Von Andreas Enns Proseminar SS 2010 RASTERTUNNELMIKROSKOPIE Inhalt Allgemeines zum STM Was sind die Vorzüge des STM? Die Theorie - Welche Physik steckt dahinter? 1. 2. 3. 1. 2. Aufbau und Funktionsweise eines STM 4. 1. 2. 3. 4. 5. 6. Der Tunneleffekt Piezoelektrischer Effekt Der Tunnelstrom Die Spitze Die Vorspannung Operationsmodi / Wie werden Aufnahmen erstellt? Beispiele Literatur 1.Allgemeines zum STM Das Raster-Tunnel-Mikroskop (RTM) ist ein Mikroskop zur Untersuchung von Oberflächenstrukturen (Leiter und Halbleiter) Englisch: STM für Scanning Tunneling Microscope Prinzip: Scannen einer Oberfläche mittels Tunnelstrom I T 1. Allgemeines zum STM Erfindung im Jahr 1981 von Gerd Binnig (geb. 1947) und Heinrich Rohrer (geb. 1933) am IBM-Forschungszentrum in Zürich (Nobelpreis 1986) Bis dahin unerreichte Auflösung atomarer Strukturen auf Oberflächen Binnig Heute weit verbreitet in Physik, Biologie und Chemie Rohrer 2. Was sind die Vorzüge des STM? Auflösung: lateral bis zu 0,1 nm und vertikal 0,01 nm Abbilden von individuellen Atomen möglich zum Vergleich: FIM (Field Ion Microscp.) und REM (Reflection Electron Microscp.) erreichen vertikal „nur“ ca. 1 nm Aufnahmen in verschiedenen Umgebungen möglich: in Vakuum, Luft, Wasser, bei hoher und niedriger Temperatur Oft keine Präparation der Probe notwendig Probe bleibt meistens unbeschädigt Biologische und chemische In-Situ Studien möglich 3D-Echzeit Aufnahmen Oberflächen- und Atommanipulation 3.Die Theorie Welche physikalischen Effekte werden genutzt? Tunneleffekt Piezoelektrischer Effekt 3.1 Der Tunnel-Effekt Tunneln durch eine Barriere in klassischer Physik unmöglich Quantenmechanik: Ψ > 0 gewisse Wahrscheinlichkeit, dass Teilchen tunnelt Wobei Ψ ~ exp{-2Кd} und К= √(const*[ɸ-E]) 3.2 Piezoelektrischer Effekt Nur in nichtleitenden Materialien möglich Für STM meistens Piezokristalle Für STM inverser Piezoeffekt notwendig: Anlegen von Spannung bewirkt Dehnung des Materials 4. Aufbau und Funktionsweise eines STM 4. Aufbau und Funktionsweise eines STM 4.1 Der Tunnelstrom ITunnel ~ U*exp{-2Кd} Typisches Potential (Vakuum) 4-5 eV jede Abstandsänderung von 1 Angström bewirkt Stromänderung um ca. eine Ordnung. Diese exponentielle Anhängigkeit ist die Ursache für die hohe Auflösung des STM, denn schon atomare Abstandsänderungen bewirken eine gut messbare Änderung des Stroms. 4.2 Die Spitze Man nimmt an, dass bei beliebiger Spitze ein Atom das Vorderste bildet: Das vorderste Atom ist für den größten Teil des Tunnelstroms verantwortlich 4.3 Die Vorspannung (Bias) Vorspannung erhöht die Fermi-Energie der Probe relativ zur Messpitze Rechts entstehen unbesetzte Zustände, sodass Elektronen tunneln können 4.4 Operationsmodi Wie werden Aufnahmen erstellt? Hauptsächlich 2 Messmodi: 1. Constant Height Mode (CHM) 2. Constant Current Mode (CCM) 4.4 Constant Height Mode (CHM) Spitze bewegt sich nur in x-y-Richtung bzw. in der x-y-Ebene Z = const. (Spitze wird konstant auf einer Höhe gehalten) Strom als Fkt. von der x-y Position Vorteil: Sehr hohe Scanfrequenz (bis zu 10kHz, d.h. 10000 Bilder pro sec) Nachteil: Nur für relativ flache Oberflächen möglich 4.4 Constant Current Mode (CCM) Abstand der Spitze zur Probe wird durch einen Regelkreis konstant gehalten Höhe Z als Fkt. von x-y Position (ähnlich einer topographischen Aufnahme) Vorteil: Topographische Aufnahme Nachteil: langsame Scangeschw. ( von 1 Hz und abwärts) 4.4 Datenauswertung Im CCM wird jede Z-Korrektur als als x-y Position gespeichert Raster als Graustufenebene darstellbar oder als topographisches Muster Statt Graustufen auch farbige Palette möglich 5. Beispiele Links: Si(111) Oberfläche (ca. 1 μm^2) Rechts: Vergrößerte Darstellung des Si(111) Weiße Punkte in Dreiecksform angeordnet stellen einzelne Si-Atome dar Seitenlänge der Dreiecke ca. 2,7 nm 5. Beispiele Aufnahme einer Graphitoberfläche (hexagonale Gitterstruktur) 5. Quantum Corrals 1993 von Don Eigler entdeckt Eisenatome werden kreisförmig auf einer Kupferoberfläche angeordnet eingeschlossene Elektronen auf Kupferoberfläche bilden stehende Wellen aus. Bestätigung der Wellennatur von Materie 5. Aufnahmen mit dem STM Literatur Chunli Bai, „Scanning Tunneling Microscopy and its Application“, Springer Verlag 1995 Tipler/Mosca, „Physik“, 2. Aufl., Spektrum Verlag Dawn A. Bonnell, „Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy“, VCH 1993 Internet: http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope http://www.jaist.ac.jp/ms/english/research_list/equipments/STM.html http://www.mrsec.wisc.edu/Edetc/background/STM/ http://hoffman.physics.harvard.edu/research/STMintro.php http://scholar.lib.vt.edu/ejournals/SPT/v8n2/hennig.html Danke fürs Zuhören!