Halbleiter-Speicher Einleitung Halbleiterspeicher Halbleiterspeicher (Zentralspeicher) Schreib-Lese-Speicher Festwertspeicher ROM Schreib-Lese-Speicher Wahlfreien Zugriff Bipolare Speicher MOS-Speicher Arbeitsweise: Wortorganisiert Bitorganisiert (trägt maßgeblich zur Systemleistung bei) SRAM Statisch Bleibt nach Abruf erhalten Stromverbrauch hoch Hoher Anschaffungspreis DRAM (Dynamic RAM) Einfach, langsam, billig Speicherinhalt geht ohne Stromzufuhr verloren Speicherzustand muss immer wieder aktualisiert werden Speicherzelle: Transistor und ein Kondensator Grundprinzip für alle anderen Speichertypen Lesen/schreiben Wortorganisierte Schreib-LeseSpeicher Speicher: Wortleiter, Bitleiter Adressen: Zeilen Zeilendecoder Spalten Spaltendecoder Es kann immer nur ein ganzes Wort angesteuert werden. Berechnung Bipolare Speicher Vielfachemitter-Transistoren 2 Transistoren zu einem Flipflop Emitter X und Y Adressierung der Speicherzelle Dritter Emitter Schreiben oder Lesen Statisches MOS-Speicher Element Dynamisches MOS-Speicher Element Festwertspeicher mit wahlfreiem Zugriff Enthalten nach Fertigung und Programmierung einen nicht mehr veränderbaren Inhalt 1.Maskenprogrammierte Festwertspeicher 2.Programmierbare Festwertspeicher Maskenprogrammierte MOSFestwertspeicher Innerhalb der Matrix Verbindung zwischen Wortleiter und Bitleiter durch Transistor wenn T. vorhanden oder es besteht keine Verbindung Große Speicherkapazitäten je Speicherelement Skizze: Programmierbare MOSFestwertspeicher Mehrfach Programmierbare Fws. Ursprünglicher Zustand wiederherstellbar durch löschen PROM Nur einmal programmierbar Bitzelle besteht jeweils aus einer Diode und einer Schwachstelle Programmiergerät erforderlich EPROM & EEPROM Wird durch bestrahlen mit UV-Strahl vollständig gelöscht EEPROM: löschen durch Spannungsimpulse Bedienerdaten, Konfig., Parametern und Einstellungen Ende Schreib-Lese-Speicher 1.Bipolare Speicher •SRAM •DRAM 2.MOS-Speicher 3. Statisch 4.dynamisch zurück Festwertspeicher ROM 1. Bipolare Sp. 2. Maskenprogr. 3. programierbar 4. Mos-Speicher 5.Maskenprogr. 6.EPROM zurück