Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik www.ei-studium.de Teil I Werkstoffe der Elektrotechnik Inhaltsverzeichnis I Erstelldatum: 12. Februar 2015 Werkstoffe der Elektrotechnik 1 1 Aufbau der Materie 1.1 Quanten und Wellen . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Schrödingergleichung . . . . . . . . . . . . 1.1.2 1-dimensinaler Potentialtopf . . . . . . . . 1.1.3 3-dimensionaler Potentialtopf . . . . . . . 1.1.4 Sonstiges . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Wasserstoffatom . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Aufbau des Periodensystems . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Quantenzahlen . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Pauli-Prinzip . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.3 Hundsche Regeln . . . . . . . . . . . . . . 1.4 Bindungstypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Ionische Bindung . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2 Kovalente Bindung . . . . . . . . . . . . . 1.4.3 Metallische Bindung . . . . . . . . . . . . 1.5 Aggregatzustände der Materie . . . . . . . . . . . 1.5.1 Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6 Kristallstrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 Primitiv kubisch (sc) . . . . . . . . . . . . 1.6.2 Kubisch raumzentriert (bcc) . . . . . . . . 1.6.3 Kubisch flächenzentriert (fcc) . . . . . . . 1.7 Metalle und Legierungen . . . . . . . . . . . . . . 1.7.1 Mischkristallbildung durch Leerstellendiffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 2 Mechanische Eigenschaften der Festkörper 4 3 Thermische Eigenschaften der Festkörper 3.1 Spezifische Wärme . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Thermische Ausdehnung . . . . . . . . . . . 3.3 Wärmeleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Freies Elektronengas / spezifische Wärme Elektronen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Wiedemann-Franzsches Gesetz . . . 4 4 4 4 . . . . . . . . . der . . . . . . 4 5 5 5 5 Elektrische Eigenschaften der Metalle 5.1 Thermoelektrische Effekte . . . . . . . . . . . . . 5.1.1 Peltier-Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1.2 Supraleitung . . . . . . . . . . . . . . . . 5 6 6 6 6 Halbleiter 6.1 Leitungsband . . . . . . . . . . . . . . 6.2 Valenzband . . . . . . . . . . . . . . . 6.3 Diffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.4 Ausgleich der Minoritätsladungsträger 6.5 Ladungstransporteigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 6 6 7 7 7 7 Dielektrische Eigenschaften von Festkörpern 7.1 Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.1.1 Elektronische Polarisation . . . . . . . 7.1.2 Ionische Polarisation . . . . . . . . . . 7.1.3 Orientierungspolarisation . . . . . . . 7.2 Dielektrizitätskonstante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 7 7 7 8 8 . . . . . 8 8 8 8 8 9 . . . . . . . . . . 8 Magnetische Eigenschaften von Festkörpern 8.1 Elementare magnetische Dipolmomente . . . 8.2 Diamagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . 8.3 Paramagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . 8.4 Ferromagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . 8.5 Leitungselektronen . . . . . . . . . . . . . . . 9 Physikalische Konstanten Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! . . . . . Aufbau der Materie 1.1 Quanten und Wellen Wellenlänge: λ = 9 c h h = = f p mv hc λ ~ω h Impuls: p = mv = ~k = = c λ 2π Wellenzahl: k = λ ω ~k vT eilchen Phasengeschwindigkeit: vP h = = = k 2m 2 ~k p ∂ω = = Gruppengeschwindigkeit: vgr = ∂k m m 2 2 ~ k Dispersionsrelation: E = ω~ = 2m Energie: E = mc2 = ~ω = hf = 1.1.1 Schrödingergleichung Herleitung: Ausgehend von der Dispersionsrelation: ωc kc s− j ∂ ∂t sj∇ Allgemeine Schrödingergleichung: −j~ 4 Ladungstransport in Festkörpern . . . . . 1 ~2 ∂ − − − − Ψ(→ r , t) = − ∗ ∆Ψ(→ r , t) + V (→ r , t)Ψ(→ r , t) ∂t 2m Zeitunabhängige Schrödingergleichung: − − Durch den Separationsansatz Ψ(→ r , t) = Ψ(→ r )Φ(t) lässt sich die Zeitabhängigkeit abtrennen: − 1.1.2 ~2 − − − − ∆Ψ(→ r ) + V (→ r )Ψ(→ r ) = EΨ(→ r) 2m∗ 1-dimensinaler Potentialtopf Ansatz für DGL: Ψ(x) = Aejkx + Be−jkx bzw. Ψ(x) = Asin(kx) + Bcos(kx) Für den jeweiligen Bereich mit dem Potential V gilt: p 2m∗ (E − V ) k= ~ Im Falle von unendlich hohen Barrieren und der Breite a gilt: r nπ 2 Ψn (x) = sin x a a ~2 π 2 2 ~2 2 E= n = k ∗ 2 2m a 2m∗ nπ mit k = a 1 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik www.ei-studium.de Randbedingungen: Für die Wellenfunktion Ψ(x) gelten folgende Randbedingungen: • Ψ(x) ist stetig (ohne Sprung) • Ψ(x) ist differenzierbar R∞ R∞ ∗ • |Ψ(x)|2 dx = Ψ (x)Ψ(x)dx = 1 −∞ 1.1.3 −∞ 3-dimensionaler Potentialtopf = ˆ Orientierung der Orbitale m = −l, −l + 1, ..., l − 1, l (=L) b Spinquantenzahl: s = ± 12 Entartungsgrad: Anzahl der Kombinationen der Quantenzahlen mit gleicher Energie. ⇒ 2n2 Die Lösung erfolgt wie beim 1-dimensionalen Potentialtopf durch den Separationsansatz Hauptquantenzahl Nebenquantenzahl Magnetische Quantenzahl Ψ(x, y, z) = Ψ(x)Ψ(y)Ψ(z) -3 -2 -1 0 1 2 3 Im Falle eines Würfels mit Kantenlänge a und unendlich hohen Barrieren gilt: r nπ mπ lπ 8 sin Ψnml (x, y, z) = x sin y sin z a3 a a a 2 2 ~ π E= (n2 + m2 + l2 ) 2m∗ a2 ~2 E= (k 2 + ky2 + kz2 ) 2m∗ x 1.1.4 K 1s 2s L 2p 3s M 3p 3d 4s 4p N 4d 4f 5s 5p O 5d 5f 6s P 6p 6d Q 7s Sonstiges Teilchenstromdichte: j = (Ψ∗ Ψ)vgr = (Ψ∗ Ψ) Reflexionskoeffizient: jjR0 Transmissionskoeffizient: 1.2 ~k m0 jT j0 Wasserstoffatom a: Bohrscher Atomradius, RH : Rydbergkonstante λ: emittierte bzw. absorbierte Wellenlänge Für die Energieniveaus eines H-Atoms gilt: 2 m 0 e4 1 ~2 1 =− En = − 2 2m0 na 2(4π0 ~) n2 | {z } mit 2 Zuständen besetzbarer Platz 2,18·10−18 J λ= 1.3 1 1 RH n2 − 1 ; m2 n, m ∈ N Aufbau des Periodensystems Erstelldatum: 12. Februar 2015 1.3.2 Pauli-Prinzip Alle Elektronen unterscheiden sich in mindestens einer Quantenzahl. → siehe Skript S. 24 1.3.3 1.3.1 Quantenzahlen Hauptquantenzahl: = ˆ Energieeigenwerte n = 1, 2, ... (=K, ˆ L, ...-Schale) Hundsche Regeln 1 ) Schale wird so aufgefüllt, dass X 1 |S| = si mit s = ± 2 maximal wird. Nebenquantenzahl: = ˆ Orbitalgestalt l = 0, ..., n − 1 (=s, ˆ p, d, f -Zustände) Magnetische Quantenzahl: Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! 2 ) Quantenzahl |L| maximal. 3) • Schale weniger als halbvoll - Bahndrehimpuls und Spin antiparallel - Gesamtdrehimpuls |J| = ||L| − |S|| 2 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik www.ei-studium.de • Schale mehr als halbvoll M : Molare Masse, u: Atomare Masseneinheit - Bahndrehimpuls und Spin parallel - Gesamtdrehimpuls |J| = |L| + |S| Volle Schalen liefern keinen Beitrag zu S, L und J! Q P O N M L K 1.4 1.4.1 Erstelldatum: 12. Februar 2015 7s 6s 5s 4s 3s 2s 1s 7p 6p 5p 4p 3p 2p 6d 5d 4d 3d 5f 4f s p d f pV nA R J = nmol R = nA kB = ; [nmol R] = (ideales Gas) T NA K kg M = Ar · 10−3 ; [Ar ] = 1 mol m nA = nmol = NA M R = NA kB 1 p = N mv 2 = N kB T 3 nA nmol NA ρNA p N= = = = V V M kB T NM n A Ar u m ρ= = = NA V V f 1 Ekin = mv 2 = kB T 2 2 mit f : Anzahl der Freiheitsgrade (= 3 für einatomige Gase) Bindungstypen Ionische Bindung = ˆ Bindung durch Elektronenaustausch Voraussetzung: 1.6 Kristallstrukturen KZ: Koordinationszahl (Zahl der nächsten Nachbarn) nEZ : Anzahl der Atome pro Einheitszelle (EZ) r: Atomradius • Unterschiedliche, leicht zu ionisierende Atome • Differenz der Elektronegativität i.d.R. ∆E > 1, 7 Die Ionisierung läuft prinzipiell in 3 Schritten ab: a0 a0 1 ) Ionisierung des Kations (Energiezufuhr) a0 2 ) Ionisierung des Anions (Energieabgabe) 3 ) Molekülbildung (Energieabgabe) Die elektrische Bindungsenergie, die bei der Molekülbildung frei wird, berechnet sich wie folgt: Zr0 − Eel = ∞ q1 q2 q1 q2 dr = 4π0 r2 4π0 r0 wobei r0 der Abstand ist und q1 , q2 die Ladungen der Ionen darstellen. Kovalente Bindung a0 sc bcc fcc nEZ 43 πr3 Volumen (Atome) 4nEZ πr3 = = Volumen (EZ) VEZ 3a30 Achtung: Für die Berechnung von nEZ müssen Atome, die von angrenzenden Zellen auch verwendet werden, dementsprechend gewichtet werden! Primitiv kubisch (sc) (=simple cubic) nEZ = 1 1 r = a0 2 KZ = 6 1 P = π ≈ 0, 52 6 Voraussetzung: • Differenz der Elektronegativität i.d.R. ∆E < 1, 7 Metallische Bindung = Sonderfall der kovalenten Bindung, bei der die Valenzelektronen nicht lokalisiert sind. a0 a0 P = = ˆ Bindung durch gemeinsame Elektronen 1.4.3 a0 a0 Packungsdichte: 1.6.1 1.4.2 a0 1.6.2 Kubisch raumzentriert (bcc) (=body centered cubic) 1.5 1.5.1 Aggregatzustände der Materie Gase p: Druck, V : Volumen, T : Temperatur, ρ: Dichte nA : Anzahl Atome, kB : Boltzmannkonstante nmol : Stoffmenge, R: Gaskonstante, N : Teilchendichte NA : Avogadro-Konstante, Ar : Relative Atommasse Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! nEZ = 2 √ r= 3 a0 4 KZ = 8 √ P = 3 π ≈ 0, 68 8 3 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik 1.6.3 www.ei-studium.de Erstelldatum: 12. Februar 2015 nA : Anzahl der Atome, kB : Boltzmannkonstante, m: Masse M : Molare Masse, R: Gaskonstante, TF : Fermi-Temperatur EF : Fermi-Energie Kubisch flächenzentriert (fcc) (=face centered cubic) nEZ = 4 √ ∂U 3Rm = cm = 3nA kB = ; [C] = ∂T M C 1 ∆U cm 3nA kB 3R c= = = = = ; m m ∆T M m M 6RT T = 3R 1 + 2 cm = |{z} 3R + ; TF TF | {z } Atome C= 2 r= a0 4 KZ = 12 √ 2 π ≈ 0, 74 P = 6 J g ; [Ar ] = K mol J [c] = kgK J [cm ] = molK Elektronen 1.7 Metalle und Legierungen 1.7.1 Mischkristallbildung durch Leerstellendiffusion S: Teilchenstromdichte, D: Diffusionskoeffizient N : Teilchenkonzentration, xD : Mittlere Eindringtiefe EA : Aktivierungsenergie für Leerstellendiffusion ∂N S = −D ∂x E cm2 − A D = D0 e kB T ; [D] = s √ xD = Dt 2 Mechanische Festkörper Eigenschaften U = 3N kB T 3.2 der β ≈ 3α 1 α∼ TS 3.3 K = − ∆V = V (Grüneisen-Regel) Wärmeleitung Q: Wärmemenge, A: Querschnitt, W : Wärmestromdichte I: Wärmestrom (= b Leistung), λ: Wärmeleitfähigkeit ∆Q : Transportierte Wärmemenge, G: Wärmeleitwert A vx : Geschwindigkeit in x-Richtung, n: Teilchendichte ∇T = abstoßend Für Ionen gilt: n = 1 dV dr p ∆l: Längenausdehnung, ∆V : Volumenausdehnung α: Längenausdehnungskoeffizient, TS : Schmelztemperatur β: Volumenausdehnungskoeffizient ∆V = βV0 ∆T ≈ 3αV0 ∆T V (r): Wechselwirkungsenergie, p: Druck K: Kompressionsmodul; F (r): Kraft (im Gleichgewicht) ν: Poissonsche Zahl α β V (r) = − n + ; n<m r} rm | {z |{z} F (r) = − Thermische Ausdehnung ∆l = αl0 ∆T ρ: Dichte, : Dehnung, σ: Mech. Spannung (= Druck) E: Elastizitätsmodul, V : Volumen, P : Packungsdichte r: Atomradius, a0 : Gitterkonstante, mA : Atommasse nEZ : Anzahl der Atome pro Einheitszelle α: Längenausdehnungskoeffizient mA P kg mA nEZ ρ= 4 3 = ; [ρ] = 3 3 a m πr 0 3 ∆l = α∆T = l N F σ= = E = α∆T E; [σ] = 2 A m 1 dF N E=− ; [E] = 2 r0 dr r=r0 m anziehend Elektronen-Anteil kann für hohe T vernachlässigt werden! J cm = 3R = 24, 9 für hohe Temperaturen molK T 3 ∼ C, c, cm für niedrige Temperaturen EF TF = kB R = k B NA E 3(1 − 2ν) Im Normalfall gilt: ν = 0, 3 ⇒ K ≈ 0, 8E Ta (t) − Tb (t) x ⇒ bl−→ al l ∆Q = −λ∇T ∆t A Q = CT ; [Q] = J I = Q̇ = −λA∇T = G∆T = Ca Ṫa = −Cb Ṫb K W A ; [λ] = G = λ ; [G] = l W Km Q̇ ∆Q W = = = nvx c∆T A A∆t lx : Freie Weglänge zwischen zwei Streuprozessen CP h : Wärmekapazität der Phononen pro Volumeneinheit ν: Schallgeschwindigkeit, τ : Streuzeit dT lx dx l = vτ 1 p 1 W λ = lC v 2 = CP h νl; [λ] = 3 3 Km Differentialgleichungen sind mit folgendem Ansatz zu lösen: ∆T = − 3 3.1 Thermische Festkörper Eigenschaften Spezifische Wärme C: Wärmekapazität, c: Spezifische Wärmekapazität cm : Molwärme, U : Innere Energie T : Temperatur Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! der T (0, t) = De−Et + F 4 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik 3.4 www.ei-studium.de Freies Elektronengas / spezifische Wärme der Elektronen D(E): Zustandsdichte, f (E, T ): Fermiverteilung n: Elektronendichte, EF : Fermienergie D(k) ∼ k 1 dZ = V dE 2m ~2 ~2 k 2 2m ~k vGr = m ~2 m∗ = d2 E(k) 32 e E−EF kB T − E−EF kB T (Boltzmann-Näherung) Z∞ D(E)f (T, E)dE 0 Für T = 0K gilt: ZEF D(E)dE = 0 2m ~2 Elektrische Eigenschaften der Metalle n: Teilchendichte, τ : Streuzeit, σ: el. Leitfähigkeit → − j : Stromdichte, µ: Ladungsträgerbeweglichkeit R: Widerstand, A: Fläche, l: Länge α: Temperaturkoeffizient, ρ: Spezifischer Widerstand 32 3 2 1 ~2 2 E (3π 2 n) 3 ⇔ E = F F 2 3π 2m Die Anzahl der anregbaren Elektronen berechnet sich wie folgt: 3kB T n EF Nel : Anzahl der Leitungselektronen pro Atom, ρ: Dichte NA : Avogadrokonstante, MAt : Molare Masse eines Atoms Nel ρNA MAt Elektronendichte des m-ten Quantisierungsniveaus: Z∞ nmQe = Die Leitfähigkeit von Metallen nimmt für hohe Frequenzen, vergleichbar mit einem Tiefpass erster Ordnung, ab: σ0 (Wirkleitfähigkeit) σ(ω) = 1 + ω2 τ 2 1 τ : Streuwahrscheinlichkeit 1 τi : Streuung an Fremdatomen 1 τP h : Streuung durch Gitterschwingungen 1 1 1 = + τ τP h τi 3 τi ∼ τP h ∼ T2 n 1 3 T2 l: freie Weglänge, ρ: spez. Widerstand vF : Fermigeschwindigkeit l = vF τ r 2EF vF = m0 1 ρ = ; [ρ] = Ωm σ ρ = ρP h + ρi (Mattiessen’sche Regel) ρP h ∼ T 5 D(E)f (T, E)dE (für tiefe Temperaturen) ρP h ist temperaturabhängig (≈ 0 für tiefe Temperaturen). ρi ist temperaturunabhängig. EmQe +EL 3.4.1 S m eτ cm2 ; [µ] = m∗ Vs l ρl = R= A σA ρ = ρ20◦ C [1 + α(T − 20◦ C)] Diese Beziehung ist sehr nützlich bei Metallen, da EF hier kaum von der Temperatur abhängig ist. n= [σ] = µ= Die Fermiverteilung gibt an, mit welcher Wahrscheinlichkeit ein Zustand der Energie E bei der Temperatur T von einem Teilchen besetzt ist. n= 5 e2 τ en∆px n; = m∗ Ex m∗ → − → − j = σE +1 E−E − k TF f (E, T )dE = −kB T · ln 1 + e B f (E, T ) ≈ e dk2 σ=− 1 f (E, T ) = n= vGr : Geschwindigkeit, m∗ : effektive Masse E(k): Energie von freien Elektronen E(k) = Die Zustandsdichte D(E) gibt an, wieviele mögliche Zustände bei einer gegebenen Energie besetzt werden können. Z Ladungstransport in Festkörpern 2 1 √ E 2π 2 s3 √ 1 D(E) ≈ 1, 0622 · 1056 3 E; [D] = 3 eV 6 cm 2 kg m 3n D(EF ) = 2EF EF = kB TF D(E) = 4 Erstelldatum: 12. Februar 2015 Wiedemann-Franzsches Gesetz Für kleine Konzentrationen gilt außerdem: λ: Wärmeleitfähigkeit, σ: el. Leitfähigkeit L: Lorentzzahl λel = σT 2 π 2 kB 3e2 = L mit L = 2, 44 · 10−8 ρi ∼ Mischungsverhältnis 2 V K2 Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! Dies bedeutet, dass ρi bei doppelter Konzentration an Fremdatomen in etwa doppelt so groß wird. 5 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik 5.1 www.ei-studium.de Thermoelektrische Effekte Ex : el. Feld, S: Seebeckkoeffizient, ∆U : Thermospannung Dn : Diffusionskoeffizient dT Ex = S dx e d S=− (Dn n); σ dT ∆U = S∆T [S] = µV K NL∗ , NV∗ : effektive Zustandsdichte, ML : Anzahl der äquivalenten Leitungsbandminima in der Brillouinzone Wenn ein Element beim Dotieren (je nach Einbau) sowohl als Donator, als auch als Akzeptor wirken kann, so spricht man von einem amphoteren Charakter. 6.1 Leitungsband fn (E, T ) = f (E, T ) Z∞ n= DL (E)f (E, T )dE Dn = vx lx = vx2 τ 5.1.1 Erstelldatum: 12. Februar 2015 Peltier-Effekt EL W : Wärmestromdichte, j: Stromdichte, Π: Peltierkonstante 3 (2m∗n ) 2 p E − EL ; E > EL 2π 2 ~3 3 ∗ mn kB T 2 (ML ist meist 1) NL∗ = 2ML 2π~2 DL (E) = ML W = Πj = ST j Π = ST Wel = (ΠA − ΠB )j (A → B) Kühlung erfolgt an der Stelle, an der gilt: Wel < 0. Bei einem Halbleiter ist dies die Stelle, an der der Strom vom n-dotierten zum p-dotierten Halbleiter fließt. n = NL∗ e ⇒ EL − EF = kB T · ln 6.2 π1 > π2 (π1 - π2)j EL −EF kB T 1 π1j − NL∗ (Boltzmann-Näherung) n Valenzband fp (E, T ) = 1 − f (E, T ) ZEV (π1 - π2)j DV (E)[1 − f (E, T )]dE p= −∞ π2j 3 U (2m∗p ) 2 p EV − E; 2π 2 ~3 ∗ 3 mp kB T 2 NV∗ = 2 2π~2 2 DV (E) = j 5.1.2 Supraleitung HC (T ): kritische Feldstärke, IC : Kritischer Strom r: Radius des Leiters, TC : kritische Temperatur ΛL : Londonsche Eindringtiefe, µ0 : absolute Permeabilität " 2 # T A HC (T ) = HC,0K 1 − ; [H] = TC m IC = 2πrHC s r λL m ΛL = = µ0 µ0 ns e2 m λL = ns e2 6 p = NV∗ e EF −EV kB T ⇒ EF − EV = kB T · ln NV∗ (Boltzmann-Näherung) p ni : intr. Elektronendichte, pi : intr. Löcherdichte + NA− : Akzeptoren-Dichte, ND : Donatoren-Dichte m∗e : effektive Elektronenmasse, EF : Fermienergie 31 13 m∗e = m∗k · m∗⊥ 2 = m∗el · m∗et 2 23 3 3 m∗p = m∗h = m∗hl 2 + m∗hh 2 Eg p − ni = pi = NL∗ NV∗ e 2kB T p 3 T 2 ∼ NL∗ NV∗ Halbleiter 3 Leitungsband T 2 ∼ NL∗ , NV∗ EL EV + EL kB T EF = + ln 2 2 Fermienergie bei n-Dotierung Eg − E < EV EF Fermienergie im undotierten Fall np = ni pi = n2i = p2i Fermienergie bei p-Dotierung EV Valenzband fi (E, T ): Besetzungswahrscheinlichkeit, p: Löcherdichte n: Elektronendichte, Di (E): Zustandsdichte Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! n+ NA− =p+ NV∗ NL∗ (im thermodyn. Gleichgewicht) + ND Im Falle einer vollständigen Ionisation gilt: bei n-Dotierung + + NA− = 0; p << ND ⇒ n ≈ ND bei p-Dotierung + ND = 0; n << NA− ⇒ p ≈ NA− 6 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik 6.3 www.ei-studium.de X : Suszeptibilität Diffusion → − → − − P = N→ p = N 0 α E a ; Ln,p : Diffusionslänge, τ : Streuzeit, e: Elementarladung µn,p : Beweglichkeit, Dn,p : Diffusionskonstante m∗p : effektive Lochmasse, LD : Debye-Länge, : Permittivität ND : Donatoren-Dichte, n: Elektronendichte Ln,p LD Dn,p 6.4 Erstelldatum: 12. Februar 2015 [P ] = As m2 r = 1 + X αN r − 1 = (Claudius-Mosotti-Gleichung) 3 r + 2 3 + 2αN αN ⇒ r = =1+ αN 3 − αN 1− 3 |{z} r p kB T µn,p τn,p = Dn,p τn,p = e r kB T ; ND = n = e 2 ND kB T µn,p = e Lorentz-Feld 3(r − 1) ⇒N = α(r + 2) X αN = αi Ni (für Moleküle) Ausgleich der Minoritätsladungsträger ∀i → S. 129 Das Lorentz-Feld kann oftmals vernachlässigt werden. R: Rekombinationsrate, r: Rekombinationsrate GL : optische Generation, GT : thermische Generation 7.1.1 Elektronenhülle verschiebt sich aufgrund eines anliegenden elektrischen Feldes. → induziertes Dipolmoment. Diese Art der Polarisation tritt immer auf und ist temperaturunabhängig. dp dn = = GL + GT − R = GL + n2i r − npr dt dt GT = n2i r R = npr dn ! = 0 ⇔ stationärer Zustand dt 6.5 → − R: Atomradius, | F 1 |: auslenkende Kraft, Z: Ordnungzahl → − | F 2 |: Coulombkraft der inneren Kugelschale x0 : Auslenkung der Elektronenhülle / des Kerns e: Elementarladung Ladungstransporteigenschaften → − → − → − p = 0 α E a = 4π0 R3 E a → − − j : Gesamtstromdichte, → v : Driftgeschwindigkeit τ : Steuzeit, σ intrinsische Leitfähigkeit n, p: Ladungsträgerdichten, µ: Ladungsträgerbeweglichkeit → − → − − − j = σ E = −ne→ v n + pe→ vp n σ = µn en + µp ep = e2 τ ∗ ; m eτ cm2 µ = ∗ ; [µ] = m Vs → − Löcher → − v = ±µ E (VZ: Elektronen ) [σ] = S m 7.1.2 Isolator: σ < 10−7 7 Dielektrische Festkörpern Ionische Polarisation Positive und negative Ionen werden durch ein äußeres el. Feld gegeneinander verschoben (bei Gitterstruktur). → Dipolmoment (temperaturunabhängig) − ∆→ r : zusätzlicher Ionen-Abstand durch Verschiebung → − → − q: Ladung, F R : Rückstellkraft, F el : elektrostatische Kraft U : potentielle Energie S m Halbleiter: σ ≈ 10−1 − 10−6 α = 4πR3 ; [α] = m3 → − → − | F 1 | = Ze| E a | → − Z 2 e2 x0 | F 2| = 4π0 R3 Typische Werte: Metalle: σ ≈ 106 Elektronische Polarisation → − − p = ∆→ rq → − → − F R = − F el S m S m Eigenschaften ∂U (r) =0 ∂r r=r0 von 7.1 Polarisation → − − P : Polarisation, → p : Dipolmoment, N : Teilchendichte 0 : el. Feldkonstante, α: Polarisierbarkeit des Atoms → − E a : primäres äußeres el. Feld, r : relative Permittivität Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! −→ ∂U (r) FR = −grad(U (r)) = − ∂r FR (r0 ) = 0 ∂FR FR (r0 + ∆r) = FR (r0 ) + · ∆r + ... ∂r r=r0 = −qE ⇔ ∆r = − qE ∂FR ∂r r=r0 7 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik 7.1.3 www.ei-studium.de 8 Orientierungspolarisation Permanente Dipole richten sich im äußeren elektrischen Feld (teilweise) aus (temperaturabhängig). → − − Θ: Winkel zwischen E und → p , T : Temperatur W : Wahrscheinlichkeit, einen Dipol mit der Energie U bei der Temperatur T zu finden. kB : Boltzmannkonstante, U : Energie von Dipol L(ν): Langevin-Funktion von M A J = ; [H] = [M ] = µ0 H H m < 0 bzw. µr < 1 ⇒ Diamagnetismus X m = µr − 1 = Xm X m >> 0 bzw. µr >> 1 ⇒ Ferromagnetismus U (Θ) BT −k 8.1 → − W (Θ)cos(Θ) 1 p| E | L(ν) = cos(Θ) = = coth(ν) − mit ν = ν kB T W (Θ) ν >> 1 : coth(ν) → 1 ⇒ L(ν) = 1 1 ν ν ν << 1 : coth(ν) ≈ + ⇒ L(ν) = ν 3 3 J(J + 1) + S(S + 1) − L(L + 1) 2J(J + 1) 1≤g≤2 g =1+ S=0→g=1 L=0→g=2 r : komplexe relative Permittivität, ω: Kreisfrequenz τ : Relaxationszeit, σRest : Restleitfähigkeit 8.2 r = 0 − j00 = |r |e−jδ stat − ∞ 0 = ∞ + 1 + ω2 τ 2 stat − ∞ ωτ 00 = 1 + ω2 τ 2 stat = 0 (0) > ∞ → − m: magnetisches Moment, N : Atomdichte r2 : Erwartungswert des effektiven Bahnradius Z ∗ : effektive Kernladungszahl (Anzahl der Elektronen auf der äußersten Schale abzüglich der Leitungselektronen) ∞ = (ω ≈ 2π · 1010 Hz) 00 (stat − ∞ )ωτ = 2 2 0 ω τ ∞ + stat = 0 00 ω Diamagnetismus = Auftreten eines zusätzlichen magnetischen Momentes der Elektronenhülle von Atomen unter dem Einfluss eines äußeren Magnetfeldes. Der Diamagnetismus ist temperaturunabhängig und tritt immer auf, wird allerdings vom Para- und Ferromagnetismus überlagert. r = (0) im statischen Fall tan(δ) = Elementare magnetische Dipolmomente g: gyromagn. Verhältnis, S: Gesamtspin J: Gesamtdrehimpuls, L: magnetische Quantenzahl Dielektrizitätskonstante σRest Eigenschaften X m > 0 bzw. µr > 1 ⇒ Paramagnetismus → − → − − U (Θ) = −→ p E = −p| E |cos(Θ) 7.2 Magnetische Festkörpern µr : relative Permeabilität, X : magnetische Suszeptibilität → − J: magnetische Polarisation, H : magnetische Feldstärke M : Magnetisierung → − − P = N→ p cos(Θ) 1 P ∼ T W (Θ) = e Erstelldatum: 12. Februar 2015 (Verlustfaktor) m Xdia − → − M N→ m N Z ∗ e2 r2 µ0 = → − = → − =− 6m0 H H Für das Maximum von tan(δ) gilt: 8.3 r 1 stat τ= ω ∞ stat − ∞ tan(δ)max = √ 2 stat ∞ h i p ⇒ ∞ = stat 1 + 2tan(δ)2max − (1 + 2tan(δ)2max )2 − 1 Paramagnetismus Ist temperaturabhängig und tritt bei Molekülen bzw. Atomen mit magnetischem Dipolmoment auf, d.h. wenn die Elektronenschalen nicht abgeschlossen sind. µB : Bohrsches Magneton, kB : Boltzmannkonstante Mpara : paramagn. Magnetisierung, C: Curie-Konstante ε εstat N g 2 J(J + 1)µ2B µ0 3kB C = T m = Xpara H C= ε’ ε∞ Ausfall der Orientierungspolarisation m Xpara Ausfall der Ionenpolarisation ε’’ Mikrowellen Infrarot Mpara Ausfall der Elektronenpolarisation UV Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! 8.4 ω Ferromagnetismus Ferromagnetismus tritt nur bis zur Curie-Temperatur auf (danach Paramagnetismus). 8 Formelsammlung Werkstoffe der Elektrotechnik www.ei-studium.de Erstelldatum: 12. Februar 2015 Θ: Curie-Temperatur, T : Temperatur Xm = C T −Θ Oberhalb der Curie-Temperatur tragen folgende Dinge zur magnetischen Suszeptibilität bei: • Diamagnetismus der Atomhüllen • Beitrag der Leitungselektronen (netto paramagnetisch) • Paramagnetismus der Atomrümpfe Der dominante Beitrag ist i.A. der Paramagnetismus. 8.5 Leitungselektronen n: Elektronendichte, TF : Fermitemperatur 3nµ0 µ2B 2kB TF 1 m = − Xpara 3 m Xpara = m Xdia m m X m = Xpara + Xdia = 9 nµ2B µ0 kB TF Physikalische Konstanten Atomare Masseneinheit u = 1, 66 · 10−27 kg Avogadro-Konstante 1 NA = 6, 022 · 1023 mol Elektrische Feldkonstante F 0 = 8, 85 · 10−12 m Elektron Ruhemasse me = 9, 109 · 10−31 kg Elementarladung e = 1, 602 · 10−19 C Magnetische Feldkonstante Vs µ0 = 4π · 10−7 Am Bohrsches Magneton µB = Plancksches Wirkungsquantum h = 6, 626 · 10−34 Js Rydberg-Konstante 1 R∞ = 1, 0974 · 107 m Rydberg-Konstante 1 RH = 1, 0968 · 107 m Boltzmannkonstante J kB = 1, 38 · 10−23 K Gaskonstante J R = 8, 31 Kmol e~ 2m0 = 9, 27 · 10−24 Am2 Lizenz: CC BY-NC-SA 3.0 http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/de/ Keine Garantie auf Vollständigkeit und Richtigkeit! 9