MIKROPROZESSOR PROGRAMMIERUNG LV

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MIKROPROZESSOR
PROGRAMMIERUNG
4. VORLESUNG
BIT
LV-Nr. 439.026
SS2007
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INSTITUT FÜR ELEKTRONIK
HINTERBERGER M. 2007
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Ein Halbleiterspeicher dient der zeitlich begrenzten und unbegrenzten
Aufbewahrung von Daten, Zuständen und Programmen in Form von digitalen
Signalen.
Das Speichern umfasst das Schreiben und Lesen in eine oder mehrere
Speicherzellen. Zum Speichern in Speicherzellen macht man sich die
physikalischen Effekte zu Nutze, die zwei verschiedene Zustände eindeutig
erzeugen und erkennen lassen.
Beispiele
1. Zustand 2. Zustand
an
aus
1
0
viel
wenig
groß
klein
+5V
0V
+3,3V
0V
2
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Halbleiterspeicher sind Speichermedien, die mittels Halbleitertechnologie hergestellt
werden. Dabei dient der Halbleiter nicht als Speichermedium sondern die mit ihm
hergestellte elektronische Schaltung in einem integriertem Schaltkreis. Diese
Schaltungen wurden früher mittels Röhren oder Relais verwirklicht.
Ein Speicherelement ist eine abstrakte Umschreibung für ein Element, das ein Bit speichert und 2 Zustände High oder
Low (logische 0/1) besitzt. Die kleinste adressierbare Einheit eines Arbeitsspeichers sind meist 8 Bit, also ein Byte.
Früher waren auch Halbbytes (4 Bit) oder 7 Bit üblich. In 16-, 32- und 64-Bit-Systemen sind üblicherweise alle Bytes
einzeln adressierbar. Ein Speicherelement ist also auch dort ein Byte. Manchmal werden in Systemen aber auch nur
16-, 32- oder 64-Bit-Wörter als Speicherelemente adressiert.
Realisierung in Halbleitertechnologie:
Das 1-Bit-Speicherelement ist mittels weniger Transistoren oder einer Kombination aus Transistoren und
Kondensatoren realisierbar.
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
HALBLEITERSPEICHER
Tabellenspeicher
RAM
ROM
STATISCH
MROM
SRAM
PROM
DYNAMISCH
EPROM
DRAM
EEPROM
FLASH
Funktionsspeicher
FPGA
RAM…
ROM…
M/P…
EP…
EE…
PLD…
FPGA…
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PLD
RANDOM ACCESS MEMORY
READ ONLY MEMORY
MASKENPROGRAMMIERBAR / PROGRAMMIERBAR
LÖSCHBAR & PROGRAMMIERBAR
ELEKTRISCH LÖSCHBAR & PROGRAMMIERBAR
PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE
FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Die Speicherkapazität C ist die maximale speicherbare
Informationsmenge in Bit oder Byte. C wird auf die kleinste,
getrennt adressierbare Informationseinheit bezogen.
Übliche Angaben:
1K = 210
1M = 220
1G = 230
1 Bit - (21 = 2 mögliche Zustände), z. B. 0/1
1 Byte = 8 bit
1 KByte = 1024 Byte
1 MByte = 220 = 1048576 Byte
1 GBit = 230 Byte = 1 073 741 824 Byte
Kenngrößen von Halbleiterspeichern:
•Speicherkapazität
•Speicherorganisation " Auswahlprinzip der Speicherzelle
•Zugriffszeit " Zeit, die von der Adressbereitstellung bis zur Ausgabe gültiger
Daten am Speicher vergeht
•Zykluszeit " kleinste zulässige Zeitdifferenz zwischen zwei Speicherzugriffen
(Lese/Schreibzyklus unterschiedlich)
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
µC/µP/DSP SYSTEME
DATENSPEICHER
& VARIABLEN
PROGRAMMSPEICHER
& KONSTANTEN
MROM (maskenprogrammierbarer ROM)
PROM (Programmierbares ROM)
EPROM (Erasable Programmable ROM)
OTP (One Time Programmable)
EEPROM (Electrically EPROM)
FLASH Memory
NOVRAM (Nonvolatile SRAM)
…
..
.
SRAM (statischer RAM)
DRAM (dynamisches RAM)
NOVRAM (Nonvolatile SRAM)
EEPROM (Electrically EPROM)
EDO – DRAM (EDO = Extended Data Out)
EDRAM (Enhanced DRAM)
SDRAM (Synchronous DRAM)
VRAM (Video RAM)
…
..
.
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Festwertspeicher
ROM (Read Only Memory) sind nichtflüchtige Speicher, die eine
gespeicherte Information beliebig oft auslesen gestatten. Das Löschen oder
Umschreiben der Information ist im eigentlichen Arbeitsrhythmus des
Speichers nicht möglich
Maskenprogrammierte ROM:
MROM sind Kundenwunsch Schaltkreise mit hohem Vorfertigungsgrad. Die Programmierung erfolgt beim
Schaltkreishersteller
Bei den maskenprogrammierten ROMs sind je nach zu
speicherndem Bit mittels Maske bei der Herstellung
des ICs, Brücken eingebaut, oder nicht. Bei
Ansteuerung mit Brücke ist der Transistor leitend,
sodass am Widerstand eine Spannung ansteht (Bit 1).
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Programmierbare ROM:
PROM sind vom Anwender einmal programmierbar, aber nicht wieder löschbar
Es gibt auch ROMs, die erst vom Anwender mit Bits beladen
(programmiert) werden. Bei diesen PROMs sind dünne
Schmelzleiter
eingebaut,
die
beim
Programmieren
durchgebrannt werden.
Die ursprünglichen PROMs werden inzwischen nahezu nicht
mehr verwendet. Heutige PROMs sind in Wirklichkeit nichts
anderes als EPROMs ohne Löschfenster
Allgemeine Eigenschaften der PROM:
• freie Programmierbarkeit
• keine Lösch- oder Umprogrammiermöglichkeit
• Programmierfehler sind nicht behebbar
• wird fast nicht mehr verwendet " EPROM !
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Re-Programmierbare ROM:
EPROM sind kostengünstige ROM Bausteine zur mehrmaligen Programmierung durch den Anwender.
Bei EPROMs enthält das Speicherelement einen FET mit
„schwebendem Gate“. Dieses lädt sich bei der Programmierung
langlebig auf, sodass der Speicherinhalt für viele Jahre erhalten
bleibt, und zwar auch ohne Betriebsspannung. Ein EPROM hat
zum Löschen ein Quarzglasfenster. Wird das EPROM mehrere
Minuten lang mit UV-Licht bestrahlt, so entlädt sich das
schwebende Gate, sodass eine erneute Programmierung möglich
wird.
Allgemeine Eigenschaften der EPROM:
UV-LICHT
• frei programmierbare Festwertspeicher
• vom Anwender programmierbar, löschbar und re-programmierbar
• unprogrammierbar (gelöscht) liegen alle Zellen auf H-Pegel
• Programmierspannungen und Zeitbedingungen bei verschiedenen Typen und Herstellern
unterschiedlich (Programmiergerät verwenden)
• zum Löschen UV-Löschgeräte benutzen
• Anwendung: flexibler und zeitlich stabiler Programmspeicher (die gespeicherten Daten sind nach
Herstellerangaben über 10 Jahre stabil)
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Re-Programmierbare ROM:
EEPROM (E²PROM) sind ROM Bausteine zur mehrmaligen Programmierung durch den Anwender
Electrical erasable PROM ist ein Oberbegriff für
mehrere Varianten, die Bit-, Wort- Sektorweise oder
vollständig löschbar und neu programmierbar sind.
Sie nehmen eine Zwitterstellung zwischen RAM und
ROM ein.
Allgemeine Eigenschaften der E²PROM:
• frei programmierbare Festwertspeicher
• vom Anwender wiederholt programmierbar (nach Herstellerangaben bis zu 106 Lösch/Schreibzyklen
möglich)
• Programmierspannungen und Zeitbedingungen bei verschiedenen Typen und Herstellern
unterschiedlich (Programmiergeräte verwenden)
• Anwendung: zeitlich stabiler Programmspeicher (die gespeicherten Daten sind nach
Herstellerangaben über 10 Jahre stabil)
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Re-Programmierbare ROM:
FLASH – Speicher (Flash-EPROM) sind flexible ROM Bausteine mit hoher Speicherdichte zur mehrmaligen
Programmierung durch den Anwender
Im Gegensatz zu „gewöhnlichem“ EEPROM-Speicher
lassen sich beim Flash-EEPROM Bytes, die kleinste
adressierbare Speichereinheit, nicht einzeln löschen.
Anwendung finden Flash-Speicher überall dort, wo
Informationen persistent (nichtflüchtig) auf kleinstem
Raum gespeichert werden müssen.
Allgemeine Eigenschaften der FLASH- Speicher:
• frei programmierbare und freilöschbare Festwertspeicher
• vom Anwender schnell programmierbar und auch schnell (elektrisch) löschbar
• eingebaute Programmierhilfen ermöglichen eine einfache Handhabung
• Bausteine sind EPROM anschlusskompatibel (Austausch gegen EPROM der gleichen
Typennummer ist möglich)
• zum Löschen und Re-Programmieren können die Bausteine auf der Leiterplatte verbleiben (OBP:
On Board Programming; dazu wird das Programmiergerät über Steckadapter angeschlossen)
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
FLASH- SPEICHER
PROGRAMMIEREN
LÖSCHEN
Anmerkung:
Ein Flash-Speicher besteht aus einer bestimmten, von der Speichergröße abhängigen Anzahl einzelner Speicherelemente. Die
Speicherung eines Bits innerhalb eines solchen Speicherelements erfolgt über ein Floating Gate, dem eigentlichen
Speicherelement des Flash-FETs. Es liegt zwischen dem Steuer-Gate und der Source- Drain- Stecke und ist von dieser wie auch
vom Steuer- Gate jeweils mittels einer Oxid- Schicht isoliert. Im ungeladenen Zustand des Floating Gate kann bei am Gate
aufgesteuertem Transistor in der Source- Drain- Strecke (sog. Kanal) ein Strom fließen. Werden über das Steuer- Gate durch
Anlegen einer hohen positiven (10..18 V) Spannung Elektronen auf das Floating- Gate gebracht, so kann in der Source- DrainStrecke auch bei aufgesteuertem Transistor kein Strom mehr fließen: das negative Potential der Elektronen auf dem Floating Gate
wirkt der Spannung am Steuer- Gate entgegen und hält den Flash-Transistor geschlossen. Der ungeladene Zustand wird wieder
erreicht, indem die Elektronen durch Anlegen einer hohen negativen Spannung über die Steuergate- Kanal- Strecke wieder aus
dem Floating Gate ausgetrieben werden.
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
FLASH- SPEICHER
VORTEILE:
• Datenerhalt bei fehlender Versorgungsspannung (nichtflüchtiger
Speicher/nonvolatile Memory)
• geringer Energieverbrauch im Betrieb
• günstiger Massenspeicher
• Auslesen funktioniert bei NOR-Typen genau so wie bei
herkömmlichen statischen RAM-Bausteinen
• resistent gegen Erschütterungen
• kleine Bauform
NACHTEILE:
• langsamer als RAM (Random Access Memory), vor allem beim Schreiben
• es können (oft) nur ganze Sektoren auf einmal gelöscht werden
• relativ komplexe Ansteuerung beim Schreiben/Löschen (Memory
Controller erforderlich, z. T. werden Flash-Speicher sogar mit eigenen
intelligenten Interfaces ausgestattet)
• begrenzte Anzahl von Schreibzyklen, schon beim Annähern an diese
Grenze steigende Unzuverlässigkeit
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Schreib – Lesespeicher RAM
RAM (Random Access Memory) sind Arbeitsspeicher, die schnelles
Speichern (Schreiben) und Lesen von Daten ermöglichen
Schreiben und Lesen sind getrennte Vorgänge. Beim Lesen wird die gespeicherte (d.h.
vorher eingeschriebene) Information nicht gelöscht. Beim Schreiben wird die vorher
gespeicherte Information überschrieben. RAMs sind in der Regel flüchtige Speicher, beim
Ausschalten der Betriebsspannung gehen alle Informationen verloren.
Sonderausführungen zum Speicherschutz:
• Batteriegepufferte CMOS Speicher (Zero Power RAM)
• Kombination aus RAM und EEPROM (NOVRAM = Non Volatile RAM)
Geschichte:
Ende der fünfziger Jahre entwickelten Vorläuferfirmen von Silicon Valley integrierte
Schaltkreise zur Datenspeicherung. Somit wurden die schweren, langsamen und teilweise
unzuverlässigen Ferritkerne ersetzt.
Der RAM dient zur kurzfristigen Speicherung von Daten und ermöglicht das Abarbeiten von
Programmen durch die CPU. Diese werden hierbei von einem externen Datenträger gelesen
und in den Arbeitsspeicher geschrieben. Nachdem eine Auswertung und Veränderung
erfolgt ist, müssen sie wieder auf den Datenträger gebracht werden. Die Verbindung erfolgt
über Busse (Adressbus, Datenbus, Steuerbus)
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Statische RAM (SRAM) speichern die Information in statischen Speicherzellen. Die
Speicherwirkung ist an das Vorhandensein der Versorgungsspannung gebunden (flüchtige
Speicherung). Im Gegensatz zu DRAMs müssen, um die Daten zu erhalten, außer der
Betriebsspannung keine Signale zum Auffrischen erzeugt werden. Die Daten bleiben also
auch bei statischer Ansteuerung erhalten, ohne dass die Steuerleitungen ihren Zustand
ändern.
Aufbau:
Die elementare Speicherzelle eines SRAM ist das Flipflop.
Durch diese Realisierung ist der Speicherbaustein relativ
schnell und lässt sich einfach ansteuern. Der Nachteil liegt
jedoch in der technologisch aufwendigen (teuren)
Herstellung. Zudem kommt ein größerer Strom- und
Platzbedarf, da für das Flipflop und dessen Ansteuerung
mindestens 6 Transistoren benötigt werden.
Flip-Flop:
SRAM- Chip:
Ein 4 Mbit großen SRAMSpeicher, bei dem jede 1bit-Speicherzelle
bestehend aus sechs
Transistoren - auf einer
Fläche von 0,57 µm² Platz
findet
Ein Flipflop (engl. flip-flop), auch bistabile Kippstufe oder
bistabiles Kippglied genannt, ist eine elektronische Schaltung,
die zwei stabile Zustände einnehmen und diese speichern
kann.
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
SRAM - Ausführungen
• Asynchrone Speicher (Asynchronous Static Memory)
Diese Speicher benötigen kein Taktsignal und sind adressen-aktivierbar
• Synchrone Speicher (Synchronous Static Memory)
SRAM mit getakteter Adresseingabe in einen Zwischenspeicher
•Burst–RAM " sind synchrone SRAM mit integriertem
Burst Zähler (z.B. bei CACHE Speichern). Vom Prozessor
wird nur die Startadresse auf den Adressbus gelegt. Nach
der Zwischenspeicherung im Adressregister des RAMs
kann der Prozessor andere Operationen durchführen.
Anmerkung:
Prinzipielle Anordnung der Speicherzellen in Reihen
und Spalten (Matrix) in einem RAM. Die
Adresscodierer befinden sich auf dem gleichen Chip.
Der Schreib- / Leseschaltkreis schaltet die
Informationsrichtung um und verstärkt die schwachen
Signale der adressierten Speicherzellen.
Schreib/Lesevorgang: ~5-60ns/~5-60ns
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
Dynamische RAM (DRAM) speichern die Information in dynamischen Speicherzellen. Die
Speicherwirkung ist an das Vorhandensein der Versorgungsspannung und eine periodische
Datenauffrischung (Refresh) gebunden (flüchige Speicher)
Prinzip:
Prinzipschaltung von DRAM
Diese Form des RAMs besteht nur aus einem Transistor, der zusammen mit
einem Kondensator eine Zelle bildet. Durch diese Kombination werden höchste
Speicherkapazitäten auf kleinstem Raum erreicht, was allerdings
Zugeständnisse in der Geschwindigkeit und eine aufwendige Steuerung
erfordert. Dafür sind die Herstellungskosten im Gegensatz zum SRAM geringer.
Um ein Überforderung des Speicherchips bei zu hoher Taktfrequenz zu
vermeiden, werden Wartezyklen eingeführt, die die Zugriffsgeschwindigkeit
herabzusetzen.
Da Kondensatoren ihre Ladung verlieren ist eine periodische Auffrischung
notwendig. Diese erfolgt ca. alle 3 ms, wobei der Inhalt gelesen, verstärkt und
erneut abgespeichert wird.
Funktionsweise:
Jede Speicherzelle besteht aus 3 Schichten, die oberste Schicht, die Zellplatte,
steht ständig unter positiver Spannung. Darunter befindet sich eine
Isolierschicht
und
eine
Lage
aus
dotiertem
Silicium.
Durch die positive Spannung der oberen Schicht werden die Elektronen der
unteren angezogen, so daß sie unter der Isolierschicht kleben, dieser stabile
Zustand entspricht der binären Null. Durch positive Spannung lassen sich die an
der Isolierschicht angelagerten Elektronen absaugen. Dadurch entsteht eine
Raumladungszone ohne freie Elektronen, die einer binären Eins entspricht. Da
dieser Zustand instabil ist, muss eine Auffrischung erfolgen. Deswegen besteht
der größte Teil des Speicherchips aus einem Speicherzellenfeld, welches für die
Speicherung vieler Einsen und Nullen verwendet wird. Durch die Anordnung der
Zellen in Form einer Matrix wird jede Speicherzelle durch eine Zeilen- und
Spaltennummer eindeutig bestimmt.
Schreib/Lesevorgang: ~25-50ns/~25-50ns
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Speicherkomponenten - Halbleiterspeicher
RAM Übersicht (nicht vollständig):
Abkürzung
Erklärung
Bemerkung
SRAM
static random access memory
schnell, teuer, ohne refresh
SSRAM
synchronous SRAM
synchronisiert
DRAM
dynamic random access memory
benötigt refresh, preiswert
CDRAM
cached DRAM
sync. Zugriff durch SRAM Cache
EDO-RAM
extended data out DRAM
gepufferter Datenausgang
EDRAM
enhanced DRAM
integrierter SRAM Cache
MDRAM
Multibank DRAM
einzelne 32 KByte Speicherbänke
PM-DRAM
page mode DRAM
beschl. Zugriff bei gleicher Zelle
RDRAM
rambus DRAM
sehr schneller Datenbus
SDRAM
synchronous DRAM
synchroner Speicherzugriff
3D-RAM
Grafikspeicher, auf 3D- Operat. optimiert
FBRAM
frame buffer RAM
interne ALU für Z-Vektor bei 3D- Operat.
FRAM
ferroelektrisches RAM
Prinzip des ferroelektr. Kondensators
NVRAM
non volatile RAM
Kombination aus SRAM und EEPROM
SGRAM
synchronous graphic RAM
SDRAM mit zusätzl. Videofunktionen
VRAM
Video RAM
gleichzeitiger Zugriff von 2 Seiten
WRAM
Windows RAM
VRAM mit EDO Eigenschaften
weiterhin existieren noch kombinierte Speichertypen mit dem Burst- sowie dem Piplined- Burst- Modus
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On-Chip Peripherie – Systemkomponenten für µC
On-Chip Peripherie eines C167 µC von Infineon :
Allg. Beispiele für µC-Peripherie:
• Interrupt Controller
•Taktoszillator
• Eingabe- und Ausgabe- Ports (I/O Ports)
• Timer (verschiedene Timer und CounterFunktionen)
• Kommunikationsschnittstellen (UART, I²C,
SPI, CAN, IrDA…)
• Analog/Digital-Umsetzer (ADU)
• Digital/Analog-Umsetzer (DAU)
• Externe Interrupts
• Echtzeituhr (RealTime Clock RTC)
• WatchDogTimer (WDT)
• Ansteuerung von
Anzeigebauelementen
(LCD- Anzeigen, LED Anzeigen)
• Verschiedene Stromsparfunktionen
• Debugging- Unterstützung
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On-Chip Peripherie – Systemkomponenten für µC
Interrupt-System:
Die Auslegung eines Interrupt-Systems für einen µC wird durch die integrierenden
Interrupt- fähigen Peripheriekomponenten bestimmt
Eigenschaften vieler Interrupt- Systeme:
• Jede Interrupt – Quelle verfügt über ein eigenes Enable Flag
• über ein globales Enable– Flag kann die Weiterleitung von Interrupt- Anmeldungen an den
Core gesperrt werden
• Nach einem RESET ist eine Grundpriorität der Interrupt- Quellen eingestellt
• Es bestehen umfangreiche Möglichkeiten zur Einstellung der Prioritäten
• Unterschiedliche Interrupts benutzen z.T. den gleichen Interrupt- Vektor
• Auftretende Interrupt Ereignisse werden in Request– Flags gespeichert
• Request Flags können auch zum Polling benutzt werden
Hinweis:
Der in die Interrupt- Vektortabelle einzutragenden Interrupt Vektor für die entsprechende On- Chip Komponente ist bei
vielen µC die direkte Startadresse der Interrupt – Serviceroutine (ISR) und kein Sprungbefehl zur ISR !
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On-Chip Peripherie – Systemkomponenten für µC
Interrupt-System:
Notwendige Einstellungen für die Nutzung und Aktivierung eines Interrupts:
• Eintrag des Interrupt- Vektors in die Interrupt- Vektortabelle
• Definition der Betriebsart für die Interrupt auslösende Komponente
• Einstellung der notwendigen Interrupt Priorität
• Zulassen des Interrupts für die On-Chip Komponente
• Erlauben von Interrupts im System
• Programmierung der Interrupt – Serviceroutine (ISR)
Anmerkung:
Übliche Interrupt- Reaktionszeiten liegen im Bereich einiger Maschinenzyklen. Sehr schnell getaktete Systeme bieten Reaktionszeiten
im Bereich von einigen 100ns, sodass anspruchsvolle Echtzeitanforderungen erfüllt werden können!
Die Einstellung der Priorität für das Interrupt- System erfolgt über ein oder mehrere SFR.
Hardware- Traps:
Eine Besonderheit bei der Prioritätszuweisung stellen bei einigen µCs Hardware- Traps dar, die als spezielle Interrupts mit höchster
Priorität eingeordnet sind und sich nicht sperren lassen. Hardware- Traps sind z.B. Core- nahe Fehlermeldungen
Peripheral-Event-Controller:
Zum schnellen Datentransfer, z.B. zum Laden des Senderegisters der seriellen Schnittstelle, sind einige µCs mit einem PEC
(Peripheral Event Controller) ausgerüstet. Der PEC ist eine initialisierbare On-Chip-Hardware, die innerhalb eines Maschinenzyklus 8Bit- oder 16-Bit Datentransfers ohne weitere CPU Belastung ausführt. Ausgelöst wird der Transfer durch einen Interrupt. Quell- und
Zieladresse und die Anzahl der PEC-Transfers lassen sich zuvor initialisieren
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On-Chip Peripherie – Systemkomponenten für µC
Sicherheitskomponenten:
WatchDogTimer:
Ein WatchDogTimer (WDT) besteht aus einem frei laufendem Zähler, der kurz vor
seinem Überlauf durch das aktuelle Programm zurückgesetzt wird. Erfolgt das
Rücksetzen nicht rechtzeitig, so wird durch den Zähler ein Reset oder ein Interrupt
ausgelöst, wodurch das System in einen definierten Ausgangszustand versetzt wird.
Innerhalb einer fehlerfrei laufenden Applikationssoftware lässt sich sicherstellen, dass der
WDT vor seinem Überlauf zurückgesetzt wird. Ein Fehler in der Programmabarbeitung
wird zu einem WDT-Reset für den µC führen.
Oszillator-Safe-Guard:
Beim Absinken der Versorgungsspannung reduziert der Oszillator-Safe-Guard (OSG)
die Taktfrequenz auf den für die vorhandene Spannung zulässigen Maximalwert.
Weiterhin überwacht der OSG die Funktion des Hauptoszillators und schaltet bei dessen
Ausfall einen Hilfsoszillator zu.
Low-Voltage-Detect:
Die Funktion des Low-Voltage-Detect (LVD) überwacht den Spannungsanstieg beim
Zuschalten der Betriebsspannung und untersucht zusätzlich im laufenden Betrieb die
Versorgungsspannung auf Spannungseinbrüche.
ESD-Schutz:
Mit entsprechenden On-Chip-Schutzbeschaltungen sind ESD-Festigkeiten (Electro
Static Discharge) von mehr als 5000V erreichbar.
Stromsparmodi:
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Siehe 3. Vorlesung
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On-Chip Peripherie – Systemkomponenten für µC
Ports:
Über Portpins ist der µC mit der Außenwelt verbunden. Üblich ist eine Zusammenfassung einzelner Portpins mit
gleicher Funktionalität z.B. zu 8-Bit oder 16-Bit Ports. Welche maximale Datenbreite über die Ports digital
übertragen werden kann, ist von der Breite des On-Chip Datenbusses abhängig.
Anmerkung:
I/O Ports eines C167 µC von Infineon:
Typisch ist eine Ansteuerung der Ports
für digitale I/O über Portregister. Daten
werden über ein Port-Daten-Register
(Port Data Register) bereitgestellt, die
Richtung
des
Datentransfers
bei
bidirektionalen Ports wird über ein
Datenrichtungsregister (Data Direction
Register) definiert. Sind neben digitale,
I/O Alternativfunktionen für Ports bzw.
Portpins vorgesehen, so sind zusätzlich
meist noch Steuerregister notwendig
Hinweis:
Als Ausgangstufen findet man Open- Drain, Pull-Up und Open- Kollektor Stufen. Zusätzlich wird TristateVerhalten vorgesehen, wenn die Ports alternativ einen externen Daten-/Adressbus bereitstellen.
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HINTERBERGER M. 2007
INSTITUT FÜR ELEKTRONIK
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