Magnetic Storage Media Funktionswerkstoffe im Alltag… Motivation fortschreitende Digitalisierung stetig wachsender Speicherplatzbedarf höhere Speicherdichte Mooresches Gesetz superparamagnetisches Limit Magnetic Design („Tuning“) und neue Speicherprinzipien strukturierte, magnetische Dünnschichten: Patterned Magnetic Media Speichermedien elektronisch (Halbleiterspeicher): auf Basis von Kondensatoren und Transistoren – RAM – ROM – Flashspeicher (EEPROMS) optisch: Topographiemessung mit einer Laserdiode – CD – DVD magnetisch: – Festplatte – MRAM Überblick 1956 IBM: RAMAC Flash-Speicher Neue Trends… Erzeugung von Polymerkugel-Arrays (500 nm Durchmesser) auf geeignetem Substratmaterial Kapazität ~ 10 x DVD Schreibvorgang mit grünem Laser Auslesevorgang über Reflexion rotes Licht Starke Reflexion: 1 Bit Schwache Reflexion: 0 Bit Magnetische Einheiten magnetische Hysterese Magnetisierung durch Spin-Bahn-Kopplung Sättigungsmagnetisierung Remanenz Koerzitivfeldstärke Permeabilität Tipler: Physik Magnetic Design Anisotropie Magnetokristalline Anisotropie: – Symmetrie des Kristallgitters – magnetische Momente in Richtung ausgezeichneter Kristallachsen induzierte Anisotropie: – Vorzugsrichtung der Magnetisierung durch Tempern in Magnetfeld Formanisotropie: – Anisotropie auf Grund der äußeren Form – führt zu einer Magnetisierung in der Schichtebene Grenzflächenanisotropie: – veränderte Kristallsymmetrie an Grenzflächen – führt zu einer Magnetisierung senkrecht zur Schichtebene Fe Ni Co – bis zu 2nm Schichtdicke relevant Schatt, Worsch: Werkstoffwissenschaft Domänen Bereiche mit gleicher Magnetisierungsrichtung: Domänen stetige Änderung der Magnetisierung: Blochwände Minimierung von Streufeld-, Austauschund Anisotropieenergie: δ= A ≈ 30nm K Schaumburg: Keramik Eindomänen-Teilchen für d<dkrit: dkrit ≈ 80nm Haast: Patterned magnetic thin films for ultra high density recording Techn. Universität Braunschweig: Vorlesung Nanoelektronik Festplatte Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion granulare, magnetische Schicht (z.B. CoPtCrB), 10-15nm dick mittlere Korngröße etwa 10nm viele Körner für ein Bit (50-100) in-plane Magnetisierung Speicherdichte: 70GBit/in2 Paetzold: Thermische Stabilität und Modifizierung der magn. Austauschanisotropie in Schichtsystemen GMR-Lesekopf Spule zum Schreiben Flughöhe: 15-20nm 35nm x 270nm - Struktur Typische Schichtsysteme… Flughöhe? GMR-Effekt Giant Magneto Resistance bzw. Riesenmagnetwiderstand 1988 von Peter Grünberg und Albert Fert entdeckt in dünnen Filmen mit abwechselnd ferromagnetischen und nichtmagnetischen Schichten starker Anstieg des elektrischen Widerstands, wenn die Magnetschichten entgegengesetzt polarisiert sind gegenüber paralleler Polarisation Anforderungen Stabilität gegen äußere Felder Koerzitivfeldstärke Wiederbeschreibbarkeit geringe Zugriffszeiten Auslesegeschwindigkeit Daten auslesbar Æ Signal zu Rausch-Verhältnis Korngröße hohe Speicherdichte Signal zu Rausch-Verhältnis B 2W B 2W SNR ~ 2 ~ 3 2 a D(1 + σ ) D (1 + σ 2 ) B: Bitlänge W: Bitbreite a: Übergangsbereich D: Korndurchmesser σ: Streuung der Korngröße Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion große Bitgröße kleiner Übergangsbereich kleine Körner konstante Korngröße Superparamagnetische Grenze Ziel: kleinere Körner Anisotropieenergie: thermische Stabilität ? H 32 E A = KV (1 − ) H0 thermische Aktivierung: τ ~ exp( Langzeitstabilität: (Stoner-Wohlfarth-Partikel) K: Anisotropiekonstante EA ) k BT KV ≥ 60 k BT aber: höheres Schreibfeld notwendig: Erhöhung der Anisotropie HW ~ K MS Magnetische Materialien Material Anisotropie K MS [Jcm-3] [emu/cc] HK [kOe] D [nm] 14 10 heutiges Material CoPtCrX 0,2 300 Multilayer CoPt 1 -4 200-500 L10-Phase FePt 7 1140 120 2,8 seltene Erden NbFeB 4,6 1270 73 3,7 11-20 910 240-400 2,2-2,7 amorphe Materialien CoSm Quelle: Hitachi insbesondere Materialien mit L10-Phase und SE-Verbindungen bieten sich als Speichermaterialien an Antiferromagnetische Kopplung Antiferromagnetische Kopplung durch dünne Ru-Schicht Vorteile: kleineres HW wegen geringerer effektiver Schichtdicke höhere thermische Stabilität Reduktion der Streufelder Erhöhung der Speicherdichte um den Faktor 2 Quelle: Hitachi Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Thermisch unterstütztes Schreiben Idee: Erniedrigung des Schreibfeldes durch Erwärmung: Curie-Weiss-Gesetz: C χ= T − TC ∂M χ= ∂H Abnahme von HC Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Probleme: kleine Hitzequelle T nahe TC benötigt je größer K, desto größer auch TC thermomagnetisches Verhalten muss berücksichtigt werden senkrechtes Schreiben Quelle: Hitachi Magnetische Momente stehen senkrecht zur Schichtebene höhere Speicherdichte möglich (Faktor 2-7) Patterned Magnetic Media Patterned Magnetic Media - Quantum Disks Idee: 1 Nanostruktur entspricht 1 Bit Anforderungen: eindomäniger Zustand exakt gleiche Nanostruktur periodische Anordnung uniaxiale Anisotropie kleine Strukturgröße (1TBit/in2 entspricht 25nm x 25nm – Struktur) keine Strukturfehler Vorteile: hohe Speicherdichte höhere thermische Stabilität kein Rauschen kleinere Schreibfelder Herstellung Herstellung einer topografisch strukturierten Oberfläche Quelle: Hitachi Datenstruktur durch Topografie vorgegeben Information auf „Berg“ speichern typische Verfahren: optische Lithografie Elektronenstrahllithografie Nanoimprintverfahren Herstellung Ziel: lokale Modifikation der magnetischen Eigenschaften Magnetisierungsrichtung ändern Koerzitivfeldstärke verändern Ionenbestrahlung (He-Ionen) in einem Magnetfeld: Änderung der magnetischen Eigenschaften möglich Problem: statistischer Prozess Fassbender: Tailoring magnetism by light-ion irradiatio Laser-Interferenz-Metallurgie I Laser-Interferenz-Metallurgie II lokale periodische Erwärmung im Magnetfeld Änderung der uniaxialen Anisotropierichtung Korngröße vergrößern, um HC zu beeinflussen ! Phasenbildung Fragen: Welche Strukturgrößen sind möglich? Welche Rolle spielt die thermische Leitfähigkeit? Laser-Interferenz-Metallurgie III Ausblick selbstorganisierte Nanostrukturen bzw. Nanopartikel Sun et al Science 87 (2000) Millipede I Nutze Spitzen-Prinzip des AFM‘s hohe Datendichte möglich Parallelschaltung: Array aus Spitzen mit integrierter Schaltung thermo-mechanisches Schreiben in einen Polymerfilm Abbildungen: IBM Millipede II MRAM Magnetoresitives-RandomAccess-Memory Geschwindigkeit von DRAM nicht flüchtig kein Booten mehr Ausblick selbstanordnende Nanostrukturen bzw. Nanopartikel Millipede MRAM´s holographische Speicher Zusammenfassung superparamagnetisches Limit als physikalische Grenze für die maximal erreichbare Speicherdichte patterned media ist eine mögliche Technologie, um diese Grenze zu senken: 1 Bit = 1 Nanostruktur Laser-Interferenz-Metallurgie zur Herstellung von patterned media geeignet Material „Design“ Quellen http://www.hitachigst.com/hdd/research/ http://www.zurich.ibm.com/st/storage/ http://www.sns.gov/workshops/nni_05/presentations/050616_fullerto n_eric_nni05.pdf Albrecht, Thiele, Moser: Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion Fassbender: Tailoring magnetism by light-ion irradiation Fraune: Magnetische Anisotropie und Spintransport in magnetoelektronischen Schichtstrukturen und Nanoteilchen Paetzold: Thermische Stabilität und Modifizierung der magn. Austauschanisotropie in Schichtsystemen Haast: Patterned magnetic thin films for ultra high density recording Aktag et al.: J.Appl.Phys.99 (2006)