mz x (;y2 + z2) V x2+ y2 +z2 Tatsächlich, wenn man jetzt aus dem Zusammenhang f) = rot a die Komponenten von f) berechnet, so folgt hx = m ' hy = m Ii* imd hz = m • Das hergeleitete Vektorpotential beschreibt also tatsächlich richtig das Feld einer magnetischen Punktladung. Dieses Resultat scheint im Widerspruch zu sein mit den Satz, daß das ganze Coulomb-Feld einer Punktladung nur mit Hilfe eines skalaren Potentials beschrieben werden kann. Betrachten wir jedoch die in (9) stehenden Ausdrücke, so bemerken wir gleich, daß gegenüber dem das Feld einer Punktladung beschreibenden skalaren Potential cp = m/R der wesentliche Unterschied besteht, daß die zwei letzten in (9) stehenden K o m ponenten eine Singularität entlang der X - A c h s e besitzen, d. h. daß die Feldstärke entlang dieser Achse ungewiß wird. Wir sehen also, daß man mit einem Vektorpotential das Coulombsche Feld einer Punktladung nur dann streng richtig beschreiben kann, wenn man dabei eine entlang einer Linie auftretende Singularität ausschließt, setzt man dagegen aus zwei solchen Singulettpolen ein mathematisches Dipol zusammen, so verschwindet diese Singularität, wie das aus (7) folgt. Eben diese Singularität entlang einer Linie zeigt den zwangsläufigen Zusammenhang zwischen zwei magnetischen Singulettpolen entgegengesetzten Vorzeichens. Andererseits ist diese entlang einer Linie auftretende Singularität die mathematische Beschreibung des von D i r a c postulierten unbeobachtbaren Fadens (unobservable string), welcher zwei Pole verschiedenen Vorzeichens miteinander verbindet. Anschaulich entspricht diese Linie dem rohrartigen Hohlraum eines Solenoides in dem die Feldstärke nicht mehr mit dem Coulombschen Felde der zwei an den Endpunkten gedachten Pole beschrieben werden kann, bzw. es ist gelungen, diesen Hohlraum mathematisch in eine entlang einer Linie auftretende Singularität zusammenzuziehen. jedoch nicht vollständig zu entfernen. Zur Theorie der elektrischen Leitfähigkeit von Metallen I * Von H. KOPPE Aus dem Max-Planck-Institut für Physik Göttingen (Z. Naturforschg. 7a. 156-161 [1952]; eingegangen am 11. Septemer 1951) 3. N e u e D e f i n i t i o n der Verteilung I m letzten Abschnitt waren wir von einem bestimmten Ansatz für die Verteilungsfunktion, die einer gegebenen Fermi-Oberfläche entspricht, ausgegangen. Es hat sich dann gezeigt, daß es für die bisher abgeleiteten Formeln auf die genaue Form dieser Funktion gar nicht ankommt, sondern sich alles durch die Geometrie der Fermi-Oberfläche darstellen läßt. Die Struktur der Übergangszone geht nur in die Berechnung der Diffusionskonstante ein, und muß im Prinzip dazu genau bekannt sein. Das führt auf ein Entwicklungsverfahren, welches in einer späteren Arbeit näher untersucht werden * Fortsetzung der in Heft 1 dieser Z. (7a. 17 [1952]) erschienenen Arbeit. soll. Hier soll die Diffusionskonstante nur in nullter Näherung berechnet werden, und dafür wird es zweckmäßig sein, von einer Verteilungsfunktion auszugehen, deren Oberflächenstruktur soweit wie möglich mit der einer normalen Fermi-Verteilung übereinstimmt. Wir verallgemeinern zu diesem Zweck (5), indem wir zunächst einmal schreiben: /s(f) = e[£(f)-t(f)]/£T ' (5) ist eine spezielle Form davon, da m a n ja & und (p durch die Komponenten von f ausdrücken kann. Andererseits ist (33) offenbar noch viel zu allgemein, da man auf diese Weise jede beliebige Funktion darstellen kann. Die Oberfläche S ist ja lediglich durch die Gleichung e (f) — £(f) = 0 Dieses Werk wurde im Jahr 2013 vom Verlag Zeitschrift für Naturforschung in Zusammenarbeit mit der Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. digitalisiert und unter folgender Lizenz veröffentlicht: Creative Commons Namensnennung-Keine Bearbeitung 3.0 Deutschland Lizenz. This work has been digitalized and published in 2013 by Verlag Zeitschrift für Naturforschung in cooperation with the Max Planck Society for the Advancement of Science under a Creative Commons Attribution-NoDerivs 3.0 Germany License. Zum 01.01.2015 ist eine Anpassung der Lizenzbedingungen (Entfall der Creative Commons Lizenzbedingung „Keine Bearbeitung“) beabsichtigt, um eine Nachnutzung auch im Rahmen zukünftiger wissenschaftlicher Nutzungsformen zu ermöglichen. On 01.01.2015 it is planned to change the License Conditions (the removal of the Creative Commons License condition “no derivative works”). This is to allow reuse in the area of future scientific usage. ohnehin empirisch eliminiert werden kann, dürfte die Beschränkung auf ideale Gitter unwesentlich sein. Wir stellen zunächst einige Formeln für die grad £ • grad ( £ - t ) = 0 , (33) Stoßprozesse zusammen. Die Wellenzahl des Elektrons wird mit f bezeichnet, (p = hi), die Energie d. h. daß der Gradient von £ immer senkrecht zur mit e(f). Einem Schallquant läßt sich weiterhin Normalen der Oberfläche liegt. Längs dieser Noreine Wellenzahl tu zuordnen, die die Richtung des malen hat dann f s den gleichen Verlauf wie eine Ausbreitungsvektors hat, und deren Betrag gleich normale Fermi-Verteilung. Daß sich eine solche 2TT/A ist. Die zugehörige Frequenz resp. Energie Annahme willkürfrei durchführen läßt, sieht man hängt von der Gitterstruktur ab. Wir wollen hier folgendermaßen ein: Wir konstruieren eine Funkzunächst einmal mit einer mittleren Schallgetion Q ( f ) , die den Bedingungen genügt, daß schwindigkeit u 0 rechnen, dann ist die Energie des erstens Q = 0 auf S, und zweitens die Zunahme Schallquants gleich w0£|lt)|. Die Anzahl der mögvon Q in der Richtung von grad e immer gleich lichen Eigenschwingungen pro Volumeneinheit grad e ist : mit einer Wellenzahl tu, d tt> ist gleich (2jz)~3. Die | grad Q \2 = grad Q • grad e. (34) mittlere Anzahl der angeregten Quanten ist: gegeben, und wir haben die Möglichkeit, beliebige Zusatzforderungen für das Verhalten von £ (f) außerhalb S zu stellen. Als solche wählen wir, daß Setzt man £(f) = e ( f ) — ü (f),dann erfüllt £ die oben gestellten Bedingungen. Die tatsächliche Integration von (34) wäre natürlich sehr schwierig. Sie ist aber gar nicht erforderlich, da man die Verteilungsfunktion nur in der Nähe der Oberfläche zu kennen braucht; und dazu genügt bereits die Bedingung (34). 4. B e r e c h n u n g derDiffusionskonstante In einem idealen Metallgitter ohne Störstellen sind zweierlei Arten von Zusammenstößen zwischen Elektronen und Gitter möglich: 1. Zusammenstöße, bei denen der Impulssatz zwischen Elektronen und Schallquanten erfüllt ist, und 2. Umklapp-Prozesse, bei denen in der Impulsbilanz noch ein Vektor des reziproken Gitters auftritt. Wir betrachten hier zunächst nur die „normalen" Stöße, für die die Voraussetzung für die „Diffusionsnäherung" erfüllt ist, daß die Elektronen ihren Impuls bei Einzelstößen nur wenig ändern können. Umklapp-Prozesse müssen vorläufig ausgeschlossen werden, da sie zu großen Impulsänderungen führen. Das dürfte keine sehr wesentliche Einschränkung sein, da solche Prozesse nur unter besonderen Umständen auftreten können. Sobald in einem Metall Störstellen vorhanden sind, gibt es zusätzlich noch Stöße, bei denen der Impulssatz nicht erfüllt zu sein braucht, und deshalb ebenfalls große Impulsänderungen auftreten können. Auch diese Prozesse, die in einem realen Metall natürlich immer eine Rolle spielen, müssen vorläufig außer Acht gelassen werden. Da aber der durch die Störstellen erzeugte Restwiderstand - t«.nm)l*T _ l ' ,33> Für alle Übergänge muß der Energie- und Impulssatz gelten: V = f ± tu , (36) c(l') = e ( f ) ± M 0 » l t o | - (37) Dabei gilt das -|--Zeichen für Absorption und das — -Zeichen für Emission eines Schallquants. Betrachten wir kleine Impulsänderungen und setzen At = V — f = ± t D , dann wird aus (35) ange- nähert : At g r a d e = ± M0Ä|tt>|. (38) Wir setzen Es muß dann zunächst einmal x < 1 sein, damit Stöße überhaupt möglich sind. Diese Bedingung ist bekannt 4 , spielt aber bei Metallen keine Rolle, da sie immer erfüllt ist. (36) sagt dann aus, daß V immer auf einem Kegelmantel mit der Spitze im Endpunkt von f, der Achse in der Richtung von grad e und einem Öffnungswinkel arc cos x liegen müssen. Man sieht nun leicht ein, daß für die weitaus meisten Stöße tatsächlich A f immer klein sein muß, und daß im wesentlichen nur die Elektronen in der Nähe der Fermi-Oberfläche Übergänge ausführen können. Wir betrachten zunächst einmal die Absorptionsprozesse. Hier ist von vornherein Je T |A f | < ^ j. , weil höhere Quanten nicht angeregt sind. Außerdem muß f dicht unterhalb der Ober- fläche der Fermi-Kugelgelegen haben, da sonst der Endzustand besetzt ist. Für Emissionsprozesse ergibt sich wieder die gleiche Beschränkung. Wenn I nahe bei der Oberfläche der Fermi-Kugel liegt, würden Stöße mit großem zlf in das annähernd voll besetzte Gebiet führen. Übergänge, beideneri f hinreichend weit außerhalb der Fermi-Kugel liegt, brauchen nicht in Betracht gezogen zu werden, da dann wieder n(f) sehr klein ist. Die Tangentenebene der Fläche S im Punkt f 0 ist gegeben durch die Gleichung h = Daraus ergibt sich, daß Fs (kx, ky) — ß Für die Wahrscheinlichkeit w\ ~ ^ eines Über7t + tu { 1 - / ( f + t t > ) } 0(f, N(tv) • < 5 ( e ( f - tu) - £ (f) - u0H ! to I), bei Emission eines Schallquants *W\-" = (tf(h>)+l){l •d ( s ( t - tu) - - f(l - W)}0(t, £(!) + u0R |tn|). tv) (40b) Die Funktion 0 hängt v o m Matrixelement des Überganges ab. Wenn wir hier, um den Anschluß an frühere Rechnungen zu gewinnen, zunächst einmal wieder die vereinfachenden Annahmen von B l o c h zugrunde legen, dann ist 5 0(t,W) (41) = 0o\tv\; Dabei ist C eine für das Metall charakteristische Konstante und q dessen Dichte. Die weiteren Betrachtungen beziehen sich nur auf ein Flächenelement von S' im Punkte f 0 der Oberfläche. Wir vereinfachen die Rechnung, indem wir dort ein spezielles Koordinatensystem einführen. Wir nehmen f 0 als Ursprung und die z-Achse in Richtung von grad e. Es ist demnach in der Nähe von f 0 : e(t) =£(f0) + £ 'f2, (42) e' = | grad e |. Für £ machen wir den Ansatz: , — £ (f o) (X kx ß kx, grad £ • grad (f — e) = 0 ist. Das liefert die Bedingung ~ß~~P • ( 4 5 ) Für die „Diffusionsnäherung" sind in den folgenden Rechnungen nur die in e's linearen Glieder zu berücksichtigen. Es wird sich zeigen, daß das darauf hinausläuft, e j e ' als klein zu betrachten, und höhere Potenzen als die erste zu vernachlässigen. Zunächst kann man nach (43) bis (45) die Parameter a und ß durch e' und e' ausdrücken: a = 1 - ß = e' 1 - (e's/ey (e'sle') (e's/ey 0. Die Verteilungsfunktion in der unmittelbaren U m gebung von f 0 ist demnach gegeben durch : / <*> = 1 e (•s'kz-e'skx)IJcT (46) + 1 Wir betrachten nun zunächst die überhaupt möglichen Übergänge, die von einem Punkt der Ebene kx = 0 ausgehen. Der Impulssatz liefert : kz — kz -}- k'x = wz, (47) wx, Andererseits liefert der Energiesatz, wenn wir uns auf kleine Änderungen beschränken, und gleich die erste Gleichung von (47) mit heranziehen und die in (39) eingeführte Konstante x benutzen: (48) Die mittlere Verschiebung, die der Phasenpunkt eines Elektrons an der Stelle f = (0, 0, kz) durch Zusammenstöße mit dem Gitter erleidet, ist gegeben durch: {A iox) (43) Vgl. z. B. H. K o p p e , Z. Physik. 125, 74 [1948]. Vgl. z. B. A. S o m m e r f e l d u . H . B e t h e , Hdb. Physik X X I V , 2. S. 515, Gl. (34. 39). Man hat zu 4 5 kx — e (f0). wz = ± x |tt>|. der gleich noch die Orientierung der «/-Achse festlegt. Nach (33) fordern wir, daß a2 + ß (ß ~ £') = 0. e's = 8 kn to) (40a) a. t und ganges gilt bei Absorption eines Schallquants a PF (44) 7 kx • ß-8 At = C J ...i + m IT, w, diu (2n)3 (49a) berücksichtigen, daß man nach Dirac für die 1. c. benutzte Funktion £2 (x) — 2 n Utd (x) setzen darf. Diese Größe kann als mittlere Wanderungsgeschwindigkeit interpretiert werden. Den Diffusionsstrom sz erhält man dann, wenn man noch mit der Dichte /(0, 0, kz)/i txz multipliziert, und über kz integriert: J ° = d l ( 4 9 b ) wx | >0 | ö (e' \w ! — cli | tu |) '(ee'kzIJcT ^^-[e'fa + wj — eiwJllcT + u0 n I m I / K T 1+ uaK I m I ¡KT e 0 — 1 x — e 0. A Wir integrieren in (49) zunächst über wy. Dazu ist zunächst nach (48) | tu | durch wz/x zu ersetzen ; und die Integration geht dann nur über die ¿-Funktion. Es seien ± r] die Nullstellen des Arguments der ¿-Funktion, als Funktion von w y aufgefaßt. Dann ist + <» f dwvd(e' \wz\ — w0ft|tu |) =2 f ô(u0K CWy" J X 2 u0 % 1 d |tt)| CWy Wy = t] (wy - 1])) d Wy 2 \tot\. 8'X Ya—X*)w\ — X.lwl W x ] y = Tt~ KT W z ' z = TT~ ' k z , f i = ein, und erhalten dann •?r - <Z>o & TV ')66 x 2 16 7i® (e') 4- y \' 1 — v. ¡K + x f dz J — X f dy :y \y (e»—\) (ez + 1) JX lev — 2 J x d.r (e- v - « + « x _j_ i) ^(1 —y.*) z* — x2 x — y V1 — K* I* = L73 C*{KT)* Tr4 gu0(e')7 5. töl) 1 — x* x5 ' * ' Diskussion I m letzten Abschnitt ist gezeigt worden, daß man unter gewissen vereinfachenden Annahmen tatsächlich eine skalare Diffusionskonstante erhält , wie sie als einfachste Möglichkeit nach (20) in Betracht gezogen worden ist. Allerdings ist A nicht wirklich konstant, wie bei der Rechnung, die zu (30 a) führte, angenommen worden ist, sondern hängt schon für freie Elektronen von K ab. Für die Leitfähigkeit für kleine Stromstärken, a 0 , nach (31) macht das aber nichts aus. Setzen wir A nach (52) ein, so erhalten wir I m verbleibenden Integral führen wir neue Variablen * = y y , Sg- Um daraus die Diffusionskonstante A zu gewinnen, bemerken wir, daß hier kx und kv die Rolle der Oberflächenparameter u, v spielen. In diesem Fall ist glk = gik = dik, g = 1 und Vergleich von (51) mit (19) gibt (50) e' wJKT , * —1 71(1 — X2) ye~v~z 3 2 x {e-v- z + l)2" 1,73 C2 (K T)5 1 —*2 Tr* QU0(e'y x* Wegen der ¿-Funktion kann man immer |tu| durch x~x ] wz | ersetzen. Eine kurze Rechnung ergibt dann, daß JV*(IÜ) • ! tu | = fx Die beiden verbleibenden Integrationen lassen sich ohne Schwierigkeiten ausführen, und man erhält, wenn man noch für 0O aus (41) einsetzt 6 für w, > 0 J für w, < 2 d.c H e~ y - z ^ ux xXe- y - Z + 1)2 J ]f(ï—x2)y2 — x2x2 ) ' ] Dabei ist iV*(tu) = Gemäß den oben gemachten Bemerkungen haben wir hier den in e' (also jetzt ¡u) linearen Teil zu berechnen; das zweite Integral kann also ersetzt werden durch a° = 3 jr2n4/» q Uq 6 Ti* E' 2 24 • 1,73.t; ( 1 - K 2 ) C 2 (53) Dieser Wert sollte mit dem früher von B l o c h 7 auf andere Weise, aber etwa mit den gleichen Näherungsannahmen berechneten übereinstimmen. Wertet man beide Ausdrücke für freie Elek- 6 In dieser Gleichung ist 1,73 x -o 1 — E — 3 1 n5 7 Vgl. A. S o m m e r f e l d u. H. B e t h e , Physik X I V , 2, S. 525 Gl. (36, 12). Hdb. tronen aus, dann zeigt sich Übereinstimmung bis auf den Faktor (1 — x2), der bei B l o c h fehlt, und für Metalle meist ~ 1 ist. In der vorliegenden Untersuchung sollte das neue Verfahren zunächst einmal in groben Umrissen dargestellt werden. In der vorliegenden Form ist es nur für räumlich homogene Probleme brauchbar, also für Leitfähigkeit und galvanomagnetische Effekte. Es muß natürlich möglich sein, es so zu verallgemeinern, daß man z. B. auch thermoelektrische Effekte behandeln kann. Im Laufe der Rechnung sind zahlreiche Näherungen benützt worden: a) Beschränkung auf freie Elektronen, b) Beschränkung auf kleine Stromstärken, c) Diffusionsnäherung. Die beiden ersten Näherungsannahmen sind bereits von B l o c h gemacht worden, während die dritte für die neue Methode kennzeichnend ist. Wir wollen in der oben angegebenen Reihenfolge diskutieren, wie weit man sich von diesen Einschränkungen frei machen kann. Verhältnismäßig einfach ist die Berücksichtigung der Bindung der Elektronen und der ebenfalls durch die Gitterstruktur bedingten Anisotropie der Schallgeschwindigkeit, und zwar deshalb, weil man immer nur ein Oberflächenelement der Fermi-Oberfläche zu betrachten hat. An den Rechnungen des Abschnitts 5 ändert sich dann zweierlei: erstens hat man für e (!) die richtige Funktion einzusetzen, und zweitens nimmt 0\ + 115 Tensorcharakter an, d. h. es hängt von der Orientierung von f und ft) zu den Kristallachsen ab. Der zweite Punkt dürfte übrigens von untergeordneter Bedeutung sein, so daß zu erwarten ist, daß man schon zumindest qualitativ richtige Resultate erhält, wenn man lediglich den korrekten Wert für e' = | grad e | in (52) einsetzt. Die Beschränkung auf kleine Stromstärken ist im wesentlichen dadurch hereingekommen, daß bei den vorausgehenden Rechnungen nur die in £s linearen Glieder berücksichtigt worden sind. Geht man hier zu höheren Näherungen über, dann wird A nicht nur ein Funktion von es, sondern hängt auch noch von (ö{f s ) 2 = glk 8kes ab. Weiterhin muß man aber jetzt die Struktur der Übergangsschicht genauer ermitteln. Dazu benutzt man den allgemeinen Ansatz nach (8) und bestimmt ip aus der Bedingung, daß<zltü >/zl t (vgl. 49a) parallel zur Oberfläche gerichtet ist; das ist die Bedingung dafür, daß die Übergangsschicht stationär bleibt. Man erhält auf diese Weise eine Integralgleichung für ip. Für die Gültigkeit der Diffusionsnäherung ist erforderlich, daß die größten Impulsänderungen (A kM), die mit einiger Wahrscheinlichkeit vorkommen, klein gegen K sind. Man sieht leicht, daß dafür vor allem die Stöße kritisch sind, bei denen ein f vom äußersten Rand der Übergangsschicht unter Energieabgabe an den unteren Rand springt . Die dabei maximal mögliche Änderung (A k)M kann man aus der Abb. 1 ablesen, die sich nach dem im Abschnitt 5 Gesagten von selbst erklärt. Man erhält: (Ak)M K = KT 1 77, • K | grad e | x — |/ 1 — x- i54) Der erste Faktor dabei ist von der Größenordnung (kT/Nullpunktsenergie). Die Diffusionsnäherung gilt um so besser, je kleiner T ist, und im wesentlichen unter der Voraussetzung, daß man sich weit unterhalb der Entartungstemperatur befindet. Der zweite Faktor bringt zum Ausdruck, daß die Fermi-Oberfläche nicht zu sehr gegen die Flächen konstanter Energie geneigt sein darf. Der Grund dafür ist,drß dann für Emissionsprozesse die Begrenzung von A X durch das Pauli-Verbot versagt, und die Elektronen nach einer Seite ,,abrutschen". Wie oben bereits bemerkt, versagt die Diffusionsnäherung grundsätzlich für Umklapp-Prozesse. Wir wollen durch eine einfache Betrachtung zeigen, wie man hier wenigstens zu einer annähernden Berücksichtigung kommen kann. Zunächst sind Umklapp-Prozesse nur möglich für Wellenzahlen, die in der unmittelbaren Nähe einer Brillouinschen Zone liegen. Es ist nun möglich, daß sich bei wachsender Stromstärke die Fermi-Oberfläche an einer Stelle einer solchen Brillouinschen Zone nähert. Dann haben die Elektronen dort die Möglichkeit umzuklappen, indem sie unmittelbar zu einem im f-Raum gegenüberliegenden Punkt springen, der dann im allgemeinen außerhalb der Fermi-Verteilung liegen wird. Von dort aus fallen sie durch Zusammenstöße mit dem Gitter auf die Oberfläche S zurück. I m ganzen ergibt sich, daß in den Teilen der Oberfläche, die in die Nähe einer Brillouinschen Zone kommen, eine scheinbare A b sorption v o n Phasenpunkten eintritt, und daß diese Phasenpunkte den anderen Stellen der Oberfläche mit einer berechenbaren Wahrscheinlichkeitsverteilung wieder hinzugefügt werden. Das kann man in der Grundgleichung (23) berücksichtigen, die dadurch dem Charakter einer Differentialgleichung genügt und sich in eine IntegroDifferentialgleichung verwandelt. Das qualitative Ergebnis dürfte sein, daß sich die Fermi-Verteilung an einer Brillouinschen Zone „plattdrückt", d. h. man erhält hier eine bestimmte Stromstärke nichtlinearer Abweichungen v o m Ohmschen Gesetz. Die vorliegende Untersuchung wurde im wesentlichen im Sommer 1950 am D e p a r t m e n t of P h y s i c s der U n i v e r s i t y of B r i t i s h C o l u m b i a durchgeführt. Es ist mir eine angenehme Pflicht, an dieser Stelle Herrn J.M B r y a n für seine Mithilfe, und dem N a t i o n a l R e s e a r c h C o u n c i l of C a n a d a für die Gewährung eines Stipendiums herzlich zu danken. A n h a n g : F o r m e l n für P o l a r k o o r d i n a t e n Bei Vektoren sind die Komponenten in der Reihenfolge x, y, z untereinandergeschrieben. bedeutet d%!d& usw. : sin # cos cp + x cos # cos cp' sin # sin cp + x cos # sin cp Xo cos — % sin # fär/J: x<f sin ft cos <P ~~ X sin ft sin V Xp sin •& sin cp x sin $ cos cp X<P cos # X f9J: y2 sin3 # cos cp + XX<P sin V — xXff cos ft sin ft cos <P X2 sin 3 # sin cp — xXy cos <P — x Xöcos fts*n fts*n y X2 cos # sin # -f- x Xti s * n 2 ft g = xx sin2 0 + x2 Xv2 + X2 Xu2 sin2 99w Qffff = 9/)<P = 9<pv = 99m =X2 ft + Xft = XoX<P = X2 sin2 ft + X<2 2 Einfache Van de Graaff-Generatoren mit doppelter Bandbeladung V o n A . FLAMMERSFELD u n d G. W E B E R Aus dem Max-Planck-Institut für Chemie, Mainz (Z. Naturforschg. 7a, 161-164 [1952; eingegangen am 17. Oktober 1951) Die Stromausbeute gewöhnlicher Van de Graaff-Generatoren, d. h. solcher, bei denen keine Bänder aufeinander schleifen, war bisher dadurch begrenzt, daß das Band nur halbseitig beladen werden konnte. Es wird eine neue Beladevorrichtung beschrieben, die doppelseitige Beladung gestattet, d. h. bei der auf beiden Seiten jeder Bandhälfte im Prinzip die volle Durchbruchsfeldstärke erreicht werden kann. Bei zwei ausgeführten Konstruktionen, von denen eine mit einem Potentialsteuersystem für das Hauptfeld ausgestattet ist, konnte die Stromstärke auf das rund 1,7-fache des ursprünglichen Wertes gesteigert werden. ie elektrischen Vorgänge an elektrostatischen Hochspannungserzeugern sind erstmalig von K o s s e i 1 genauer behandelt und aufgeklärt worden. Danach ist die Leistungsfähigkeit derartiger Maschinen dadurch begrenzt, daß die Durchbruchsfeldstärke des umgebenden Mediums nirgends überschritten werden darf, was sowohl die 1 W . K o s s e i , Z. Physik 111, 264 [1938/39]. D Höhe der erreichbaren Spannung wie die von einem gegebenen Band maximal transportierte Ladung bestimmt. In der vorliegenden Arbeit wurden besonders die Verhältnisse untersucht, die bei den Maschinen üblicher Bauart die Stromstärke begrenzen. Die einfachste Bauart ist die folgende (Abb. 1 a): Über zwei Walzen läuft ein isolierendes endloses