magnetisierbare diamagnetismus

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PMV/SS06
Physikalische
Messverfahren
134.047
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VO Physikalische Messverfahren 134.047
Achtung Hörsaalwechsel
Die Vorlesung findet ab 3. Mai in Zukunft immer im
SEM R 134A im Turm B gelb 5. OG
statt!!!!
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Inhalt
Vorwort
Ö
Die Bedeutung der Meßtechnik in Naturwissenschaft und Technik
Definitionen, Konventionen und Fehlerabschätzung
Einfache Meßgrößen
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Messung von Längen
Messung von Kräften, Drücken und Beschleunigungen
Temperaturmessung
Zeitmessung
Elektromagnetische Feldgrößen
Schallfeldgrößen
Masse- und Volumendurchflußmessung
Zusammengesetzte Meßgrößen
Ö
Energieflußmessung
Präzisions-Sensoren
Ö
che Resonatoren als SensoPiezoelektrisrelemente
Spezielle Meßverfahren
Ö
Ö
Ö
Ö
Neutronenstreuung
Elektronenmikroskopie
Mechanische und thermische Eigenschaften
Magnetische und elektronische Eigenschaften
Physikalische Grenzen
Ö
Ö
Ö
Ursachen des Rauschens
Methoden zur Rauschunterdrückung
Methoden zur Verbesserung des Signal- zu Rauschverhältnisses
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Inhalt
Vorwort
Ö
Die Bedeutung der Meßtechnik in Naturwissenschaft und Technik
Definitionen, Konventionen und Fehlerabschätzung
Einfache Meßgrößen
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Ö
Messung von Längen
Messung von Kräften, Drücken und Beschleunigungen
Temperaturmessung
Zeitmessung
Elektromagnetische Feldgrößen
Schallfeldgrößen
Masse- und Volumendurchflußmessung
Zusammengesetzte Meßgrößen
Ö
Energieflußmessung
Präzisions-Sensoren
Ö
che Resonatoren als SensoPiezoelektrisrelemente
Spezielle Meßverfahren
Ö
Ö
Ö
Ö
Neutronenstreuung
Elektronenmikroskopie
Mechanische und thermische Eigenschaften
Magnetische und elektronische Eigenschaften
Physikalische Grenzen
Ö
Ö
Ö
Ursachen des Rauschens
Methoden zur Rauschunterdrückung
Methoden zur Verbesserung des Signal- zu Rauschverhältnisses
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Materialcharakterisierung – Festkörperphysikalische Meßverfahren
Magnetische und thermische Eigenschaften
¾ Transporteigenschaften (elektrischer Widerstand, thermische
Leitfähigkeit)
¾ Magnetische Eigenschaften
¾ Elektrische Eigenschaften (Dielektrizitätskonstante)
Mechanische und elektronische Eigenschaften
¾ Mechanische Eigenschaften (E-, G-, B-Modul)
¾ Thermische Ausdehnung
¾ Spezifische Wärme
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Maxwellsche
Gleichungen
Verknüpfung zwischen
D, E, B und H Feldern
http://de.wikipedia.org/wiki/Maxwellsche_Gleichungen
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Maxwellsche Gleichungen in Materie
In isotroper Materie werden neue Felder für D und H eingeführt
http://de.wikipedia.org/wiki/Maxwellsche_Gleichungen
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B-Felder
Magnetische Feldstärke
Magnetische Feldstärke H über B = µ0(H + M) mit Magnetisierung M bzw.
magnetischen Induktion B verknüpft.
Messung des Magnetfeldes H (A/m) wichtig.
CGS:
B(G),
H(Oe)
1T = 10.000 G
1A/m = 1/80 Oe
Physikalische Ursache des H-Feldes - bewegten Ladungen - verursachen Strom
dq
I=
dt
umgeben von kreisförmiges Magnetfeld wegen rot B = µ0 j
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B-Felder
Herstellung + Anwendung von Magnetfeldern wissenschaftlich und
technologisch wichtig.
Stärke der Magnetfelder geht über Zehnerpotenzen
Messen von sehr kleinen, mittleren und großen Feldstärken
Überblick über verwendete physikalische Effekte zur Bestimmung von H:
Galvanomagnetische Effekte
Induktionsgesetz
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B-Felder
Größenordnungen der in der Natur vorkommenden Stärken von Magnetfeldern.
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B-Felder
Zwei galvanomagnetische Effekte:
• Hall Effekt
• Magnetowiderstand.
Galvanomagnetische Effekte beruhen auf Lorentzkraft auf Ladungsträger:
G
G
G G
F = eE + e[ vxB ]
e Elementarladung (e = -q ≈ -1.6 10-19Cb) bzw. für Loch ( e = +q)
Für nichtentarteten Halbleiter - senkrechten E- und B-Feld ausgesetzt wird
Æ (E.B) = 0 Transportgleichung für Ladungsträger:
G G
j ≈ j0 + μ H [ j0 xB ]
j.....gesamte Stromdichte
j0.......Stromdichte von E-Feld und Ladungsträgerkonz.
μH.....Hallmobilität; hängt von sign der Ladungsträger ab.
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B-Felder
Induktions Spulen (Feldmeßspulen)
Faraday`sche Induktionsgesetz
G G
d
U = ∫ Eds = −
dt
G G
∫∫ BdA
A
Zwei verschiedene Anordnungen:
i) Sensoren mit stationären Spulen (für B(t))
ii) Sensoren mit bewegten (rotierenden) Spulen
(für Gleichfelder)
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B-Felder
Empfindlichkeit einer Feldmeßspule
Gemäß H(t) wird in einer Spule (n
Windungen) U(t) induziert:
dΦ
ui = − n
dt
Fluss variiert periodisch:
φi = φmax cos(ωt)
Induktionsspannung u(t) = U0 sin (ωt)
mit Amplitude U0 von:
U 0 = ω . n. Φ max
Feldmessspule
Luftspule in periodischen Feld H0 cos(ωt).
π2
= ω . n. A . μ 0 . H =
. n. D 2 . μ 0 . f . H
2
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B-Felder
Wesentlicher Vorteil:
Luft-Spulen – ohne magnetisierbaren Kern - linear über "unendlichen"
Feldbereich.
Geringe Temperaturempfindlichkeit - mathematisch korrigierbar.
Nachteil:
Luftspulen mit hoher Empfindlichkeit - große Flächen - groß und schwer.
Derartige Spulen haben daher schlechte räumliche Auflösung.
Sehen Feldinhomogenitäten nicht.
Spulen müssen gegen elektromagnetische Störungen geschirmt werden.
Höhere Frequenzen Æ Spulen bestehen aus R,L und Streukapazität Æ
Übertragungsfehler.
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B-Felder
Definition der Empfindlichkeit:
U0
π 2 . n. D 2 . μ 0
S0 =
=
f. H
2
Rauschen eines Systems gegeben durch Bandbreite des Systems - oberen
Grenzfrequenz.
Ausgangsspannung wird in
f.H = 1 nT.Hz
angegeben:
π2
⎡ V ⎤
S = U 0 / fH =
.n.D .10 ⎢
⎥
2
.
nT
Hz
⎦
⎣
2
−9
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B-Felder
Amplitude Ausgangsspannung U0 als Funktion des Durchmessers D. Die
Windungszahl n - Parameter der Kurven.
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B-Felder
Berechnung L der Spule – Näherungsformeln:
Einlagige, einwindige Spule:
8D
⎛
L = 6.28. D ⎜ ln
− 2 + α ⎞⎟ .10 −9 [ H ]
⎝
⎠
d
D >> d
α....Skineffekt Faktor
Lange, dünne einlagige Spule:
π2.D2.n2
L≈
.10 −9 [ H ]
w
w = n.dw und dw Dicke einer Windung
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B-Felder
Berechnung L der Spule – Näherungsformeln:
Einlagige kurze (w > 1.6D) Spulen:
D2.n2
L≈
.10 −6 [ H ]
46 D + 101w
Mehrlagige Spulen (Voraussetzung D >> w,h):
78.7. D 2 . n 2
.10 −9 [ H ]
L≈
3D + 9 w + 10 h
w.....Länge der Spule, h....Höhe der Spule
Streukapazität zwischen den Lagen einer mehrlagigen Spule:
0.37. ε T . w. D
C=
[ pF]
(c − d ). n 1
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B-Felder
Induktionsspule mit einem hochpermeablen Kern
Gleichfeld wird durch hochpermeablen Kern verändert –
Kern ist Fluss-konzentrator.
Ziel:
•
Erhöhung der Empfindlichkeit des Sensors.
•
Verkleinerung des Sensors bei gleicher Empfindlichkeit.
Hochpermeables Material - verursacht prinzipielle Unlinearität; auch noch
stark frequenzabhängig.
Bessere Lösung: Flux Gate Sensor
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B-Felder
Magnetfeldlinien im Nahbereich eines hochpermeablen Kerns, der sich in
einem homogenen Magnetfeld befindet.
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B-Felder
Aufbau eines Sensors mit nachfolgender Spannungsverstärkung
Verstärkerschaltung für Induktionspule:
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B-Felder
Übertragungsfunktion des Sensors – Tiefpass:
F (ω ) =
K
2
⎛ ω ⎞
ω
1− ⎜
⎟ + i2 D
ωr
⎝ωr ⎠
K = R11/(R+R11)
Resonanzfrequenz ωr = (KLC11)-1/2
Dämpfungsfaktor des Systems
⎡ L
⎢
K ⎢ C 11
D=
.
+
⎢
2
R 11
⎢
⎢⎣
⎤
⎥
R ⎥
L ⎥
⎥
C 11 ⎥⎦
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B-Felder
Frequenzverhalten der Induktionsspule mit Verstärker + mit verschiedenen
Dämpfungen.
Frequenzverhalten und
Empfindlichkeit SA der
Ausgangsspannung UA einer
Induktionsspule in einem
konstanten Magnetfeld.
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B-Felder
Frequenzverhalten der Induktionsspule mit Verstärker + mit verschiedenen
Dämpfungen.
Effekt verschiedener Dämpfung D auf die Empfindlichkeit Sa.
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B-Felder
Hallsensoren
Besteht aus dünnen rechteckigen Platte aus Halbleitermaterial
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B-Felder
Halleffekt
Hallspannung:
U H = RH jx w
jx = σ.Ex und jz = μH B σ Ex;
(w....Breite der Probe)
RH Hallkoeffizient –
hängt ab von Mobilität der Ladungsträger + Ladungsträgerkonzentration.
Geometrie der Anordnung:
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B-Felder
Für Hallstrom I - Hallspannung UH:
UH
RH
RH
=
B. I =
G . B. I
t
t
t...Dicke der Hallplatte;
G...geometrischer Korrekturfaktor
Größe der Hallkonstanten verschiedener Halbleiter:
Typischer Messbereich: 10 A/m – 2 MA/m
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B-Felder
Magnetowiderstand
GMR – für Lesen von Datenträger wichtig!!!!
Elektrische Widerstand eines Materials nimmt mit Magnetfeld zu Magnetowiderstand.
Schwaches Magnetfeld:
ρ B = ρ 0 ( 1 + H . B⊥2 )
ρ0 Widerstand bei B = 0
B⊥ die auf Stromdichte senkrechte Komponente des B-Feldes.
Es gibt: longitudinalen + transversalen Halleffekt.
Kleine Hallwinkel - quadratische Abhängigkeit des feldabhängigen
Widerstands:
RB
ρB
=
1 + C1 ( μ H B ) 2
R0
ρ0
(
)
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B-Felder
Transversalen Magnetowiderstand
Für longitudinalen Fall gilt:
RB
ρ
= B 1 + C1 ( μ H B ) 2
ρ0
R0
(
RB
ρB
C2 μ H B + C3
=
R0
ρ0
(
)
)
Ci.... geometrieabhängige Faktoren
Hauptproblem durch Halbleitern –
starke Temperaturabhängigkeit des Widerstands.
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B-Felder
Temperaturabhängigkeit des auf R20 normierten Widerstands;
R20....Widerstand bei 20oC; Rθ...Widerstand bei θoC.
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B-Felder
Feldbereich dieser Sensoren - sehr eingeschränkt.
Untere Grenze der Auflösung bei etwa 1 μT.
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GMR- giant magnetoresistance, SPIN VALVE Sensoren
Mehrschicht System (Co/Cu/Co, ……)
Co
Cu
Co
Co
Cu
Co
Co
Cu
Co
Co
Cu
Co
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Conventional Hard Disks
Grain size of magnetic layer ~15 nm.
bit size
800 x 64 nm2
10 Gbit/in2
2000
Substrate
50nm
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Longitudinal versus perpendicular recording
M. Albrecht, J-U. Thiele und A. Moser
„Terabit-Speicher – bald Realität oder nur Fiktion?“
Physik Journal, 2 (2003) Nr. 10, 25-31
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Magneto-Resistive Head
Magneto-Resistive Head
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Giant-Magneto-Resistive-Head
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Recording
Heads
GMR element
Typical recording heads for longitudinal recording
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B-Felder
Feldplatten (MDR):
Die Feldplatte ist ein magnetisch steuerbarer Halbleiterwiderstand
Meist aus Indium Arsenid.
Geringe Ladungsträgerdichte + hohe Ladungsträgerbeweglichkeit.
NiSb -metallisch
InSb
Ladungsträger abgelenkt:
F = e[v x B]
senkrecht zur Zeichenebene
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InSb
NiSb -metallisch
B-Felder
Feldplatten (MDR):
Ohne H- Feld - Strom geradlinig durch die Feldplatte.
Magnetfeld - Ladungsträger werden abgelenkt - schräge Bahnen.
Die Elektronen werden umso stärker abgelenkt, je größer die magnetische
Flussstärke B ist.
Durch die steigende Flussdichte B wird der Weg der Ladungsträger länger.
Diese Wegverlängerung führt zur Erhöhung des Widerstandes der
Feldplatte.
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B-Felder
”Flux Gate” Sensor
Flux Gate Sensoren:
zur Messung sehr kleiner Feldstärken von 0.1 bis 106 nT.
Messen Absolutwert der Feldstärke oder Differenz von Feldstärken.
Grundsätzlich von Induktionsspulen zu unterscheiden.
Flux Gate Sensoren sind preiswerter als ein SQUID - haben höhere
Empfindlichkeit als Hallsensoren.
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B-Felder
Prinzip eines Flux Gate Sensors
Umwandlung eines Magnetfeldes in elektrisches Feld für kleine H-Werte
schwierig!
Flux Gate Sensor verwendet Referenzfeld Bref mit dem externes Feld Bext
verglichen wird.
a) Direkte Umwandlung von Bext in elektrisches Signal.
b) Vergleichendes Verfahren zwischen Bext mit Bref.
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B-Felder
Referenzfeld
zeitlich veränderliches, periodisches Feld –
Sinus-, Rechteck- oder Dreiecksform.
Referenzfeld sättigt ferromagnetischen
Kern über vormagnetisierende Windung
periodisch.
Kern wird von Pick-up Spule umgeben wird Signal induziert – proportional der
Differenz zwischen Bref und Bext.
Prinzipieller Aufbau eines Flux Gate Sensors
Kern des Flux Gate Sensors:
weichmagnetischen hochpermeablen
Material (niederen Koerzitivfeld).
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B-Felder
Verschiedenen Möglichkeiten der
Weiterverarbeitung des Signals - durch
Form der Hysteresiskurve des KernMaterials bestimmt.
Form der Hysteresisschleife eines
weichmagnetischen Materials kann
durch gezielte Wärmebehandlung
eingestellt werden.
Für angewandte Messprinzip sind
folgende Eigenschaften der
Hysteresisschleife wichtig:
------ Form
------ Symmetrie
------ Nullpunktsverhalten
------ Sättigungsverhalten
Formen der Hysteresisschleife:
a) Z Charakteristik; b) F Charakteristik
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B-Felder
Funktionsweise eines Flux Gate
Sensors
Verwendet zweite Oberwelle des
Induktionssignals.
Grundprinzip beruht auf:
Sensor mit hochpermeablen Kern + zwei
Spulen (eine für Vormagnetisierung +
eine als Pick-up Spule).
Messung eines externen Gleich- oder
niederfrequenten Wechselfelds Bext.
Kern wird durch periodischen
Wechselstrom periodische in die
Sättigung getrieben.
Grundprinzip eines 2.Oberwelle Flux Gate Systems:
a) Vormagnetisierendes Feld;
b) Magnetisierungskurve;
c) Induktion innerhalb des Kerns;
d) Ausgangsspannung des Pick-up Systems;
e) Grundschwingung der Ausgangsspannung;
f) 2.Oberwelle der Ausgangsspannung;
g) 3. Oberwelle der Ausgangsspannung
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B-Felder
Ohne externes Feld:
Ausgangsspannung der Pick-up Spule periodische, nicht sinusförmige
Spannung.
Fourieranalyse des Signals - 1. und 3. harmonische Schwingung
beschreiben Signal.
Externes Feld in Richtung Achse des Kerns Ausgangsspannung wird unsymmetrisch.
Fourieranalyse - Auftreten von geraden und ungeraden
Frequenzkomponenten.
Speziell Amplitude der zweiten harmonischen Schwingung proportional zu
externen Feld - Messung des externen Feldes.
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B-Felder
SQUID
SQUID (Superconductiong Quantum Interference Device) empfindlichste Sensor für Magnetfelder.
Auflösung von einigen femtoTesla möglich.
SQUID beruht auf zwei wesentliche Eigenschaften:
•
•
Flussquantisierung
Josephson Effekt
SQUID wird in späteren Kapitel noch erklärt.
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B-Felder
Vergleich der Einsatzbereiche
verschiedener Magnetfeldsensoren
Operationsbereich der verschiedenen Feldsensoren:
F. Fluxgate, H; Halleffekt, I: Induktionsspule,
M: Magnetowiderstand; S: SQUID.
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B-Felder
Faktoren die den Einsatzbereich der Magnetfeldsensoren bestimmen.
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E.2.2 Magnetische Eigenschaften
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Magnetismus, magnetische Eigenschaften von Materialien
Methoden zur Messung:
magnetischen Induktion, Magnetisierung und Suszeptibilität.
Im Vakuum gilt B=μoH,
In Materie: B= μoH+J = μo(H+M)
Verhältnis Magnetisierung/magnetischen Feld:
magnetische Suszeptibilität χ=M/H
Einkristall: Tensor zweiter Stufe, Vakuum: χ=0.
B = μ 0 ( H + M ) = μ 0 (1 + χ ) H = μ 0 μ r H
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Magnetismus
χ ...Responsfunktion des Materials bezüglich H.
Charakterisiert magnetischen Eigenschaften.
1845 zeigte Faraday: alle Stoffe magnetisierbar,
Einteilung:
diamagnetisch (χ<0)
paramagnetisch (χ>0)
In Festkörpern:
ferromagnetisch (χ>>0),
antiferromagnetisch oder ferrimagnetisch
"magn. Ordnung" ⇒ spontane Magnetisierung
(ohne externes Feld)
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Magnetismus
Suszeptibilität nicht konstant ⇒ χ=χ(H).
i)
Diamagnetismus:
Bahndrehmomentes - äußeres Feld.
χdiam < 0 und temperaturunabhängige Eigenschaft aller Stoffe (χdia ≅ -10-6)
ii)
Paramagnetismus:
bei nicht verschwindendem Gesamt (Spin-) drehmoment. Temperatur- und
feldabhängigkeit durch Brioullin-Funktion beschreibbar.
Temperaturabhängigkeit der Suszeptibilität (Curie-Gesetz):
C
χ=
T
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Ferromagnetismus
iii) Ferromagnetismus:
M(H,T) näherungsweise durch Brioullin-Funktion beschreiben –
externes Feld + fiktives "inneres" Feld (Weissches Molekularfeld) - prop.
spontaner Magnetisierung.
Oberhalb Curietemperatur TC: Ferromagnet wird paramagnetisch - aus
Brioullinfunktion Temperaturabhängigkeit der Suszeptibilität ⇒ Curie-WeissGesetz:
C
χ=
T − TC
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Magnetische Domänenstruktur
Minimierung der freien Energie (Summe aus Streufeldenergie, Anisotropieund Blochwandenergie) ⇒ spontan ausgerichtete Bereiche (Weissche Bezirke,
Domänen) - getrennt durch Domänwände.
Verringerung der Streufeldenergie durch Bildung von Domänen
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Magnetische Domänenstruktur
Magn. Domäne ⇒ Ferromagnet makroskopisch "unmagnetisch".
Hext ⇒ Verschiebung der Blochwände.
Bereiche mit M parallel zu Hext wachsen durch Wandverschiebungen auf
Kosten der anderen Bereiche.
Abschalten Hext Domänwände nicht mehr in Ausgangslage - Remanenz bleibt
- bei Permanentmagnet.
Hängt ab ob entmagnetisierendes Feld kleiner als HC ist!
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Koerzitivfeldstärke
Koerzitivfeld MHC = IHC Feld bei dem M = J = 0 wird.
Koerzitivfeld BHC bei dem B = 0 ist.
Weichmagnetische Werkstoffe MHC ≈ BHC
Dauermagnete MHC > BHC
B=J+μ0 H
B,J
Js
Br ,J r
J
BHc JHc
J(H) = μ0M(H)
und
B(H).
H
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Hysterese
Irreversiblen Wandverschiebungen in ferromagn. Materialien ⇒
Hysteresisschleife.
M(H) für Physik relevant: aus M(H) ⇒ Sättigungsmagnetisierung und
physikalisches Koerzitivfeldstärke.
B(H) für Elektrotechnik relevant
dΦ
d ( A.B )
= Ui = dt
dt
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Entmagnetisierendes Feld
Man beachte bei M(H) Messung: Hextern ≠ Hintern
Grund: entmagnetisierende Feld Hd.
Magnetisierung - Polen - Streufeld (prop. der Magnetisierung) - Hextern
entgegengerichtet (Folge von divB = 0) schwächt dieses.
Hint=Hext- Hd =Hext-NM
N ....Entmagnetisierungsfaktor (allgemein Tensor zweiter Stufe).
- -
- -
Hint
Hd
M
+
+
+
+
+
Hext
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Entmagnetisierendes Feld
Ellipsoid (isotropes Material) Hd homogen.
Kugel: N=1/3.
Unendlich lange Probe oder idealer, geschlossener magnetischen Kreises
(Ringkern) N = 0.
Unendlich große Platte, senkrecht: N = 1.
Js
Js
Js
N//=0
N//=1/3
N//=1
[email protected]
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