt gewöhnlich mit Hilfe des elektrostatischen Einschlusses durch den Potenzialdip [Shi 92]. Wird die Heizung der Elektronen durch die Mikrowelle unterbunden, dann gehen zunächst die Elektronen aufgrund ihrer höheren Mobilität dem Plasma verloren. Die Tiefe des Potenzialdips verringert sich sehr schnell und die ursprünglich elektrostatisch eingeschlossenen Ionen diffundieren in alle Raumrichtungen, also auch in Richtung der Extraktion. Dies führt zu einem kurzzeitigen Anstieg des Ionenstroms in der Extraktion bis zu einem Mehrfachen des Wertes, der im kontinuierlichen Betrieb der Quelle erreicht werden kann. Der anschließende exponentielle Abfall des Stroms entspricht der Dauer des Zerfalls des Plasmas. Die Abhängigkeit der Breite des Afterglows vom Ladungszustand der Ionen scheint das Modell des elektrostatischen Einschlusses zu unterstützen. Der Aftergloweffekt an der ECRIS 2 wird ausführlich in Kap. 4.4 erörtert. In Kap. 5 wird die Möglichkeit untersucht, den Afterglowpeak nach einem Vorschlag von G. Shirkov et al. [Shi 95] mittels selektiver Ionenheizung durch eine HF-Welle zeitlich zu komprimieren und seine Intensität zu erhöhen [Nad 99, Nad 00]. 29 3 Modelle und Methoden 3.5 Sonstige Methoden Einige experimentell gefundene Methoden, die die Ausbeute hochgeladener Ionen verbessern, sollen hier nur kurz skizziert werden und werden im weitern Verlauf der Arbeit nicht weiter erörtert. Als Erstes ist hier die Wahl bestimmter Wandmaterialien bzw. Beschichtungen auf der Innenseite des Plasmagefäßes zu nennen. Edelstahl bietet z. B. gegenüber Kupfer den Vorteil, dass es eine geringere Zerstäubungsrate und eine höhere Schwellenenergie für die Wandzerstäubung besitzt [Mat 83, Mey 97]. Entladungsrohre aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung oder einer Aluminiumoxidbeschichtung werden vor allem wegen ihres hohen Sekundärelektronenkoeffizienten gewählt [Nak 93, Xie 94]. Eine elegante Methode ist, einen dünnen „MD“-Zylinder („metal-dielectric“) aus einer Al-Al2O3Legierung in ein bereits vorhandenes Entladungsrohr einzufügen [Sch 99]. Dabei wird über Steigerungen der Produktion von Ar11+-Ionen von bis zu einem Faktor 40 berichtet. Auch hier ist allerdings zweifelhaft ob die positive Wirkung des Materials auf einer Erhöhung der Elektronendichte durch Sekundärelektronenemission von der Oberfläche des Materials beruht (s. Kap. 4.3.5). Derartige Methoden der Wandmodifizierung bewirken auch eine deutliche Verringerung des Plasmapotenzials [Xie 95]. Eine weitere Methode die Leistungsfähigkeit von EZR-Quellen zu erhöhen ist die axiale Elektroneninjektion mittels einer Elektronenkanone. Hier werden Elektronenströme von etwa 10 bis 30 mA mit einer Energie von 50 bis 200 eV in das Plasma injiziert. Dabei wird ebenfalls das Plasmapotenzial wirksam erniedrigt, was bei den meisten Methoden zur Verbesserung der Ionenausbeute beobachtet wird [Xie 94, Xie 95]. Stark abhängig ist die Leistungsfähigkeit einer EZR-Ionenquelle auch von der Mikrowellenfrequenz. Vereinfacht kann man sagen: Je höher die Frequenz, desto höher die Ionenausbeute einer Quelle [Gel 86]. Standard ist heute eine Frequenz von 14 GHz. Moderne Quellen arbeiten aber auch bei 18 GHz. Die Wahl der Frequenz ist eine Kostenfrage, da bei einer höheren Frequenz auch das Magnetfeld entsprechend ausgelegt werden muss, um eine in sich geschlossene Resonanzoberfläche zu gewährleisten, was insbesondere an die Permanentmagneten des Hexapols hohe Anforderungen stellt. Teilweise benutzt man für die Elektronenheizung auch zwei separate Mikrowellen unterschiedlicher Frequenz [Xie 95, Xie 97]. Bei dieser Doppelfrequenzheizung bilden sich zwei räumlich von einander getrennte aber geschlossene, konzentrische Resonanzzonen 30 3 Modelle und Methoden innerhalb des Entladungsgefäßes aus. Dadurch soll die Dichte der hochenergetischen Elektronen erhöht werden. Für schwere Elemente lassen sich so die Ströme hochgeladener Ionen um einen Faktor 2 bis 5 gegenüber der Einzelfrequenzheizung erhöhen. 31 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Aus technischen Gründen und um den zeitlichen Rahmen dieser Arbeit in einem vertretbaren Maß zu halten, habe ich mich bei der Untersuchung der im vorigen Kapitel beschriebenen Optimierungsmethoden auf drei der wichtigsten Methoden beschränkt. Untersucht wurden hier die Gasmischung und ihr Zusammenhang mit Plasma-WandWechselwirkungen (Kap 4.2), das Vorspannen der Endplatte auf der Gaseinlassseite des Entladungsgefäßes (Kap 4.3) und der Aftergloweffekt im gepulsten Betrieb (Kap 4.4). Als Modellgase wurden Stickstoff und Helium verwendet. Die selektive Ionenheizung im Afterglow und die Mischung zweier Stickstoffisotope (Isotopenanomalie) wird in zwei gesonderten Kapiteln erörtert (s. Kap. 5 und Kap. 6). Zunächst wurde jedoch der Zusammenhang zwischen den extrahierten Ionenströmen verschiedener Ladungszustände und den entsprechenden Ionendichten im Plasma untersucht (Kap. 4.1). 32 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 4.1 Zusammenhang zwischen den extrahierten Ionenströmen und den Ionendichten im Plasma Bei der Modellierung von EZR-Ionenquellen gehen die Quellenanwender in der Regel von einem direkten Zusammenhang zwischen der Dichte einer Ionensorte im Plasma und ihrem extrahierten Strom aus. Eine Erhöhung der Ionendichte eines Ladungszustandes sollte demnach in jedem Fall zu einer Erhöhung des entsprechenden Stroms in der Extraktion führen. Vergleicht man jedoch die Verläufe der extrahierten Ströme mit den von den angeregten Ionen emittierten VUV-Linienintensitäten während der Variation verschiedener Plasmaparameter, ergibt sich nicht immer ein derartig einfacher Zusammenhang. Die Intensität der VUV-Linien ist allerdings kein direktes Maß für die Ionendichte, da die Linienintensität sowohl zur Ionendichte als auch zum Ratenkoeffizienten σv für die Elektronenstoßanregung proportional ist, der wiederum von der Elektronenverteilungsfunktion bzw. der Elektronentemperatur abhängig ist. Für eine Beurteilung tendenzieller Änderungen der Ionendichte ist dies jedoch ausreichend, solange man voraussetzen kann, dass sich die Elektronenverteilungsfunktion über den betrachteten Parameterbereich nicht grundlegend ändert. In Abb. 4.1 sind exemplarisch die extrahierten Ströme der Ionen N3+, N4+ und N5+ und die entsprechenden VUV-Linienintensitäten in Abhängigkeit vom Spulenstrom auf der Extraktionsseite des Entladungsgefäß für eine reine Stickstoffentladung dargestellt. Der Spulenstrom auf der Gaseinlassseite, sowie der Neutralgasdruck in der Entladung und die Eingangsleistung wurden dabei konstant gehalten (IGaseinlass = 972 A, p = 3⋅10-5 mbar, Pin = 700 W). Für die Kennzeichnung der Linienintensitäten benutze ich hier und im Folgenden die spektroskopische Notation (NIV = N3+, NV = N4+, NVI = N5+). Während der Ionenstrom von N3+ bereits bei 490 A sein Maximum erreicht und danach rasch abfällt, liegt das Maximum der NIV-Linienintensität bei 540 A. Der anschließende Abfall der Intensität fällt sehr moderat aus. Ähnliches beobachtet man für die Ladungszustände 4 und 5. Das Maximum des Ionenstroms ist in diesen beiden Fällen nur geringfügig zu 498 A verschoben. Das Maximum der Intensität der NV-Linie bleibt bei 540 A. Bei der NVI-Linie bildet sich ab 540 A eine Art Sättigung aus. Die Intensität fällt erst ab 580 A wieder leicht ab. Offenbar ist ab einer bestimmten Magnetfeldstärke der Ioneneinschluss so gut, dass zwar mehr hochgeladene Ionen im Plasma generiert werden aber weniger in den Extraktionskanal 33 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 gelangen. Bei sehr hohem Magnetfeld verlagert sich die Resonanzzone auf der Extraktionsseite derart weit nach innen, dass das effektive Plasmavolumen signifikant verkleinert wird. Dies bedeutet aber auch eine Verringerung des Volumens aus dem VUVStrahlung emittiert wird, also auch des vom Spektrometer sichtbaren Plasmavolumens. Die vom Spektrometer gemessene absolute Zählrate nimmt dann trotz möglicherweise gleich 6 14000 5 12000 10000 4 8000 3 6000 2 4000 Extrahierter Strom Linienintensität 1 2000 0 0 440 490 540 590 3000 2 2500 2000 1,5 1500 1 1000 0,5 500 0 440 0 490 540 590 I Ex (N5+) / µA 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 490 540 IVUV(NVI) / s-1 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0,6 440 IVUV(NV) / s-1 2,5 I Ex (N4+) / µA IVUV(NIV) / s-1 I Ex (N3+) / µA bleibender Ionendichte ab. 590 Spulenstrom / A Abb. 4.1: Extrahierte Ionenströme und Linienintensitäten in Abhängigkeit vom Spulenstrom auf der Extraktionsseite für N3+ (NIV: 171,8 nm), N4+ (NV: 123,8 nm) und N5+ (NVI: 189,6 nm). 34 4,5 18000 4 16000 3,5 14000 3 12000 2,5 10000 2 8000 1,5 6000 1 4000 0,5 2000 0 0 5 10 15 2500 2 2000 1,5 1500 1 1000 4+ 2,5 0,5 500 0 0 0 5 10 15 0,6 1400 0,5 1200 1000 0,4 800 0,3 600 0,2 400 0,1 IVUV(NVI) / s-1 5+ IVUV(NV) / s-1 I Ex (N ) / µA 0 I Ex (N ) / µA IVUV(NIV) / s-1 I Ex (N3+) / µA 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 200 0 0 0 5 10 15 -5 Gasdruck / 10 mbar Abb. 4.2: Extrahierte Ionenströme und Linienintensitäten in Abhängigkeit vom Gasdruck für N3+ (NIV), N4+ (NV) und N5+ (NVI). Variiert man den Neutralgasdruck zeigen die Ionenströme von N3+ bis N5+ Maxima bei etwa 3⋅10-5 mbar (s. Abb. 4.2). Dabei ist das Maximum für N3+ breiter als für die anderen beiden Ionensorten. Für die Linienintensitäten von NV und NVI sind ebenfalls Maxima erkennbar, die allerdings zu 3,8⋅10-5 mbar verschoben sind. Der anschließende Abfall fällt auch hier wieder weniger deutlich aus als bei den entsprechenden Ionenströmen. Die Intensität der NIV-Linie zeigt im untersuchten Druckbereich kein ausgeprägtes Maximum. Statt dessen bildet sich ein Plateau bei 5⋅10-5 mbar aus und ein weiteres auf höherem Niveau bei 1⋅10-4 mbar. Der Rückgang der Ströme und Linienintensitäten der hochgeladenen Ionen N4+ und N5+ bei hohem Druck kann auf das Steigen der Wirkungsquerschnitte für die 35 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Rekombination und die Umladung mit niedrigen Ladungszuständen mit zunehmendem Druck zurückgeführt werden. Insgesamt zeigen sich auch bei dieser Messreihe wieder deutliche Unterschiede im Verhalten der extrahierten Ströme und der im Plasma generierten 6 12000 5 10000 4 8000 3 6000 2 4000 1 2000 0 100 0 200 300 400 500 600 2 1600 1400 4+ 1200 1,4 1000 1,2 1 800 0,8 600 0,6 400 0,4 IVUV(NV) / s-1 I Ex (N ) / µA 1,6 200 0,2 0 0 200 300 400 500 600 700 0,6 1200 0,5 1000 0,4 800 0,3 600 0,2 400 0,1 200 0 100 IVUV (NVI) / s-1 I Ex (N5+) / µA 700 1,8 100 IVUV(NIV) / s-1 I Ex (N3+) / µA Linienintensitäten. 0 200 300 400 500 600 700 Absorbierte Leistung / W Abb. 4.3: Extrahierte Ionenströme und Linienintensitäten in Abhängigkeit von der eingekoppelten Mikrowellenleistung für N3+ (NIV), N4+ (NV) und N5+ (NVI). In Abb. 4.3 sind die Ionenströme und Linienintensitäten der Ladungszustände 3 bis 5 als Funktion der absorbierten Mikrowellenleistung (Pin – Pref) dargestellt. Für diese Messreihe sind die Verläufe der Ionenströme und Linienintensitäten verhältnismäßig ähnlich, obwohl man nicht von einer konstanten Elektronentemperatur über den gesamten untersuchten 36 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Leistungsbereich ausgehen kann. Dabei steigen die Ströme und Linienintensitäten kontinuierlich an, wobei sich zum Ende des untersuchten Leistungsbereichs eine Sättigung abzeichnet. Die hier beschriebenen Untersuchungen belegen, dass eine Optimierung der Plasmaparameter auf maximale VUV-Linienintensitäten und damit auf maximale Ionendichten nicht automatisch zu optimalen Extraktionsströmen führt. Lediglich eine Variation der Mikrowellenleistung führt zu nahezu gleichen Veränderungen der Ionendichten und der entsprechenden extrahierten Ströme. Dabei zeigt sich auch, dass das Optimum des extrahierten Ionenstroms wesentlich empfindlicher ist als das der Ionendichte. Bereits kleine Änderungen der Parameter Magnetfeld und Druck führen zu einer großen Absenkung des Stroms. Bei der Untersuchung der Optimierungsmethoden, die im Folgenden beschrieben werden, wurden, wenn möglich, sowohl die extrahierten Ionenströme als auch die vom Plasma emittierten VUV-Linien betrachtet. 37 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 4.2 Gasmischung Der Gasmischungseffekt in EZR-Ionenquellen drückt sich durch eine signifikante Erhöhung des extrahierten Stroms hochgeladener Ionen aus, wenn dem eigentlichen Entladungsgas ein leichteres Mischgas zugefügt wird (s. Kap 3.2). Bei der Untersuchung des Gasmischungseffekts an unserer alten Ionenquelle konnten bereits einige wichtige Erkenntnisse gewonnen werden [Nad 96]. So zeigte sich, dass durch das Mischen mit einem leichteren Gas das Plasmapotenzial deutlich abgesenkt wird. Des Weiteren wurde eine Erhöhung der Energiebreite des extrahierten Ionenstrahls beobachtet, was auf eine Zunahme der Ionentemperatur hinweist. In unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld konnte ein Zusammenhang zwischen dem Gasmischungseffekt und der Zerstäubung von Wandmaterial nachgewiesen werden [Mey 95, Mey 97]. Betreibt man dort die Entladung in reinem Stickstoff unter optimierten Bedingungen bilden sich Instabilitäten mit Wiederholfrequenzen zwischen 0,1 Hz und 10 Hz aus. Diese Instabilitäten lassen sich als Modulation der VUV-Linienintensitäten der Stickstoffionen, sowie der reflektierten Mikrowellenleistung und der vom Plasma emittierten Röntgenbremsstrahlung messen. Des Weiteren zeigen spektroskopische Messungen hohe Kupferkonzentrationen im Plasma, die ebenfalls im Takt der Instabilität modulieren. Das Plasmagefäß der EZR-Entladung besteht komplett aus Kupfer. Dagegen lässt sich in der Gasmischung mit Helium das Plasma stabilisieren. Die Linienintensitäten der hochgeladenen Stickstoffionen sind in diesem Zustand deutlich höher während sich die Kupferkonzentration stark abschwächt. Eine weitere erhebliche Absenkung der Kupferkonzentration lässt sich erzielen, indem man das Plasma als reine Heliumentladung betreibt. Schirmt man die vom Plasma exponierten Stellen des Entladungsgefäßes mit Limitern aus Edelstahl ab, lassen sich auch in einer reinen Stickstoffentladung bei vergleichbaren Plasmaparametern keine Instabilitäten und keine hohen Kupferkonzentrationen beobachten. Edelstahl besitzt deutlich niedrigere Zerstäubungsraten als Kupfer [Mat 93, Mey 97]. In [Mey 97] wurde daher ein Modell vorgeschlagen, das den Gasmischungseffekt auf die Massenabhängigkeit des Plasmapotenzials zurückführt. Für ein stationäres Plasma mit maxwellverteilten Elektronen erhält man das Plasmapotenzial gemäß 38 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Φ Plasma = − q k nik k BTe me ln ⋅∑ ne e mik k , (4.1) wobei über alle Ionenkomponenten summiert wird [Mey 97]. q k , nik und mik sind die Ladungszahl, die Dichte und die Masse der Ionenkomponente k. Demnach führt eine Reduzierung der gemittelten Ionenmasse im Plasma, wie etwa in der Mischung mit einem leichteren Gas, zu einer Absenkung des Plasmapotenzials, was bereits durch Messungen an unserer alten EZR-Quelle bestätigt wurde [Nad 96]. In diesem Fall wird auch die Energie der auf die Wand treffenden Ionen geringer sein und damit auch die Zerstäubung von Wandmaterial. Andererseits führt ein hohes Plasmapotenzial zu einer hohen Zerstäubungsrate des Wandmaterials, in unserem Fall Kupfer. Gerade in der Nähe der Schwellenenergie für die Wandzerstäubung (ca. 20 eV für Kupfer) steigen die Zerstäubungsraten sehr stark mit steigendem Plasmapotenzial. Da Kupfer (ACu = 63,55) eine deutlich höhere Atommasse besitzt als Stickstoff (AN2 = 14,01) bewirkt eine Erhöhung der Kupferkonzentration im Plasma eine weitere Erhöhung des Plasmapotenzials und damit eine zusätzliche Verstärkung der Wandzerstäubung, zumal die Raten der Selbstzerstäubung von Kupfer bei gleicher Energie um bis zu einen Faktor 10 höher liegen als die der Zerstäubung durch Stickstoff oder Helium. Dies führt zu einer selbstverstärkenden Zerstäubung, wobei die gemessene Zeitskala des Anwachsens der Kupferkonzentration an der EZR-Entladung im Bereich der reziproken Wiederholfrequenz der beobachteten Instabilität liegt [Jog 90, Mey 97]. Ab einer genügend hohen Kupferkonzentration wird die heiße Elektronenpopulation durch inelastische Stöße mit den Kupferatomen und Ionen wirksam abgekühlt. Das Plasma wird infolgedessen instabil und diffundiert sehr rasch zu den Wänden. Das Plasma erlischt und der Prozess der selbstverstärkenden Zerstäubung beginnt von Neuem mit einem erneuten Zünden der Entladung. Um zu überprüfen, ob dieses Modell auch auf EZR-Ionenquellen mit Minimum-BKonfiguration übertragbar ist, wurden an unserer ECRIS 2 sowohl VUV-spektroskopische Messungen am Plasma der Quelle als auch massenspektroskopische Messungen des extrahierten Ionenstrahls durchgeführt (Kap. 4.2.2) [Man 99]. Zunächst soll aber die in der ECRIS 2 mögliche Verbesserung der Ladungszustandsverteilung von Stickstoffionen durch das Mischen mit Helium erläutert werden. 39 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 4.2.1 Gasmischungseffekt in der ECRIS 2 Als geeignetes Mischgas für eine Stickstoffentladung hat sich in der Vergangenheit das Edelgas Helium bewährt. In Abb. 4.4 sind der Ionenstrom von N5+ und die zugehörige Linienintensität von NVI in Abhängigkeit vom Heliumanteil der Entladung dargestellt. Ausgangspunkt war dabei eine reine Stickstoffentladung, die auf maximalen Strom von N5+ optimiert wurde. Anschließend wurde schrittweise Helium beigemengt, wobei der Totalgasdruck und die übrigen Plasmaparameter konstant gehalten wurden. Sowohl Strom als auch Linienintensität erreichen ihr Maximum bei einem Mischgasanteil von etwa 50 %. Die optimale Mischung liegt also bei einem Partialdruckverhältnis von pN2 / pHe = 1:1. Der Strom ist dabei um einen Faktor 2,4 und die Linienintensität um einen Faktor 1,8 gegenüber der reinen Stickstoffentladung erhöht. Ionenstrom und Ionendichte im Plasma verhalten sich also bei Variation des Mischungsverhältnisses ähnlich. 1,2 1800 1600 5+ 1400 0,8 IVUV(NVI) / s -1 I Ex (N ) / µA 1 1200 1000 0,6 800 0,4 600 Extrahierter Strom Linienintensität 0,2 0 400 200 0 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 Heliumanteil Abb. 4.4: Ionenstrom und Linienintensität für den Ladungszustand q = 5 als Funktion des Heliumanteils. Weiter steigern lassen sich die Ströme hochgeladener Ionen, wenn in der Gasmichung die Plasmaparameter neu optimiert werden. In Abb. 4.5 sind die besten Ladungszustandsverteilungen einer reinen Stickstoffentladung und einer Stickstoff-HeliumMischung sowohl als elektrischer Strom als auch als Teilchenstrom dargestellt, die bislang im Ionenstrahl der ECRIS 2 in Bochum gemessen wurden. Um den Teilchenstrom zu erhalten, wurde der elektrische Strom durch den jeweiligen Ladungszustand geteilt. Der Strom von N7+ kann nicht eindeutig gemessen werden, da der entsprechende Peak im Spektrum der extrahierten Ionen vom H2+-Peak aus dem Restgas und in der Gasmischung auch vom He2+40 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Peak überlagert ist. Die hier vorgestellten Messungen erfolgten zu einem weitaus späteren Zeitpunkt als die Messung in der vorigen Abbildung. Aufgrund einiger technischer Änderungen der Quelle, wie z. B. die Änderung der Position der Ausgangsblende des Entladungsgefäßes, sind hier auch in der reinen Stickstoffentladung die Ströme der hochgeladenen Ionen etwas größer. Dennoch lässt sich durch eine optimierte N2-HeEntladung (Heliumanteil hier: 60 %) der Strom von N4+-Ionen um einen Faktor 2,6 steigern. Für N5+ und N6+ beträgt der Faktor sogar 5,4 bzw. 7,6. Das Maximum der Ladungszustandsverteilung (ermittelt aus den Teilchenströmen) verschiebt sich dabei von q = 1 nach q = 4. N2 10 6 4 2 1 2 3 4 5 Ladungszustand 3 2 1 qmax 0 N2/He 4 I Ex / pµA I Ex / eµA 8 N2 5 N2/He qmax 0 6 0 2 4 Ladungszustand 6 Abb. 4.5: Effekt der Helium-Beimischung. Dargestellt sind die elektrischen Ionenströme in eµA (electrical µA) und Ladungszustandsverteilungen im Ionenstrahl in sog. pµA (particle µA, elektrischer Strom dividiert durch Ladungszahl q) für eine reine N2-Entladung und eine N2-He-Mischung. Der Pfeil kennzeichnet die Verschiebung des Maximums in der Ladungszustandserteilung. Die beiden Plasmazustände wurden separat auf größtmöglichen Extraktionsstrom von N5+ optimiert. Die Ströme der unteren Ladungszustände von q = 1 bis q = 3 sind in der Gasmischung gegenüber der reinen Stickstoffentladung abgesenkt. Die Steigerungsfaktoren dieser Ionenströme sind also kleiner als 1. Die Steigerungsfaktoren der extrahierten Stickstoffströme einer N2-He-Entladung gegenüber einer N2-Entladung sind in Abb. 4.6 in Abhängigkeit vom Ladungszustand dargestellt. 41 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 8 Steigerungsfaktor 7 6 5 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 Ladungszustand Abb. 4.6: Steigerung der extrahierten Stickstoffionenströme durch die Mischung mit Helium in Abhängigkeit vom Ladungszustand. Ein Faktor kleiner als 1 bedeutet eine Absenkung des betrachteten Ionenstroms. 4.2.2 Plasma-Wand-Wechselwirkung in der ECRIS 2 Das Entladungsgefäß unserer ECRIS 2 besteht zum überwiegenden Teil aus Kupfer. Lediglich die Endplatten auf der Gaseinlassseite und der Extraktionsseite bestehen aus Edelstahl bzw. Aluminium. Für den Fall, dass die Wandzerstäubung in der Ionenquelle eine ähnliche Rolle spielt wie in der EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld, sollten sowohl im VUV-Spektrum des Plasmas als auch im Massenspektrum des extrahierten Ionenstrahls Kupferlinien messbar sein, deren Intensität vom Heliumanteil im Plasma abhängt. In Abb. 4.7 ist das Massenspektrum einer reinen Stickstoffentladung bis A / q = 65 dargestellt. Um zu gewährleisten, dass auch derart schwere Ionen von unserem eher schwachen Separationsmagneten in Richtung Faraday-Cup abgelenkt werden, konnte hier nur eine Extraktionsspannung von 5 kV angelegt werden. Aus diesem Grund fallen die Ströme der hochgeladenen Ionen verhältnismäßig gering aus. Erhöht man im Bereich des Cu+-Peaks die Empfindlichkeit des Pikoamperemeters lässt sich ein Strom detektieren der etwa 300 mal geringer ist als der Strom des einfach geladenen Stickstoff. 42 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Abb. 4.7: Massenspektrum einer Stickstoffentladung inklusive Kupferpeak aus zerstäubtem Wandmaterial. Der Cu+-Ionenstrom wurde dabei mit erheblich größerer Empfindlichkeit des Pikoamperemeters aufgenommen. Im Emissionsspektrum des Plasmas sind im Wellenlängenbereich von 219 bis 224 nm ebenfalls deutliche CuI- und CuII-Linien erkennbar deren Intensität stark vom Heliumanteil der Entladung abhängt (s. Abb. 4.8). In Abb. 4.9 sind die Verläufe des Cu+-Ionenstroms und der CuI-Linie bei 221,5 nm in Abhängigkeit vom Heliumanteil gegenübergestellt. Auch hier wurden wieder der Totalgasdruck und die übrigen Plasmaparameter konstant gehalten. In der optimalen Mischung (Heliumanteil: 50 %) sinken der Cu+-Strom um einen Faktor 7 und die Linienintensität um einen Faktor 4. Für eine reine He-Entladung ist der Strom sogar um einen Faktor 30 und die Linienintensität um einen Faktor 12 geringer als für eine reine Stickstoffentladung. Die Auswirkung der Heliummischung auf die Linienintensität hochgeladener Ionen ist in Abb. 4.10 exemplarisch für NV dargestellt. 43 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 350 -1 Linienintensität / s 1 (N2) : 0 (He) 2 (N2) : 1 (He) 1 (N2) : 1 (He) CuI 300 250 CuII CuII 200 CuI CuII 150 CuI (221,46 nm) 100 50 0 2190 2200 2210 2220 2230 2240 Wellenlänge / Å Abb. 4.8: Cu-Linien im VUV-Spektrum für drei unterschiedliche Mischungsverhältnisse. 2,5 100 VUV CuI Extraktion Cu+ 80 2 1,5 60 1 40 0,5 20 0 Ionenstrom / nA Linienintensität / s-1 120 0 0 20 40 60 80 100 Heliumanteil / % Abb. 4.9: CuI-Linienintensität und Cu+-Ionenstrom als Funktion des Mischungsverhältnisses. 44 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 1 (N2) : 0 (He) 2 (N2) : 1 (He) 1 (N2) : 1 (He) Linienintensität / s-1 350 300 250 NI (124,3 nm) NV (123,8 nm) 200 150 100 50 0 1230 1235 1240 1245 1250 Wellenlänge / Å Abb. 4.10: Entwicklung der NV-Linie im Vergleich zur NI-Linie während der Mischung mit Helium. Um auszuschließen, dass die Beobachtungen lediglich auf einem Reinigungseffekt der Entladung beruhen, wurde als weiterer Test aus einer optimalen Stickstoff-Helium-Mischung heraus die Heliumzufuhr gestoppt und die zeitliche Entwicklung der CuI-Linie detektiert (s. Abb. 4.11). Die Intensität der CuI-Linie nimmt nach dem Schließen des He-Nadelventils deutlich zu, obwohl der Totalgasdruck währenddessen sinkt. Die Zeitskala des Anstiegs der Linienintensität ist dabei durch die Trägheit des Gaseinlasssystems bestimmt. 100 VUV-Intensität / s-1 90 80 N2 / He Mischung (1:1) 70 60 reines N2-Plasma 50 40 0 50 100 150 t/s 200 250 300 Abb. 4.11: Zeitliche Entwicklung der CuI-Linie, wenn die Heliumzufuhr unterbrochen wird. 45 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Von den Ionenquellenanwendern wurde bislang das Vorhandensein von Verunreinigungen aus dem Wandmaterial im Ionenstrahl verneint. Die hier beschriebenen Untersuchungen unterstützen jedoch die These, dass das Model der Wandzerstäubung, das am Anfang des Kapitels erläutert wurde, von der EZR-Entladung mit einfachem magnetischen Spiegelfeld auf EZR-Ionenquellen mit Minimum-B-Konfiguration übertragen werden kann. Die beobachtete Abhängigkeit der Kupferkonzentration vom Gasmischungsverhältnis ist ein deutlicher Hinweis darauf, dass zerstäubtes Wandmaterial den Plasmaeinschluss und vermutlich auch die Plasmastabilität beeinflusst. Auch an unserer Ionenquelle beobachtet man häufig, insbesondere, wenn die Entladung ohne Gasmischung betrieben wird, langsame Modulationen der Intensität des Ionenstrahls. Ähnliches wird von anderen Gruppen berichtet [Lam 96]. Auch numerische Simulationen belegen, dass die Bildung der Ladungszustandsverteilung in EZR-Ionenquellen stark durch die Kontaminierung des Plasmas durch schwere Atome aus dem Wandmaterial beeinflusst wird [Mey 00]. Ein weiterer Mechanismus, der für die Formierung der Ladungszustandsverteilung eine große Rolle spielt, ist die stark massenselektive Ionenheizung durch Landaudämpfung niederfrequenter Plasmawellen. Diese wird im Kapitel über die Isotopenanomalie (Kap. 6) diskutiert. 4.2.3 Wasserstoffanomalie Ein bereits seit einiger Zeit bekanntes Phänomen in EZR-Ionenquellen und EZREntladungen ist die deutliche Abnahme der Produktion hochgeladener Ionen, wenn dem eigentlichen Entladungsgas Wasserstoff beigemengt wird oder, beispielsweise nach dem Öffnen des Entladungsgefäßes, eine signifikante Verunreinigung durch Wasserstoff im Plasma vorhanden ist [Dre 93, Mey 95, Mey 96, Mey 97]. Obwohl Wasserstoff das leichteste Element ist, führt die Mischung mit diesem Gas entgegen dem Ionenkühlungsmodell also nicht zu einer Verbesserung sondern zu einer Verschlechterung der Ladungszustandsverteilung schwererer Gase. Deshalb wird dieses Phänomen im Sinne des Ionenkühlungsmodells als Wasserstoffanomalie bezeichnet [Mey 96, Mey 97]. 46 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Der Sonderstatus des leichtesten Gases Wasserstoff lässt sich erklären, wenn man annimmt, dass Wasserstoff im Plasma negative Ionen durch Einfang von kalten Elektronen bildet [Mey 97]. Die kalten Elektronen machen den größten Anteil an der Elektronenpopulation im EZR-Plasma aus [Bib 98, Bib 02]. Negativ geladener Wasserstoff besitzt sehr hohe Wirkungsquerschnitte für die Rekombination mit hochgeladenen Ionen. Auch die Resultate der selektiven Wasserstoffionenheizung lassen sich mit diesem Ansatz verstehen. Entsprechende Experimente an unserer EZR-Entladung und unserer alten Quelle ECRIS 1 ergaben, das sich die Produktion hochgeladener Ionen verbessert, wenn Wasserstoffionen aus dem Restgas mit Hilfe eines HF-Senders in der Ionen-ZyklotronResonanz geheizt und dabei vermehrt aus dem Plasma transportiert werden [Mey 95, Mey 96, Mey 97]. Bei einem sehr geringem Wasserstoffanteil in der Entladung kehrt sich dieser Trend jedoch um, und die Wasserstoffheizung hat einen negativen Effekt auf die Ladungszustandsverteilung des Plasmas. Möglicherweise werden im ersten Fall vornehmlich negative und im zweiten Fall vornehmlich positive Wasserstoffionen geheizt. Um negative Wasserstoffionen im EZR-Plasma nachzuweisen wurden von D. Bolshukhin an unserer EZR-Entladung Photodetachment-Experimente durchgeführt [Bol 98/1, Bol 98/2]. Dazu wurde der Lichtpuls eines leistungsstarken Stickstofflasers in das Plasma eingestrahlt, um das zusätzliche Elektron vom H − -Ion abzuspalten. Simultan dazu wurde zeitaufgelöst mit einer Sonde die Elektronendichte im Spiegelhals der Entladung gemessen. Auf diese Weise wurden nach einer Glättung des Sondensignals zwei schwache Peaks mit einem zeitlichen Abstand von 0,6 µs nachgewiesen, was auf zwei räumlich voneinander getrennte H − -Populationen hinweist. Dies wurde auch als möglicher Nachweis eines Potenzialdips im Plasmaptenzial gedeutet, da sich negative Ionen vornehmlich in den Maxima des Potenzials aufhalten. Obige Resultate wurden bei einem vergleichsweise hohen Entladungsdruck erhalten, was für die Produktion hochgeladener Ionen ungünstig ist. Bei normalen Betriebsbedingungen war das Signal-zu-Rausch-Verhältnis zu schlecht um eindeutige Peaks nachzuweisen. An unserer ECRIS 2 gelang es jedoch negative Wasserstoffionen auch unter besser optimierten Bedingungen zu extrahieren. Die Entladung brannte hier in Stickstoff ohne Mischgaskomponente mit einem für die Produktion hochgeladener Ionen günstigen Druck von p = 3⋅10-5 mbar. Wasserstoff war in Spuren im Restgas enthalten. Der H+-Ionenstrom im Massenspektrum der positiven Ionen betrug zur Zeit dieser Messungen lediglich einige nA. Ein solch niedriger Wert weist auf günstige Bedingungen für die Produktion hochgeladener 47 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Ionen hin. Die Mikrowellenleistung wurde zunächst auf einen niedrigen Wert von 35 W eingestellt. Für die Extraktion negativer Ionen wurden die Hochspannungsgeräte für das Quellenpotenzial (Extraktionsspannung) und das Einzellinsenpotenzial, sowie die Stromversorgung des Separationsmagneten umgepolt. Ein so entstandenes Massenspektrum ist in Abb. 4.12 dargestellt. Tatsächlich sind deutlich mehrere Peaks verschiedener negativer Ionen zu erkennen, von denen der H − -Peak bei einem Masse-Ladungs-Verhältnis von A / q = 1 mit etwa –60 pA der kleinste ist. Weitere eindeutig zu identifizierende Peaks sind O − bei A / q = 16 mit –160 pA und F − bei A / q = 19 mit –1,4 nA. Sauerstoff ist ebenso wie Wasserstoff grundsätzlich im Restgas enthalten. Das Element Fluor stammt aus dem Vakuumfenster der Mikrowellenzuführung, das aus einer 0,5 mm dicken Teflonfolie besteht. Ein leichtes Ausgasen der Folie im Vakuum, insbesondere bei Erwärmung durch die Mikrowelle, lässt sich leider nicht gänzlich vermeiden. Sauerstoff und Fluor besitzen sehr hohe Elektronegativitäten (3,5 und 4) [Rie 88] und hohe Elektronenaffinitäten (O: 1,46 eV, F: 3,4 eV) [And 99] und können daher leicht negative Ionen bilden. CN − ? HCN − ? Al − ? Abb. 4.12: Massenspektrum negativer Ionen an der ECRIS 2 bei umgepolter Extraktionsspannung. Die Herkunft der übrigen Peaks ist nicht so einfach zu ergründen. Bei der Masse 20 könnte es sich um ein HF-Molekül handeln. Die Masse 27 entspricht Aluminium, das Metall, aus dem die Austrittsblende des Entladungsrohrs besteht. Allerdings besitzt Aluminium eine vergleichsweise niedrige Elektronegativität von 1,5 und eine Elektronenaffinität von nur 0,43 eV. Das einzige Element, dass ein stabiles Isotop der Masse 26 besitzt ist Magnesium. Magnesium kommt jedoch in den von uns verwendeten Materialien nicht vor. Außerdem ist 48 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 26 Mg nur zu 11 % im natürlichen Magnesium enthalten. Denkbar wäre noch das Vorhandensein von CN − -Molekülen, die aus dem Vakuumpumpenöl stammen können. CN − besitzt eine hohe Dissoziationenergie von 10,23 eV und das CN-Molekül eine hohe Elektronenaffinität von ca. 3,6 eV [Mas 76]. Die Masse 27 könnte dann auch aus HCNMolekülen gebildet werden. H − -Ionen und der Die Ströme der F − -Ionen zeigen sehr unterschiedliche Leistungsabhängigkeiten. Der H − -Strom besitzt ein ausgeprägtes Maximum bei 35 W mit 77 pA und fällt danach bis 300 W stark ab auf 17 pA (s. Abb.4.13). Erst oberhalb von 600 W steigt der Strom wieder leicht an. Offenbar sind bei 35 W zum einen genügend kalte Elektronen vorhanden, um negative Wasserstoffionen zu erzeugen, und zum anderen nur sehr wenige hochgeladene Ionen, die mit H − rekombinieren können. Bei mittleren Leistungen stehen bereits wesentlich mehr hochgeladene Ionen zu Verfügung. Bei hohen Mikrowellenleistungen steigt allerdings der Wasserstoffanteil im Plasma durch Desorption -I(H-) / pA von den Wänden an, wodurch auch der H − -Strom wieder leicht steigt. 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 200 400 Pin / W 600 800 Abb. 4.13: H − -Ionenstrom in Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung. Erstaunlicherweise zeigt der F − -Strom einen nahezu linearen Anstieg bei steigender Leistung (s. Abb.4.14). Die Entwicklung des Stroms wird hier vermutlich in erster Linie durch die Freisetzung des Fluor aus der erwärmten Teflonfolie des Vakuumfensters im Mikrowellenhohlleiter bestimmt. Die Erwärmung der Folie ist naturgemäß umso höher je größer die Leistung der eingespeisten Mikrowelle ist. 49 -I(F -) / nA 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 200 400 Pin / W 600 800 Abb. 4.14: F − -Ionenstrom in Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung. Der hier durchgeführte Nachweis negativer Wasserstoffionen scheint zunächst ein klarer Beleg für den oben beschriebenen Erklärungsansatz der Wasserstoffanomalie zu sein. Problematisch ist in diesem Bild allerdings das Vorhandensein negativer Sauerstoffionen. Auch diese sollten eigentlich mit den hochgeladenen Ionen im Plasma rekombinieren können. Tatsächlich ist Sauerstoff aber ein günstiges Mischgas für die Produktion hochgeladener Ionen von schweren Gasen wie beispielsweise Argon [Mel 99]. Ein grundsätzliches Problem bei den hier durchgeführten Messungen ist auch das positive Plasmapotenzial der Entladung, das je nach Betriebsbedingungen im Bereich einiger 10 V liegen kann [Nad 96, Xie 94, Xie 95]. Negative Ionen, die im zentralen Plasma gebildet werden, können wegen ihres Einschlusses in dem positiven Potenzial eigentlich nicht extrahiert werden, da die Ionentemperatur im ECRIS-Plasma maximal ein paar eV beträgt [Köh 87]. Das bedeutet, dass die negativen Ionen, die wir beobachten, entweder in der Plasmarandschicht erzeugt werden, oder durch Oberflächenprozesse im Extraktionssystem, wie z. B. durch Wechselwirkung der hochenergetischen Elektronen aus dem Verlustkegel mit der Oberfläche der Extraktionsblende. Die Extraktionsblende der ECRIS 2 besteht aus Aluminium, an dessen Oberfläche sich meist eine Aluminiumoxidschicht befindet. Negative Ionen wie Al − und O − , die an der Oberfläche der Extraktionsblende entstehen, werden aufgrund der negativen Hochspannung am Entladungsgefäß viel leichter in Richtung Strahlsystem beschleunigt als in Richtung des Plasmas. Andererseits werden diese Ionen nur in einem eher begrenzten Bereich auf der Extraktionsseite des Entladungsgefäßes erzeugt. Somit ist der Anteil dieser negativen Ionen im Plasma auch im normalen Betrieb mit positiver Hochspannung vermutlich sehr 50 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 gering. Zudem sind die Raten der Rekombination mit hochgeladenen Ionen für O − etwa vier mal geringer als für H − [Wie 02]. Welche negativen Ionen im Plasma in nicht vernachlässigbarer Menge vorhanden sind, lässt sich also durch Messung der extrahierten Ströme nicht zuverlässig beurteilen. Die Möglichkeit negative Ionen zu extrahieren, ist allerdings ein deutlicher Hinweis auf das Vorhandensein negativer Ionen auch im Plasma. Das Zustandekommen der Wasserstoffanomalie kann jedoch im Rahmen dieser Arbeit nicht zweifelsfrei geklärt werden. 51 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 4.3 Vorspannen der Endplatte („biased disk“) 4.3.1 Effekt der vorgespannten Endplatte in der ECRIS 2 Als „biased disk“ dient in der Bochumer ECRIS 2 die Endplatte auf der Gaseinlassseite des Entladungsrohrs. Sie ist durch Keramikhülsen vom Rest des Entladungsgefäßes isoliert und besteht nicht aus Kupfer wie das Entladungsrohr selbst sondern aus Edelstahl. Der Mikrowellenhohlleiter wird berührungsfrei durch die Endplatte geführt, deren Position nicht verändert werden kann. Sie liegt etwa 5 cm außerhalb des Magnetfeldmaximums, besitzt also keinen direkten Kontakt zum zentralen Plasma (s. Abb. 4.15). 0,6 0,5 Bz /T 0,4 0,3 0,2 0,1 0 -100 Endplatte 0 100 200 300 z / mm 400 500 600 Extraktion MW-Leiter Abb. 4.15: Position der Endplatte in der ECRIS 2. Der eingefügte Verlauf von Bz entlang der Achse verdeutlicht die Lage der Endplatte zum zentralen Plasma. 52 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Obwohl die Endplatte in unserem Experiment vergleichsweise weit entfernt vom zentralen Plasma ist, lässt sich durch Anlegen einer negativen Spannung die Ausbeute hochgeladener Ionen signifikant steigern. Dabei ist zu beachten, dass sämtliche Plasmaparameter neu optimiert werden müssen. Abb. 4.16 zeigt einen Vergleich der extrahierten Ionenströme von Entladungen mit vorgespannter Endplatte (UEP = -100 V) zu den jeweiligen Strömen konventioneller Entladungen für Stickstoffplasmen mit und ohne Heliummischung. Bei allen vier Entladungen wurden sämtliche Plasmaparameter auf die Produktion von N5+ optimiert. Dies führt zu vier völlig verschiedenen Plasmazuständen, verdeutlicht aber die jeweils maximal mögliche Ausbeute hochgeladener Ionen. Gegenüber einer konventionellen N2-He-Mischung bringt eine Mischgasentladung mit vorgespannter Endplatte eine Steigerung um einen Faktor 2,4 für N5+ und um einen Faktor 3,8 für N6+. Ohne Heliummischung beträgt die Steigerung für beide Ionen ungefähr einen Faktor 4. Dagegen führt das Vorspannen der Endplatte bei den niedrigen Ladungszuständen von q = 1 bis q = 3 zu einer Verringerung der jeweiligen Ionenströme. N2 N2/He N2 + EP N2/He + EP N2 N2/He N2 + EP N2/He + EP 5 4 I / pµA I / eµ 16 14 12 10 8 6 4 2 0 3 2 1 0 1 2 3 4 5 Ladungszustand 6 0 2 4 Ladungszustand 6 Abb. 4.16: Effekt der vorgespannten Endplatte (UEP = -100 V) im Vergleich zu konventionellen N2-Entladungen mit und ohne He-Mischung. Dargestellt sind die Ionenströme in eµA (electrical µA) und Ladungszustandsverteilungen im Ionenstrahl in pµA (particle µA). Jeder der vier Plasmazustände wurde separat auf größtmöglichen Extraktionsstrom von N5+ optimiert. Die N2-He-Mischung mit vorgespannter Endplatte (UEP = -100 V) ergibt in der ECRIS 2 die bestmögliche Produktion hochgeladener Stickstoffionen. Das Maximum der Ladungszustandsverteilung im extrahierten Ionenstrahl liegt hier bei N5+. Gegenüber einer reinen Stickstoffentladung ohne vorgespannte Endplatte ergeben sich hier Steigerungsfaktoren von 12,7 für N5+ und sogar 28,9 für N6+. Abb. 4.17 zeigt die 53 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Steigerungsfaktoren der Ionenströme durch den Endplattenbetrieb, den Mischgasbetrieb, sowie durch gleichzeitige Anwendung beider Methoden gegenüber einer konventionellen Stickstoffentladung ohne Gasmischung. N2-He-EP / N2 N2-He / N2 N2-EP / N2 Steigerungsfaktor 30 25 20 15 10 5 0 1 2 3 4 5 6 Ladungszustand Abb. 4.17: Steigerung der Ionenströme durch Vorspannen der Endplatte (EP), Gasmischung mit Helium und Anwendung beider Methoden gegenüber einer reinen Stickstoffentladung ohne vorgespannte Endplatte. Bei der Optimierung der einzelnen Entladungen fällt auf, dass bei vorgespannter Endplatte deutlich weniger Mikrowellenleistung für die Produktion hochgeladener Ionen benötigt wird (300 W anstatt 750 W für N2 bzw. 460 W für N2-He ohne vorgespannte Endplatte. Höhere Mikrowellenleistungen führen in diesem Fall sogar zu einer Verschlechterung der Ladungszustandsverteilung. Ebenso ergibt sich für den Endplattenbetrieb im optimierten Betriebszustand ein nur etwa halb so großer Totalgasdruck wie in einem optimierten Entladungszustand mit kurzgeschlossener Endplatte. 4.3.2 Abschätzung der Elektronenemission Der positive Effekt des Vorspannens der Endplatte auf die Ladungszustandsverteilung wird von den Quellenanwendern in der Regel durch Sekundärelektronenemission von der Oberfläche der „biased disk“ erklärt (s. Kap. 3.3). An dieser Stelle soll daher abgeschätzt werden, wie hoch der Anteil dieser zusätzlichen Elektronen an der Gesamtelektronendichte 54 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 sein kann. Der Einfachheit halber wird hier nur die ioneninduzierte Elektronenemission betrachtet, da die weitaus meisten Elektronen aus dem Plasma nicht genügend Energie besitzen, um das negative Potential der Endplatte zu überwinden [Bib 98, Bib 02]. Für die Abschätzung werden lediglich der an der ECRIS 2 gemessene elektrische Strom auf der Endplatte bei einer Spannung von UEP = 100 V und vernünftige Annahmen über den mittleren Ladungszustand der Ionen, sowie die Elektronenausbeute zu Grunde gelegt. Der Strom auf der Endplatte lässt sich leicht messen, indem man zwischen Spannungsquelle und Endplatte ein Amperemeter schaltet. Er setzt sich zusammen aus den auf die Endplatte beschleunigten Ionen und den auf der Oberfläche ausgelösten Elektronen. Die wenigen Ii hochenergetischen Elektronen, die die Endplatte erreichen können (Ekin > 100 eV) werden hier vernachlässigt. Die Elektronenverteilungsfunktion wurde bisher an unserer Ie Quelle nur spektroskopisch bei einer Leistung von 100 W gemessen [Bib 02]. Anhand dieser Verteilungsfunktion lässt Abb. 4.18: Strom auf der Endplatte (schematisch). Ii: Ionenstrom, Ie: ausgelöste Elektronen sich abschätzen, dass die Elektronen mit Energien oberhalb von 100 eV einen Anteil von deutlich unterhalb 1 % besitzen. Ionen- und Sekundärelektronenstrom haben das gleiche Vorzeichen, da sie entgegengesetzte Richtungen besitzen (s. Abb. 4.18). Bei einer Endplattenspannung von UEP = -100 V beträgt der elektrische Strom insgesamt Iges = Ii + Ie ≅ 0,7 mA. Den mittleren Ladungszustand der Ionen schätzen wir mit qi = 3 ab. Die Emissionsausbeute γ für ioneninduzierte Elektronenemission ist definiert als Anzahl der von der Oberfläche ausgelösten Elektronen pro auftreffendes Ion. Für Stickstoffionen, die auf eine Edelstahloberfläche auftreffen, gibt es in der Literatur für den relevanten Energiebereich keine konkreten Daten. Üblicherweise liegen die Werte der Emissionsausbeute γ für verschiedene Ionensorten und verschiedene Materialien aber innerhalb der Größenordnungen 0.1 bis 10 [Var 92]. Für unsere Rechnung nehmen wir γ = 1 an. Mit diesen Annahmen erhält man für das Verhältnis von Ionen- und Elektronenstrom 55 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Ii = qi I γ e (4.2) und damit für den Strom Ie der in Richtung Plasma emittierten Elektronen I e = I ges − I i = I ges . qi 1+ γ (4.3) Die zugehörige Teilchenstromdichte Je erhält man aus Je = I ges Ie Ie = = = 4,4 ⋅1017 m − 2 s −1 2 e ⋅ A e ⋅π ⋅ r qi 1 + ⋅ e ⋅ π ⋅ r 2 γ (4.4) mit der Elementarladung e, der effektiven Fläche A und dem effektiven Radius r = 28 mm der Endplatte. Nach Durchlaufen der Endplattenspannung erreichen die Elektronen die Geschwindigkeit ve = 2 ⋅ e ⋅ U EP , me (4.5) wobei me die Elektronenmasse bezeichnet. Die zusätzliche Potenzialdifferenz durch das positive Plasmapotenzial wird in dieser Abschätzung vernachlässigt. Aufgrund der Spannungsdifferenz zwischen Endplatte und Plasma besitzen die Elektronen im wesentlichen eine axiale Geschwindigkeitskomponente und werden vom Spiegelfeld nicht eingeschlossen. Die von der Endplatte emittierten Elektronen durchlaufen das Plasma also nur einmal mit der Geschwindigkeit ve und gehen dann auf der gegenüberliegenden Seite des Entladungsgefäßes verloren. Somit erhält man letztendlich unter Benutzung der zugrundegelegten Werte für die zusätzliche Elektronendichte ∆ne = I ges Je = ≈ 7,5 ⋅ 1010 m −3 . 3 ve qi 2 ⋅ e ⋅ U EP 1 + ⋅ π ⋅ r 2 ⋅ γ me (4.6) Dieser Wert ist etwa 7 Größenordnungen geringer als die normalerweise in EZRPlasmen auftretende Elektronendichte von 1017 bis 1018 m-3. Eine solch minimale Veränderung der Dichte kann für die Ionisierungsbilanz kaum eine wesentliche Rolle spielen. 56 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Für eine Steigerung der Ströme hochgeladener Ionen bis zu einem Faktor vier in unserem Fall kann diese gewiss nicht verantwortlich sein. Selbst für den Fall, dass beispielsweise die Elektronenausbeute in der Rechnung unterschätzt wurde, ändert sich an der Deutlichkeit des Ergebnisses nichts. Gleiches gilt, wenn man zusätzlich die Sekundärelektronenemission durch hochenergetische Elektronen aus dem Plasma berücksichtigt. Prinzipiell ist auch das Auslösen von Elektronen durch Photonen aus der UV- und Röntgenstrahlung unseres Plasmas möglich (äußerer Photoeffekt). Die Austrittsarbeiten der in Edelstahl enthaltenen Metalle liegen im Bereich von 4,5 eV bis 5 eV [Ber 92]. Die absolute Intensität der Strahlung oberhalb dieser Schwellenenergie ist aus spektroskopischen Messungen in etwa bekannt und beträgt ca. 3⋅1014 Photonen / (cm3⋅s) [Bib 02/2]. Daraus lässt sich der Photonenfluss auf die Endplatte (ca. 2,5⋅1016 Photonen / s) und weiterhin die Größenordnung der Photoelektronenemission von der Endplatte abschätzen. Die Emissionsausbeuten für Photoelektronen liegen je nach Material maximal im Prozentbereich [Bro 66], sind für Edelstahl aber nicht explizit bekannt. Setzt man eine Ausbeute von 2 % voraus, ergibt sich als Maximalabschätzung der Teilchenstromdichte der Photoelektronen JPe = 2⋅1017 m-2s-1. Die Photoelektronenemission liegt also maximal in der gleichen Größenordnung wie die ioneninduzierte Elektronenemission aus Gl. 4.4 und spielt damit für die Elektronendichte im Plasma eine ebenso geringe Rolle. 4.3.3 Spannungsabhängigkeit der Ionenströme und VUVLinienintensitäten Um den „biased disk“- Effekt näher zu untersuchen, wurde zunächst die Abhängigkeit der Ionenströme und VUV-Intensitäten, sowie einiger plasmaphysikalischer Größen wie reflektierte Mikrowellenleistung oder Strom auf der Endplatte von der Endplattenspannung überprüft. Dazu wurden erst alle Plasmaparameter inklusive Endplattenspannung auf den Ladungszustand N5+ optimiert. Anschließend wurde die Spannung auf der Endplatte schrittweise von +100 V bis –200 V variiert, wobei alle übrigen Parameter konstant gehalten wurden. Die Abb. 4.19 zeigt die gemessenen Ionenströme im Vergleich zu den 57 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 entsprechenden VUV-Linienintensitäten. Die Ionenströme besitzen je nach Ladungszustand verschiedene Maxima bei unterschiedlichen (Umax(N+) = +10 V, Spannungswerten Umax(N2+) = -5 V, Umax(N3+) = -15 V, Umax(N4+) = -40 V, Umax(N5+) = -90...-100 V). N6+ besitzt kein ausgeprägtes Maximum, sondern läuft bei -65 V in eine Sättigung. Die entsprechenden Ionisierungspotenziale liegen bei 14,53 eV für NI, 29,60 eV für NII, 47,45 eV für NIII, 77,47 eV für NIV, 97,89 eV für NV und 552,006 für NVI [DUN 85]. Nimmt man ein Plasmapotenzial von UPl ≅ 25 V an, dann entspricht bei den niedrigen Ladungszuständen die Differenz ∆U = UPl - Umax ungefähr den Ionisierungspotenzialen. Für N3+ und N4+ ist ∆U etwa 7,5 V bzw. 12,5 V niedriger und für N5+ 17,1 V bis 27,1 V höher als deren Ionisierungspotential. Es lässt sich also nicht ohne weiteres eine Korrelation zwischen den Maxima der Ionenströme und einer zusätzlichen Ionisation durch im Feld der Endplatte beschleunigten Elektronen Elektronenstoßionisation finden. von Zumal Stickstoff erst die für Wirkungsquerschnitte das zwei- bis für die vierfache des 14 12 10 8 6 4 2 0 -200 I(N5+) I(N4+) I(N3+) I(N2+) I(N+) I(N6+) -100 0 100 Linienintensität in s-1 I (Nq+) / µA Ionisierungspotenzials maximal werden [Dun 85, Ait 71, Fal 83, Cra 79]. I(NVI) I(NV) I(NIV) I(NIII) I(NII) 1000 800 600 400 200 0 -200 U EP / V -100 0 100 U EP / V Abb. 4.19: Ionenströme und VUV-Linienintensitäten in Abhängigkeit von der Endplattenspannung UEP. Dementsprechend zeigt auch das von den Ionen emittierte VUV-Licht keine ausgeprägten Maxima bei Variation der Endplattenspannung. Statt dessen zeigen die Linienintensitäten der hochgeladenen Ionen bei negativer werdender Spannung einen Anstieg, der auf eine tatsächliche Änderung des mittleren Ladungszustands der Ionen in der Entladung hinweist, und laufen dann bei ca. -60 V in eine Sättigung. Der Rückgang der Ionenströme im stark negativen Spannungsbereich scheint also auf einer Veränderung der Transmission des extrahierten Ionenstrahls im Strahlsystem zu beruhen. Dies bestätigt sich auch, wenn man die Summe aller am Faraday-Cup gemessenen 58 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Ionenströme ΣI mit dem Gesamtstrom IEx aus der Quelle vergleicht (s. Abb. 4.20 a)). IEx kann direkt am Netzgerät zur Erzeugung der Extraktionsspannung abgelesen werden, da das Netzgerät diesen Strom kompensieren muss, um die Extraktionsspannung aufrecht zu halten. Während ΣI bei UEP ≅ -50 V ein Maximum besitzt, läuft IEx, ähnlich wie die VUVIntensitäten der hochgeladenen Ionen bei UEP = -60 V in eine Sättigung. Bei Spannungen, die negativer sind als –50 V, sinkt also offensichtlich der Anteil der extrahierten Ionen, die den 2 I Ex / mA 30 1 I_Ex Summe I 0 -200 20 I_EP 10 0 -100 0 U EP / V I EP / mA 40 1,5 0,5 35 30 25 20 15 10 5 0 b) 0 50 Σ I / µA a) 100 P_ref. -10 -200 P ref / W Faraday-Cup am Ende des Strahlsystems erreichen. 0 U EP / V Abb. 4.20: a) Gesamtstrom IEx aus der Quelle (gemessen als Strom, den das Netzgerät zur Erzeugung der Extraktionsspannung aufbringen muss) im Vergleich zur Summe ΣI über alle Ionenströme der Stickstoff- und Heliumionen nach dem Separationsmagneten. b) Reflektierte Mikrowellenleistung Pref und Strom auf der Endplatte IEP als Funktion von UEP. In Abb. 4.20 b) sind die vom Plasma reflektierte Mikrowellenleistung Pref und der Strom auf der Endplatte IEP dargestellt. IEP kann leicht gemessen werden, indem man ein Amperemeter zwischen die Endplatte und das übrige Entladungsgefäß schaltet. Der Verlauf von IEP erinnert stark an den einer Sondenkennlinie. Bei einer Spannung von etwa –18 V ist die Endplatte stromlos, was dem sog. Floatingpotenzial einer Sondenkennlinie entspricht. Der Elektronensättigungsstrom beträgt ca. -9 mA, der Ionensättigungsstrom ungefähr 1 mA. Das negative Floatingpotenzial erklärt sich aus der Tatsache, dass axial die Elektronenverluste höher sind als die Ionenverluste. Bei UEP = 0 beträgt der Strom -1,86 mA. Dieser Strom entspricht dem Elektronenstrom, der bei kurzgeschlossener Endplatte von der Endplatte zu den axialen Wänden fließt. Er wird als „Simon´scher Kurzschlussstrom“ bezeichnet (s. Kap. 4.3.5). Die reflektierte Mikrowellenleistung weist an der Stelle des Floatingpotenzials ein lokales Maximum auf. Auffällig im Verlauf von Pref ist der Sprung zu einem absoluten Maximum bei UEP = 0. Alle übrigen gemessenen Parameter, mit Ausnahme von I(N5+), zeigen hier einen glatten Kurvenverlauf. Des weiteren ungewöhnlich ist, dass die reflektierte 59 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Leistung im positiven Spannungsbereich am niedrigsten ist. Obwohl hier vom Plasma am meisten Leistung absorbiert wird, werden hier am wenigsten hochgeladene Ionen erzeugt. Auch im negativen Spannungsbereich lässt sich keine Korrelation zwischen dem Verlauf der reflektierten Leistung und der Ionenströme oder VUV-Intensitäten erkennen. 4.3.4 Spektroskopische Elektronendichtemessung An dieser Stelle soll eine Methode vorgestellt werden, mit deren Hilfe aus dem Intensitätsverhältnis geeigneter VUV-Linien die Elektronendichte ermittelt werden kann. Ursprünglich entwickelt wurde das Verfahren für Linienverhältnisse von OV-Ionen [Kat 90]. Die Ergebnisse können aber in grober Abschätzung auf NIV übertragen werden [Jet 94]. Man nutzt hierbei die Dichteabhängigkeit des Verhältnisses der NIV-Linien bei 76,5148 nm und 92,3156 nm. Dabei wird der Zustand 2s2p 1P0 (76,5148 nm-Linie) hauptsächlich durch Elektronenstoß aus dem Grundzustand 1s22s2 1S besetzt. Dagegen wird das obere 2p2 3P Niveau des 92,3156 nm Übergangs hauptsächlich aus dem metastabilen Zustand 2s2p 3P0 bevölkert, dessen Besetzung stark abhängig von der Elektronendichte ist. Dieses Verfahren ist allerdings nicht unabhängig von der Elektronenverteilungsfunktion und ist streng genommen nur anwendbar, wenn eine Maxwellverteilung vorliegt. Für eine Messung relativer Änderungen der Dichte ist diese Einschränkung jedoch vernachlässigbar. In Abb. 4.21 ist die Abhängigkeit des Verhältnisses R der beiden OV-Linien bei 76 nm und 63 nm (entsprechend dem Verhältnis der NIV-Linien bei 92,3 nm und 76,5 nm) vom Logarithmus der Elektronendichte für verschiedene Elektronentemperaturen nach [Doy 83] dargestellt. Ist das Linienverhältnis aus spektroskopischen Messungen bekannt, kann log ne auf der x-Achse des Diagramms abgelesen werden. 60 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Abb. 4.21: Verhältnis R = I(92,3 nm)/I(76,5 nm) in Abhängigkeit von log ne (ne in cm-3) für – – – log Te = 5,2; —— log Te = 5,4 und – · – log Te = 5,6 (Te in K) [Doy 83]. Ebenfalls dargestellt ist das Termschema der beiden Anregungslinien zur Bestimmung der Elektronendichte. Um die Möglichkeit einer Änderung der Elektronendichte durch den Betrieb der Endplatte zu überprüfen, wurden die Linienintensitäten von NIV bei 76,5 nm und 92,3 nm in einer optimierten N2-He-Entladung mit vorgespannter Endplatte (UEP = -100 V) und mit kurzgeschlossener Endplatte (UEP = 0) gemessen (s. Abb 4.22 und Abb. 4.23). Zur genauen Bestimmung des Verhältnisses R = I(92,3 nm) / I(76,5 nm) werden nicht die Zählraten in den Linienmaxima sondern die Linienintegrale zugrundegelegt. Des Weiteren muss das Verhältnis der Linienintegrale noch mit dem Verhältnis der Ansprechwahrscheinlichkeiten des Spektrometers für die beiden Wellenlängen gewichtet werden. Man erhält für UEP = -100 V R100V = 0,1726⋅2,8 = 0,4833 und für UEP = 0 R0 = 0,1738⋅2,8 = 0,4867. Mit vorgespannter Endplatte ist das Verhältnis also sogar geringfügig kleiner und damit nach [Doy 83] die Elektronendichte ebenfalls etwas kleiner als mit kurzgeschlossener Endplatte. Der Unterschied in R ist allerdings geringer als 1% und liegt damit innerhalb der Messungenauigkeit. Ebenso wie die rechnerische Abschätzung zeigt also auch die 61 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 spektroskopische Messung keine signifikante Erhöhung der Elektronendichte durch das 200 200 150 150 Zählrate / s-1 Zählrate / s-1 Anlegen einer negativen Spannung an die Endplatte. 100 50 50 0 762 100 763 764 765 766 0 921 767 922 λ/Å 923 924 925 926 λ/Å 200 200 150 150 Zählrate /s-1 Zählrate / s -1 Abb. 4.22: NIV-Linien bei 76,5 nm und 92,3 nm für eine N2-He-Entladung mit vorgespannter Endplatte (UEP = -100 V). 100 50 0 762 100 50 763 764 765 766 767 0 921 922 λ/Å 923 924 925 926 λ/Å Abb. 4.23: NIV-Linien bei 76,5 nm und 92,3 nm für die gleiche Entladung mit UEP = 0. Trotz der oben genannten Einschränkung, dass EZR-Plasmen streng genommen keine Maxwell-Verteilung besitzen, soll hier der Vollständigkeit halber noch der absolute Wert der Elektronendichte aus dem Mittelwert der beiden Intensitätsverhältnisse bestimmt werden. Die Elektronentemperatur ist in unserer Ionenquelle nicht genau bekannt. Der Elektronentemperaturbereich in Abb. 4.21 (log Te = 5,2 ... 5,6 entsprechend Te = 14 ... 34 eV) liegt aber im Bereich der für EZR-Entladungen bekannten effektiven Elektronentemperaturen [Bol 98/2]. Für R = 0,485 liest man in Abb. 4.21 log ne = 11,5 ... 11,7 ab. Daraus ergibt sich 62 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 eine Dichte von ne = 3,2⋅1017 ... 5⋅1017 m-3. Die spektroskopische Bestimmung der Elektronendichte liefert also auch für EZR-Plasmen zumindest die richtige Größenordnung. 4.3.5 Simon Diffusion Rechnung und spektroskopische Messungen haben gezeigt, dass eine Erhöhung der Elektronendichte durch Sekundärelektronenemission von der Endplatte als Erklärung für den „biased disk“- Effekt nicht haltbar ist (s. Kap. 4.3.2 und Kap. 4.3.4). Einen weiteren deutlichen Hinweis hierfür gaben zeitaufgelöste Messungen der extrahierten Ionenströme beim gepulsten Betrieb der Endplatte an einer Frankfurter EZR-Quelle [Sti 99, Run 00]. Dabei ergab sich eine Zeitskala von 20 bis 80 µs für den Anstieg der Ströme hochgeladener Ionen und die Ausbildung eines neuen stationären Zustandes. Die Zeitskala für die Produktion hochgeladener Ionen über Stufenionisation liegt dagegen in der Größenordnung von ms. Die extrahierten Ionenströme steigen also nach dem Einschalten der Endplattenspannung schneller an als neue Ionen im Plasma erzeugt werden können. Auch ein reiner Extraktionseffekt wie beispielsweise eine Verbesserung der Emittanz scheidet als Erklärung aus, da die Linienintensitäten der hochgeladenen Ionen im Emissionsspektrum des Plasmas mit vorgespannter Endplatte ebenfalls höher sind als im konventionellen Betrieb (s. Kap. 4.3.3). Das Isolieren und Vorspannen der Endplatte auf der Gaseinlassseite dürfte also nicht die Ionenproduktion beeinflussen, sondern die Teilchenverluste zu den Wänden des Plasmagefäßes bzw. die Einschlussbedingungen. Tatsächlich unterscheiden sich die axialen und radialen Teilchenflüsse eines magnetisierten Plasmas mit allseitig elektrisch leitenden Wänden grundlegend von denen eines Plasmagefäßes mit isoliert aufgebauten Endplatten. Dieser Unterschied wurde bereits in den 50er Jahren von A. Simon untersucht [Sim 55, Sim 59]. Die Teilchendiffusion im Fall der komplett leitenden Wände wird deshalb als Simon Diffusion bezeichnet. Auf die Bedeutung der Simon Diffusion für den Plasmaeinschluss in EZR-Entladungen und EZR-Ionenquellen wurde erstmals in [Mey 95] hingewiesen. 63 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Ausführlich diskutiert wird dieses Szenario in [Wol 01, Dre 02]. Hier soll daher nur ein kurzer Überblick gegeben werden. Die Teilchenflüsse innerhalb des Plasmas und zu den Wänden können in eine zum Magnetfeld parallele und eine senkrechte Komponente separiert werden. Die Bewegung in axialer Richtung kann dabei durch die ambipolare Diffusion beschrieben werden. Auf Grund der wesentlich geringeren Masse der Elektronen sind deren axialer Diffusionskoeffizient De|| und Mobilität µ e|| wesentlich größer als der Diffusionskoeffizient Di|| und die Mobilität µ i|| der Ionen, was zunächst zu einem erhöhtem Elektronenfluss führt. Aus Gründen der Quasineutralitätserhaltung bildet sich ein axiales elektrisches Feld aus, welches dem Elektronenfluss entgegenwirkt und den Ionenfluss verstärkt. Die senkrechten Teilchenflüsse werden wesentlich durch das Magnetfeld und die Gyrationsbewegung der Teilchen um die Magnetfeldlinien bestimmt. Da das Gyrationszentrum eines geladenen Teilchens an eine Feldlinie gebunden ist, kann eine senkrechte Verschiebung der Gyration nur verursacht werden, indem das Teilchen durch Stöße aus seiner ursprünglichen Kreisbahn in eine neue umgelenkt wird. Die senkrechte Verschiebung ist dabei umso größer je größer der Gyrationsradius des Teilchens ist. Die Gyrationsradien der Ionen sind aufgrund des Massenunterschieds wesentlich größer als die der Elektronen. Deshalb gilt in diesem Fall Di⊥ >> De⊥ und µ i⊥ >> µ e⊥ . Da die Diffusion und die Mobilität geladener Teilchen senkrecht zum Magnetfeld im Allgemeinen kleiner ist als parallel zum Magnetfeld, wird das Ungleichgewicht in den radialen Teilchenflüssen anders als im ambipolaren Fall nicht durch radiale elektrische Felder ausgeglichen, sondern durch zum Magnetfeld parallele Teilchenflüsse und den elektrischen Kurzschluss der Endplatte zu den radialen Wänden. Somit fließt bei einem rundum elektrisch leitenden Plasmagefäß ein Elektronenstrom von den Endplatten zu den radialen Wänden. Dieser Strom wird als Simon´scher Kurzschlussstrom bezeichnet. Der Simon´sche Kurzschlussstrom kann in der ECRIS gemessen werden und ist damit ein wichtiger experimenteller Beleg für die Gültigkeit dieses Modells (s. Kap. 4.3.2). Prinzipiell ist auch ein Ausgleich über benachbarte Flussröhren des Magnetfeldes möglich. Für den Plasmaeinschluss sind jedoch nur die tatsächlich messbaren Flussunterschiede zu den Wänden von Bedeutung. Anders als bei nichtleitenden Wänden, wo sich die Elektronen- und Ionenflüsse Γe und & & & Γi an jeder Stelle aufheben müssen ( Γi (r ) = Γe (r ), ∀r ∈ Wand ), gilt im Falle eines rundum 64 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 leitenden Plasmagefäßes eine integrale Bedingung für die elektrischen Teilchenflüsse auf die Wände [Wol 01]: ∫∫ Wände & & & Γe (r ) ⋅ dA = ∫∫ Wände & & & Γi (r ) ⋅ dA . (4.7) Bei [Wol 01] wird gezeigt, dass das jeweilige Flussgleichgewicht die Plasmaparameter Elektronentemperatur, Ionentemperatur, mittlerer Ladungszustand und Plasmapotenzial determiniert. Die unterschiedlichen Teilchenströme zu den Wänden werden dabei unter Zuhilfenahme von Messungen des extrahierten Gesamtstroms IEx und des Simon´schen Kurzschlussstroms bei verschiedenen Entladungsdrücken und Mikrowellenleistungen an der ECRIS 2 berechnet. Dabei ist auch zu beachten, dass in der ECRIS 2, ähnlich wie bei anderen Quellen, zwar die Endplatte auf der Gaseinlassseite isoliert aufgebaut ist, nicht aber die Extraktionsblende. Die relevanten axialen und radialen Ströme sind schematisch in Abb. 4.24 dargestellt. I i⊥ I e⊥ I eEP I ex I iEP I ix I i⊥ IEx I e⊥ Abb. 4.24: Schema der axialen und radialen Teilchenströme in der ECRIS im Flusserhaltungsmodell nach [Wol 01]. Im Rahmen dieses Modells wird gezeigt, dass die Sekundärelektronenemission von der Endplatte trotz der nur marginalen Erhöhung der Elektronendichte (s. Kap. 4.3.2 und Kap. 4.3.4) zu einer Absenkung des Plasmapotenzials führt. Das Anlegen einer negativen Spannung an die Endplatte resultiert in einer weiteren Absenkung des Plasmapotenzials und damit zu günstigeren Einschlussbedingungen der Ionen, insbesondere für die hohen Ladungszustände. Im Modell macht sich dies durch eine Erhöhung des extrahierten Gesamtstroms und des mittleren Ladungszustandes bemerkbar wie es auch im Experiment beobachtet wird (s. Kap. 4.3.2). Jüngst durchgeführte Sondenmessungen einer Frankfurter 65 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Gruppe zeigen ebenfalls ein Absenken des Plasmapotenzials durch das negative Vorspannen der Endplatte [Sti 02]. Die bereits oben erwähnten Zeitskalen von 20 bis 80 µs für die Ausbildung eines stationären Zustands entsprechen in diesem Bild der Zeit, die ein thermisches Ion zum Durchqueren des Entladungsgefäßes benötigt. Abschließend lässt sich festhalten, dass die üblicherweise für den „biased disk“- Effekt als Erklärung herangezogene Sekundärelektronenemission nicht wie häufig angenommen zu einer zusätzlichen Ionisierung führt, sondern lediglich indirekt über eine Absenkung des Plasmapotenzials eine positive Auswirkung auf den Ioneneinschluss und damit auf die Ladungszustandsverteilung im extrahierten Ionenstrahl hat. Der grundlegende Mechanismus ist statt dessen, dass das Isolieren der Endplatte durch die Unterbindung des Simon´schen Kurzschlussstroms zu einem neuen Teilchenflussgleichgewicht und damit zu veränderten Einschlussbedingungen führt. Eine von außen an die Endplatte angelegte negative Spannung senkt zusätzlich das Plasmapotenzial und bewirkt damit eine weitere Verbesserung des Einschlusses. Ähnlich lässt sich auch die Wirkungsweise von Wandmaterialien mit hohen Sekundärelektronenkoeffizienten wie beispielsweise sog. „MD-Zylinder“ aus einer speziellen Aluminiumoxidlegierung erklären [Sch 99]. Die an den radialen Wänden ausgelösten Elektronen kehren wegen des starken Magnetfeldes direkt wieder zur Wand zurück und werden dort reabsorbiert. Es ist also schwer vorstellbar, dass diese Sekundärelektronen die Elektronendichte wirksam erhöhen können. Aluminiumoxid wirkt allerdings auch als Isolator, weshalb in diesem Fall keine Ausgleichsströme zwischen den radialen Wänden und den Endplatten fließen können und der Simonsche Kurzschlussstrom unterbunden wird. Deshalb gilt auch hier die Simon Diffusion mit ihrer integralen Flusserhaltung nicht mehr. Statt dessen gilt hier auch in radialer Richtung die ambipolare Diffusion mit der lokalen Flusserhaltung. Dabei bilden sich auch senkrecht zum Magnetfeld starke elektrische Felder aus, die den radialen Ionenverlusten entgegen wirken also ebenfalls zu einem verbesserten Ioneneinschluss und dadurch zu einer Optimierung der Ladungszustandsverteilung führen. Experimentell gestützt wird diese Überlegung durch ein tatsächlich messbar geringeres Plasmapotenzial gegenüber elektrisch leitenden Entladungsrohren [Xie 95]. 66 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 4.4 Betrieb im „Afterglow“-Modus Beim sog. Afterglowbetrieb von EZR-Ionenquellen wird die Mikrowellenleistung periodisch ein- und ausgeschaltet, wobei die extrahierten Ionenströme nach dem Abschalten unter bestimmten Bedingungen zunächst sprunghaft ansteigen und nach Erreichen des Maximums wieder exponentiell abfallen (s. Kap 3.4). Größe und Form des Afterglowpeaks hängen stark von den gewählten Plasmaparametern und den Einstellungen der Ionenoptik ab [Lan 95]. Ob und wie deutlich der Afterglowpeak auftritt ist von Quelle zu Quelle verschieden. So konnte an unserer alten Quelle ECRIS 1 nur im Gesamtstrom auf der Magneteingangsblende ein Afterglowpeak beobachtet werden [Nad 96]. An unserer ECRIS 2 ist es nun auch möglich den Aftergloweffekt in den separierten Ionenströmen verschiedener Ladungszustände zu beobachten. Allerdings war es auch hier unter keinen Umständen möglich, im Afterglow einen höheren Strom zu messen als im kontinuierlichen Betrieb. Dennoch war es möglich, einige grundlegende Untersuchungen der Ionenströme und der VUV-Linienintensitäten im Afterglow anzustellen. Die Messungen zur selektiven Ionenheizung im Afterglow wurden jedoch an der Groninger Quelle ECRIS 3 durchgeführt (s. Kap. 5). 4.4.1 Optimierung des Afterglowpeaks Zur Optimierung des Afterglowpeaks beginnt man üblicherweise zunächst mit einer kontinuierlich brennenden Entladung, die auf den gewünschten Ladungszustand optimiert wird. Anschließend wird die Mikrowelle zur Plasmaheizung mit einer Taktfrequenz von typischerweise 10 bis 20 Hz gepulst und der extrahierte Ionenstrom auf einem Oszilloskop beobachtet. Mit etwas Glück zeigt sich bereits ein Peak in der Plasma-aus-Phase, der nun durch Variation aller Quellenparameter, sowie der Ionenoptik auf maximale Peakhöhe optimiert werden kann. Dabei ergeben sich für einen optimalen Afterglowbetrieb grundlegend verschiedene Einstellungen zum kontinuierlichen Betrieb. Die Form des Peaks kann für unterschiedliche Parameter sehr stark variieren. Dabei können sogar zwei oder mehr Peaks nach dem Abschalten der Mikrowelle auftreten. Abb. 4.25 zeigt drei Beispiele des N+67 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Afterglow bei unterschiedlichen Quellenparametern in einer Stickstoffentladung ohne Gasmischung und ohne vorgespannte Endplatte. a) MW ein MW aus b) MW ein MW aus c) MW ein MW aus Abb. 4.24: N+-Afterglow für drei unterschiedliche Parametereinstellungen: a) im kontinuierlichen Betrieb optimierter Strom, b) Einstellung mit Doppelpeak, c) Peak optimiert. Die graue Kurve stellt das Triggersignal der Mikrowelle (MW) dar. 68 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Tatsächlich kann in manchen Fällen lediglich durch Ändern der Einzellinsenspannung der Afterglowpeak zum Verschwinden gebracht werden. Der große Einfluss der Ionenoptik ist allerdings nicht ungewöhnlich, da die extrahierten Ionen im Afterlow eine andere Energieverteilung besitzen als in der Plasma-ein-Phase und sich daher auch in der Ionenoptik unterschiedlich verhalten. Geht man von einem elektrostatischen Einschluss der Ionen in einem Potenzialdip des Plasmapotenzials aus, gelangen in der Plasma-ein-Phase nur diejenigen Ionen in den Extraktionskanal, die genügend Energie besitzen dem Potenzialdip zu entkommen. Dagegen verschwindet der Einschluss innerhalb einiger µs nach Abschalten der Mikrowelle und auch die übrigen Ionen mit geringerer Energie können in den Extraktionskanal gelangen, sofern ihre Bewegung in die entsprechende Richtung zeigt. 4.4.2 Zeitaufgelöste Messungen von Ionenströmen und VUV-Intensitäten im Afterglowbetrieb Um das Verhalten des ECRIS-Plasmas im Afterglow zu untersuchen, wurden simultan zur Messung der extrahierten Ionenströme die Intensitäten der jeweils entsprechenden VUVLinien zeitaufgelöst gemessen. Durchgeführt wurden diese Messungen in einer reinen Stickstoffentladung ohne vorgespannte Endplatte. Um eine hinreichend gute Zeitauflösung von 50 µs zu erhalten, wurden die Linienintensitäten repetierend gemessen, während zur Aufnahme der Ionenströme ein digitales Oszilloskop mit einem PC ausgelesen wurde. Abb. 4.25 zeigt die Afterglowpeaks der Ionen N+ bis N4+ im Vergleich zu den entsprechenden VUV-Intensitäten NII bis NV im Moment des Abschaltens der Mikrowelle. Die Plasmaparameter wurden während sämtlicher Messungen konstant gehalten. Lediglich das Einzellinsenpotenzial wurde jeweils neu auf maximale Peakhöhe optimiert. Allerdings ist auch bei den hier zur Bildung des Afterglowpeaks nötigen Einstellungen der Strom im Maximum des Peaks geringer als der Strom, der bei geeigneter Optimierung in einer kontinuierlichen Entladung gemessen werden kann. 69 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 N+ NII N2+ NIII N3+ NIV N4+ NV Abb. 4.26: Afterglowpeaks der N+- bis N4+-Ionen und simultan gemessene VUVLinienintensitäten bei konstant gehaltenen Plasmaparametern. Die Ionenoptik wurde jeweils auf maximale Peakhöhe optimiert. 70 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Wie man in Abb. 4.26 erkennt, nimmt die Breite der Afterglowpeaks mit wachsendem Ladungszustand ab. Auch der Zerfall der VUV-Linien findet mit steigendem q schneller statt. Erwartungsgemäß sind im Verlauf der Linienintensitäten keine Peaks nach dem Abschalten der Mikrowelle sichtbar. Statt dessen zeigt sich nach etwa 200 µs ein zunächst sehr rascher Abfall der Intensität, der in einen etwas langsameren exponentiellen Zerfall übergeht. In der logarithmischen Darstellung lässt sich durch den Intensitätsverlauf in diesem Bereich eine Ausgleichsgerade legen. Abb. 4.27 zeigt die Linienintensität von NII im Afterglow in logarithmischer Darstellung. Die beiden Bereiche des schnellen und des langsamen Zerfalls sind hier deutlicher zu unterscheiden als in der linearen Darstellung. Abb. 4.27: NII-Linienintensität in der logarithmischen Darstellung. Im Bereich des langsamen exponentiellen Zerfalls ergibt sich in dieser Darstellung eine Gerade. Um die Zerfallszeiten der verschiedenen VUV-Intensitäten abzuschätzen, ist es jedoch weniger aufwendig in der linearen Darstellung mit Hilfe eines handelsüblichen Fitprograms (z. B. TableCurve) an den Bereich des langsamen Zerfalls eine Exponentialfunktion anzufitten. Die aus dem Exponentialfit ermittelten Zerfallszeiten der VUV-Linien sind in Abb. 4.28 zusammen mit den Zerfallszeiten dargestellt, die sich aus den Afterglowpeaks der extrahierten Ströme ergeben. Als Abschätzung für die Zerfallszeit des Ionenstromes benutze ich hier, ähnlich wie bei [Lan 95] durchgeführt, die Zeitdifferenz vom Abschalten der Mikrowelle bis zu dem Punkt an dem der Strom auf 1 / e des Maximalwerts gesunken ist. Da die abfallenden Flanken der Afterglowpeaks leichte Unregelmäßigkeiten aufweisen, wird in 71 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 einer zweiten Variante die Zerfallszeit zusätzlich bis zum Punkt 1 / 2e des Peakmaximums bestimmt. Die Zerfallszeiten der Linienintensitäten sind jeweils etwa um einen Faktor 4 kleiner als die aus den entsprechenden Ionenströmen nach der ersten Variante ermittelten Zerfallszeiten. Der Zerfall der Linienintensitäten wird aber nicht allein durch das Absinken der Ionendichten im Plasma bestimmt, sondern auch durch das Sinken der Anregung der Ionen. Nach dem Abschalten der Mikrowelle verringern sich die Elektronentemperatur und die Elektronendichte sehr rasch und die Ionen regen sich ab. Dagegen liegen die Laufzeiten der 16 8 14 7 12 6 Imax / e 10 5 8 4 Imax / 2e 6 3 4 2 2 1 0 0 0 1 2 3 4 Zerfallszeit (VUV) / ms Zerfallszeit (I Ex) / ms Ionen bis zum Faraday-Cup im µs-Bereich und sind damit vernachlässigbar. 5 Ladungszustand Abb. 4.28: Zerfallszeiten der Linienintensitäten (aus Exponentialfit, hellgrau) und der Ionenströme (Zeit vom Abschalten der Ionenströme bis zum Punkt I = Imax / e (schwarz) bzw. I = Imax / 2e (dunkelgrau)). Eine Analyse der extrahierten Ionenströme im Afterglow bei [Lan 95] erbrachte für ein Blei-Plasma eine 1/q2-Abhängigkeit der Zerfallszeiten der hohen Ladungszustände. Eine Begründung für diesen funktionalen Zusammenhang wurde jedoch nicht gegeben. Spektroskopische Messungen am Plasma wurden dort nicht durchgeführt. Ein 1/q2-Fit nähert die Zerfallszeiten unserer N q+ -Ionenströme nur schlecht an. Den besten Fit erhält man hier mit einer Exponentialfunktion. Die Zerfallszeiten der VUV-Intensitäten werden dagegen auch hier am besten durch einen 1/q2-Fit wiedergegeben, wobei ein Exponentialfit allerdings nur zu einem unwesentlich schlechteren Ergebnis führt. In Abb. 4.29 werden die 1/q2-Fits im 72 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Vergleich zu den Exponentialfits für die Zerfallszeiten der Ionenströme und der Linienintensitäten dargestellt. a) b) c) Abb. 4.29: Vergleich des 1/q2-Fit mit dem Exponentialfit für a) die Zerfallszeiten der Ionenströme bis I = Imax / e, b) die Zerfallszeiten bis I = Imax / 2e und c) die Zerfallszeiten der VUV-Linienintensitäten Für einen zuverlässigen Fit sind vier Messpunkte nur eine kleine Datenbasis. Dementsprechend gibt es weder für eine 1/q2-Abhängigkeit noch für eine exponentielle Abhängigkeit der Zerfallszeiten vom Ladungszustand eine physikalische Grundlage. 73 4 Methoden zur Optimierung der ECRIS 2 Berücksichtigt man die Rekombination sollte sich für die Zerfallszeit τ eine Abhängigkeit der Form 1 1 = + a ⋅ q2 , τ τD (4.8) ergeben, da die Wahrscheinlichkeit für die Rekombination von Ionen proportional zu q2 [McW 65] und die Rekombinationszeit demnach proportional zu 1/ q2 ist. τD ist dabei, die durch die Diffusion bestimmte Zerfallszeit. Fittet man diese Gleichung an unsere Messwerte, ergibt sich jedoch in allen drei Fällen ein zu flacher Kurvenverlauf (nicht in Abb. 4.29 dargestellt). Der Unterschied der hier erzielten Messergebnisse zu den Ergebnissen aus [Lan 95] ist möglicherweise in der geringeren Transmission unseres Strahlsystems begründet. Dies ist vermutlich auch die Ursache für die schlechte Leistungsfähigkeit unserer Quelle im Afterglowbetrieb. Tatsächlich werden bei [Lan 95] Afterglowpeaks über 100 µA für hochgeladene Bleiionen wie beispielsweise Pb27+ beobachtet, wobei in der Heizphase des Plasmas kaum ein Strom zu messen ist. Derartig deutliche Afterglowpeaks sind mit dem leichten Element Stickstoff und seinen vergleichsweise niedrigen Ladungszuständen allerdings nicht zu erzielen. Abschließend lässt sich festhalten, dass sich auch bei den hier vorgestellten Messungen ein direkter Nachweis eines Plasmapotenzialdips und eines elektrostatischen Einschlusses der Ionen weder in den extrahierten Strömen noch in den spektroskopisch gemessenen Linienintensitäten während des Afterglow finden lässt. Allerdings lässt sich die bereits aus den Ionenströmen bekannte q-Abhängigkeit des Zerfalls auch in den VUV-Linien des Plasmas beobachten, was ein weiter Hinweis auf die Existenz eines elektrostatischen Einschlusses ist. 74 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow Nach den Experimenten zur selektiven Heizung von Wasserstoffionen im Restgas unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld [Mey 95] entstand die Idee, die Qualität des Afterglowpeaks im gepulsten Betrieb einer EZR-Ionenquelle zu erhöhen, indem man die hochgeladenen Ionen im eigentlichen Entladungsgas mittels einer ebenfalls gepulsten HFWelle geeigneter Frequenz heizt [Shi 95]. Durch die selektive Ionenheizung in der IonenZyklotron-Resonanz (IZR) soll dabei im Moment des Abschaltens der Mikrowelle ein erhöhter Transport der geheizten Ionensorte aus dem Plasma angeregt werden. Modellrechnungen auf der Basis des elektrostatischen Einschlusses ergaben für dieses Szenario eine zeitliche Kompression und eine Erhöhung der Amplitude des Afterglowpeaks. Dadurch wären im Beschleunigerbetrieb höhere Pulsfrequenzen möglich. Erste Untersuchungen zur selektiven Heizung hochgeladener Ionen wurden bereits an unserer alten Quelle ECRIS 1 in einem kontinuierlich betriebenen Argon-Plasma durchgeführt [Nad 96, Nad 97]. Dabei äußerte sich der erhöhte Transport in einer Abnahme des extrahierten Ionenstroms nach dem Einschalten der IZR-Heizung. Die gefundene Resonanz erstreckte sich hier über einen wesentlich weiteren Frequenzbereich als bei der Heizung von Wasserstoff im Restgas [Mey 96], was darauf hindeutet, dass die Heizung der hochgeladenen Ionen über einen weiten Bereich im inhomogenen Magnetfeld stattfindet. Zeitaufgelöste Messungen des Ionenstroms, um einen eventuellen kurzzeitigen Anstieg der Intensität nach Beginn der Heizung zu detektieren, waren zu diesem Zeitpunkt allerdings nicht möglich. Die im Folgenden beschriebenen Messungen zur selektiven Ionenheizung im Afterglow wurden von mir am Kernfysisch Versneller Instituut (KVI) Groningen an der Ionenquelle ECRIS 3 (s. Kap 2.2) in Zusammenarbeit mit den dortigen Mitarbeitern durchgeführt [Nad 99, Nad 00]. Unsere Quelle ECRIS 2 in Bochum stand zu dieser Zeit wegen umfangreicher Reparaturmaßnahmen nicht zur Verfügung. 75 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow 5.1 Modell der Ionenheizung im Afterglow Der Mechanismus der IZR-Heizung ist äquivalent dem der Elektronen-ZyklotronResonanz-Heizung (s. Gl. 2.1). Dabei muss die Frequenz fHF der in das Plasma eingestrahlten HF-Welle der Gyrationsfrequenz ω ci der Ionen des Ladungszustands q entsprechen, die geheizt werden sollen. Es gilt 2π ⋅ f HF = ω HF = ω ci ≡ & q⋅e⋅ B mi (5.1) . Die Frequenzen der IZR-Heizung im inhomogenen Magnetfeld unserer Entladung liegen im Bereich von einigen 100 kHz bis zu einigen MHz je nach Element, Ladungszustand des Ions und Ort der Heizung. Dabei ist zu beachten, dass nur Minoritätsionen mit einem Anteil von weniger als 5 % an der gesamten Ionendichte auf diese Weise geheizt werden können. Andernfalls können nichtlineare Wellenphänomene wie Modenkonversion auftreten, die die Heizung in der Fundamentalresonanz verbieten [Wan 85]. Die sehr hoch geladenen Ionen machen in der Regel jedoch nur einen kleinen Anteil im Plasma aus und sollten daher für die IZR-Heizung Umfangreiches geeignet theoretisches sein. Material zur Ionenheizung durch HF-Wellen findet man bei [Sti 62] oder [Lon 92]. Das Prinzip der selektiven Ionenheizung im Afterglow ist in Abb. 5.1 verdeutlicht. Dabei wird ein Taktfrequenz HF-Sender wie die mit der Mikrowelle gleichen gepulst betrieben. Die IZR-Heizung wird in jeder Periode kurz vor dem Abschalten der EZRHeizung eingeschaltet und vor Beginn der Abb. 5.1: Postulierte Komprimierung und Erhöhung der Amplitude des Afterglowpeaks durch die selektive Ionenheizung nächsten Periode wieder abgeschaltet. Die HFWelle wird dabei mit der entsprechenden Resonanzfrequenz der Ionensorte, die geheizt werden soll, mit einer Stabantenne in das Plasma 76 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow eingestrahlt. Auf diese Weise soll exakt im Moment des Zusammenbrechens des Einschlusses selektiv ein erhöhter Transport der geheizten Spezies angeregt werden, der kurzzeitig zu einem erhöhten Fluss dieser Ionenkomponente in alle Richtungen und damit auch in Richtung Extraktion führt. Dabei fließt die gleiche Anzahl Ionen in kürzerer Zeit durch das Extraktionsloch, was zu einer Erhöhung aber auch Verkürzung des Afterglowpeaks führt, wobei das zeitliche Integral des Ionenstroms erhalten bleibt. 5.2 Ionenheizung im Afterglow der ECRIS 3 Für die Experimente zur Ionenheizung wurde eine durch ein Quarzrohr gegen das Plasma isolierte Kupferantenne auf der Gaseinlassseite der Groninger Ionenquelle ECRIS 3 installiert (s. Abb. 5.2). Die Antenne wird dabei durch den Innenleiter des koaxialen Hohlleiters der Mikrowellenzuführung geführt, der auch als Gaszuleitung dient. Als HFSender dienten ein digitaler Funktionengenerator und ein Breitbandverstärker für den Frequenzbereich von 200 kHz bis 20 MHz, die zum Inventar unseres Labors in Bochum gehören. Um den Sender gegen die Hochspannung der Ionenquelle zu schützen, wurde in die Zuleitung zur Antenne eine galvanische Trennung eingefügt, die für den genutzten Frequenzbereich durchlässig war. Die begrenzte Durchschlagsfestigkeit der Trennung ermöglichte allerdings nur eine Extraktionsspannung von 4 kV. Dies führt möglicherweise auch zu leicht geänderten Plasmabedingungen, da bei kleinen Extraktionsspannungen auch der Plasmameniskus kleiner ist als unter normalen Bedingungen. Unter dem Plasmameniskus versteht man den Felddurchgriff durch das Extraktionsloch, der durch Anlegen einer Hochspannung entsteht. Der eigentliche Meniskus besteht aus der Plasmagrenze an der Extraktionsöffnung und kann als gekrümmte Äquipotenzialfläche angesehen werden, aus der die Ionen senkrecht austreten. Form (konvexe oder konkave Krümmung) und Lage des Meniskus hängen sowohl von der Extraktionsspannung als auch von den Quellenparametern ab. 77 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow Die Position der Antenne entlang der Achse musste während der Experimente mehrfach geändert werden, da die Wechselwirkung der Elektronen des Metalls mit dem Feld der Mikrowelle innerhalb des koaxialen Hohlleiters in einigen Fällen zu einem Schmelzen der Antenne führten. Dabei musste die Anlage jedes mal belüftet werden, um die Antenne zu wechseln. Extraktion Cu-Antenne Abb. 5.2: Position der Antenne zur IZR-Heizung in der Ionenquelle ECRIS 3. Die Quelle wurde in einer Argon-Helium-Mischung betrieben, wobei Sauerstoff wegen des häufigen Öffnens des Experimentes stets deutlich messbar im Restgas vorhanden war. Um sicher zu sein, das die geheizten Ionen Minoritätsionen sind, haben wir diesen Umstand ausgenutzt und O5+ extrahiert. Sobald die Quelle gepulst betrieben wurde, entstand ein Afterglowpeak, der ca. 1,5 mal höher war als der Ionenstrom während der Heizphase des Plasmas (s. Abb. 5.3). Diese verhältnismäßig geringe Steigerung erklärt sich vermutlich aus der eher schlechten Optimierung der Quelle (geringe Extraktionsspannung, unsaubere Entladung). Der Afterglowpeak verschwand restlos, wenn in der Plasma-aus-Phase der Entladung der HF-Puls zur Ionenheizung eingeschaltet wurde. Dabei reichten 5 W HF-Leistung aus, um diesen Effekt zu erzeugen. Der Strom in der EZR-Heizphase des Plasmas blieb währenddessen auf dem gleichen Niveau wie vorher (s Abb 5.4). Dieses Verhalten zeigte über einen weiten Bereich von 1,5 MHz bis 4 MHz keine Frequenzabhängigkeit. Offenbar ist die 78 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow Heizung im inhomogenen Magnetfeld örtlich nicht eng lokalisiert, sondern findet über einen großen räumlichen Bereich statt. 0,11 I / µA 0,09 0,07 0,05 0,03 0,01 -0,01 0 0,005 0,01 0,015 0,02 t /s Abb. 5.3: O5+-Afterglow an der ECRIS 3 ohne zusätzliche Ionenheizung 0,11 ICRH aus ICRH ein I / µA 0,09 0,07 0,05 0,03 0,01 -0,01 0,0176 0,0226 0,0276 0,0326 0,0376 t /s Abb. 5.4: O5+-Afterglow mit Ionen-Zyklotron-Resonanz-Heizung (IZRH) in der Plasma-aus-Phase der gepulsten Entladung Schaltet man dagegen die EZR- und IZR-Heizung simultan ein und aus bleibt der Afterglowpeak sichtbar, wobei sowohl der Strom in der Heizphase des Plasmas als auch im Afterglow deutlich sinken (s. Abb. 5.5). Der O5+-Ionenstrom fällt dabei im aktiven Plasma um einen Faktor 1,5 und im Afterglow sogar um einen Faktor 1,8. 79 5 Selektive Heizung von Ionen im Afterglow 0,11 ICRH ein ICRH aus I / µA 0,09 0,07 0,05 0,03 0,01 -0,01 -0,012 -0,007 -0,002 0,003 0,008 t /s Abb. 5.5: O5+-Afterglow an der ECRIS 3 mit simultaner EZR- und IZR-Heizung Entgegen dem vorgeschlagenen Modell resultiert die Ionenheizung im Afterglow nicht in einer Erhöhung des Afterglowpeaks sondern zu einem Verschwinden des Peaks. Ähnlich wie bei den Ionenheizexperimenten an unserer Quelle ECRIS 1 führt die Heizung in der aktiven Phase des Plasmas zu einem Absinken des Ionenstroms. Offenbar findet ein zusätzlicher Transport der geheizten Ionen nicht in Richtung der Extraktion statt. Tatsächlich führt die IZR-Heizung zunächst zu einer Energieerhöhung in der Gyrationsbewegung der Ionen. Nach dem Modell sollte sich der Energiegewinn aber durch Ion-Ion-Stöße in alle Raumrichtungen verteilen. Diese Vorstellung ist offenbar falsch. Ein weiteres Problem ist, dass mit der Ionentemperatur auch die Emittanz der Ionenquelle steigt. Der maximale Ionenstrom, der beschleunigt werden kann, ist proportional zu 1 / (kTi)1/2 [Wie 72]. Auch dies mag den Effekt der selektiven Ionenheizung begrenzen. 80 6 Isotopenanomalie Die sog. Isotopenanomalie in ECR-Ionenquellen wurde zum ersten mal am KVI Groningen von A. Drentje für die Sauerstoffisotope 16 O, 17 O und 18 O bei einem festen Mischungsverhältnis gefunden und untersucht [Dren 92, Dren 96]. Die Anomalie besteht in einer Anreicherung des jeweils schwereren Isotops in den hohen Ladungszuständen des extrahierten Ionenstroms, wenn man die Quelle in einer Mischung aus zwei oder mehreren Isotopen des gleichen Elements betreibt. Da die Isotope dieselben Ionisierungspotenziale besitzen, können die beobachteten Effekte nur auf ihren kleinen Massenunterschieden beruhen. Bereits bei den Untersuchungen in Sauerstoff zeigte sich, daß der Effekt verschwindet oder sich zumindest deutlich abschwächt, wenn man zusätzlich ein leichtes Anreicherung von 17O Anreicherung von 18O Mischgas wie beispielsweise Helium beimengt (s. Abb. 6.1). Abb. 6.1: Verhältnis der extrahierten Ionenströme von 18O und 17O in Abhängigkeit des Ladungszustands für eine reine Sauerstoffisotopenmischung und eine Mischung mit zusätzlichem Heliumanteil [Dren 96]. In Bochum haben wir die Isotopenanomalie in 15 N/14N-Mischungen in Abhängigkeit vom Partialdruckverhältnis und der Mikrowellenleistung systematisch untersucht [Kaw 01]. Um den Zusammenhang zwischen diesem Effekt und dem Auftreten von niederfrequentem Plasmarauschen zu untersuchen, wurden zeitweilig die vom Plasma emittierten Wellen simultan zu den extrahierten Ionenströmen aufgezeichnet. 81 6 Isotopenanomalie 6.1 Isotopenanomalie in 15N/14N-Mischungen In allen Experimenten zur Isotopenanomalie wurden die Stickstoffisotope aus zwei separaten Gasflaschen über motorgesteuerte Nadelventile in das Entladungsgefäß eingelassen, wobei die erste Flasche 15N mit einer Reinheit von mindestens 98 % enthielt und die zweite natürlichen Stickstoff, also 99,6 % 14 N. Vor Beginn der eigentlichen Meßreihen wurde zunächst die Zeit zwischen Einstellen eines Mischungsverhältnisses und Stabilisierung der Ionenströme ermittelt (s. Abb. 6.2). Dazu wurde, ausgehend von einem reinen 14N-Plasma, am Gaseinlaß ein Partialdruckverhältnis von α ≡ p(15 N) p(14 N) = n(15 N) n(14 N) ≅ 0,85 eingestellt ohne den Totalgasdruck zu ändern. Die extrahierten Ionenströme stabilisierten sich erst nach etwa 30 min. Diese relativ lange Relaxationszeit beruht auf einem Recycling von 14 N-Atomen aus den Entladungsgefäßwänden, die während des Betriebs im reinen 14N in den Wänden adsorbiert wurden. Aus diesem Grund wurden bei allen nachfolgenden Messungen 9 0,9 8 0,8 7 0,7 6 0,6 5 0,5 4 0,4 3 14N+ 0,3 2 15N+ 0,2 1 15N+/14N+ I(15N+) + I(14N+) I (15N+) / I (14N+) I / µA die Messwerte erst 30 bis 60 min nach Änderung der Gaszusammensetzung aufgenommen. 0,1 0 0,0 0 10 20 30 t / min 40 50 60 Abb. 6.2: Messung der Relaxationszeit nach Änderung des Partialdruckverhältnisses α = p (15 N) p (14 N) = n(15 N) n(14 N) . Von einer reinen 14N-Entladung ausgehend wurde zum Zeitpunkt t = 0 das 15N-Ventil geöffnet und das 14N-Ventil ein wenig geschlossen, so dass der Totaldruck ptot der Entladung konstant blieb. Dargestellt sind die elektrischen Ströme der einfach geladenen Ionen der beiden Isotope, sowie deren Summe und deren Verhältnis in Abhängigkeit von der Zeit. 82 6 Isotopenanomalie Die optimalen Plasmaparameter in Hinblick auf die Produktion hochgeladener Ionen (N5+) in einer Stickstoffentladung ohne Heliummischung und ohne vorgespannte Endplatte wurden ebenfalls im Vorfeld der Meßreihen bestimmt. Dabei ergaben sich PMW = 255 W, Iext = 623 A, Iinl = 940 A, ptot = 1.9⋅10-3 Pa. Die Abbildung 6.3 zeigt das Spektrum der extrahierten Ionenströme für diesen Parametersatz bei einem Partialdruckverhältnis der Isotope von α ≅ 0,9. Der Übersicht halber wird das Spektrum nur bis zu den fünffach geladenen Stickstoffisotopen dargestellt. Für diesen, wie auch alle weiteren Scans, wurden die Ziehelektrode und die Einzellinse auf maximalen Strom von 14 N5+ optimiert. Da das Strahlführungssystem eine Transmission von deutlich unter 100 % hat, können die Einstellungen der Ziehelektrode und der Einzellinse allerdings das Isotopenverhältnis im extrahierten Ionenstrahl beeinflussen. Da der Larmorradius eines gyrierenden Teilchen mit steigender Masse größer wird, ist die Transmission durch das Extraktionsloch für das schwerere Isotop geringer als für das leichtere [Hes 83, Hes 84]. Das heißt, wird eine Anreicherung des schwereren Isotops im extrahierten Ionenstrahl gemessen, kann man für das Plasma sogar eine höhere Anreicherung erwarten. 4,5 14 4 ~ mi q I / µA 14 2,5 14 2 1,5 1 15 0,5 15 15 15 2+ N+ N3+ N4+ N5+ 0 -0,5 0,45 N3+ N N+ N4+ N5+ 14 14 15 3,5 3 N2+ 0,55 O4+ O3+ O2+ 0,65 0,75 0,85 0,95 1,05 1,15 Steuerspannung des Separationsmagneten in V O+ 1,25 Abb. 6.3: m/q-Spektrum für eine 15N/14N-Entladung. Aufgetragen ist hier der elektrische Strom auf dem Faraday-Cup gegen die Steuerspannung des Separationsmagneten. In Abb. 6.4 sind die Ionenstromverhältnisse η q + = I (15 N q + ) I (14 N q + ) der beiden Isotope für die obigen Parameter gegen den Ladungszustand q aufgetragen. Das Verhältnis 83 6 Isotopenanomalie bei q = 1 entspricht ungefähr dem Druckverhältnis α. Für q = 2 durchläuft η q + ein Minimum, steigt dann monoton bis η q + = 1,13 für q = 6 an und liegt damit etwa 25 % höher als α. Anreicherung von 15N 1,2 ηq + 1,1 1 0,8 0 1 2 3 4 5 6 7 Anreicherung von 14N 0,9 q Abb. 6.4: Isotopenanomalie in der ECRIS 2 in 15N/14N: Dargestellt sind die Ionenstromverhältnisse η q + = I (15 N q + ) I (14 N q + ) in Abhängigkeit von q. Die waagerechte Linie kennzeichnet das voreingestellte Partialdruckverhältnis α. Um zu gewährleisten, daß das Plasma bei Änderung des Mischungsverhältnisses seinen Zustand nicht wesentlich ändert, wurden für einige Mischungsverhältnisse die summierten Isotopenströme I(14Nq+) + I(15Nq+) für jeden Ladungszustand gemessen. Wie Abbildung 6.5 zeigt bleiben die summierten Ströme bei Variation des Mischungsverhältnisses weitgehend konstant. Über den experimentell untersuchten Bereich bewirkt eine Änderung des Mischungsverhältnisses der Isotope also keine Modenänderung des Plasmas, solange der Totaldruck konstant gehalten wird. Da bei diesen Untersuchungen weder der Gasmischungseffekt noch die vorgespannte Endplatte angewendet wurde, sind die Ströme der hochgeladenen Ionen vergleichsweise niedrig. 84 6 Isotopenanomalie 1 q+ I ( N )+I ( N ) / µA 10 14 q+ 15 α=0 α = 0.063 α = 0.24 α = 0.93 α = 2.6 0,1 α = 8.8 0,01 0 2 4 6 q Abb. 6.5: Ladungszustandsverteilungen der summierten Isotopenströme I(14Nq+) + I(15Nq+) für unterschiedliche Partialdruckverhältnisse α in logarithmischer Darstellung. Um die Anreicherung bei verschiedenen Mischungsverhältnissen beurteilen zu können, werden die Ionenstromverhältnisse im Folgenden gemäß χ q + = η q + η1+ auf q = 1 normiert. Eine Anreicherung des schwereren Isotops liegt als vor, wenn χ q + größer als 1 ist. Für χ q + kleiner als 1 ist dagegen das leichtere Isotop angereichert. In Abbildung 6.6 sind die gemessenen χ q + in Abhängigkeit von q für drei unterschiedliche Mikrowellenleistungen und jeweils drei unterschiedliche Partialdruckverhältnisse aufgetragen. Man erkennt eine deutliche Abhängigkeit der Anreicherung des schweren Isotops vom Mischungsverhältnis α. Für alle drei untersuchten Leistungsbereiche sinkt χ q + mit steigendem α. Für die Ladungszustände q = 2 und q = 3 ist beim höchsten Partialdruckverhältnis das normierte Ionenstromverhältnis sogar kleiner als 1, demnach das leichtere Isotop angereichert. Tendenziell erkennbar ist ebenso, daß der Effekt bei der mittleren Leistung von 255 W am schwächsten ausgeprägt ist. 85 6 Isotopenanomalie α steigend 50 W 255 W 400 W Abb. 6.6: Isotopenanomalie für drei verschiedene Mikrowellenleistungen und jeweils drei verschiedene Mischungsverhältnisse α. Um die Ionenstromverhältnisse bei unterschiedlichem α miteinander vergleichen zu können, werden sie gemäß χ q + = η q + η1+ normiert. Um die Leistungsabhängigkeit etwas genauer zu untersuchen, haben wir bei einem festem Mischungsverhältnis (α = 0.85) und bei festen Spulenströmen (Iinlet = 943 A, IExtr = 548 A) die Leistung in kleinen Schritten variiert (s. Abb. 6.7). Die hier benutzten 86 6 Isotopenanomalie Spulenstromeinstellungen ergaben sich abweichend von den vorherigen nach einem technischen Umbau und einer Neupositionierung der Extraktionsöffnung in der Quelle. Die Ionenstromverhältnisse η q + zeigen für q = 5 und q = 6 ein Minimum bei etwa 250 W. Für q = 3 und q = 4 liegt das Minimum bei 300 bis 350 W. q = 1 und q = 2 besitzen schwach ausgeprägte Maxima bei 200 W bzw. 350 W. 1,9 6+ 4+ 1,1 3+ 0,9 1+ 2+ 0,7 0 100 200 300 P in / W 400 500 Anreicherung von 14N 15 q+ 1,3 Anreicherung von 15N Instabiles Plasmaregime 5+ 1,5 14 q+ I ( N )/I ( N ) 1,7 Abb. 6.7: Leistungsabhängigkeit der Isotopenanomalie. Zwischen 200 und 250 W sind die Messpunkte nicht verbunden, da das Plasma in diesem Bereich sehr instabil brennt. In Abb. 6.8 ist der Einfluss einer Heliumbeimengung und der vorgespannten Endplatte auf den Isotopeneffekt exemplarisch für N5+-Ionen dargestellt. In beiden Fällen zeigt sich bei den betrachteten Mikrowellenleistungen eine deutlich geringere Anreicherung des schweren Isotops als für eine einfache 15 N/14N-Entladung. Des weiteren fällt auf, dass die Leistungsabhängigkeit des Effekts für eine Entladung mit vorgespannter Endplatte wesentlich geringer ist als für eine einfache 15N/14N-Entladung und für eine Gasmischung mit Helium. In der Heliummischung ist dagegen ein deutliches Minimum in der Anreicherung von 15 N bei 15 300 W erkennbar, welches somit etwa 50 W höher liegt als für den Fall des reinen N/14NPlasmas. Ein instabiles Plasmaregime tritt, wie zu erwarten, weder während der Beimengung 87 6 Isotopenanomalie von Helium noch bei der Entladung mit vorgespannter Endplatte auf. Sowohl das Mischen mit einem leichteren Gas als auch das Vorspannen der Endplatte bewirken bekanntermaßen eine Stabilisierung des Plasmas in der EZR-Ionenquelle. 1,8 mit He 1,7 mit vorgespannter Endplatte Anreicherung von 15N ohne He, ohne vorgespannte Endplatte 1,6 χ5+ 1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1 0 100 200 300 400 500 600 P in / W Abb. 6.8: Einfluss einer Heliumbeimengung und der vorgespannten Endplatte auf die Isotopenanomalie, exemplarisch für die normierten Verhältnisse der N5+Ströme in Abhängigkeit von der Leistung. 6.2 Isotopenanomalie im Ionenkühlungsmodell Gewöhnlich werden sowohl der Gasmischungseffekt als auch die Isotopenanomalie im Rahmen des Ionenkühlungsmodell (s. Kap. 3.2) erklärt. Hier soll deshalb das Verhältnis der Ionenströme der beiden Isotope auf der Grundlage dieses Modells quantitativ berechnet werden. In Kap. 3.2 wurde bereits ein Ausdruck für den extrahierten Ionenstrom I qj der Spezies j und des Ladungszustands q in Abhängigkeit von der Ionenmasse abgeleitet (Gl. 3.11): 88 6 Isotopenanomalie I qj ∝ qe(ne ) σν q ion q −1→ q σν ion ⋅ ⋅ ⋅ σν q − 2 → q −1 Dabei bezeichnen ne die Elektronendichte, σν ion n0 ⋅ m j 0 →1 j ion k →l q −1 . (6.1) die Ratenkoeffizienten der Ionisation vom Ladungszustand k nach l, die Neutralendichte der Spezies j mit der Masse mj. Die Ratenkoeffizienten der Ionisierung sind für beide Isotope gleich. Unter der Voraussetzung gleicher Ionentemperaturen Tj erhält man somit für das Ionenstromverhältnis: ηq+ I ≡ I ( ( ) ) n mN 15 N q+ ≈ N 15 14 q+ n N 14 m N 14 N 15 q −1 m N 15 = α m N 14 q −1 . (6.2) In Übereinstimmung mit den Messungen entspricht nach Gl. 6.2 das Verhältnis bei q = 1 dem Mischungsverhältnis. Der Wert des normierten Verhältnisses χ q + lässt sich demnach mit dem aus Gl. 6.2 gegebenen Wert vergleichen. Aus Abb. 6.6 entnimmt man beispielsweise für N5+ ein χ q + von maximal 1,5, während das nach Gl. 6.2 berechnete normierte Stromverhältnis nur 1,15 beträgt. Des weiteren lässt sich feststellen, dass das Mischungsverhältnis α bei der Normierung herausfällt. Das Ionenkühlungsmodell liefert also nicht nur zu kleine Werte für die Anreicherung des schwereren Stickstoffisotops, sondern gibt auch keinen Hinweis auf die beobachtete Abhängigkeit vom Mischungsverhältnis. Auch eine unter bestimmten Betriebsbedingungen mögliche Umkehr des Effekts ist in diesem Modell nicht erklärbar. Bereits die von A. Drentje beobachtete Isotopenanomalie in Sauerstoff zeigt eine ähnliche Diskrepanz zwischen den Messwerten und den aus dem Ionenkühlungsmodell errechneten Werten. Das Stromverhältnis η q + beträgt für q = 3 0,52 und für q = 7 0,78. Der Unterschied zwischen diesen beiden Werten beträgt mehr als 30 %. Nach Gl. 6.2 ergibt sich lediglich ein Unterschied von weniger als 15 %. 89 6 Isotopenanomalie 6.3 Isotopenanomalie durch Ionen-Landaudämpfung Der parametrische Zerfall der Mikrowelle in einer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld wurde erstmalig von D. Meyer nachgewiesen [Mey 97, Mey 98]. Dabei wurde beobachtet, dass sich unter bestimmten Betriebsbedingungen im hochfrequenten Bereich des elektromagnetischen Emissionsspektrums symmetrische Seitenbänder mit einem typischem Abstand von etwa 10 bis 15 MHz zur Mikrowellenfrequenz ausbilden. Simultan konnten im niederfrequenten Bereich des Spektrums Signale zwischen 3 MHz und 20 MHz detektiert werden. Da diese Frequenzen im Bereich der Ionenwellen liegen, wurde die Beobachtung als Erklärung für die Isotopenanomalie in EZR-Quellen durch massenselektive Ionenheizung mittels Landaudämpfung des niederfrequenten Rauschens diskutiert. Um das Plasmarauschen in der ECRIS 2 zu detektieren wurde eine elektrostatische Sonde in Form einer einfachen Stabantenne Endplatte MW-Holleiter im Plasmagefäß installiert und mit einem Spektrumanalysator verbunden. Die Antenne ragt 4 cm durch die Endplatte auf der Gaseinlassseite und ist etwa 2,5 cm außerhalb der Achse positioniert (s. Abb. 6.9). In Abb. 6.10 sind Frequenzspektren im niederfrequenten Bereich bis 200 MHz und im hochfrequenten Bereich von 8 GHz bis 10,2 GHz dargestellt. Diese Spektren wurden Keramikisolierung Antenne Abb. 6.10: Position der Antenne zur Messung des Plasmarauschens im Entladungsgefäß. mit Hilfe der Antenne simultan zur Messung der extrahierten Ionenströme aus Abb. 6.7 in Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung aufgenommen. Die Spektren zeigen die typischen Merkmale parametrischer Zerfallsprozesse der eingekoppelten Mikrowelle, die auch als Pumpwelle bezeichnet wird. Bis etwa 2 GHz unterhalb der Pumpwellenfrequenz von f0 = 10,115 GHz sind deutlich Seitenbänder erkennbar, deren Vorhandensein stark mit der eingestrahlten Leistung variiert. Bereits bei kleinen Leistungen bis 200 W macht sich ein Rauschen bis 1 GHz unterhalb der Pumpwelle bemerkbar. In einem mittleren Leistungsbereich von etwa 200 bis 350 W verschwinden diese Seitenbänder. Oberhalb von 350 W treten sie mit verstärkter Intensität erneut auf. Zusätzlich 90 6 Isotopenanomalie entstehen neue Bänder mit hoher Amplitude 1,6 bis 2 GHz unterhalb von f0. Ebenso kann im niederfrequenten Bereich bis 200 MHz ein Rauschen beobachtet werden, dass ebenfalls zwischen 200 und 350 MHz nahezu verschwindet und oberhalb von 350 MHz erneut mit verstärkter Amplitude auftritt. Anders als bei unserer EZR-Entladung sind oberhalb von f0 keine Seitenbänder erkennbar. Das Phänomen lässt sich also als einfachen Drei-Wellen-Zerfall charakterisieren. Die symmetrischen Seitenbänder in der EZR-Entladung ohne Hexapol deuten dagegen auf eine Modulationsinstabilität hin [Wol 01]. Der Grund hierfür liegt vermutlich in der unterschiedlichen Magnetfeldkonfiguration und der unterschiedlichen Einkopplung der Pumpwelle. An der EZR-Entladung wird die Mikrowelle von der Seite eingekoppelt. Abb. 6.10: Emissionsspektren in Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung im niederfrequenten Bereich bis 200 MHz und im Bereich der Pumpwelle (f0 = 10,115 GHz). Die Spektren wurden simultan mit den extrahierten Ionenströmen aus Abb. 6.7 aufgenommen. Da die für diese Messungen verwendete Antenne völlig unangepasst betrieben wird, lassen sich keine Aussagen über die absoluten Amplituden des niederfrequenten Rauschens und der Seitenbänder der Pumpwelle machen. Dennoch lassen sich tendenzielle Veränderungen der Amplituden aufgrund von Variation der Plasmaparameter wie Mikrowellenleistung qualitativ bewerten. So lässt sich beispielsweise eine deutliche Korrelation zwischen den gemessenen Emissionsspektren und der Anreicherung des schweren 91 6 Isotopenanomalie Isotops aus der Messung der extrahierten Ionenströme in Abb. 6.7. erkennen, die im mittleren Leistungsbereich ebenfalls minimal ist. Verwendet man eine vollständig vom Plasma isolierte Antenne zur Messung der Emissionsspektren, kann keinerlei Plasmarauschen detektiert werden. Deshalb können wir davon ausgehen, dass das niederfrequente Rauschen elektrostatischer Natur ist. Die Isotopenanomalie tritt also insbesondere dann auf, wenn elektrostatische Moden mit Frequenzen im Bereich von Ionenwellen beobachtet werden können. Derartige niederfrequente elektrostatische Wellen können unter Umständen zu massenselektiven Ionenheizprozessen führen und damit zu unterschiedlichen Ionentemperaturen. Alexeff et al. haben bereits die Existenz und starke Massenabhängigkeit der Landaudämpfung von Ionenwellen experimentell nachgewiesen [Ale 67]. Für die Beschreibung des Szenarios der Ionen-Landaudämpfung nehmen wir an, dass zu Beginn alle Ionenspezies eine gemeinsame Temperatur Ti haben und die Verteilungsfunktionen f1,2(v) der Spezies 1 (14N) und 2 (15N) sich nur wegen der Massenunterschiede der Stickstoffisotope unterscheiden. Nimmt man weiterhin an, dass beide Isotope maxwellverteilt sind, ergibt sich ein Verlauf wie in Abb. 6.11 (zusammen mit den Ableitungen der Verteilungsfunktionen) dargestellt. Die Landaudämpfung ist proportional zur Ableitung ∂f / ∂v an der Stelle der Phasengeschwindigkeit vΦ der niederfrequenten Welle. Es wird also umso mehr Wellenenergie auf die jeweiligen Ionen übertragen je steiler deren Verteilungsfunktion verläuft. Übersteigt die Phasengeschwindigkeit vΦ eine kritische Geschwindigkeit vc, dann heizt die Welle vornehmlich die leichtere Ionenkomponente. Die kritische Geschwindigkeit hängt vom Massenverhältnis µ = m2 / m1 und vom Mischungsverhältnis α = n2 / n1 ab. Für Maxwellverteilungen erhält man vc2 = [ ] 2k BTi ln αµ 3 / 2 . m2 − m1 (6.3) Für α < µ-3/2 ≈ 1 ist die Ableitung der Verteilungsfunktion des leichteren Isotops für alle Geschwindigkeiten größer als die des schwereren Isotops und damit auch die Landaudämpfung durch die leichte Ionenkomponente. Für Mischungen mit weniger schweren als leichten Isotopen wird also in jedem Fall vornehmlich die leichtere Komponente geheizt, wodurch deren Diffusion verstärkt und somit die schwere Komponente im Plasma angereichert wird. 92 df / dv f(v) / 10-5 s/m 6 Isotopenanomalie vc v / 103 m/s Abb. 6.11: Maxwellverteilungsfuntionen und deren Ableitungen (in logarithmischer Darstellung) der Stickstoffisotope für kBTi = 1 eV und α = 1. Die senkrechte gestrichelte Linie markiert die Lage der kritischen Geschwindigkeit vc. An dieser Stelle soll ein Ausdruck für die Dispersion von Ionenwellen in einem Plasma mit zwei Ionenkomponenten hergeleitet werden. Die Berechnungen richten sich nach bereits vorhandenen Ergebnissen für ein Plasma mit nur einer Ionenkomponente [Che 84]. Vernachlässigt man die Elektron-Landaudämpfung, dann ist die Dispersionsgleichung der Ionenwelle gegeben durch λ2D ∑ j Ω 2pj v ( 2 th , j Z ' (ς j ) ≅ 1 , wobei λ D = ε 0 k BTe / ne e 2 ) 1/ 2 (6.4) ( die Debyelänge bezeichnet, Ω pj = n j q 2 e 2 / ε 0 m j ) 1/ 2 die Ionen- plasmafrequenz für Ionen mit Ladungszustand q, vth , j = (2k BT j / m j )1/ 2 die thermische Geschwindigkeit der Ionenspezies j und Z ′(ς j ) die Plasmadispersionsfunktion mit dem Argument ς j = ω / kvth , j = vφ / vth , j . Die Größen ω und k kennzeichnen die Wellenfrequenz und den Wellenvektor. In Gl. 6.4 wird über alle Ionenspezies j summiert. Das hier untersuchte Plasma enthält neben den Stickstoffisotopen in unterschiedlichen Ladungszuständen auch einige Restgasionen. Um Gl. 6.4 zu vereinfachen, berücksichtigen wir nur die beiden Isotope in einem mittleren Ladungszustand q . Vor dem Einsetzen der Landaudämpfung sei noch keine Isotopenanomalie vorhanden und damit der mittlere Ladungszustand und die 93 6 Isotopenanomalie Ionentemperatur für beide Ionen gleich (Tj = Ti ∀j). Somit reduziert sich Gl. 6.4 zu einer Summe über nur zwei Komponenten: Z ′(ς 1 ) + αZ ′(ς 2 ) = wobei 2 (1 + α ) , θ θ = q k BTe k BTi das Produkt (6.5) aus mittleren Ladungszustand und dem Temperaturverhältnis der Elektronen und Ionen darstellt. Bereits in früheren Experimenten wurde nachgewiesen, dass die Elektronentemperatur in EZR-Entladungen mindestens zehn mal höher als die Ionentemperatur ist [Mey 97, Nad 97, Bol 98]. Der mittlere Ladungszustand im Plasma ist in jedem Fall größer als eins und somit auch das Verhältnis θ sehr groß gegen eins. Dies entspricht dem Grenzfall ς1,2 >> 1, weshalb wir einen asymptotischen Ausdruck für die Ableitung der Dispersionsfunktion benutzen können [Che 84]: Z ' (ς j ) ≈ −2i π ς j exp(−ς 2j ) + ς −j 2 + 32 ς −j 4 . (6.6) Setzten wir voraus, dass die Dämpfung schwach ist, können wir in einer ersten Näherung den imaginären Landauterm vernachlässigen. Substituiert man ς2 durch ς2 = µ1/2ς1, so erhält man aus Gl. 6.5 1 3 µ 2 + α 1 2µ 1 + α = . 1 + ς 12 2 µ µ + α ς 12 θ µ + α (6.7) Da ς1 groß ist, können wir 1 / ς 12 im zweiten Term durch die rechte Seite von Gl. 6.7 annähern. Löst man die Gleichung nach ς 12 auf erhält man ς 12 = α 3 µ 2 +α 1+α ω2 θ ≈ 1 + + ⋅ µ ⋅ µ + α . k 2 vth2 ,1 2(1 + α ) µ θ (6.8) Dies ist die Dispersionsrelation für Ionenwellen in einem Plasma, bestehend aus zwei Isotopen mit beliebigem Massen- und Mischungsverhältnis. Durch Einsetzen der Gleichungen 6.6 und 6.8 in die komplette Dispersionsrelation (Gl. 6.5) erhalten wir den Landauterm: 94 6 Isotopenanomalie 1 ς 12 [ ] (6.9) . (6.10) α 3 µ 2 +α 1+ α 2 −ς 12 −ς 22 = (1 + α ). 1 + µ + θ ⋅ µ ⋅ µ + α − 2i π ς 1 e + ας 2 e θ ≡ DRE Lösen dieser Gleichung für ς1 ergibt ς1 = [ θDRE ⋅ 1+ i π 2 µ (1 + α ) θ µ (1+α ) 2 ( 2 ς 1e −ς1 1 + α µ e (1− µ )ς1 )] − 12 Durch Entwicklung der Wurzel erhalten wir ς1 = θDRE ⋅ 1 − 1 i π 2 µ (1 + α ) 2 θ µ (1+α ) ς 1e −ς 12 1 + α µ e (1− µ )ς 12 . ≡γ (6.11) Die genäherte Dämpfungsrate findet man durch Einsetzen von Gl. 6.8 in die rechte Seite von Gl. 6.11. Der Term γ = γ ( µ ,α ,θ ) in den Klammern des Imaginärteils von Gl. 6.11 beschreibt den Anteil des schwereren Isotops an der totalen Dämpfungsrate, die proportional zu (1 + γ) ist. In Abb. 6.11 ist das Verhältnis γ / (1 + γ) der Dämpfungsrate des schweren Isotops zur totalen Dämpfungsrate dargestellt. Für γ / (1 + γ) kleiner als 50 % wird die Landaudämpfung überwiegend durch die leichtere Ionenkomponente verursacht. In diesem Fall wird also die leichte Komponente stärker geheizt als die schwere. Nach Abb. 6.12 ist dies immer der Fall, wenn α < 1 ist, bzw. mehr leichte als schwere Isotope in der Mischung vorhanden sind. Mit steigendem Anteil des schweren Isotops steigt das Verhältnis γ / (1 + γ) bis zu dem Punkt, wo die Phasengeschwindigkeit der Ionenwelle die kritische Geschwindigkeit vc aus Gl. 6.3 übersteigt und die Isotopenanomalie verschwindet. Da die Elektronentemperatur nicht genau bekannt ist, können wir diesen Punkt nur abschätzen in einem Bereich von α zwischen zwei und zehn. Diese Größenordnung des Mischungsverhältnisses α für das Verschwinden der Isotopenanomalie wird durch unsere Experimente bestätigt (s. Abb. 6.6). Bei Mischungsverhältnissen von α ≈ 8 lässt sich keine Isotopenanomalie mehr beobachten. 95 6 Isotopenanomalie Mischungsverhältnis α Abb. 6.12: Anteil des schweren Isotops 15N zur totalen Landaudämpfungsrate als Funktion des Mischungsverhältnisses α für Ti = 1 eV, q = 3 und verschiedene Elektronentemperaturen Te. Das Verhältnis γ / (1 + γ) ist allerdings kein direktes Maß für die Änderung der mittleren Energien der verschiedenen Ionenkomponenten, da auch die Anzahl der Teilchen eine Rolle spielt. Die beobachtete Unterdrückung des Effekts durch eine zusätzliche Heliumbeimengung lässt sich durch das oben hergeleitete Modell nicht ohne weiteres berechnen, da zumindest die Annahme eines gemeinsamen mittleren Ladungszustandes aufgegeben werden muss. Allerdings ist die Verteilungsfunktion des leichten Gases Helium wesentlich breiter als die der beiden Stickstoffisotope. Das führt sowohl zu einem Ansteigen der kritischen Geschwindigkeit vc als auch der Phasengeschwindigkeit der Welle. Die Ableitung der Verteilungsfunktion von Helium ist wesentlich größer als die von Stickstoff. In diesem Fall wird in erster Linie Helium geheizt und der kleine Massenunterschied zwischen den Stickstoffisotopen spielt nur eine untergeordnete Rolle. Aufgrund der oben gemachten Überlegungen sollen nun die beobachten Anreicherungen des schweren Isotops in unserem Experiment mit unserem Modell der unterschiedlichen Ionentemperaturen verglichen werden. Um den Anreicherungsfaktor η q + des schweren Isotops für unterschiedliche Ionentemperaturen zu berechnen muss Gl. 6.2 modifiziert werden. Unter der Verwendung der Einschlusszeiten für einen elektrostatischen Einschluss (s. Kap. 3.1, Gl. 3.1) erhält man 96 6 Isotopenanomalie η q+ m k T = α ⋅ N 15 B N 14 m N 14 k BTN 15 m k T = α ⋅ N 15 B N 14 m N 14 k BTN 15 q −1 2 q −1 2 exp ⋅∏ q′=1 exp q −1 ( ( e∆Φ k BTN 15 e∆Φ k BTN 15 ) ) q′ (6.12) q e∆Φ k BTN 15 1 − . exp (q − 1) k BTN 15 k BTN 14 2 Dies ist eine Funktion des Ladungszustands q, des Ionentemperaturverhältnisses kBTN15 / kBTN14 und des Verhältnisses der Tiefe des Potenzialdips zur Temperatur von Fittet man diese Gleichung an die Messwerte χ q + = η q + η1+ , lässt sich 15 N. die Temperaturdifferenz der beiden Isotope abschätzen. In Abb. 6.13 sind die Fitergebnisse zusammen mit den Messwerten aus Abb. 6.6 a) (α = 0,3) und den aus dem Ionenkühlungsmodell (Gl. 6.2) errechneten Werten dargestellt. Abb. 6.13: Vergleich der Messwerte aus Abb. 6.6 a) bei α = 0,3 (graue Quadrate) mit den aus dem Ionenkühlungsmodell berechneten Werten (schwarze Quadrate) und zwei verschiedenen Fits nach dem erweiterten Modell, dass unterschiedliche Ionentemperaturen zulässt (Kreuze und Kreise). Als Fitprozedur wurde die Methode der kleinsten Fehlerquadrate gewählt. Da die Tiefe des Potenzialdips ebenso wenig bekannt ist wie die absolute Größe der Ionentemperatur, ist das Verhältnis ∆Φ / kBTN15 ein zusätzlicher freier Parameter. Für extreme Werte von ∆Φ / kBTN15 variiert die Differenz der Ionentemperaturen von 0,25 % (∆Φ / kBTN15 = 15) bis 11 % (∆Φ / kBTN15 = 0,1). In beiden Fällen wird die gemessene Anreicherung des schweren Isotops in den höheren Ladungszuständen wesentlich besser reproduziert als durch das 97 6 Isotopenanomalie Ionenkühlungsmodell. Je nach Tiefe des Potenzialdips genügt also eine Temperaturdifferenz von wenigen Prozent um die beobachtete Isotopenanomalie hervorzurufen. Die Thermalisierungszeiten für den Ausgleich von Temperaturunterschieden zwischen den Ionen sind üblicherweise kleiner als deren Einschlusszeiten im Potenzialdip. Wenn Landaudämpfung stattfindet, ist jedoch die Thermalisierung beider Ionenensembles kein stationärer Zustand, da im wesentlichen die leichte Komponente geheizt wird. Für eine genügend große Heizrate der leichten Ionen bildet sich ein neuer Gleichgewichtszustand mit kBTN14 > kBTN15 aus. Dies führt zu einer Verschlechterung des Einschlusses der leichten Komponente und damit zu einer Anreicherung des schweren Isotops im Plasma. Abschließend lässt sich festhalten, dass das Ionenkühlungsmodell allein nicht ausreicht, um die Bildung der Ladungszustandsverteilungen in EZR-Ionenquellen zu beschreiben. Zusätzlich muss es einen Effekt geben, durch den Temperaturdifferenzen zwischen den Ionenensembles in Mischgasentladungen aufrecht erhalten werden können. Dieser Effekt kann schlüssig auf die Landaudämpfung der beobachteten Ionenwellen zurückgeführt werden. Aufgrund der starken Massenabhängigkeit der Landaudämpfung und ihrer Abhängigkeit vom Mischungsverhältnis werden die Beobachtungen in unseren Isotopengemischen durch vereinfachende Modellrechnungen gut reproduziert. Tatsächlich können Ionenwellen nicht nur in Isotopengemischen sondern auch in Mischgasentladungen verschiedener Elemente sowie in reinen Entladungen nur einen Elementes beobachtet werden. Deshalb ist davon auszugehen, dass die Landaudämpfung auch dort bei der Formierung der Ladungszustandsverteilung eine große Rolle spielt; zumal der Massenunterschied zwischen zwei Gasen, wie sie für den Gasmischungseffekt benötigt werden, deutlich größer ist als der zwischen zwei Isotopen eines Elementes. Damit sind auch die Verteilungsfunktionen, wie bereits oben erwähnt, unterschiedlich breit. Dies kann zu erheblichen Unterschieden in den Heizraten der beiden Elemente führen. Neben der Ionenkühlung und der Plasma-Wand-Wechselwirkung mit ihrer Auswirkung auf das Plasmapotenzial (s. Kap. 4.2.2) ist also als dritter Mechanismus noch die sehr massenselektive Ionen-Landaudämpfung zur Erklärung des Gasmischungseffektes zu berücksichtigen. Welchen Anteil jeder dieser drei Mechanismen dabei am Zustandekommen des Gasmischungseffektes hat, kann im Rahmen dieser Arbeit nicht beurteilt werden. Es ist jedoch klar geworden, dass das Ionenkühlungsmodell allein, entgegen anderslautenden Behauptungen [Dre 99, Dre 00, Mel 99], den Anstieg der Produktion hochgeladener Ionen in der Gasmischung nicht vollständig beschreiben kann. 98 7 Zusammenfassung und Ausblick In der vorliegenden Arbeit wurden verschiedene Methoden zur Optimierung von EZRIonenquellen untersucht. Ziel aller Optimierungsmethoden ist es, den Ausstoß hochgeladener Ionen aus der Quelle zu steigern. Hauptaugenmerk wurde dabei auf den Gasmischungseffekt, das Vorspannen der Endplatte auf der Gaseinlassseite und den Aftergloweffekt im gepulsten Betrieb der Quelle gelegt. Diese und andere Effekte wurden von den Quellenanwendern mehr oder weniger zufällig entdeckt, ohne dass vom plasmaphysikalischen Standpunkt zufriedenstellende Erklärungen gegeben werden konnten. Mit dieser Arbeit sollte deshalb der Versuch unternommen werden, das Zustandekommen dieser Effekte mit plasmaphysikalischen Methoden zu untersuchen. Als Experiment diente uns die EZR-Quelle ECRIS 2, die uns vom KVI Groningen als Dauerleihgabe zur Verfügung gestellt wurde. Als Modellgase wurden Stickstoff und Stickstoff-Helium-Mischungen verwendet. Gegenüber anderen Laboren haben wir in Bochum den Vorteil, dass unsere Untersuchungen unabhängig von einem Beschleunigerbetrieb durchgeführt werden können. Des Weiteren besteht die Möglichkeit, das Plasma unserer Quelle mittels VUV-Spektroskopie zu diagnostizieren. Andernorts ist eine Diagnostik des EZR-Quellen-Plasmas in der Regel nicht möglich. Bereits erste vergleichende Messungen von extrahierten Ionenströmen und VUVLinienintensitäten während der Justierungs- und Optimierungsphase unserer Quelle haben gezeigt, dass es keinen einfachen linearen Zusammenhang zwischen den extrahierten Strömen und den entsprechenden Ionendichten im Plasma gibt. Ein solcher Zusammenhang wird aber häufig von den Quellenanwendern bei der Modellierung ihrer Anlagen angenommen. Tatsächlich ergeben sich deutlich unterschiedliche Einstellungen der Quellenparameter Magnetfeld, Gasdruck und Mikrowellenleistung, je nachdem, ob die extrahierten Ströme oder die VUV-Linien auf maximale Intensität der hochgeladenen Ionen optimiert werden. Die Optimierung einer EZR-Ionenquelle stellt dementsprechend immer einen Kompromiss dar aus der Schaffung einer möglichst langen Ioneneinschlusszeit, um über Stufenionisation zu den hohen Ladungszuständen zu gelangen, und einem möglichst hohen Transport der benötigten Ionensorte in Richtung der Extraktion. Der Gasmischungseffekt wurde insbesondere im Hinblick auf Plasma-WandWechselwirkungen untersucht. Dabei konnte sowohl durch VUV-spektroskopische als auch durch massenspektroskopische Messungen eine starke Abhängigkeit der Kupferkonzentration in der Entladung vom Gasmischungsverhältnis nachgewiesen werden. Die nachgewiesenen 99 7 Zusammenfassung und Ausblick Kupferionen stammen hier aus zerstäubtem Wandmaterial des Entladungsrohrs. Die Abhängigkeit vom Mischungsverhältnis beruht zum einen auf den niedrigeren Zerstäubungsraten von Helium gegenüber Stickstoff und zum anderen auf eine Absenkung des Plasmapotenzials in der Gasmischung. Ähnliche Ergebnisse wurden früher auch an unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld gefunden. Die Beobachtung einer langsamen Zerfallsinstabilität, die in der Gasmischung zum Verschwinden gebracht werden konnte, führte damals zur Entwicklung eines Modells, dass den Gasmischungseffekt auf eine makroskopische Stabilisierung des Plasmas über eine Absenkung des Plasmapotenzials und eine reduzierte Wandzerstäubung zurückführt. Da derartige Instabilitäten auch in EZRIonenquellen beobachtet werden können, ist es naheliegend dieses Modell auch auf das Plasma von EZR-Quellen zu übertragen. Es tritt damit in Konkurrenz zum Ionenkühlungsmodell, dass von den meisten Quellenanwendern als vollständige Erklärung für den Gasmischungseffekt angesehen wird. Der Effekt der vorgespannten Endplatte wird üblicherweise auf Sekundärelektronenemission von der Oberfläche der Endplatte und eine daraus resultierende Erhöhung der Elektronendichte im Plasma zurückgeführt, die eine zusätzliche Ionisierung bewirken soll. Weder Rechnungen auf der Basis des auf der Endplatte gemessenen Stroms noch spektroskopische Messungen ergaben jedoch eine signifikante Steigerung der Elektronendichte. Dennoch ist eine deutliche Erhöhung der Produktion hochgeladener Ionen sowohl im extrahierten Ionenstrahl als auch in den VUV-Intensitäten unserer Quelle zu beobachten, wenn die Endplatte isoliert aufgebaut und negativ vorgespannt wird. Hält man das Potenzial der Endplatte auf dem gleichen Wert wie das des übrigen Entladungsgefäßes, lässt sich eindeutig ein Ausgleichsstrom zu den radialen Wänden messen. Dieser Ausgleichsstrom wird Simon´scher Kurzschlussstrom genannt und entsteht durch die unterschiedlichen axialen und radialen Verluste von Elektronen und Ionen. Aufgrund der Quasineutralität des Plasmas muss dabei der integrale Ionenstrom zu den Wänden gleich dem integralen Elektronenstrom sein. Isoliert man die Endplatte, so wird der Simon´sche Kurzschlussstrom auf einer Seite des Entladungsgefäßes unterbunden und es stellt sich ein völlig neues Flussgleichgewicht ein, dass durch Anlegen einer Spannung noch weiter verändert werden kann. Mit Hilfe von Messungen des Simonstroms und des Extraktionsstroms bei unterschiedlichen Entladungsparametern an der ECRIS 2 wurde von U. Wolters ein Flusserhaltungsmodell für EZR-Ionenquellen entwickelt. Im Rahmen dieses Modells konnte gezeigt werden, dass der positive Effekt der vorgespannten Endplatte nicht 100 7 Zusammenfassung und Ausblick auf einer Erhöhung der Ionisierung sondern auf einer Verbesserung des Ioneneinschlusses durch das veränderte Flussgleichgewicht beruht. Die Entstehung des Afterglowpeaks im gepulsten Betrieb von EZR-Quellen wird normalerweise durch den Zusammenbruch des elektrostatischen Einschluss durch den sog. Potenzialdip beschrieben. Messungen der Zerfallszeiten der VUV-Linien und der extrahierten Ströme ergaben eine ausgeprägte q-Abhängigkeit, was als Hinweis auf die Existenz eines solchen Potenzialdips angesehen werden kann. Ein direkter Nachweis des elektrostatischen Einschluss konnte aber auch an unserer Quelle nicht geführt werden. Erfolglos blieb der Versuch, die selektive Ionenheizung für eine Erhöhung und Komprimierung des Afterglowpeaks einzusetzen. Derartige Experimente führten während einer Messkampagne am KVI Groningen an der dortigen ECRIS 3 sogar zu einem völligen Verschwinden des Afterglowpeaks. Der letzte Teil dieser Arbeit befasst sich mit der Isotopenanomalie, die in einer Anreicherung des schwereren Isotops einer Ladungszuständen besteht. Untersucht wurden hier Isotopenmischung 15 in den hohen N/14N-Mischungen. Ähnlich wie beim Gasmischungseffekt wirkt sich die Mischung also günstig auf die Ladungszustandsverteilung des schweren Isotops aus. Die beobachtete Anreicherung ist jedoch wesentlich größer als nach dem Ionenkühlungsmodell erwartet werden kann. Des Weiteren zeigt sich eine deutliche Abhängigkeit der Anreicherung vom Mischungsverhältnis der Isotope, was durch das Ionenkühlungsmodell ebenfalls nicht erklärt werden kann. Es gelang jedoch einen Zusammenhang zwischen der Isotopenanomalie und niederfrequenten Plasmarauschen aufzuzeigen, das von D. Meyer erstmalig an unserer EZR-Entladung mit einfachem Spiegelfeld gefunden wurde. Anders als in der EZR-Entladung entstehen diese niederfrequenten Wellen aber in der Quelle nicht durch eine Modulationsinstabilität sondern durch einen parametrischen Zerfall der Pumpwelle. Simultane Messungen von Ionenströmen und Frequenzspektren bei Variation der Mikrowellenleistung zeigten eine eindeutige Korrelation der Anreicherung mit dem Auftreten des Rauschens. Aufgrund unserer Messungen wurde ein Modell entwickelt, dass die Isotopenanomalie durch Ionen-Landaudämpfung der niederfrequenten Plasmawellen beschreibt. Wegen der starken Massenabhängigkeit der Landaudämpfung werden die beiden Isotope unterschiedlich stark geheizt, was die Aufrechterhaltung unterschiedlicher Ionentemperaturen ermöglicht. 101 7 Zusammenfassung und Ausblick Dies lässt das Ionenkühlungsmodell nicht zu. Auch die beobachtete Abhängigkeit vom Mischungsverhältnis kann im Rahmen unseres Modells beschrieben werden. Niederfrequente Plasmawellen können nicht nur in Isotopenmischungen beobachtet werden, sondern auch in normalen Gasmischungen und reinen Entladungen. Wegen der Massenabhängigkeit der Landaudämpfung ist davon auszugehen, dass die Plasmawellen auch für den Gasmischungseffekt eine nicht unerhebliche Rolle spielen. Tatsächlich verschwindet die Isotopenanomalie nahezu vollständig, wenn man als dritte Gaskomponente Helium hinzufügt. In diesem Fall wird also vornehmlich das viel leichtere Gas Helium geheizt und der geringe Unterschied zwischen den Massen der Isotopen wird vernachlässigbar. Letztendlich lässt sich der Gasmischungseffekt nun mit drei verschiedenen Modellen beschreiben: das Ionenkühlungsmodell, das Modell der reduzierten Wandzerstäubung und Stabilisierung des Plasmas und das Modell der Ionen-Landaudämpfung. Wahrscheinlich ist keiner dieser Mechanismen alleine für den Effekt verantwortlich. Vielmehr ist davon auszugehen, dass alle drei einen Beitrag leisten. Welcher Anteil dabei auf welchen Mechanismus fällt, kann im Rahmen dieser Arbeit nicht beurteilt werden. Ein Absenken des Plasmapotenzials, wie es in der Gasmischung gemessen wird, kann jedoch auch bei allen anderen Methoden zur Optimierung von EZR-Ionenquellen, also auch insbesondere beim Vorspannen der Endplatte, beobachtet werden. Auch diese Methoden wirken sich also positiv auf den Ioneneinschluss und die Stabilität des Plasmas aus. Nicht zweifelsfrei geklärt werden konnte bisher das Zustandekommen der Wasserstoffanomalie, da die verschiedenen extrahierten negativen Ionen sehr wahrscheinlich nur aus der Plasmarandschicht oder dem Extraktionsbereich stammen. Welche negativen Ionen in welcher Konzentration im eigentlichen Plasma vorkommen, kann wegen des positiven Plasmapotenzials durch eine Messung der extrahierten Ströme im kontinuierlichen Betrieb auch bei umgepolter Extraktionsspannung nicht beurteilt werden. Negative Ionen aus dem zentralen Plasma könnten allenfalls im Afterglow extrahiert werden. Eine weitere Möglichkeit sind Photodetachment-Messungen, ähnlich denen an unserer EZR-Entladung. Auch der Nachweis des Potenzialdips muss einer späteren Arbeit überlassen werden. Eine ortsaufgelöste Messung des Plasmapotenzials mittels Sonden ist wegen des inhomogenen Magnetfeldes der EZR-Quelle allerdings sehr schwierig und vermutlich auch zu ungenau. Eine verschiebbare ebene Sonde mit Referenzelektrode wurde dennoch bereits 102 7 Zusammenfassung und Ausblick vorbereitet. Mit ihr können auch Aussagen über Elektronendichte und Elektronenverteilungsfunktion getroffen werden. Die Verteilungsfunktion konnte bisher nur spektroskopisch aus Moleküllinien bei einer kleinen Leistung von 100 W bestimmt werden. Bei höheren Leistungen ist der Dissoziationsgrad des Plasmas zu hoch. Der Einbau der Sonde kann aus technischen Gründen aber nur auf der Extraktionsseite erfolgen, weshalb eine Extraktion der Ionen und damit der eigentliche Quellenbetrieb dann nicht mehr möglich ist. Schon installiert wurde ein Gegenfeldanalysator zur Bestimmung des Plasmapotenzials und der Energiebreite des Ionenstrahls. Für systematische Messungen blieb während meiner Arbeit aber keine Zeit. Zur Zeit in der Erprobung ist ein Kristallspektrometer, das anstelle des VUVMonochromators installiert wurde. Hiermit sollen im Rahmen einer Diplomarbeit Röntgenlinien gemessen werden, um Ionendichten im ECRIS-Plasma zu bestimmen. 103 8 Literatur [Ait 71] K. L. Aitken, M. F. A. Harrison and R. D. Rundel, J. Phys. B: Atom. Molec. Phys., Vol. 4 (1971), 1189-1199 [Ale 67] I. Alexeff, W. D. Jones and D. Montgomery, Proc. Conf. on Physics of Quiescent Plasmas, Laboratori gas ionizzati, Associazione Euratom-C.N.E.N, Frascaty, Italy (1967), 371 [And 99] T. Andersen, H.K. Haugen, H. Hotop, J. Phys. Chem. Ref. Data, Vol. 28, No. 6 (1999), 1511-1531 [Ant 89] T. A. Antaya, Journal de Physique, Colloque C1 (1989), 707 [Ber 72] K. Bernhardi, K. Wiesemann, Plasma Physics 14 (1972), 1073 [Ber 92] Bergmann, Schäfer, Experimentalphysik Band 6, Festkörper, Walter de Gruyter (1992] [Bib 97] N. K. Bibinov, D. O. Bolshukhin, D. B. Kokh, A. M. Pravilov, I. P. Vinogradov, K. Wiesemann, Meas. Sci. Technol. 8 (1997) 773-781 [Bib 98] N. K. Bibinov, D. Bolshukhin, D. Kokh, I. P. Vinogradov, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 69 (1998), 1200 [Bib 02] N. K. Bibinov, V. F. Bratsev, D. Kokh, A. Nadzeyka, V. I. Ochkur, K. Wiesemann, Veröffentlichung in Vorbereitung [Bib 02/2] N. K. Bibinov, private Mitteilung (2002) [Bli 72] S. Bliemann, R. Geller, W. Hess, B. Jaquot, IEEE Trans. Nucl. Science NS-19 (1972) S.200 [Bol 98/1] D. Bolshukhin, D. Meyer, U. Wolters, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 69 (1998), 1197-1199 [Bol 98/2] D. Bolshukhin, Methoden zur Bestimmung der Elektronenverteilungsfunktion in ECR-Plasmen, Dissertation, Ruhr-Universität Bochum (1998) 104 8 Literatur [Bou 95] M. P. Bougarel, C. E. Hill, H. Haseroth, K. Langbein, E. Tanke, Proceedings of the 12th Workshop on ECR Ion Sources, Riken, Japan (1995), 193-197 [Bra 84] W. Brautigam, H. Beuscher, H.-G. Matthews, J. Reich and P. Wucherer, Proceedings of the 10th International Conference on Cyclotrons and Applications, East Lansing, USA (1984), 122 [Bri 93] P. Briand, R. Geller, H. Haseroth, C. E. Hill, K. Langbein, Proceedings of the 11th International Workshop on ECR Ion Sources, KVI-Report 996, Groningen (1993), 135-137 [Bro 66] S. C. Brown, Introduction to Electrical Discharges in Gases, John Wiley & Sons New York (1966) [Che 84] F. F. Chen, Introduction to plasma physics, Plenum Press New York (1984) [Cra 79] D. H. Crandall, R. A. Phaneuf, B. E. Hasselquist and D. C. Gregory, J. Phys. B: Atom. Molec. Phys. Vol. 12, No. 7 (1979), L249-L256 [Doy 83] J. G. Doyle, et al.; Solar Physics 89, (1983), 243-251 [Dre 85] A. G. Drentje, Nucl. Instrum. Methods B9 (1985), 522 [Dre 92] A. G. Drentje, Rev. Sci. Instrum. 63 (1992) 2875 [Dre 93] A. G. Drentje, Proceedings of the 11th Workshop on ECR Ion Sources, Groningen, Niederlande (1993), 155-158 [Dre 95] A. G. Drentje, H. R. Kremers, J. Sijbring, Proceedings of the 12th Workshop on ECR Ion Sources, Riken, Japan (1995), 148-151 [Dre 96] A. G. Drentje, A. Girard, D. Hitz, G. Melin, Rev. Sci. Instrum. 67 (1996) 963 [Dre 99] A. G. Drentje, G. Melin, A. Girard, D. Hitz, Proceedings of the 14th International Workshop on ECR Sources, CERN, Switzerland (1999), 13-22 [Dre 00] A. G. Drentje, A. Girard, D. Hitz, G. Melin, Rev. Sci. Instrum. 71 (2000) 623 [Dun 85] G. H. Dunn, in Electron Impact ionisation, edited by T. D. Märk and G. H. Dunn, Springer-Verlag Wien New York (1985), 277-319 105 8 Literatur [Fal 83] R. A. Falk, G. Stefani, R. Camilloni, and G. H. Dunn, R. A. Phaneuf, D. C. Gregory, and D. H. Crandall, Phys. Rev. A, Vol. 28 1 (1983), 91-98 [Feh 98] P. Fehsenfeld, M. Golombeck, A. Kleinrahm, K. Schlösser, B. Schüssler, H. Schweickert und Ch. Hehrlein, Semin. Intervent. Cardiol. (1998) 3, 157-161 [Gam 92] S. Gamino, J. Sijbring and A. G. Drentje, Rev. Sci. Instrum. 63 (4), April 1992, 2872-2874 [Gel 96] R. Geller, Electron Cyclotron Resonance Ion Source and ECR Plasmas, IOP Publishing Ltd (1996), 122 [Gel 98] R. Geller, Rev. Sci. Instrum. 69, 3 (1998), 1302-1310 [Gir 96] A. Girard, G. Melin, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research A 382 (1996) S. 252-266 [Her 71] H. C. Herbert, K. Wiesemann, Proc. of the GSI meeting on ion sources for highly charged heavy ions, Heidelberg (1971) [Hes 83] J. Hesse, Dissertation, Ruhr-Universität Bochum (1983) [Hes 84] J. Hesse and K.Wiesemann, Proc. 8th Symp. Ion Sources & Ion-assisted Technologies, ed. by T. Takagi, Tokio (1984), 79 [Jet 94] B. Jettkant, VUV-Spektroskopische Ionendichtebestimmung in EZR-Entladungen in N2 und N2/He, Dissertation, Ruhr-Universität Bochum (1994) [Jog 90] M. Jogwich et al., Z. Phys. D 17 (1990), 171-179 [Kat 90] T. Kato, J. Lang, K. E. Berrington, Atom. Dat. Nucl. Dat. Tab. 44 (1990), 133-187 [Kaw 01] Y. Kawai, D. Meyer, A. Nadzeyka, U. Wolters and K. Wiesemann, Plasma Sources Sci. Technol. 10 (2001), 451-458 [Kit 99] A. Kitagawa, M. Muramatsu, M. Sekiguchi, S. Yamada, T. Okada, M. Yamamoto, S. Biri, and K. Uno, Proceedings of the 14th International Workshop on ECR Sources, CERN, Switzerland (1999), 23-26 106 8 Literatur [Köh 87] H. Köhler, M. Frank, B. A. Huber, K. Wiesemann, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B23 (1987), 186-189 [Kra 86] N. A. Krall, A. W. Trivelpiece, Principles of Plasma Physics, San Francisco Press, Inc. (1986), 257-261 [Krau 86] W. Kraus-Vogt, Berichte der Kernforschungsanlage Jülich, Nr. 2043 (1986) [Lam 96] M. Lamoureux, A. Girard, R. Pras, P. Charles, H. Khodja, F. Bourg, J. P. Briand and G. Melin, Phys. Plasmas 3 (12) (1996), 4307-4309 [Lan 95] K. Langbein, Proceedings of the 12th Workshop on ECR Ion Sources, Riken, Japan (1995), 198-202 [Lon 92] A. V. Longinov, K. N. Stephanov, in High Frequency Plasma Heating, edited by A. G. Litvak, Amarican Institute of Physics, New York (1992), 93-237 [Mac 86] M. M. Mack, J. Haveman, R. Hoekstra and A. G. Drentje, Proceedings of the 7th International Workshop on ECR Ion Sources, Jülich (1986), 152 [Mas 76] H. S. W. Massey, Negative Ions, Cambridge University Press (1976) [Mat 83] Matsunami et al., Report IPPJ-AM-32, Inst. of Plasmaphysics, Nagoya, Japan (Sep. 1983) [McW 65]R. W. P. McWhirter, in Plasma Diagnostic Techniques, edited by Richard H. Huddlestone and Stanley L. Leonhard, Academic Press New York (1965), 201-264 [Mey 95] D. Meyer, D. O. Bolshukhin, I. P. Vinogradov, K. Wiesemann, Proceedings of the 12th Workshop on ECR Ion Sources, Riken, Japan (1995), 34-38 [Mey 96] D. Meyer, A. Nadzeyka, A. Remscheid, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 67 (3) March 1996, 1325-1327 [Mey 97] D. Meyer, Einfluss der Plasmastabilität auf die Produktion hochgeladener Ionen in einer ECR-Entladung, Dissertation, Ruhr-Universität Bochum (1997) [Mey 98] D. Meyer, D. O. Bolshukhin, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 69 (1998), 1126 107 8 Literatur [Mey 00] D. Meyer, H. Schmitz, Th. Daube, C. Mannel, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 71 (2) (2000), 660-662 [Mel 90] G. Melin et al., Proceedings of the 10th International Workshop on ECRIS, Knoxville, edited by F. W. Meyer, (1990), p. 1 [Mel 99] G. Melin, A. G. Drentje, A. Girard, D. Hitz, J. Appl. Phys. 86 (1999), 4772 [Nad 96] A. Nadzeyka, Gasmischungseffekt und selektive Ionenheizung in einer EZRIonenquelle, Diplomarbeit Ruhr-Universität Bochum (1996) [Nad 97] A. Nadzeyka, D. Meyer and K. Wiesemann, Proceedings of the 13th International Workshop on ECR Ion Sources, College Station, Texas, USA (1997), 185 [Nad 99] A. Nadzeyka, F. Barzangy, N. Bibinov, A. G. Drentje, R. Kremers, D. Meyer and K. Wiesemann, Proceedings of the 14th International Workshop on ECR Sources, CERN, Schweiz (1999), 38-41 [Nad 00] A. Nadzeyka, D. Meyer, F. Barzangy, A. G. Drentje, K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. Vol. 71, No. 2 (2000), 654-656 [Nak 93] T. Nakagawa, T. Kageyamma, M. Kase, A. Goto and Y. Yano, Jpn. J. Appl. Phys. 32, (1993),1335 [Pas 87] V. P. Pastukhov, in Review of Plasma Physics, edited by B. B. Kadomtsev (Consultants Bureau, New York, 1987), Vol. 13, P. 203 [Pos 70] H. Postma, Phys. Lett. 31 A (1970), 196 [Rie 88] E. Riedel, Allgemeine und Anorganische Chemie, Walter de Gruyter, Berlin, New York (1988) [Run 00] S. Runkel, O. Hohn, K. E. Stiebing, A. Schemp, H. Schmidt-Böcking, V. Mironov, G. Shirkov, Rev. Sci. Instrum. 71, 912 (2000) [Sch 99] L. Schächter, S. Dobrescu, Al. I. Badescu-Singureanu, K. Stiebing, S. Runkel, O. Hohn and N. Baltateanu, Proceedings of the 14th International Workshop on ECR Sources, CERN, Switzerland (1999), 120 [Shi 92] G. Shirkov, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research A322 (1992) 161-165 108 8 Literatur [Shi 93] G. D. Shirkov, Plasma Sources Sci. Technol. 2 (1993) 250 [Shi 95] G. D. Shirkov, D. Meyer, D. O. Bolshukhin, I. P. Vinogradov, and K. Wiesemann, Rev. Sci. Instrum. 66 (7), July 1995, 3876-3878 [Sim 55] A. Simon, Phys. Rev., 98, 317 (1955) [Sim 59] A. Simon, An Introduction to Thermonuclear Research, Pergamon, New York (1959) [Sor 92] P. Sortais, Rev. Sci. Instrum. 63 (4), April 1992, 2801-2805 [Sti 62] T. H. Stix, Theory of Plasma Waves, McGraw-Hill Book Company, New York (1962) [Sti 99] K. E. Stiebing, O. Hohn, S. Runkel, L. Schmidt, H. Schmidt-Böcking, V. Mironov, G. Shirkov, Phys. Rev. Special Topics – Accelerator and Beams 2, 123501 (1999) [Sti 02] K. E. Stiebing, V. Mironov, S. Runkel, O. Hohn, L. Schmidt, G. Shirkov, A. Schempp, H. Schmidt-Böcking, in Rev. Sci. Instrum. (2002), to be published [Var 92] P. Varga and H. Winter, in Particle Induced Electron Emission II, edited by G. Höhler, Springer Verlag (1992), 149-213 [Vin 94] I. P. Vinogradov, B. Jettkant, D. Meyer and K. Wiesemann, J. Phys. D: Appl. Phys. 27 (1994) 1207-1213 [Wan 85] D. H. Wang, P. L. Colestock and C. K. Phillips, The Theory of Minority Species Fast Magnetosonic Wave Heating in Tokamaks, Wave Heating and Current Drive in Plasmas, edited by V. L. Granatstein and P. L. Colestock, Gordon and Breach, New York (1985) [Wes 82] H. I. West jr., Calculations of Ion Charge-State Distribution in ECR Ion Sources, Lawrence Livermore National Lab., UCRL-53391, (1982) [Wie 72] K. Wiesemann, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-19 (1972), 156-159 [Wie 02] K. Wiesemann, private Mitteilung (2002) 109 8 Literatur [Wol 01] U. T. Wolters, Nichtlineare Wellenphänomene und Heizszenario in einer EZRSpiegelentladung, Dissertation, Ruhr-Universität Bochum (2001) [Xie 93] Z. Q. Xie and C. M. Lyneis, Proceedings of the 11th International Workshop on ECR Ion Sources, Groningen, Niederlande (1993), 106-111 [Xie 94] Z. Q. Xie and C. M. Lyneis, Rev. Sci. Instrum. 65 (9), September 1994, 2947-2952 [Xie 95] Z. Q. Xie and C. M. Lyneis, Proceedings of the 12th International Workshop on ECR Ion Sources, Riken, Japan (1995), 24-28 [Xie 97] Z. Q. Xie and C. M. Lyneis, Proceedings of the 13th International Workshop on ECR Ion Sources, College Station, Texas, USA (1997), 16 110 Danksagung An dieser Stelle möchte ich allen danken, die zum Entstehen dieser Arbeit beigetragen haben. Bei Herrn Prof. Dr. K. Wiesemann bedanke ich mich für die langjährige Betreuung seit meiner Zeit als studentische Hilfskraft und anregende wissenschaftliche Diskussionen. Ebenso von unschätzbaren Wert war seine Fähigkeit in scheinbar auswegsloser Situation Ersatz für ausgefallene Geräte zu beschaffen. Bei meinem „zweiten Betreuer“ Herrn Dr. Dirk Meyer bedanke ich mich für zahlreiche freundschaftliche Ratschläge, sowie für die ständige Diskussionsbereitschaft und gute Zusammenarbeit, insbesondere bei den Experimenten am KVI Groningen. Für die Bereitstellung der ECRIS 2, dem Kernstück „meines“ Experimentes, danke ich Herrn Dr. A. G. Drentje vom KVI Groningen. Des Weiteren gilt ihm, sowie Herrn F. Barzangy mein Dank für die Zusammenarbeit bei den Ionenheizexperimenten an der ECRIS 3 in Groningen. Ein ganz besonderer Dank gilt Herrn Norbert Grabkowski (der Mann mit den „goldenen Händen“). Ohne seine ausdauernde technische Hilfe wäre die Wiederinbetriebnahme der Ionenquelle vermutlich nicht möglich gewesen. Ebenso hilfreich war die Unterstützung bei der Lösung zahlreicher technischer Probleme während des Betriebs der Quelle. Für die sehr fruchtbare Zusammenarbeit bei den Messungen zur Isotopenanomalie, sowie die Einblicke in die japanische Mentalität danke ich herzlich Frau Dr. Yoko Kawai aus Tokyo. Herrn Carsten Mannel danke ich für die Unterweisung in die VUV-Spektroskopie und insbesondere für die Unterstützung bei den Messungen zur Plasma-Wand-Wechselwirkung. Des Weiteren danke ich Herrn Dr. Nikita Bibinov für die ständige Hilfsbereitschaft bei spektroskopischen Fragestellungen. Bei Herrn Dr. Ulrich „UT“ Wolters bedanke ich mich für die Hilfe bei der Entwicklung des Modells der Ionen-Landaudämpfung in der Isotopenmischung und für seine Fähigkeit das Arbeitsklima durch originelle Sprüche aufzulockern. 111 Danksagung Allen bislang noch nicht genannten Mitarbeitern und ehemaligen Mitarbeitern, insbesondere Siegmar Rudakowski, Michael Konkowski, Heinz Pfeifer, Alexandra Helmig und Olaf Eichler danke ich für ihre Unterstützung bzw. Hilfsbereitschaft. Meinen Eltern danke ich dafür, dass sie mir das Studium ermöglicht haben und für die moralische Unterstützung. Herzlichen Dank für alles an meine Verlobte Olga. 112 Lebenslauf Name: Achim Nadzeyka Geburtsdatum: 1. Februar 1969 Geburtsort: Düsseldorf Staatsangehörigkeit: deutsch Schulausbildung: 8/75 – 6/79 Martin-Luther-Grundschule Haltern 8/79 – 7/81 Städtische Realschule Haltern 9/81 – 5/88 Städtisches Gymnasium Haltern 5/88 7/88 – 9/89 Abitur Wehrdienst Studium: 10/89 – 8/96 Studium der Physik an der Ruhr-Universität Bochum 8/95 – 8/96 Diplomarbeit mit dem Titel „Gasmischungseffekt und selektive Ionenheizung in einer EZR-Ionenquelle“ Berufliche Tätigkeit: 8/93 – 9/96 Studentische Hilfskraft in der Arbeitsgruppe Experimentalphysik insbes. Gaselektronik an der Ruhr-Universität Bochum 10/96 – 9/01 Wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Arbeitsgruppe Experimentalphysik insbes. Gaselektronik an der Ruhr-Universität Bochum 113