Stromversorgung für das IoT 10

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07/2016
www.elektronikjournal.com
Das Themen-Magazin für den Entwickler
POWER
STROMVERSORGUNG
Energieversorgung an der
Last: Diskrete Schaltung
oder Power-Modul?
14
POWERMANAGEMENT
Heiße Spuren im Silizium:
Oberflächentemperatur bei
Halbleitern messen
24
WÄRMEMANAGEMENT
Optimale Kühlung: Mechanische Nachbearbeitung
von Kühlkörpern
42
KOMFORT, SICHERHEIT UND SPASS
elektronik journal 07/2016
www.elektronik-journal.de
An
zei
g
1
e
Stromversorgung
für das IoT 10
Editorial
kühlen schützen verbinden
EDITORIAL
dipl.­Ing (Fh) Jens Wallmann
die spannung steigt wieder
E
s ist noch gar nicht so lange her,
dass die Elektronenröhren der
Elektronikwelt einen kräftigen
Aufschwung bescherten. Die eher klobi­
gen und glühendheißen Glaskörper
erzeugten ihre Ladungsträger als Elektro­
nenwolke um den Glühdraht nicht gerade
besonders effizient. Allerdings ließen sie
sich quasi leistungslos ansteuern und
erreichten im kV­Bereich beeindruckende
Anstiegszeiten. Problematisch wurde es
jedoch, wenn Röhren­Leistungsstufen
niedrige Ausgangsimpedanzen treiben
mussten; dann ging kein Weg an den
gewichtigen Ausgangsübertragern vorbei.
Seit dieser Zeit hat sich die Leistungsfä­
higkeit elektronischer Steuerelemente
extrem weiterentwickelt und eröffnet mit
Halbleitern neue technische Möglichkei­
ten. So steigen die Systemspannungen in
der Leistungselektronik zu Gunsten der
Effizienz in den Kilovoltbereich, und auch
die Schaltgeschwindigkeiten bewegen sich
in den zweistelligen Gigahertzbereich.
Dafür entwickeln Halbleiterhersteller
unaufhaltsam neue Chipstrukturen und
­geometrien und bringen immer neue
Materialpaarungen in den Umlauf.
62
Hohe Schaltgeschwindigkeiten und große
Leistungsdichten erfordern neue Halblei­
tergehäuse mit geringer Impedanz und ver­
bessertem Wärmemanagement, wovon
einige Beiträge ab Seite 38 in dieser Ausga­
be handeln. In diesem Zusammenhang
stellen wir auch thermografische Messtech­
nik vor (Seite 45). Die Reise durch die Schal­
tungstechnik führt uns aber auch zu den
Bereichen Point­of­Load­Wandler (Seite 14),
Rail­Splitting (Seite 16), Ansteuerung von
BLDC­Motoren (Seite 32) sowie Hochvolt­
EMV (Seite 46) und Ableitströme (Seite 28).
Entwärmung
für die Bahntechnik
• Hochleistungskühlkörper für freie und
erzwungene Konvektion
• Verschiedenartige strömungsoptimierte und
vibrationsfeste Lüfteraggregate
• Ein- oder doppelseitige exakt plangefräste
Halbleitermontageflächen
• Kundenspezifische Sonderlösungen
Die Leistungssteigerung findet aber auch
im Nanowattbereich statt. Um einen nied­
rigen Stromverbrauch drahtloser Sensoren
(Seite 62) geht es beispielsweise in der Rub­
rik Mess­ und Prüftechnik. Damit Sie ihre
Entwicklungsprojekte auch realisieren kön­
nen, bietet diese Ausgabe auch eine bunte
Mischung an Informationen zu Bauteilen,
Modulen, Stromversorgungen und Mess­
geräten, sowie Dienstleistungen und Tools.
Ich wünsche Ihnen ein gutes Gelingen.
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Strommesstechnik
erfasst kleinste
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20.-23.09.2016
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September 2016
10
märkte + technologien
06
00
News und Meldungen
Konjunkturbarometer
coverstory
10
Komfort, Sicherheit und Spaß
Stromversorgungen im Zeitalter des IoT
stromversorgungen
powermanagement
24
Heiße Spuren im Silizium
Oberflächentemperatur von Halbleitersubstraten messen
38
Kleiner aber stark
Neue Gehäuse erhöhen thermische und
elektrische Belastbarkeit von MOSFETs
27
Highlights
MTM Power, Trumpf Hüttinger
42
28
Ableitströme verringern
Fehlauslösungen von FehlerstromSchutzschaltern vermeiden
Optimale Kühlung
Mechanische Nachbearbeitung von
Kühlkörpern
45
Highlights
Rittal, Conrad Business Supplies
31
Highligts
Caltest, Kamaka
14
Mehr Zeit für wichtige Dinge
Energieversorgung an der Last – diskrete
Schaltung oder Power-Modul?
15
Rail-Splitting geht auch anders
Unipolare Versorgungsspannungen
aufsplitten und wandeln
32
Den Energiefluss gut portionieren
Smarter Abwärtswandler für flexible
Point-of-Load-Anwendungen
34
Highlight
Bicker
37
20
23
wärmemanagement
halbleiter
passive + e-mechanik
46
Lautlos und ruckelfrei
Effizientere BLDC-Motorantriebe
entwickeln
Stressfaktor Spannung
Silizium-basierende Suppressordioden
schützen ICs vor Überlast
48
Leicht und effektiv
SiC-basierende Leistungswandler –
kompakt, effizient, preisgünstig
Und es hat klick gemacht
Trennrelais für Hochvolt-Ladesysteme
51
Highlights
Rohm
Highlights
Molex, Murata
52
Komplettlösung für E-Mobility- und
Industrieanwendungen
Referenzdesign für Umrichter
Hochvolt-EMV
52
4
Anwendungen für
E-Mobility und Industrie
TDK-Epcos stellt Komplettlösung für Umrichter vor,
die im Bereich Elektromobilität sowie in Industrieanwendungen zum Einsatz
kommen.
elektronik journal 07/2016
www.elektronik-journal.de
September 2016
Leistungsstarke Kühlkörper für
die Bahnelektronik
 Große Auswahl an Kühllösungen für den Einsatz
24
in der Bahntechnik
 Flüssigkeits-, modulare Hochleistungs- und
klassische Profilkühlkörper
 Projektspezifische Dimensionierung
 Gutes Preisleistungsverhältnis und große Vielfalt
mess- und prüftechnik
56
Energieverbrauch messen
Klarheit schaffen mit Stromnebenzählern
58
Vierte industrielle Revolution auf
dem Vormarsch
Echtzeitfähiges drahtloses Temperaturmesssystem
62
Langzeit-Strommessung
Herausforderung Batterielebensdauer
von drahtlosen IoT-Sensoren
65
Highlights
MCC, Siglent
dank standardisierter Materialien und Geometrien
rubriken
03
Editorial
Die Spannung steigt wieder
66
Impressum
66
Verzeichnisse
Inserenten-/Personen-/
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elektronik journal 07/2016
5
Märkte + Technologien Meldungen
energiewende triff t industrie 4.0
Mit dem 6. Energieforschungsprogramm
des Bundesministeriums für Wirtschaft
und Energie fördert die Bundesregierung
Unternehmen und Forschungseinrichtun­
gen, die innovative Energietechnologien
entwickeln. In diesem Rahmen ist der
Startschuss für das Gleichstrom­For­
schungsprojekt „DC Industrie“ gefallen.
Insgesamt 21 Unternehmen aus der
Industrie, vier Forschungsinstitute und
der ZVEI arbeiten im Projekt gemeinsam
daran, die Energiewende in der industri­
ellen Produktion umzusetzen und dafür
mehr Energieeffizienz und Energieflexi­
bilität in die industrielle Produktion zu
bringen. Ziel des Forschungsprojekts DC
Industrie ist, die Stromversorgung indust­
rieller Anlagen über ein smartes, offenes
Gleichstromnetz neu zu gestalten und die
industrielle Energieversorgungsarchitektur
zu digitalisieren.
So soll das industrielle Energiesystem der
Zukunft entstehen, ein gleichstrombasier­
tes Smart­Grid für die Industrie. Gunther
Koschnick, Geschäftsführer ZVEI­Fachver­
band Automation, erklärt: „Von der heutigen
Art der Energieversorgung muss sich ein
gleichstrombasiertes Smart­Grid grund­
sätzlich unterscheiden. Nur so kann es den
Ansprüchen nach mehr Energieeffizienz
und Energieflexibilität in der industriellen
Produktion genügen.“
Bild: Fotolia
gleichstrom-forschungsprojekt startet
energiewende trifft
Industrie 4.0: Im
Projekt arbeiten die
Organisationen
gemeinsam daran,
mehr energieeffizi­
enz und energie­
flexibilität in die
industrielle Pro­
duktion zu bringen.
Eine auf diese Weise mit Energie ver­
sorgte Produktion bietet zahlreiche Vor­
teile. Durch intelligente Netzsteuerung
und integrierte Speicher könne sie flexibel
und robust auf schwankende Netzqualität
und Energieangebote reagieren. Außer­
dem können erneuerbare Energien leich­
ter eingebunden und Wandlungsverluste
von Wechsel­ in Gleichspannung vermie­
den werden. Energieeinsparungen erge­
ben sich unter anderem durch die einfa­
chere Nutzung und Pufferung von Brems­
energie, dem sogenannten generatori­
schen Bremsen, in Gleichstromnetzen.
„Hier trifft die Energiewende auf Indust­
rie 4.0“, meint Koschnick.
Das mit sechs Millionen Euro geförder­
te Projekt wurde von 15 Verbundpartnern
gemeinsam mit elf assoziierten Partnern
im ZVEI initiiert und wird von Siemens
koordiniert. In den nächsten drei Jahren
sollen unter anderem Testanlagen bei den
Unternehmen Daimler, Homag Group und
KHS errichtet werden. (jck)
n
infodirekt
123ejl0716
wiederaufladbare batterien
Bild: Rutronik
rutronik wird distributor von samsung sdi
Freut sich über die zusammen­
arbeit: Andreas Mangler,
director strategic Marketing &
communications bei rutronik.
6
elektronik journal 07/2016
Rutronik Elektronische Bauelemente und Samsung SDI haben einen Franchisevertrag für das Vertriebsgebiet EMEA
geschlossen. Er umfasst das Batterie-Produktportfolio von
Samsung SDI. Der Fokus liegt auf zylindrischen LithiumIonen Batterien. Mit dem geschlossenen Vertrag verfügt
Rutronik als einziger europäischer Distributor über ein
vollständiges Produktportfolio für Batteriemanagementsysteme mit Halbleitern, passiven, elektromechanischen
Komponenten und den Batteriezellen als wichtigste Systemkomponente. Die zylindrischen Batteriezellen haben
durch ihren Aufbau mit fester Hülle ein hohes Maß an Sicherheit. Da ausschließlich die Batteriezelle definiert, mit
welchen Parametern und Spezifikationen das Batteriemanagementsystem arbeitet, ist sie der eigentliche Treiber
des Designs und bestimmt, welche aktiven und passiven
Bauelemente das Optimum für die jeweilige Applikation
bieten. Rutronik deckt mit seinen Franchisepartnern jetzt
das gesamte Produktportfolio ab. Lithium-Ionen Zellen
erfordern jedoch ein abgestimmtes Batteriemanagement-
system, bei dem Lade- und Entladeströme mit Präzision
gemessen werden müssen und die Zellspannungsüberwachung im Genauigkeitsbereich von einzelnen Millivolt
exakt arbeiten muss. Hierbei können Kunden auf das detaillierte Know-how der Rutronik FAEs und Produktingenieure zurückgreifen. Lithium-Ionen Batterien gehören zu
den Gefahrgütern und erfordern ein durchdachtes Logistiksystem, unterstützt durch ein durchgängiges Dokumentenmanagementsystem. Mit seiner zentralen und
weltweit durchgängigen Organisation und dem IT-System, ist Rutronik in der Lage, dies umzusetzen. Samsung
SDI entwickelt und fertigt seit über 15 Jahren Li-Io-Batterien und hat seit 2010 den weltweit größten Marktanteil. Zu
den Zielanwendungen zählen elektrisch angetriebene
Fahrzeuge aller Art, Energiespeichersysteme, Photovoltaik-Backupsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS).
infodirekt
120ejl0716
www.elektronik-journal.de
Märkte + Technologien Meldungen
Bild: GS Yuasa
lithium-ionen-batterien für katastrophenschutz
gs yuasa liefert notstromversorgung an fukushima
nötigten Stromverbrauchs nun selbst
produziert werden. Mit Installation dieser Anlage ist nicht nur die Stromversorgung bei normalen Stromausfällen, sondern auch bei einem durch eine Naturkatastrophe herbeigeführten Netzzusammenbruch sichergestellt. Das Energiespeichersystem von GS Yuasa besteht
aus Batteriemodulen der Baureihe LIM50E-12G,
die mit jeweils 12 Zellen à 47,5 Ah bei 3,7 V
Nennspannung pro Zelle bestückt sind. Das leistungsfähige Batteriemanagementsystem, das
speziell für Smart-Grid-Speicherlösungen konstruiert wurde, überwacht fortlaufend die Spannung, Temperatur und Strom der einzelnen Zel-
GS Yuasa hat eine zweiteilige Li-Ionen Batterieanlage inklusive USV-System an die JR Fukushima Railway Station in Japan geliefert. Die Anlage liefert zirka 500 kWh und ist in der Lage, bei
einem Ausfall des Hauptnetzes den Bahnhof
zwölf Stunden lang mit Strom zu versorgen.
Durch die Bereitstellung dieses neuen Systems
durch GS YUASA wird JR Fukushima zum Vorzeigebahnhof für die sogenannte East Japan Railway Initiative „Ecoste“. Diese umfasst die Anwendung verschiedener Technologien zur Erhaltung der Umwelt, inklusive Energieeinsparung und Nutzung von erneuerbaren Energien,
wie der Sonnenenergie. Dank eines Stromversorgungssystems, geliefert vom Partnerunternehmen Mitsubishi Electric Corporation, können 23 % des vom Bahnhof be-
gs Yuasa stattete die Jr Fukushima railway
station in Japan mit einer notstromversorgung
aus, bestehend aus lithium­Ionen­batterien.
len. GS Yuasa kombiniert die Lithium-IonenTechnologie mit USV-Systemen.
infodirekt
122ejl716
distributionsabkommen
compu-mess elektronik
vertreibt keysight
n Kleinste Gehäusemaße n Herausragende Eigenschaften n Hohe Zuverlässigkeit
ROHM Semiconductor bietet eine umfangreiche Auswahl an AEC-Q100-qualifizierten
LDO-Reglern in kleinen Gehäusen, die mit herausragenden Eigenschaften, verbesserter
Zuverlässigkeit und verstärkter Miniaturisierung punkten.
Die weltweit kleinsten LDO-Regler LDO-Regler mit extrem geringer
Ruhestromaufnahme
Serie BUxxJA2MNVX-C
Serien BD4xxMx / BD7xxLx
• Mit 1 mm2 die kleinsten Automotivetauglichen LDO-Regler der Industrie
• Stabiler Betrieb auch mit einer externen
Kapazität von nur 0,22 µF
• Neuester Stand der Technik in Sachen Stromaufnahme: Auf 6 µA reduzierter Ruhestrom
• Auswahl unter mehreren Gehäusetypen für
weitreichende Kompatibilität
20
Industrieweit kleinstes Gehäuse
121ejl0716
Bild: Compu-Mess
infodirekt
Automotive-LDOs in kompakten Gehäusen
Circuit Current: Ib (µA)
Compu-Mess Elektronik (CME) ist neuer
Vertriebspartner des US-amerikanischen Herstellers Keysight Technologies. Keysight hat über 300 Power-Produkte in seinem Messtechniksegment.
Diese ergänzen das bisherige Produktangebot des Münchner Distributors.
Zwei Produkte von Keysight sind der DC
Power Analyzer des Typs N6705B und
die Advanced Power Systeme der Serien
N6900 und N7900. Beide sind zum Testen von Batterien sowie Ladegeräten
und batteriebetriebenen Geräten vorgesehen und leicht zu bedienen. Mit
beiden Systemen lassen sich auf einfache Weise reale Lastprofile aufnehmen,
die anschließend bearbeitet und beispielsweise als Testprofile zum Prüfen
von Batterien benutzt werden können.
Ein Beispiel ist das Testen der Batterie
bei der Entwicklung eines elektrischen
Schraubendrehers: Ist das Lastprofil
beim Eindrehen einer Schraube einmal
aufgenommen, kann anschließend getestet werden, wie lange der Akku hält.
Auch komplexere Tests sind auf diese
Weise in kurzer Zeit durchführbar.
compu­Mess vertreibt nun auch
dc­versorgungsmodule von Keysight –
zum beispiel das Modell e36103A.
18
- 40 °C
25 °C
125 °C
16
14
Ruhestrom
6 µA
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
Output Current: IOUT (mA)
Wichtige Technische Daten
Wichtige Technische Daten
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Eingangsspannung 1,7 V bis 6,0 V
Ausgangsspannung 1,0 V bis 3,4 V
Ausgangsstrom bis zu 200 mA
Standby-Strom 35 µA
Gehäusebauform SSON004R1010
(1 x 1 x 0,6 mm)
200
Eingangsspannung bis zu 50 V
Ausgangsspannung 3,3 V oder 5 V
Ausgangsstrom 200 mA oder 500 mA
Ruhestrom nur 6 µA
Mehrere Gehäusetypen:
SOT223-4F, HTSOP-J8, TO252-3
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Light it
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Märkte + Technologien Meldungen
rit tals neue werke
Der Grundstein für ein neues Rittal­Produktionswerk ist gelegt:
Am 19. August 2016 nahmen Unternehmensvertreter und Poli­
tiker im hessischen Haiger die Kellen in die Hand und starteten
damit den Bau des neuen Werks für Schaltschrank­Kompaktge­
häuse. Inhaber Dr. Friedhelm Loh kündigte zugleich die nächs­
te Grundsteinlegung an.
Der Neubau in Haiger soll vor allem von Industrie 4.0 geprägt
sein und somit für effiziente Produktions­, Logistik­ und Kom­
munikationsprozesse sorgen. Nach diesem Prinzip modernisiert
der Schaltschrankbauer außerdem die Werke in Rittershausen
und Hof. Zu dritt sollen sie dann einen modernen Produktions­
verbund bilden. Insgesamt investiert die Friedhelm Loh Group
250 Millionen Euro, allein 170 Millionen Euro davon in das neue
Werk in Haiger. „Ich kann verstehen, dass die mit Industrie 4.0
verbundenen riesigen Datenmengen und kritische Sicherheits­
überlegungen noch manch einen Unternehmer vor der Investi­
tion zurückschrecken lassen“, sagte Loh, „aber ich bin überzeugt,
wenn wir es hier in Deutschland nicht anpacken, dann überholt
uns der Wettbewerb aus dem Ausland.“ Loh gab zudem bekannt,
dass ein weiteres Werk in den kommenden Jahren in der Nähe
von Rittershausen entstehen soll. Auf dem rund 56 000 m² großen
Gelände des ehemaligen Kesselbauers Omnical in Ewersbach
werden dann Großschränke aus nichtrostendem Stahl gefertigt,
interessant für die Öl­ und Gasbranche sowie die Lebensmittel­
industrie.
In gut zwei Jahren sollen in dem neuen Werk in Haiger auf
24 000 m² rund 9 000 Kompaktgehäuse pro Arbeitstag vom Band
laufen, also etwa 2,2 Millionen pro Jahr. Die dreistufige Fertigung
– Blechbearbeitung, Lackierung, und Montage – soll durchgehend
Bilder: Rittal
grundstein gelegt
Als symbolischer grundstein diente ein Kompaktschaltschrank aus der Ae­
serie. Ae steht für den „Allerersten“. von rechts: volker bouffier, debora
loh, dr. Friedhelm loh, Wolfgang schuster; Mario schramm; dr. Köhler und
carsten röttchen.
digital vernetzt erfolgen: Fahrerlose Transportsysteme liefern die
benötigten Materialien selbstorganisiert und ohne menschliches
Eingreifen an die entsprechende Stelle. Rund 290 Mitarbeiter
werden in dem neuen Werk arbeiten. Am Standort Haiger steigt
die Mitarbeiterzahl damit auf rund 800.
Im Zuge des Ausbaus schließt Rittal die Werke Burbach, Wis­
senbach, Rennerod und Herborn bis 2018. Die dann ausgebauten
Werke Rittershausen und Hof sollen dies teilweise auffangen:
Hof soll zusätzliche Produktgruppen der Standorte Herborn und
Burbach fertigen, der Standort Rittershausen zusätzliche Pro­
duktgruppen von Wissenbach und Burbach übernehmen. Die in
Rennerod beheimatete Kühlgerätefertigung verlegt Rittal nach
Valeggio in Norditalien. (mns)
n
infodirekt
906iee0916
mouser schliesst abkommen mit torex
Bild: Mouser
erster Qi-konformer 15-w-transmitter von ti
der tI­transmitter bQ501210 für die ka­
bellose energieübertragung ist mit ei­
ner 5­v­leistungsstufe in vollbrücken­
ausführung ausgestattet, managt die
bei der energieübertragung auftreten­
den Fehlerzustände und steuert die
betriebszustandsanzeige.
8
elektronik journal 07/2016
Mouser Electronics hat ein
global gültiges Vertriebsab­
kommen mit Torex Semi­
conductor abgeschlossen.
Torex ist A nbieter von
CMOS­Powermanagement­
ICs, die für batteriebetriebe­
ne und energieeffiziente
Applikationen konzipiert
sind. Zudem hat Mouser den
Qi­konformen 15­W­Trans­
mitter BQ501210 von Texas
Instruments (TI) in sein
Portfolio aufgenommen. Der
Transmitter für das kabel­
lose Laden ist branchenweit der erste gemäß WPC (Wireless
Power Consortium) v1.2 Qi­konforme 15­W­Transmitter für die
drahtlose Energieübertragung. Der BQ501210 ermöglicht einen
Systemwirkungsgrad von 84 % bei wesentlich weniger Wärme­
ableitung im Vergleich zu herkömmlichen Bausteinen zur kabel­
losen Energieübertragung. Der Transmitter unterstützt mehrere
Schnellladeprotokolle, funktioniert mit jedem Qi WPC v1.1 Recei­
ver und bietet eine Reihe an flexiblen und anpassbaren Funkti­
onen wie zum Beispiel persönliche Elektronik­, Medizin­ und
platzbegrenzte Industrieanwendungen. Von den Vorteilen der
drahtlosen Energieübertragung mit 15 W können gewerblich
genutzte Anwendungen wie etwa Point­of­Sale­Geräte sowie
Medizingeräte im Handheld­Format profitieren. (jck)
n
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125ejl0716
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Märkte + Technologien Meldungen
partnerschaft
rs vertreibt intersil
RS Components und Intersil haben eine Distributionsvereinbarung bekannt gegeben. Das Abkommen ermöglicht es RS, seinen Kunden in allen Regionen weltweit die komplette IntersilProduktpalette anzubieten. Die Intersil-Produktpalette, einschließlich Lösungen für das Batterie- Bild: RS Components
management, Digital Power, High-Speed-DatenIcs für leistungsumwandlung, Präzisions­
konvertierung und Signalaufbereitung, ergänzt
analogschaltungen und mehr sollen die
das RS-Portfolio von ICs, diskreten BauelemenPosition von rs stärken.
ten und den damit verbundenen Komponenten
in den Bereichen wie Industrie, Advanced Automotive, Telekommunikation und High-Performance-Computing. Intersil hat zudem auch Produkte im Bereich Optoelektronik, Audio,
Schnittstellen, Schalten und Multiplexen. Dies trägt zum weiteren Ausbau der lieferbaren RSPalette von Halbleitern bei.
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126ejl0716
EN50155
Bahntechnik zertifiziert
nicht nur „designed to meet“
dc/dc-power-seminare
Bild: Maxim
kostenfreies seminar von maxim
Systemarchitekten und Entwickler von Stromversorgungen haben die Möglichkeit, an kostenlosen, europaweit stattfindenden DC/DC-Power-Seminaren
von Maxim Integrated Products teilzunehmen. Die
Ein-Tages-Kurse sollen alle wichtigen Aspekte zu Effizienz, Wärmeableitung, Größe, Schutz und Isolation von Stromversorgungen behandeln. Nachdem
der weite Eingangsspannungsbereich häufig in industriellen, Medizin-, Kommunikations- und anderen Endanwendungen eingesetzt wird, ist es wichtig, die Leistungs- und Größenvorgaben der Stromdie europaweit ganztägige dc/dc­
versorgungssysteme
zu erfüllen. Die von September
Power­seminare richten sich an system­
bis einschließlich Oktober 2016 stattfindenden Einarchitekten und entwickler von
Tages-Seminare von Maxim behandeln die theoretistromversorgungen.
schen Grundlagen des Power-System-Designs und
bieten den Teilnehmern Lösungen für ihre größten Herausforderungen in der Entwicklung.
In Deutschland finden die „DC Power System Design“-Seminare in Dortmund (29. September
2016) und Stuttgart (11. Oktober 2016) statt. Das Seminar beginnt zunächst mit zwei theoretischen Unterrichtseinheiten, gefolgt von Vorträgen zu Echtzeit-Design, Simulation und Tests.
An den meisten Seminarstandorten wird der theoretische Part vom führenden Power-Systems-Designer Dr. Martin Moerz gehalten. Gesponsert sind die Seminare von Maxims Distributionspartner Avnet Silica. Die Teilnehmerzahl ist begrenzt.
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124ejl0716
leistungshalbleiter-portfolio
littelfuse übernimmt produkte von on semiconductor
Größte Auswahl an 8-240W DC/DC
Wandlern für Schienenfahrzeug- &
Streckenausrüstung
4:1 Eingangsspannungsbereich
von 24 bis 110VDC
CE & EN50155 zertifiziert
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Littelfuse hat die Übernahme der Produktpalette an Suppressordioden (TVS), Schalt-Thyristoren und Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) für Fahrzeugzündanwendungen von ON Semiconductor für einen Gesamtpreis von 104 Millionen US-Dollar bekannt
gegeben. Das Portfolio von ON Semiconductor hat einen Jahresumsatz von etwa 55 Millionen US-Dollar. Die Übernahme soll voraussichtlich Ende August 2016 abgeschlossen sein.
Littelfuse plant überdies eine Investition von etwa 30 Millionen US-Dollar in seine Halbleiterherstellungsstandorte zur Verbesserung der Produktionsmöglichkeiten, zur wesentlichen Kapazitätserweiterung seiner Fertigungsanlage in China und zur Fertigungsübernahme der neu erworbenen Produkte. Die erwarteten Produktivitätssteigerungen aus dieser
Investition sollen zum rentablen Langzeitwachstum im Halbleiter-Geschäftsbereich des Unternehmens beitragen. „Wir erwarten EBITDA-Margen von mehr als 30 % aus der Übernahme, sobald die Übertragung dieser Produkte vollständig abgeschlossen ist“, ergänzte Meenal Sethna, Executive Vice President und Chief Financial Officer. „Unter Berücksichtigung
von Amortisation, Zinsen und Integrationskosten erwarten wir für 2016 im Zuge der Übernahme einen neutralen Gewinn pro verwässerter Aktie und Wachstum ab 2017.“
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127ejl0716
WE POWER YOUR PRODUCTS
w w w. r ec o m - p o w e r.c o m
Stromversorgungen Coverstory
Privatnutzern beschert das Internet der
dinge mehr lebensqualität, Komfort,
sicherheit und spaß. Kunden und unter­
nehmen interagieren kontinuierlich.
komfort, sicherheit und spaß
stromversorgungen im zeitalter des Iot
Bild: Fotolia
Neue Zahlen zum Internet der Dinge (Internet of Things, IoT) belegen eine unheimliche Dynamik: Schon
im Jahr 2020 sollen etwa 25 Milliarden IoT-Geräte im Einsatz sein. Doch viele dieser Geräte verbrauchen
selbst unnötig viel Strom. Neben intelligenten Steuerungen schaffen energieeffiziente StromversorAutor: Dipl. Ing. (FH) Stefan Bergstein
gungen da sinnvoll Abhilfe.
D
as Internet der Dinge (Internet of Things,
IoT) gilt als die nächste große Evolutionsstu­
fe des Internets. Nüchtern betrachtet tau­
schen hier elektronische Produkte ohne Zutun von
Anwendern über das Web Daten miteinander aus.
Doch das IoT ist viel mehr: Mit den gewonnenen
Informationen lassen sich neue Dienstleistungen ent­
wickeln und bestehende verbessern. So entsteht aus
der Verbindung zwischen Dingen, Nutzern, Unter­
nehmen und Partnern ein signifikanter Mehrwert.
Von der vernetzten Welt können Verbraucher und
Industrie gleichermaßen profitieren. Kunden und
Unternehmen treffen künftig nicht mehr nur einma­
lig am Point of Sale aufeinander, sondern interagieren
kontinuierlich, solange Kunden ein Produkt und die
darauf abgestimmten Services nutzen. Privatnutzer
eck-daten
Das IoT und damit verbundene Entwicklungen wie Industrie 4.0, Connected Cars
und E- Health generieren steigende Umsätze für Industrie- und Dienstleistungsunternehmen: bis 2020 sollen bereits 25 Milliarden IoT-Geräte vernetzt sein. Hier sind
hocheffiziente Stromversorgungen wie die der IRM-Serie von Mean Well (Vertrieb:
Emtron) gefragt, damit der Eigenverbrauch dieser Geräte nicht den Stromverbrauch
von IoT-Anwendungen explodieren lässt.
10
elektronik journal 07/2016
gewinnen dadurch eine höhere Lebensqualität, mehr
Komfort, Sicherheit und Spaß. Unternehmen profi­
tieren von Effizienzsteigerungen, Kostensenkungen
und besserer Ressourcennutzung.
Informationstechnik durchdringt den Alltag
Das IoT entsteht, indem Informationstechnik vehe­
ment immer weitere Bereiche unseres Alltags durch­
dringt. Sensoren, Aktoren und Funkmodule in Stra­
ßen, Häusern, Uhren, Werbetafeln, Fitness­ und
Gesundheits­Trackern und vielen anderen Dingen
sorgen für eine Flut neuer, vernetzter Technik. Ohne
Frage werden das IoT und damit verbundene Entwick­
lungen wie Industrie 4.0, Connected Cars und
E­Health zunehmend zu wichtigen Umsatzbringern
für Industrie­ und Dienstleistungsunternehmen.
Laut Statista werden bis Ende 2016 weltweit etwa
6,4 Milliarden IoT­Geräte vernetzt sein. In seiner aktu­
ellen Studie schätzt das Marktforschungsunterneh­
men Gartner, dass sich dieser Wert bis 2020 bereits
auf 25 Milliarden Geräte erhöht; Tendenz stark stei­
gend. Etwa zwei Drittel davon entfallen auf den Con­
sumer­Bereich, ein Fünftel auf branchenübergreifen­
de Industriebereiche, der Rest auf vertikale industri­
elle Märkte. Interessant dabei: In einer Erhebung von
www.elektronik-journal.de
Bild: Fotolia
Stromversorgungen Coverstory
dynamischer Markt: etwa 6,4 Milliarden Iot­geräte weltweit sollen bis ende 2016 vernetzt sein; für das Jahr 2020 sind 25 Milliar­
den vernetzte geräte prognostiziert.
2014 ist Gartner noch von 14 Milliarden IoT­Geräten
im Jahr 2020 ausgegangen. Die neuen Zahlen belegen
die enorme Dynamik dieses Marktes.
Produkt vom Wettbewerb zu differenzieren und so
auch dem Vertrieb eine starke Argumentationshilfe
für den erfolgreichen Verkauf zu liefern.
IoT treibt Stromverbrauch in die Höhe
Extreme Energieeffizienz ist gefragt
Die permanente Anbindung unzähliger Geräte aus
unterschiedlichen Bereichen des täglichen Lebens
an das World Wide Web ermöglicht aber nicht nur
innovative Anwendungen, sondern sorgt auch für
neue Herausforderungen. Eine davon ist der zuneh­
mende Strombedarf. Denn so vielversprechend die
neuen Möglichkeiten einer vollständig vernetzten
Welt auch sein mögen – elektronische Geräte ver­
brauchen elektrische Energie. Die Internationale
Energieagentur (IEA) warnt bereits: Das Internet der
Dinge lässt den Energiehunger der digitalen Welt
regelrecht explodieren.
Höchste Zeit, hier mit extrem energieeffizienten
Stromversorgungen gegenzusteuern. Doch ein Blick
in viele Labore zeigt: Etliche Entwickler machen sich
zunächst wenig Gedanken darüber, wie die Energie
in die Systeme kommt. Da wird häufig eine DC­Buch­
se eingebaut und dann ein Netzteil aus irgendeiner
Billigfertigung zugekauft, das halbwegs die erforder­
lichen Spezifikationen erfüllt.
Das ist nicht nur schlecht für die Umwelt –
damit verschenken diese Unternehmen auch
erhebliches Potenzial. Denn eine genau auf
den erwarteten Stromverbrauch abgestimm­
te, am besten gleich in die Ent­
wicklung mit einbezoge­
ne und auf maximale
Ef f i zien z get r i m mte
Energieversorgung bie­
tet die Möglichkeit, sich
mit einem stromsparenden
Als Energiequelle für IoT­Devices kommen je nach
Bauform, Größe und Einsatzzweck Netzgeräte, Bat­
terien oder Akkus zum Einsatz. Für diese Module
gelten besondere Anforderungen.
Ein Argument für das Internet der Dinge lautet
Energiesparen – beispielsweise durch intelligente
Verkehrs­ und Haushaltssteuerung. Damit dieses
Argument nicht gleich durch übermäßigen Eigenver­
brauch der vernetzten Geräte konterkariert wird, soll­
ten diese über eine hocheffiziente Stromversorgung
verfügen. Hier kommt es auf die Auswahl der einzel­
nen Komponenten ebenso an wie auf das Design des
gesamten Moduls.
Viele der vernetzten Endgeräte sind zudem klein
oder haben ungewöhnliche Bauformen. Daraus leitet
sich oftmals die Forderung ab, dass auch die Energie­
spender sehr kompakt sein und oftmals auch ein kun­
denspezifisches Format haben müssen. Hier lohnt es
sich, frühzeitig spezialisierte Partner ins Boot zu holen,
die kompetent beraten und herstellerunab­
hängig passende Stromversorgungs­
komponenten liefern können.
Aber auch ein geplanter Bat­
terie­ beziehungsweise Akku­
betrieb stellt besondere Her­
ausforder u ngen a n d ie
www.elektronik-journal.de
n
mtro
er: E
Bild
Miniaturnetzteile der serie IrM sind
in unterschiedlichen bauformen er­
hältlich und nehmen im leerlauf
weniger als 0,1 W leistung auf.
elektronik journal 07/2016
11
Stromversorgungen Coverstory
halb zusammen mit den Herstellern schon frühzeitig
auf die kommenden Marktanforderungen eingestellt,
insbesondere auf die steigende Nachfrage nach ener­
gieeffizienten Stromversorgungsmodulen mit ultra­
kleinem Formfaktor für elektronische Geräte. So bie­
tet der Distributor eine breite Palette hocheffizienter
Schaltnetzteile mit Klein­ oder Kleinstleistungen.
Das Beispiel der IRM­Serie des taiwanesischen
Herstellers Mean Well verdeutlicht die gestiegenen
Anforderungen. Gegenüber den Vorläufern aus der
PM­Baureihe haben sich die Abmessungen noch
einmal deutlich verkleinert. Systementwickler kön­
nen damit knifflige Platzprobleme lösen, die aus der
fortschreitenden Miniaturisierung der Elektronik­
platinen resultieren
Weltweit einsetzbar
bei der IrM­serie hat Mean Well die Abmessungen gegenüber den vorläufern aus der
PM­baureihe noch einmal deutlich verkleinert.
Spannungsversorgung. Denn Batterien liefern je nach
Ladezustand oftmals unterschiedliche Spannungs­
werte. Für den Betrieb des IoT­Geräts muss jedoch die
bereitgestellte Leistung mit konstanten Spannungs­
oder Stromwerten unabhängig vom jeweiligen Lade­
zustand gewährleistet sein. Ein Akku muss sich dar­
über hinaus auch wieder optimieren und kontrolliert
laden lassen. Der auf Stromversorgungskomponenten
spezialisierte Distributor Emtron bietet für diese Ein­
satzzwecke optimierte, hocheffiziente DC/DC­Wand­
ler und Ladegeräte an.
Kompakte Kraftpakete
Derselbe Ansatz gilt für IoT­Geräte wie Sensoren,
Aktoren oder Transponder, aber auch für die an das
Stromnetz angeschlossenen Klein­ und Kleinstrech­
ner. Auch hier kommt es darauf an, mithilfe optimier­
ter Komponenten und Baugruppen Energie bereits bei
der Stromversorgung zu sparen. Emtron hat sich des­
Die Modelle dieser Produktfamilie decken einen Leis­
tungsbereich von 1 bis 60 W ab. Ausgelegt für einen
Eingangsspannungsbereich von 85 bis 264 VAC lassen
sich die Geräte weltweit an praktisch jedem Wech­
selspannungsnetz betreiben. Am Ausgang stehen je
nach Modell Gleichspannungen von 3,3 bis 48 V bereit.
Aufgrund der hohen Wirkungsgrade von bis zu 91 %
entsteht kaum Abwärme, daher ist im Arbeitstempe­
raturbereich von ­30 bis +70 °C keine aktive Kühlung
erforderlich. Auch das erleichtert das Konstruieren
kompakter Module.
Des Weiteren sind die Modelle in unterschiedlichen
Bauformen erhältlich, von SMD über DIL zum direk­
ten Bestücken auf der Leiterplatte bis hin zu Modellen
mit Schraubklemmen zum Verdrahten.
Im Leerlauf nehmen die kompakten Kraftpakete
weniger als 0,1 W Leistung auf und erfüllen so die
mittlerweile nahezu weltweit geltenden Anforderun­
gen für Stromversorgungen im kleinen Leistungsbe­
reich zum Versorgen von Elektronikapplikationen.
Gegen Staub, Feuchtigkeit und Vibrationen schützt
die vollgekapselte Ausführung, die zudem noch die
Wärmeableitung verbessert. Interne Schutzschaltun­
gen sichern gegen Kurzschluss, Überlast und Über­
spannung. Auch lassen sich die Modelle gemäß den
angegebenen Spezifikationen ohne zusätzliche, exter­
ne EMV­Schutzschaltungen betreiben. Zertifizierun­
gen nach UL, CUL, TÜV und CB garantieren die
Sicherheit der Benutzer, dazu kommt die CE­Kenn­
zeichnung des Herstellers für die Einfuhr und den
Betrieb in der EU. (mou)
n
autor
Dipl. Ing. (FH) Stefan Bergstein
Anwendungstechnische Beratung im
Vertrieb bei Emtron.
infodirekt
12
elektronik journal 07/2016
203ejl0716
www.elektronik-journal.de
24
d 5 016
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Stromversorgungen Abwärtswandler
mehr zeit für wichtige dinge
energieversorgung an der last: diskrete schaltung oder Power­Modul?
Auf modernen Leiterplatten mit zahlreichen Stromverbrauchern wie FPGAs, ASICs und Mikrocontroller kommen bis zu 40 Point-of-Load-Versorgungen zum Einsatz. Da lohnt es sich, die Vor- und Nachteile von diskreten
Autor: Christian Werner
Lösungen und Power-Modulen abzuwägen.
Systemen mit vielen Abwärtsreglern kann
sich allein die Auswahl der Komponenten
zu einer Mammutaufgabe entwickeln, wie
das nachfolgende Beispiel eines nicht­iso­
lierten Buck­Regler (Bild 1) verdeutlicht.
Bild fotolia: nattanan726
Viele Parameter zu beachten
Z
ur lokalen Energieversorgung auf
der Leiterplatte kommen oft
Abwärts­Wandler (Step­Down­
oder Buck­Converter) zum Einsatz, die
typischerweise zentrale 5 bis 24 V in klei­
nere Spannungsinseln von 0,5 bis 5 V auf­
teilen. In größeren Schaltungsdesigns
sind mitunter bis zu 40 Lastpunkte (POL,
Point­of­Load) mit unterschiedlichen
Ausgangsspannungen, Ausgangsströmen
und Signalqualitäten zu versorgen.
Diese Anforderungen führen bei dis­
kreten POL­Lösungen zu aufwendiger
Entwicklungsarbeit durch größere Men­
gen an Bauteilen und Platzknappheit.
Power­Module können sich hier als sinn­
volle Alternative erweisen, wie der nach­
folgende Vergleich verdeutlicht.
Umfangreiche Eigenentwicklung
Für diskrete Stromversorgungen werden
in der Regel neben PWM­Controller und
Power­MOSFETs auch Eingangs­/Aus­
gangskondensatoren sowie Leistungsin­
duktivität/en und Schutzbeschaltungen
benötigt. Der Entwickler hat eine Vielzahl
von Komponenten zu platzieren, deren
technische Spezifikationen von Design zu
Design erheblich variieren können. In Sub­
14
elektronik journal 07/2016
Sehr kritisch ist beim Abwärtsregler­
Design die Definition der Induktivität. In
häufig gewählten nichtlückenden Betrieb
(CCM, Continuous­Conduction­Mode)
wird die Induktivität während der Aus­
schaltzeit nicht vollständig entladen. Der
Spitzenstrom sollte mit Sicherheitsabstand
unter dem Sättigungsstrom der Indukti­
vität liegen, da eine Sättigung zur Nicht­
linearität und damit zu Instabilität und
schlechten Wirkungsgrad führen kann.
Die Ausgangskondensator entscheidet
über Restwelligkeit, Spannungsspitzen
und über das Verhalten bei Lastwechseln
und muss sorgfältig ausgewählt werden.
Einen kleiner Verlustwiderstand (ESR) ist
extrem wichtig, steht jedoch häufig im
Zielkonflikt mit den Bauteilkosten.
Faktoren wie Entstörung, Laststrom und
Schaltfrequenz sind bei der Dimensionie­
rung der Eingangskapazität zu berück­
sichtigen, die nicht nur zur Unterdrückung
von ankommenden und in die Quellspan­
nung zurückgefügten Störungen beein­
flusst wird, sondern auch die Welligkeit
des Eingangsstromes (Input Ripple). Auch
hier ein niedriger ESR­Wert sehr wichtig,
weshalb in der Regel nahe am Wandler ein
Keramik­Kondensator platziert wird.
Leistungsschalter wie MOSFETs beein­
flussen den Wirkungsgrad des Wandlers.
Entscheidende Parameter sind der RDS­ON
und die Schaltverluste. Das Schaltungs­
design zur Definition des dynamischen
Verhaltens muss auch die Stabilität in allen
Betriebszuständen berücksichtigen. Ein
zweckmäßiges Layout reduziert zusätzlich
das Ausgangsrauschen.
POLs mit wenig Peripherie aufbauen
Die beschriebenen Einflussfaktoren lassen
ahnen, wie hoch der Entwicklungsauf­
wand bei bis zu 40 POLs werden kann.
Eine realistische Betrachtung der Gesamt­
kosten berücksichtigt nicht nur die reinen
Bauteilekosten, sondern auch der Zeitauf­
wand für Schaltungsdesign, Testläufe und
eventuell nötige Redesigns. Diskrete
Lösungen führen aufgrund der Vielzahl
unterschiedlicher Komponenten zu höhe­
ren Lagerhaltungs­, Montage­ und Her­
stellungskosten. Erfahrungsgemäß lassen
sich bei mehr als fünf unterschiedlichen
POLs obige Kosten und Zeit sparen, wenn
auf Power­Module zum Einsatz kommen.
Bild 2 zeigt schematisch enthaltene Haupt­
komponenten. Zur Komplettierung muss
der Entwickler lediglich die Eingangs­und
Ausgangskondensatoren hinzuzufügen.
Intersil bietet zahlreiche digitale und
analoge Point­of­Load­Modullösungen
an. Der Baustein ISL8216M (Bild 3) wird
eck-daten
ISL8216M
• DC/DC-Power-Modul (15 × 15 × 3,5 mm3)
• Eingang 10 bis 80 V, Einfach-Ausgang 2,5
bis 30 V/4 A, Regelgenauigkeit ±1,5 %
• Schaltfrequenz 200 bis 600 kHz, synchronisierbar, programmierbarer Überlastschutz und Soft-Start
ISL8225M
• Zweifach-DC/DC-Power-Modul
(17 × 17 × 7,5 mm3)
• Zwei Ausgänge mit je 15 A oder parallel
30 A, bis zu 95 % Effizienz
• Eingang 4,5 bis 20 V, Ausgang 0,6 V bis
7,5 V, Regelgenauigkeit ±1,5 % mit differential remote sensing
• Bis zu sechs Module leisten parallelgeschaltet 180 A
ISL8240M
• Zweifach-DC/DC-Power-Modul
(17 × 17 × 7,5 mm3)
• Zwei Ausgänge mit je 20 A oder
parallel 40 A
www.elektronik-journal.de
Stromversorgungen Abwärtswandler
bild 1: Funktionsprinzip eines
nichtisolierten Abwärtswandlers.
Bilder: Intersil
bild 2: Alle wichtigen Funktionsblöcke sind im Abwärtswandler­
modul integriert, nur Kondensatoren müssen zugefügt werden.
bis zur maximalen Leistung ohne Kühl­
körper oder Lüfter betrieben werden. Alle
oben genannten Powermodule haben
Schutzfunktionen gegen Überspannung,
­strom und ­temperatur integriert.
Ab fünf POLs lohnen Modullösungen
bild 3: beschaltet mit vier Kapazitäten und einem Widerstand
ist das Power­Modul Isl8216M voll funktionsfähig.
mit Eingangsspannungen von 10 bis 80 V
versorgt, der Ausgangsbereich beträgt 2,5
bis 30 V und Ausgangsströme bis 4 A sind
entnehmbar. Mit seiner Kompatibilität zu
12­, 24­, 36­ und 48­V Systemspannungen
ist er für viele Industrieapplikationen
geeignet. Bis zu 100 W Ausgangsleistung
liefert das Step­Down­Power­Modul
ISL8225M im 17 × 17 mm2 großen QFN­
Gehäuse und mit zwei 15­A­Ausgängen,
die unabhängig voneinander oder kombi­
niert als 30­A­Ausgang betreibbar sind.
Noch höhere Leistung liefert das Modul
ISL8240M mit 20­A­Dualausgang oder
40­A­Enzelausgang, dessen Funktionen
Current­Sharing und Phase­Interleaving
den Parallelbetrieb von maximal sechs
Modulen mit insgesamt bis zu 240 A Aus­
gangsstrom ermöglichen. Die Leistungs­
module ISL8225M und ISL8240M können
In Systemen ab fünf oder mehr POLs lohnt
sich der Griff zum Taschenrechner. Gerin­
gere Entwicklungskosten, schnelleres
Time­to­Market, vereinfachte und flexib­
les PCB­Layout, weniger Design­Risiken
– es gibt viele Gründe, wo der Umstieg auf
Modul­Lösungen trotz höherer Bauteile­
kosten sinnvoll sein kann. (jwa)
n
autor
Christian Werner
Line Manager im Bereich Semiconductors and
Power Solutions bei SE Spezial-Electronic
infodirekt
801ejl0716
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Stromversorgungen Rail-Splitter
eck-daten
Bilde fotolia: dingelstaddalton
Unipolare Versorgungsspannungen lassen sich über viele Methoden
aufsplitten und wandeln. Neben den erforderlichen Spannungsund Stromwerten sind bei der Auswahl Faktoren wie Ausgangsrauschen, -welligkeit, -stabilität, -belastbarkeit und Effizienz, aber auch
Bauteilgröße und Schaltungsaufwand sowie -kosten entscheidend.
Texas Instruments bietet hierfür diverse IC-Bausteine wie lineare
und getaktete Rail Splitter, Operationsverstärker, Spannungsreferenzen, Ladungspumpen sowie uni- und bipolare DC/DC-Wandler.
rail-splitting geht auch anders
unipolare versorgungsspannungen aufsplitten und wandeln
Gelegentlich sind Versorgungsspannungen aufzuteilen oder zu invertieren, Spannungswerte zu ändern
oder unipolare in bipolare Betriebsspannungen zu wandeln. Unabhängig vom Einsatz stellt dieser Beitrag verschiedene Lösungen vor – einige mit geringem Platzbedarf oder Bauteilaufwand, andere mit
Autor: Daniel Tooth
höherem Wirkungsgrad.
S
oll beispielsweise bei unsymmetrischer Versorgungsspan­
nung ein Operationsverstärker symmetrisch betrieben
werden oder ist die Nutzung des vollen Dynamikbereichs
eines A/D­Wandlers gewünscht, können unterschiedliche
Methoden zum symmetrischen Aufteilen von Betriebsspannun­
gen (Rail Splitter) zum Einsatz kommen. Gemeint ist damit das
Generieren eines 0­V­Bezugspunkts, häufig bei der Hälfte der
ursprünglichen Versorgungsspannung, wie etwa ±12 V aus 24
V. Nach außen bleiben die Potenziale unverändert, hinter der
Schaltung gewinnt man eine bipolare Spannung um den neuen
0­V­Punkt herum.
Häufig werden fürs Rail Splitting Linearregler verwendet. Sind
hohe Ausgangsleistungen gewünscht oder die Anforderungen
an Störsignale nicht zu hoch, kommen Schaltregler in Frage. Die
neue 0­V­Masse wird als virtuelle Masse bezeichnet, denn sie ist
in der Regel keine echte Masse, also fern vom Erdpotenzial (GND).
Bild 1 illustriert das Konzept, bei dem die Eingangsspannung
geteilt und gepuffert wird, um eine Masse an Pin 1 zu generieren.
16
elektronik journal 07/2016
Varianten der Rail­Splitter­Schaltung teilen und verändern
zugleich die Eingangsspannung in zwei ­oder mehrere Aus­
gangsspannungen. Zum Beispiel lässt sich aus 3,3 V am Eingang
eine Spannung von ±5 V am Ausgang generieren. Dies geschieht
mit Schaltwandlern vom Typ Aufwärtswandler (Boost Converter)
oder mit Abwärts­Aufwärtswandlern (Buck Boost Converter).
Eine weitere Variante generiert aus unipolarer Eingangsspan­
nung eine betragsgleiche, aber invertierte Ausgangsspannung;
zum Beispiel ­5 V aus +5 V. Als Ergebnis erhält man auch eine
bipolare Spannung von ±5 V. Natürlich erzeugt diese Schaltung
keinen virtuellen Massepunkt, was jedoch kein Nachteil sein
muss, denn die Masse der Quellspannung 5 V ist ja vorhanden.
Grundsätzlich ließen sich abgeleitete Versorgungsspannungen
auch mit Spannungsteilern aus Widerständen realisieren, aller­
dings eignet sich diese Technik nur für kleine Lasten mit hoher
Impedanz wie beispielsweise bei Operationsverstärker­Eingän­
gen. Dieser Beitrag behandelt jedoch Rail Splitter mit niedriger
Ausgangsimpedanz.
www.elektronik-journal.de
Stromversorgungen Rail-Splitter
Bilder: Texas Instruments
ZUHÖRER.
bild 1: ersatzschaltung des
linearen rail splitter tle2426.
bild 2: linea­
rer rail split­
ter tPs51200
für kleine
spannungen.
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RÜCKSPEISE-SYSTEM
Lineare Rail-Splitter-Schaltungen
Der TLE2426 erzeugt aus einer Eingangsspannung zwischen 4 und 40 V eine
niederohmige Ausgangsspannung halber Größe (Bild 1). Neben dem Standard­
temperaturbereich von 0 bis +70 °C spezifiziert, die Automotive­Ausführung
TLE2426­Q1 für ­40 bis +125 °C und die Spezialversion TLS2426­EP für ­55 bis
+125 °C. Die Ruhestromaufnahme beträgt 170 μA, der Offset am Ausgang misst
100 μV innerhalb des Laststrombereichs von maximal ±10 mA. Kapazitive Las­
ten sind zulässig gemäß den Spezifikationen im Datenblatt. Bei Bedarf beschleu­
nigt ein Filterkondensator den Hochlauf.
Für Eingangsspannung kleiner als 4 V eignet sich der ebenfalls lineare
TPS51200. Er funktioniert als Stromquelle und –senke, ist für Temperaturen
von ­40 bis +85 °C spezifiziert, als Automotive­Version TPS51200­Q1 für ­40
bis +125 °C. Die integrierte Schaltung akzeptiert am Eingang eine Spannung
von 1,1 bis 3,5 V, die Ausgangsspannung beträgt zwischen 0,5 und 1,8 V. Der
Baustein benötigt eine Eigenversorgung von 3,3 oder 2,5 V. Das Teilverhältnis
wird am REF IN­Eingang bestimmt, der zweckmäßig mithilfe eines Widerstands­
teilers vom V LDO­IN­Pin beschaltet wird. Ebenso wie beim TLE2426 ist die Span­
nung der virtuellen Masse ungeregelt.
Der TPS51200 liefert mehr als 3 A und sein QFN­Gehäuse ermöglicht je nach
Umgebung höhere Ausgangsströme. Der virtuelle Masseausgang erfordert
keramische Pufferkondensatoren mit einem ESR unterhalb von 2 mΩ so nah
wie möglich am VOut­Pin auf derselben Leiterplattenseite wie der Regler.
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Getaktete Rail Splitter für Ströme bis 6 A
Für Ausgangsströme bis ±6 A eignet sich der getaktete Rail Splitter TPS53317,
der Eingangsspannungen von 1 bis 6 V verarbeitet und Ausgangsspannungen
von 0,6 bis 2 V generiert. Er basiert auf der DCap+ genannten Regelung, die für
schnelle Lastsprünge konzipiert ist. Der Baustein benötigt eine Hilfsspannung
von 5 V. Der Ausgang liefert bei unbeschaltetem VREF IN­Pin die interne Refe­
renzspannung von 2 V.
www.elektronik-journal.de
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Stromversorgungen Rail-Splitter
bild 3: lineare
doppelreferenz
reF20xx.
Operationsverstärker als Rail Splitter
Ein Spannungsteiler aus zwei Widerständen gefolgt von einem
Operationsverstärker (OPV) als Impedanzwandler bildet eine
belastbare virtuelle Masse. Achtung: OPVs sind in der Regel nicht
für kapazitive Lasten vorgesehen, insbesondere beim Verstär­
kungsfaktor eins. Bausteine wie der LPV521 kommen zwar infra­
ge, tolerieren aber nur eine begrenzte Kapazität am Ausgang. Im
Datenblatt finden sich Einzelheiten zur Phasenreserve.
Viele OPVs kommen mit größeren Lastkapazitäten zurecht,
wenn sie mit einem Serienwiderstand vom Ausgang entkoppelt
werden. Das Datenblatt zum LPV512 zeigt diese Möglichkeit
ebenso wie die Verwendung einer RC­Beschaltung zur Verbes­
serung der Phasenreserve. Einige Operationsverstärker, darun­
ter auch die LM8x­ oder LM7x­Reihen, können nach Datenblatt
aufgrund ihrer Architektur an beliebigen Lastkapazitäten treiben.
Negative Hilfsspannung für Rail-to-Rail-OPV
bild 4: getak­
tete negative
hilfsspannung
lM7705.
Spannungsreferenzen für stromsparendes Splitting
Schaltungen mit BatterieVersorgung erfordern besonders strom­
sparende Rail Splitter. Einige fungieren als Stromquelle und
Stromsenke; die meisten sind an kapazitiven Lasten stabil. Den
REF3xxx gibt es neben der Standardversionen mit 1,25 V Aus­
gangsspannung auch mit anderen Ausgangsspannungen. Eine
Spannungsaufteilung per Spannungsreferenz erfordert oft Kom­
promisse an die Symmetrie der Aufteilung. Ist beispielsweise
eine Spannung von 3,3 V zu teilen, wäre eine 1,8­V­Spannungs­
referenz der nächste geeignete Baustein. Somit erhält man eine
asymmetrische Versorgungsspannung von +1,8 V/­1,5 V.
Die Spannungsreferenzen REF19xx und REF20xx besitzen
einen zweiten, gepufferten Split­Rail­Ausgang. Dieser stellt Sig­
nalketten­Bausteinen eine Vorspannung bereit, die der Hälfte
der Spannung am Haupt­Referenzausgang entspricht. Die Ver­
sion REF1930 zum Beispiel besitzt einen Hauptausgang (Vref ) mit
3 V und zusätzlich einen gepufferten 1,5­V­Ausgang.
Der getaktete LM7705 generiert aus einer positiven Eingangs­
spannung von 3 bis 5,25 V eine Ausgangsspannung von ­232 mV
mit bis zu 26 mA. Der Einsatzzweck dieses Bausteins sind Anwen­
dungen mit unipolarer Betriebsspannung, bei denen Operati­
onsverstärker­Ausgangsignale bis tatsächlich 0 V herab benötigt
werden. In solchen Single­Rail­Applikationen geraten selbst
Rail­to­Rail­OPV bereits etwas oberhalb von 0 V in die Sättigung.
Hier hilft der LM7705 mit eine kleine negative Versorgungsspan­
nung. Je kleiner die Betriebsspannungen in der Schaltung sind,
umso mehr ist es notwendig, den verfügbaren Bereich in vollem
Umfang zu nutzen. LM7705 ist ein Ladungspumpen­Regler,
dessen Störspektrum am Ausgang sich mit zusätzlichen Vor­ und
Nachregelstufen auf 4 mV P­P senken lässt.
Invertierende Ladungspumpe mit wenig Rauschen
Einfache invertierende Ladungspumpen beispielsweise der
TPS60400­Familie erzeugen am Ausgang eine Spannung, die
den gleichen Betrag wie die Eingangsspannung hat, aber mit
invertiertem Vorzeichen. Da der Ausgang ungeregelt ist, werden
sie zweckmäßig mit einem Baustein wie dem TPS72301 kombi­
niert, einem linearen Low­Drop­Out­Regler (LDO) mit negati­
vem Ausgang und hoher Versorgungsspannungsunterdrückung.
Damit erhält man eine geregelte Ausgangsspannung mit gerin­
gem Rauschen. Bausteine der Reihe TPS6040x­Q1 sind Auto­
motive­qualifiziert.
bild 5: dc/dc­Wandler
tPs63700 für negative
spannungen.
18
elektronik journal 07/2016
www.elektronik-journal.de
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Stromversorgungen Rail-Splitter
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bild 6: dc/dc­Wandler
tPs65130/1 für positive
und negative spannungen.
DC/DC-Wandler als Rail Splitter für Ströme bis 1,5 A
Der getaktete TPS63700 liefert bei Eingangsspannungen von 2,7 bis 5,5 V maxi­
mal 360 mA bei ­2 bis ­15 V am Ausgang. Er basiert auf einer Buck­Boost­Topo­
logie mit 1,38 MHz Schaltfrequenz. Für geringe Störsignale empfielt es sich,
das im User Guide zum Evaluation­Board vorgegebene Leiterplatten­Layout zu
übernehmen. Hochfrequentes Rauschen am Ausgang lässt sich zusätzlich per
LC­Filter mit Ferritperlen­Drossel vermindern.
Für kompakte Lösungen eignet sich der LMR70503, der eine Eingangsspan­
nung von 2,8 bis 5,5 V in eine Ausgangsspannung von ­0,9 bis ­5,5 V wandelt.
Der verfügbare Ausgangsstrom hängt von den gewählten Ein­ und Ausgangs­
spannungen ab. Bei Vin = 3,3 V und Vout = ­5 V beträgt er etwa 75 mA.
Der getaktete TPS54160A, ein 1,5­A­Abwärtswandler mit maximal 60 V Ein­
gangsspannung ist vielseitig einsetzbar, beispielsweise um ±12 V aus einer
Eingangsspannung von 24 V zu erzeugen. Zur rauscharmen Versorgung ana­
loger Bauelemente werden LDO­Regler mit geringem Rauschen nachgeschaltet.
Bei negativen Spannungen kommen der TPS7A3001 (0,2 A) oder der TPS7A3301
(1 A) infrage, für positive Spannungen der TPS7A4901 (0,15 A) oder der TPS7A4700
(1 A). Höhere Ströme liefert der TPS54260.
Bipolare DC/DC-Wandler
Bausteine der Reihe TPS65130/1/2/3 generieren aus unipolaren Eingangsspan­
nungen im Bereich 2,7 bis 5,5 V bipolare Ausgangsspannungen bis ±15 V mit
Lastströmen bis 200 mA. Bei Schaltreglern sollte die Verlustleistung extern
beteiligter Komponenten berücksichtigt werden, um die maximale Ausgangs­
leistung der Schaltung zu bestimmen. Die Wirkungsgrad­Kennlinien im Daten­
blatt helfen bei der Bestimmung der Ausgangsleistung in Abhängigkeit von der
Verlustleistung für jede Ausgangsspannung.
Unipolare Versorgungsspannungen lassen sich über viele Methoden aufsplit­
ten und wandeln. Abhängig von den erforderlichen Spannungs­ und Strom­
werten bietet TI IC­Bausteine wie lineare und getaktete Rail Splitter, (jwa)
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den energiefluss
gut portionieren
Bild fotolia: calcassa
smarter Abwärtswandler für flexible
Point­of­load­Anwendungen
E
in besonderes Merkmal des intelligenten Abwärtswand­
lers LTC3886 ist die I²C­basierende und PMBus­kompa­
tible serielle Schnittstelle, über welche seine Funktionen
konfiguriert, überwacht und gesteuert werden. Die Eigenschaf­
ten lassen sich per grafischer Bedienoberfläche konfigurieren
und im EEPROM des Bausteins speichern. In fortgeschrittener
Entwicklungsphase sind für Funktionsänderungen keine Hard­
wareänderungen an der Baugruppe erforderlich, da die Modifi­
kation allein per Softwarekonfiguration erfolgen kann.
Flexibler Funktionsumfang
Die Architektur des zweikanaligen DC/DC­Abwärts­Schaltreglers
ist für den Betrieb mit konstanter Frequenz ausgelegt. Der Baustein
kann auch als Stromquelle mit Strommessung der Ein­ und Aus­
gänge betrieben werden. Zusammen mit den programmierbaren
Parametern des Regelkreises eignet sich der LTC3886 für Strom­
versorgungen mit hoher Genauigkeit und individueller Anpassung
an verschiedene Lastsituationen. Aufgrund der skalierbaren Soft­
ware und flexiblen Hardware bietet sich der Baustein für die
meisten Point­of­Load­Applikationen in industriellen und medi­
zintechnischen Umgebungen an.
Wenn es um funktionale, thermische und räumliche
Anforderungen geht, müssen POL-Stromversorgungssysteme gelegentlich fragmentiert aufgebaut werden. Hierfür eignen sich Multi-Wandler-Designs mit
dem LTC3886 von Linear, denn die Leistungs- und
Regelkomponenten sind aufteilbar und konfigurierbar.
Autor: Hellmuth Witte
Konfiguration, Diagnose- und Debugging
Das Windows­basierende grafische Entwicklungswerkzeug
LT­Power­Play bietet eine Soft­Konfiguration sowie diverse Ent­
wicklungs­, Diagnose­ und Debugging­Funktionen für den
LTC3886. Folgende Parameter sind einstellbar:
• Ausgang mit Über­/ Unterspannungs­ und Überstromschutz
• Eingangs mit Überspannungs­ und Überstromschutz
• Soft­Start/Stopp, Sequenzierung, Bereichsbegrenzung
• Justierung der Regelschleife, Schaltfrequenz und Phasenlage
• Störfallverhalten, Fehlerfortpflanzung über die FAULT­Pins
• Bausteinadresse
Zusätzlich können Schaltfrequenz, Bausteinadresse und die Aus­
gangsspannungen der Bausteinphasen per Beschaltung mit Kon­
figurationswiderständen festgelegt werden.
Bauteilstatus und Fehlerverhalten
Die PGOOD­Pins unterstützen die Ereignis­basierte Sequenzierung
über mehrere LTC3886 und weitere Powermanagement­ICs. Der
LTC3886 unterstützt auch zeitbasierendes Sequencing.
Fehlerinformationen zu Über­/Unterspannung (OV/UV), Über­
strom (OC), Übertemperatur (OT), Timing­Fehlern und fehler­
haften Spitzenströmen gibt der Schaltregler über die FAULT­Pins
aus. Das Verhalten im Störungsfall ist wählbar zwischen „Igno­
rieren“, „Sofort abschalten und im abgeschalteten Zustand blei­
ben“ oder „Sofort abschalten und nach einer bestimmten Dauer
Einschaltversuch wiederholen“.
Bilder: Linear
eck-daten
bild 1: der zweikanalige dc/dc­Abwärts­schaltregler ltc3886 verfügt über
ein digitales Powermanagement und ist per software konfigurierbar.
20
elektronik journal 07/2016
Der LTC3886 ist ein intelligenter Step-down-Controller für Eingangsspannungen von 4,5 bis 60 V, der ein digitales PowermanagementSystem, I²C-Kommunikation und integrierte AD/DA-Wandler enthält.
Der Baustein stellt zwei Ausgänge im Bereich von 0,5 bis 13,8 V bereit.
Er ermöglicht flexible Implementierungen als Point-of-Load-Stromversorgung (POL) für industrielle, Server- und Automobilumgebungen.
www.elektronik-journal.de
Stromversorgungen Wandler
bild 2: dynamische stromaufteilung für die in bild 4 dargestellte
schaltung; lastsprung ansteigend (links) und abfallend (rechts).
bild 3: Programmierbare
schleifenkompensierung.
Der LTC3886 erfasst Fehler, indem er kontinuierlich Telemet­
rie­ und Fehlerzustandsdaten ins RAM schreibt und Fehlerer­
eignisse zur späteren Diagnose im EEPROM sichert.
Ausgangskondensatoren, senkt die Systemkosten insgesamt und
erfüllt dennoch die strengen Anforderungen an die exakte Ein­
gangsspannung der nachgelagerten ICs.
Genauigkeit
Parallelschaltung mehrerer Phasen
Für eine Regelung und Überwachung der Versorgungsspannung
in engen Toleranzen sorgen schnelle analoge Regelschleifen mit
integrierten 16­Bit­A/D­ sowie 12­Bit D/A­Wandlern. Die Genau­
igkeit der Ausgangsspannung des LTC3886 ist mit ± 0,5 % über
den gesamten Betriebstemperaturbereich spezifiziert. Die Kom­
paratoren für Über­ und Unterspannung am Ausgang haben
einen Temperaturfehler von unter ±2 %. Die hohe Genauigkeit
der Regelung und Überwachung des LTC3886 erfordert weniger
Mehrere parallelgeschaltete Phasen sind eine Option für hohe
Leistungsdichte und flexible Anpassung des Leistungsbedarfs.
Der LTC3886 unterstützt die Poly­Phase genannte Stromauftei­
lung auf bis zu sechs Phasen zwischen mehreren Bausteinen auch
im Zusammenspiel mit anderen Schaltwandlertypen wie bei­
spielsweise dem LTC3870. In Bild 4 ist ein vierphasiger Abwärts­
wandler (425 kHz/50 A) dargestellt, der 48 V am Eingang auf 5 V
am Ausgang wandelt und dabei einen hohen Wirkungsgrad
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die rechte schaltungshälfte eines vierphasigen 50­A­POl
enthält den zweiphasigen Abwärtswandler ltc3886.
bild 4: die linke schaltungshälfte eines vierphasigen 50­A­POl
enthält den zweiphasigen Abwärtswandler ltc3870.
erreicht. Die Schaltung besteht aus den Schaltregler LTC3886
und Phasenerweiterungsbaustein LTC3870. Bild 2 zeigt die resul­
tierende dynamische Stromaufteilung zwischen den vier Phasen.
Systemarchitekten fragmentieren gerne die Stromversorgung,
um funktionale, thermische und räumliche Anforderungen zu
erfüllen. Multi­Wandler­Designs mit dem LTC3886 vereinfachen
solch eine Fragmentierung, weil die Leistungs­ und Regelkom­
ponenten aufteilbar sind.
Die Regelschleife optimal einstellen
Über die programmierbare Schleifenkompensation des LTC3886
lassen sich die Schleifenstabilität und das Einschwingverhalten
des Controllers optimal einstellen, ohne externe Komponenten
austauschen zu müssen. Zur Konfiguration der Schleifenkom­
pensation ist der Fehlerverstärkungsfaktor g m (Bild 3) von 1,0 bis
5,73 µΩ einstellbar, der Kompensationswiderstand RTH von 0 bis
62 kΩ. Bestückt werden müssen lediglich die beiden externen
Kondensatoren C TH und C THP im üblichen Verhältnis von 1:10.
Das Einstellen von g m ändert proportional die Verstärkung der
Regelschleife über den gesamten Frequenzbereich ohne Ver­
schiebung der Pol­ und Nullstellen, eine Veränderung von RTH
hingegen verschiebt diese. Sind die Spannungs­ und Strombe­
reiche des LTC3886 einmal festgelegt, wirken sich Änderungen
der Ausgangsspannung oder der Strombegrenzung nicht mehr
auf die Verstärkung der Regelschleife aus. Wird die Ausgangs­
spannung modifiziert, entweder durch Ändern des Spannungs­
befehls oder durch Margining, bleibt das Einschwingverhalten
der Schaltung konstant.
Den Wirkungsgrad verbessern
Über die EXTVCC­Pins lässt sich das Wandlerverhalten bezüglich
des Wirkungsgrades optimieren. Dabei werden Ausgangsspan­
nungen zwischen 5 und 14 V unterstützt.
Wird der LTC3886 als Zwischenbuswandler eingesetzt, etwa
um nachgelagerte POLs zu versorgen (Bild 5), kann dabei die
Zwischenbusspannung auf maximalen Wirkungsgrad optimiert
werden. Die Spannungs­ und Strom­Telemetrie des LTC3886
ermöglicht Messungen des Systemwirkungsgrades in Echtzeit,
was Voraussetzung zur Bestimmung der optimalen Zwischen­
busspannung ist. Vier LTM4676 bilden einen achtphasigen Point­
of­Load­Wandler, dessen Zwischenbusstromversorgung von 9
bis 13 V von einem LTC3886 erzeugt wird. Verglichen mit bisher
üblichen, konstanten 12­V­Zwischenbusspannungen steigert der
LTC3886 durch berechnete Busspannung den Wirkungsgrad um
6,2 % bei 10 A Last, 3,5 % bei 20 A und 1 % bei 40 A.
Der konfigurierbare Power­System­Management­Controller
LTC3886 eignet sich besonders für industrielle Anwendungen,
die vielseitige Anforderungen an Design, Steuerung, Überwa­
chung, Programmierung und Genauigkeit von Stromversor­
gungssystemen stellen. (jwa)
n
autor
Hellmuth Witte
Design Engineer im Bereich Power Management
Products bei Linear Technology Corporation
bild 5: Achtphasige ltM4676­Musterschaltung mit ltc3886­versorgung
zur ermittlung von Wirkungsgraden.
22
elektronik journal 07/2016
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Bild: Bicker Elektronik
das Industrie­Pc­netzteil beP­520c
mit Polymer­Kondensatoren er­
möglicht den lüfterlosen betrieb.
Das Industrie­PC­Netzteil BEP­520C von
Bicker Elektronik wurde für den lüfterlo­
sen Betrieb unter besonders extremen Ein­
satzbedingungen entwickelt, insbesonde­
re für geschlossene und lüfterlose Rugged­
Industrie­Computer.
Rugged­Industrie­Computer müssen in
rauen Umgebungen, unter extremen Tem­
peraturen und hohen Vibrations­ und
Stoßbelastungen zuverlässig funktionie­
ren. Zu den typischen Anwendungsfeldern
zählen die Prozessautomation, Schwerin­
dustrie, der Energie­Sektor (Öl, Gas, Berg­
bau), Offshore­Applikationen sowie die
Bereiche Transportation, Logistik, Pharma
und Lebensmittel­Industrie.
Das BEP­520C arbeitet im erweiterten
Temperaturbereich von ­20 bis +70 °C und
liefert 200 W Dauerleistung ohne aktive
Kühlung. Über einen DC­Weitbereichs­
eingang von 16 bis 32 V verfügt das robus­
te IPC­Netzteil. Die geregelten ATX­Aus­
gänge +3,3, +5, +12, ­12 V, +5 Vsb benötigen
keine Grundlast und sind somit „Intel
Haswell/Skylake ready“. Zudem ermög­
licht das praktische Kabelmanagement­
System den flexiblen Einsatz kundenspe­
zifischer Kabelbäume.
Ein Novum in diesem Netzteil­Segment
ist die Tatsache, dass ausschließlich Poly­
mer­Kondensatoren anstelle von Elektro­
lyt­Kondensatoren zum Einsatz kommen.
Dies stellt die besonders lange Netzteil­
www.elektronik-journal.de
Lebensdauer des BEP­520C von mehr als zwölf
Jahren sicher. Polymer­Kondensatoren sind
hinsichtlich elektrischer und thermischer
Belastungen wesentlich robuster und zeichnen
sich durch ihre hohe Stabilität, Zuverlässigkeit
und Langlebigkeit aus. Den lüfterlosen
24/7­Dauerbetrieb ermöglicht die hohe Ener­
gieeffizienz des Netzteils über den gesamten
Lastbereich, sowie eine optimale Wärmeab­
leitung durch die thermische Gehäuseanbin­
dung der Leistungsbausteine auf der Plati­
nenunterseite. Unter 0,3 W (ErP lot 6 2013
ready) liegt der Standby­Verbrauch.
Sicherheitstechnisch entspricht das Netzteil
der EN/UL60950­1 und verfügt standardmä­
ßig über zahlreiche Schutzfunktionen wie
Kurzschluss­Schutz an allen Ausgängen sowie
Überlast­, Überspannungs­ und Übertempe­
ratur­Schutz. Die Ein­ und Ausgänge sind
galvanisch voneinander getrennt (Isolations­
spannung Eingang/Ausgang 3000 VAC). Neben
der Langzeitverfügbarkeit von mindestens
fünf Jahren gewährt Bicker Elektronik eine
Garantie von drei Jahren.
Darüber hinaus bietet das Unternehmen
seinen Kunden mit den laborgeprüften
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heiße spuren im silizium
Oberflächentemperatur von halbleitersubstraten messen
Bild fotolia: Givaga
Damit Halbleiterbauteile im statischen und dynamischen Betrieb keinen
Hitzschlag erleiden und lange leben, müssen Entwickler das thermische
Verhalten sowie die Temperaturverteilung im Inneren kennen und berücksichtigen. Die Thermografie mittels Thermoreflectance Imaging ermöglicht
Autor: Dr. Gabriel Loata
detaillierte Einblicke.
B
ei der Entwicklung von integrierten
Schaltungen und optoelektroni­
schen Bauteilen mit Halbleiterstruk­
turen im Mikro­ und Nanometerbereich
spielen die thermischen Eigenschaften des
Halbleitermaterials eine wichtige Rolle.
Aufgrund des endlichen Wärmewider­
stands kommt es im IC zu einer Selbster­
wärmung (Self­Heating­Effect) mit räum­
lich unterschiedlicher Temperaturvertei­
lung. Zudem ist der zeitliche Verlauf der
Temperaturverteilung strukturabhängig.
Mit steigender Temperatur im Baustein
oder IC erhöht sich die Ausfallrate. Beson­
ders kritisch sind Hot­Spots. Dies sind
kleine Volumenbereiche der aktiven Zone,
in denen ein Großteil der thermischen
Energie entsteht. Die in Hot­Spots ent­
standene Wärmeenergie muss durch den
Halbleiter und das Gehäuse in eine Wär­
mesenke abfließen können.
Für den Ausfall von Bauteilen durch
thermische Überhitzung sind Hot­Spots
hauptverantwortlich. Speziell für schnel­
le Schaltanwendungen bei DC/DC­Wand­
lern, verbunden mit einer hohen Leis­
tungsdichte im Halbleiterbauteil, ist ein
möglichst homogenes Wärmeprofil ohne
Hot­Spots entscheidend, um die benötig­
te Bausteinqualität zu erreichen.
Genauer als Infrarotthermografie
Aussagen über die Bausteinqualität lassen
sich mithilfe der thermischen Analyse tref­
fen. Zu den am häufigsten verwendeten
Methoden im Mikro­ und Submikrome­
terbereich zählt die Infrarotthermografie.
Eine neuere Methode ist das Thermore­
flectance Thermal Imaging (TTI). Die TTI­
Methode beruht auf dem Prinzip der ther­
mischen Reflexion – einer Änderung des
Reflexionsgrades für Licht an der Ober­
fläche eines Materials als Funktion der
Oberflächentemperatur. Dieser Effekt ent­
steht durch die Temperaturabhängigkeit
des Brechungsindex.
bild 1: Prinzip des
thermoreflectance­
thermal­Imaging­
thermometers von
Microsanj.
Bei der TTI­Methode bestrahlt eine
Lichtquelle das Messobjekt in einem defi­
nierten Bereich. Aus der reflektierten
Lichtmenge lässt sich die Oberflächen­
temperatur ermitteln. Statt nur einen
Raumpunkt zu bestrahlen, erstellt eine
Optik ein zweidimensionales thermogra­
fisches Bild. Hauptvorteil der TTI­Metho­
de besteht in der Verwendung von Licht
mit kürzerer Wellenlänge als bei der Inf­
rarotthermografie. Durch die höhere Auf­
lösung des thermografischen Bildes lassen
sich kleine Hot­Spots in Halbleiterbaustei­
nen wesentlich zuverlässiger auffinden.
Bild 1 zeigt das Funktionsprinzip eines
TTI­Thermomikroskops von Mircosanj,
mit dem sich orts­ und zeitaufgelöste ther­
mografische Bilder messen lassen. Als
monochromatische Lichtquelle dient eine
LED oder eine Laser. Ein Strahlteiler
strahlt das Licht der LED über eine Mik­
roskop­Optik auf die Probe (Device). Das
an der Probe reflektierte Licht gelangt
über die Mikroskop­Optik zurück auf das
zweidimensionale CCD­Empfängerarray
(Charge Coupled Device), ein Empfänger
zur Messung der optischen Lichtleistung.
eck-daten
Bilder: BSW
Zeitabhängige Wärmebildaufnahmen zur Beurteilung der Qualität von ICs lassen sich mit-hilfe von Thermoreflectance Thermal Imaging (TTI) erstellen. Der Beitrag demonstriert die räumliche und zeitliche thermografische Auflösung dieser Methodebeispielhaft anhand von Messungen an GaN-Leistungs-ICs mit
kleinsten Strukturen. Mit der TTI-Methode sind thermische Einschwingvorgänge gepulster Halbleiterbauteile mit einer Auflösung von bis zu 800 ps messbar. Damit eignen sich unterschiedliche verfügbare TTI-Messsysteme für die Entwicklung
und Qualitätssicherung von Leistungshalbleitern.
24
elektronik journal 07/2016
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Powermanagement Sensorik
tabelle 1: thermoreflectance­thermal­Imaging­Messsysteme von Microsanj.
Zeitabhängiges Thermografiebild
Durch den Pulsbetrieb der Probe lässt sich
ein zeitabhängiges thermografisches Bild
erstellen. Dazu legt das System den
Betriebsstrom oder die Betriebsspannung
periodisch mit einer kurzen Wiederhol­
rate an (Excitation­Signal) und erzeugt
daraus ein Triggersignal, das an der CCD­
Kamera den Zeitpunkt des Auslesens der
Lichtleistung bestimmt.
Zum Kalibrieren wird die Probe auf eine
regelbare Heizplatte montiert. Die Heiz­
platte bringt die Probe auf verschiedene
konstante Umgebungstemperaturen,
ohne dass eine Betriebsspannung anliegt.
Durch Messung des reflektierten Lichts
lässt sich so der temperaturabhängige
Reflexionsgrad ortsaufgelöst für die Ober­
flächenmaterialien der Probe messen. Die
Messdaten lassen sich später zur Berech­
nung der absoluten Oberflächentempera­
tur einer Probe unter elektrischer Last
verwenden. Um eine hohe Messgenauig­
keit zu erreichen, wird mithilfe hochemp­
findlicher Lock­In­Detektion eine perio­
dische Wiederholung von Einzelmessun­
gen durchgeführt. Nach sorgfältiger Kali­
brierung ist bei geeigneten Oberflächen
eine absolute Temperaturgenauigkeit von
±0,25 °C erreichbar. Dies ist für fast alle
Entwicklungsaufgaben in der Bauteil­ und
Halbleiterindustrie eine ausreichend hohe
Genauigkeit.
Leistungsbauteile thermografieren
Tabelle 1 zeigt verschieden Messsysteme
für den Laboreinsatz. Aufgrund der hohen
Ortsauflösung ist ein optischer Tisch emp­
fehlenswert, um Fehler durch akustische
www.elektronik-journal.de
Schwingungen zu vermeiden. Mit einem
Probentisch mit x­y­z­Manipulatoren lässt
sich der Bildausschnitt präzise und stabil
justieren. Ein solcher Messplatz eignet
sich für Halbleiterbausteine aus Silizium,
GaAs oder GaN, beispielsweise Switches
für DC/DC­Wandler, HF­Leistungsver­
stärker, LEDs und Laserdioden, Solarzel­
len, MMIC oder MEMS. Auch der Wir­
kungsgrad von Kühlkörpern sowie Wär­
meübertragungsprozesse lassen sich mit
dem Messsystem ermitteln und darstellen.
Die zeitaufgelöste Thermografie ist
wichtig bei Leistungsbauelementen, die
sich oft nur im Pulsbetrieb messen lassen,
da sie eine länger anliegende thermische
Last beschädigen könnte. Außerdem ist
es oft notwendig, den zeitlichen Verlauf
der Wärmeverteilung und die thermische
Einschwingdauer zu untersuchen.
Ein genauer Beschreibung des Messp­
rizips findet sich in der Online­Version
dieses Beitrags per infoDIREKT.
Temperaturprofile im 50-ns-Takt
Die TTI­Methode bietet die derzeit höchs­
te zeitliche Auflösung für Temperatur­
messungen in Vollfeldbildern. Mit dem
Messsystem NT220B lassen sich thermo­
grafische Bilder mit bis zu vier Megapixel
und einer Auflösung von 50 ns aufneh­
men. Beim Austausch der LED­Quelle
durch einen Pikosekunden­Laser lässt
sich die Auflösung auf bis zu 800 ps stei­
gern. Im Vergleich dazu sind viele kom­
merziell verfügbare Infrarotthermometer
auf eine zeitliche Auflösung von einigen
Millisekunden limitiert. Die räumliche
Auflösung ist wie bei jedem Mikroskop
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Powermanagement Sensorik
gang zu messen. Bei der Autofokus­Funk­
tion gleicht ein piezoelektrisches Stellglied
die thermische Ausdehnung des Messob­
jekts während des An­ und Abschaltens
teilweise aus, wodurch sich eine präzise
Temperaturmessung und eine hohe räum­
liche Auflösung erreichen lassen.
Thermische Modellierung und
Qualitätssicherung
bild 2: die ttI­temperaturmessung an einem gan­heMt offenbart die unterschiedliche thermische
reaktion der inneren schichtbereiche bei einem 10­µs­lastimpuls.
durch Beugungseffekte begrenzt. Da TTI­
Thermomikroskope eine Lichtwellenlän­
ge von 0,35 bis 0,65 µm verwenden, ist eine
räumliche Auflösung von 0,2 bis 0,5 µm
erreichbar. Dies ist ein Vorteil gegenüber
der Infrarotthermografie, mit der sich auf­
grund der deutlich größeren Lichtwellen­
länge eine Auflösung von nur 3 bis 10 µm
erreichen lässt.
Temperatur-Zeit-Profile ermitteln
Bild 2 zeigt die Temperaturverteilung an
einem Zwei­Finger­GaN­HEMT­Transis­
tor (High­Elektron­Mobility­Transistor),
die durch 10 µs lange periodische Span­
nungspulse am Drain­Kontakt entsteht.
Die Thermoreflektanzbilder bei einer Zeit­
auflösung von 500 ns zeigen unterschied­
liche thermische Zeitverläufe auf dem
Transistor. Die schmale Gate­Metallisie­
rung und der relativ breite GaN­Kanal
heizen sich etwa zwei­ bis dreimal schnel­
ler auf als der Drain­Metallkontakt.
Tabelle 1 gibt einen Überblick zu den
typische Eigenschaften verschiedener TTI­
Thermomikroskop­Messplätze. A lle
Messsysteme verfügen über Lichtquellen
mit einer kontinuierlichen Abstimmung
der Lichtwellenlänge und einer hochprä­
zisen Autofokus­Funktion zum Scharf­
stellen auf die Messobjekte. Neben mono­
chromatischen Lichtquellen lassen sich
auch weiße LED­Beleuchtungen verwen­
den. Die abstimmbare Lichtquelle ermög­
licht Anwendern mehr Flexibilität bei der
Analyse, da sie erlaubt, die geeignete Wel­
lenlänge für die verschiedenen Materiali­
en der Probe in einem einzigen Arbeits­
Die TTI­Systeme von Microsanj lassen sich
in vier Produktlinien aufteilen und sind je
nach Anwendung flexibel konfigurierbar
und erweiterbar. Das kostengünstige Sys­
tem NT110 dient als Werkzeug für die
thermische Modellierung oder für die
Qualitätssicherung im Herstellungspro­
zess. Die Serie NT210/220 bietet neben der
Zeitauflösung eine CCD­Kamera mit
hoher örtlicher Auflösung und verschie­
denen Autofokus­ und thermischen Kali­
brierungsoptionen. Diese Systeme eignen
sich zur Validierung thermischer Modelle
in der Forschung und Entwicklung.
Für Flip­Chip­ und Thru­the­Substrate­
Anwendungen eignet sich das System
NT310, während die Serie NT410 über eine
gepulste Laserquelle verfügt und damit
eine zeitliche Auflösung in Sub­Nanose­
kundenbereich erreicht. (hb/jwa)
n
autor
Dr. Gabriel Loata
Fachbereich Thermografie bei
BSW Testsystems & Consulting
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957ejl0716
Powermanagement Highlights
plug-and-pl ay-lÖsung ausserhalb des schaltschrankes
Ein Merkmal der primär getakteten Strom­
versorgungsmodule PM­IP67A200 von
MTM Power ist die Ausführung in Schutz­
art IP67. Sie sind speziell für die elektrische
Versorgung von Steuerungen, Sensorik
und Aktorik im Feldbereich direkt an der
zu versorgenden Applikation konzipiert.
Waren bisher zur Erreichung des Schutz­
grades IP67 für konventionelle Stromver­
sorgungen zusätzliche Maßnahmen wie
der Einbau in Schaltschränke oder ent­
sprechende Gehäuse notwendig, lassen
diese Stromversorgungsmodule den direk­
ten Einsatz als Plug­and­Play­Lösung vor
Ort zu. Ermöglicht wird dies durch den
Anschluss über spezielle 7/8­Zoll­Steck­
verbinder und den thermoselektiven Vaku­
umverguss (EP 1 987 708, United States
Patent Number 8,821,778 B2).
Über 24 V Single­ und Dualausgänge
verfügt die Serie. Die Kompaktstromver­
sorgungen mit 90 bis 264 VAC) und DC­
Weitbereichseingang (100 bis 300 V DC) sind
für den weltweiten Einsatz unter extremen
Umgebungsbeding ungen konzipiert.
Optional sind die Geräte mit 24 V mit einer
variablen Strombegrenzung versehen und
dadurch in der Lage, kurzzeitig die
1,5­fache Nennausgangsleistung zu lie­
fern. Mit diesem Power Boost können
schwieriger Verbraucher wie zum Beispiel
Motoren oder kapazitive Lasten starten.
Die dualen Ausgangsspannungen sind von
einander galvanisch getrennt mit 500 VAC
Bild: MTM Power
200 w für ip67-anwendungen
die Module der serie PM­IP67A200 sind speziell
für die elektrische versorgung von steuerungen,
sensorik und Aktorik im Feldbereich konzipiert.
Isolationsspannung und unabhängig gere­
gelt. Beide Ausgangsspannungen sind
Limited Power Sources entsprechend EN
60 950­1 und UL 1310, NEC class 2 zerti­
fiziert. Die Geräte entsprechen der Schutz­
klasse 1 und erfüllen die Niederspan­
nungsrichtlinie sowie die aktuellen EMV­
Normen zur CE­Konformität. (jck)
n
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130ejl0716
bidirek tionale wechselrichter
Bisher lag der Schwerpunkt bei Forschung
und Entwicklung von Redox­Flow­Batte­
rien auf der Speichertechnologie selbst
und weniger auf der Leistungselektronik.
In Kooperation mit dem Fraunhofer­Ins­
titut für Solare Energiesysteme (ISE) hat
Trumpf Hüttinger einen bidirektionalen
Wechselrichter entwickelt, der genau auf
die besonderen Anforderungen dieser
Speichertechnik ausgelegt ist.Bei Redox­
Flow­Batterien können Leistung und Spei­
cherkapazität unabhängig voneinander
skaliert werden. Der Wechselrichter soll
zunächst in drei Modellen mit Leistungen
von 6, 20 und 33 kW angeboten werden.
Er ist für den Anschluss an Niederspan­
nungsnetze von 400 bis 480 V vorgesehen,
die Toleranz beträgt ­15 % bei der Mini­
mal­ und +10 % bei der Maximal­Netz­
spannung. Die Netzfrequenz liegt im
Power and More
Batterieladesysteme
DC/DC Wandler
Bild: Trumpf Hüttinger
für redox-flow-batterien
bidirektionale Wechselrichter für redox­Flow­
batterien.
Bereich von 45 bis 65 Hz. Auf der DC­Sei­
te gibt das Unternehmen den Spannungs­
bereich mit 0 bis 70 V und eine Stromstär­
ke bis 1350 A an.(ah)
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verringern
Fehlauslösungen von Fehlerstrom­
schutzschaltern vermeiden
Fehlerstrom-Schutzschalter verbessern in elektrischen
Anlagen den Personenschutz. Insbesondere Motorantriebe mit Frequenzumrichter verursachten jedoch
Ableitströme, die zu Fehlauslösungen und damit zu
unnötigen Maschinenstillständen führen. Schurter erklärt einige Ursachen und stellt dafür Lösungen vor.
Autor: Herbert Blum
der sinusfilter FMAc sine verringert am Ausgang des Fu die Ober­
wellen in der Motorspannung und reduziert Ableitströme.
F
ein RCD nicht zwischen Ableitströmen
im normalen Betrieb und gefährlichen
Fehlerströmen unterscheiden kann.
Die Ursachen verstehen
Vor allem Frequenzumrichter (FU) für
den energieeffizienten Betrieb von Moto­
ren verursachen große Ableitströme. Aber
auch die Kapazitäten der Leitungen und
die Netzfilter, die zur Einhaltung der
elektromagnetischen Verträglichkeit
(EMV) nötig sind, erzeugen zusätzlich
Ströme gegen Erde. Die Summe aller
Ableitströme kann so den Fehlerstrom­
Schutzschalter zum Ansprechen bringen.
Doch es gibt Mittel gegen zu hohe Ableit­
ströme, um einen effizienten und sicheren
Betrieb zu garantieren. Sowohl beim
1­Phasen­ als auch beim 3­Phasen­Fre­
quenzumrichter wird zuerst die Netz­
spannung über eine Brückenschaltung
gleichgerichtet und geglättet. Der Umrich­
ter formt daraus eine Ausgangsspannung,
die in Spannungsamplitude und Frequenz,
entsprechend der gewünschten Motor­
drehzahl, variieren kann.
Ableitströme in FUs entstehen durch die
internen Entstörmaßnahmen und alle
parasitären Kapazitäten im FU und Motor­
kabel (Bild unten). Die größten Ableitströ­
me verursacht aber die Arbeitsweise des
Frequenzumrichters. Dieser regelt stufen­
Bilder: Schurter
ehlerstrom­Schutzeinrichtungen
schützen gegen gefährliche Kör­
perströme in Niederspannungs­
netzen bei direktem oder indirektem
Berühren. Entsprechende Fehlerstrom­
Schutzschalter, auch FI­Schutzschalter
oder Reststromschutzgerät (RCD, residu­
al current protective device) genannt,
erfassen die Fehlerströme gegen Erde
indirekt durch vektorielle Summenbil­
dung aller Phasenströme. Bei Über­
schreitung eines bestimmten Fehler­
stromwertes (Summe aller Phasenströme
≠ 0) trennt der Schalter alle aktiven Leiter
in dem angeschlossenen Leitungsstrang
vom Netz ab. Das Problem dabei ist, dass
durch eMv­Filter, parasitäre Kapazitäten und lange leitungen entstehen an mehreren stellen eines Motorantriebs mit
Frequenzumrichter Ableitströme gegen Pe.
28
elektronik journal 07/2016
www.elektronik-journal.de
Powermanagement Fehlerstrom
los die Motordrehzahl mit einer Pulswei­
tenmodulation (PWM). Dabei entstehen
Ableitströme weit oberhalb der Netzfre­
quenz von 50 Hz. So kann die Schaltfre­
quenz des Frequenzumrichters zum Bei­
spiel 4 kHz betragen, die dazugehörigen
Oberwellen aber sehr hohe Amplituden
in höheren Frequenzen haben. Diese Fre­
quenzen gehen über die Motorleitung zum
Motor. Dabei wirkt die Motorleitung mit
geerdeter Abschirmung wie ein Konden­
sator gegen Erde. Über diese Kapazität
werden Ströme gegen Erde abgeleitet. Es
empfiehlt sich, gefilterte und ungefilterte
Leitungen zu trennen, da sonst die hoch­
frequenten Störsignale auf das gefilterte
Kabel übertragen werden können.
Transiente Ableitströme
Beim Aus­ oder Einschalten der Anlage
können außerdem transiente Ableitströme
entstehen. Das Einschalten bewirkt, je
nach Phasenwinkel, steil ansteigende
Spannungsspitzen infolge des schnellen
Spannungsanstieges. Dasselbe geschieht
auch beim Ausschalten infolge der Induk­
tivitäten im Stromkreis. Diese schnellen
Spannungsspitzen erzeugen über die Fil­
terkondensatoren einen transienten
Ableitstrom gegen Erde. So kann der FI­
Schutzschalter beim ersten Einschalten
der Anlage den Betrieb lahmlegen.
Eine Möglichkeit, um dies zu verhin­
dern, ist der Einsatz von RCDs mit verzö­
gertem Ansprechverhalten. Ist kein solcher
RCD verbaut, lässt sich die Maschine rela­
tiv einfach schrittweise starten. So können
bei Maschinen mit mehreren Einheiten
die verschiedenen Frequenzumrichter
(FUs) nacheinander hochfahren.
Ausführungen. Werden die Auslösewerte
durch einen Isolationsfehler oder durch
eine Berührung erreicht, schaltet der FI­
Schutzschalter sofort aus.
Nach der seit Juni 2007 gültigen DIN
VDE 0100­410 sind für alle Steckdosen­
stromkreise bis 20 A Fehlerstrom­Schutz­
einrichtungen mit einem Bemessungsfeh­
lerstrom bis maximal 30 mA vorzusehen.
Das gilt auch für Stromkreise bis 32 A im
Aussenbereich zum Anschluss von trag­
baren Betriebsmitteln. Die Wahrschein­
lichkeit, dass auch nicht fest angeschlos­
sene Maschinen oder Geräte mit einer
FI­geschützen Elektroinstallation verbun­
den sind, ist somit relativ gross. Der Gerä­
te­Hersteller sollte deshalb seine Maschi­
ne auf Ableitströme überprüfen.
Neben den verschiedenen Auslösewer­
ten gilt es auch die verschiedenen Cha­
rakteristiken der RCD zu beachten. Je nach
Typ lösen sie nur bei sinusförmigem Feh­
lerstrom aus. Oder sie sind allstromsensi­
tiv und messen auch die anderen Ströme
im Frequenzbereich von Null bis mehrere
Kilohertz. Lassen sich die Ableitströme
einer Anlage nicht unterhalb die An­
sprechschwelle des FI­Schutzschalters
bringen, besteht die Möglichkeit, den FI­
Schutzschalter durch ein Differenzstrom­
messgerät (RCM) zu ersetzten. Dabei wer­
den der möglichst konstante Ableitstrom
der Anlage und der Fehlerstrom­Auslöse­
wert summiert und eingestellt. Das Dif­
ferenzstrommessgerät erlaubt den norma­
len Ableitstrom der Anlage, unterbricht
aber den Stromfluss sofort beim Über­
schreiten der summierten Limits.
Filter verursachen Ableitströme
In den EMV­Filtern sind Kondensatoren
von allen Phasen gegen Erde verdrahtet.
Über jeden dieser Y­Kondensatoren fließt,
entsprechend der Kondensatorgröße,
Netzspannung und Frequenz ein fortwäh­
render Strom. In einem idealen 3­Phasen­
Netz mit sinusförmiger Spannung ist die
Summe all dieser Ströme null. In der Pra­
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FI-Schutzschalter funktionieren so
Der Fehlerstrom­Schutzschalter muss bei
einer Fehlfunktion den Stromkreis sofort
unterbrechen. Dabei gibt es verschiedene
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Fehlerstrom-Schutzschalter trennen im Fehlerfall alle aktiven
Leiter des angeschlossenen Stromkreises vom Netz. Problem
dabei ist die Unterscheidung zwischen Ableitströmen im normalen Betrieb und echten, gefährlichen Fehlerströmen.
Durch eine Aufteilung der Stromkeise, kurze und getrennt
geführte Leitungen, höhere Filtergüte und Einsatz von EMV-,
Summen-, Vierleiter- und Sinusausgangsfiltern lassen sich
Ableitströme reduzieren und so Fehlabschaltungen verhindern.
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xis entsteht jedoch, bedingt durch die star­
ke Verzerrung der Netzspannung, ein
andauernder Ableitstrom gegen Erde. Die­
ser ist auch vorhanden, wenn die Maschi­
ne nicht läuft, die Spannung also nur am
Filter anliegt. Die meisten Filterhersteller
geben den maximal zu erwartenden
Ableitstrom an. Allerdings sind dies the­
oretische Werte, die wegen unsymmetri­
scher Belastung oder höherer Frequenz
abweichen können. Deshalb sollte man
die Ströme gegen PE mit eingebauten Fil­
tern im Betrieb nachmessen.
Viele Frequenzumrichter werden mit
bereits integrierten oder sogenannten
Unterbau­Filtern geliefert. Dies sind meist
einfache, preiswerte Filter mit kleinen
Drosseln und großen Kondensatoren zwi­
schen den Aussenleitern (Polleitern) und
Erde, welche große Ableitströme verursa­
chen. Die Filterwirkung der großen Y­Kon­
densatoren lässt sich meist nur durch grö­
ßere Induktivitäten ersetzen. So muss zum
Beispiel ein einstufiges Filter mit großen
Y­Kondensatoren durch ein zweistufiges
Filter mit zwei Drosseln ersetzt werden,
welches größer und teurer ist.
Oftmals gibt es zu den beiliegenden Fil­
tern auch eine EMV­Konformitätserklä­
rung. Diese gilt jedoch nur für einen ide­
alen Aufbau und kurze Motorleitungen.
Längere Motorleitungen erfordern eine
neue EMV­Messung. Lange Motorleitun­
maßnahmen gegen zu hohe
ableitströme
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Gefilterte und ungefilterte Kabel örtlich
getrennt verlegen
Schrittweises Starten bei mehreren
Frequenzumrichtern (FU)
FU nahe beim Motor platzieren (kurze
Motorleitungen)
Überspannungsschutz zum Schutz vor
Spannungsspitzen
Fehlerstromschutzschalter mit verzögertem Ansprechverhalten verwenden
Einsatz eines Differenzstrommessgerätes (RCM) mit Stromsensoren
Netzdrosseln vorsehen
Summenfilter am Netzeingang anstelle
mehrerer einzelner Filter nutzen
4-Leiter-Filter mit Nullleiter anstelle
3-Leiter-Filter verwenden
Ausgangsfilter (Sinusfilter) hinterm
Frequenzumrichter einsetzen
Ableitstromarme Filter verwenden
gen erzeugen auch eine größere Kapazität
gegen Erde, die wiederum größere Ableit­
ströme zur Folge haben. Diese zusätzli­
chen asymmetrischen Ströme können zu
einer magnetischen Sättigung der Drossel
im Filter führen. Dadurch verliert das Fil­
ter einen großen Teil seiner Wirkung und
die Anlage überschreitet die zulässigen
EMV­Grenzwerte.
Ableitströme reduzieren
Abhilfe schaffen hier kürzere Leitungen
oder ein Ausgangsfilter. Dieses Filter, auch
Sinusfilter genannt (Bild), sollte direkt am
Ausgang des FU eingesetzt werden. Es
verringert wirkungsvoll die Ableitströme
oberhalb 1 kHz, indem es die Flankens­
teilheit der Motorspannung vermindert.
Werden mehrere Frequenzumrichter in
einer Anlage eingesetzt, kann es sich loh­
nen, ein gemeinsames Filter am Netzein­
gang zu verwenden. Dies spart nicht nur
Kosten und Platz, sondern verkleinert auch
den Ableitstrom. Viele Hersteller bieten
auch ableitstromarme Filter für die Fre­
quenzumrichter oder Summenfilter am
Netzeingang an.
Eine einfache und effektive Möglichkeit
den Ableitstrom zu verringern, ist der Ein­
satz eines 4­Leiter­Filters mit Neutralleiter
anstelle der 3­Leiter­Filter. Die meisten
Filter mit Neutralleiter haben kleinere
Ableitströme, da viele Kondensatoren zwi­
schen Aussenleiter und Neutralleiter ver­
bunden werden. Dadurch kann der Haupt­
teil der Ableitströme über den Neutrallei­
ter zurückfliessen. Da der Neutralleiter
gleich wie die Aussenleiter durch den
Fehlerstromschutzschalter gemessen wird,
löst dieser nicht aus, da die Summe der
Ströme gleich ist.
Ist die Dämpfung eines Filters nicht aus­
reichend, kann dieses mit einer zusätzli­
chen Netzdrossel kombiniert werden.
Diese reduziert die Stromwelligkeit und
Oberschwingungen und sorgt somit für
kleinere Ableitströme. (dw/jwa)
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Herbert Blum
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Der neue On­Board­Charger von Green
Watt Power lädt Elektrofahrzeugbatterien
vom Stromnetz nach.
Green Watt Power (Vertrieb Kamaka ),
eine Sparte von Calex, führt einen Charger
mit 400 W Ausgangsleistung als neues Pro­
dukt ein. Es handelt sich dabei um einen
zweiphasiges Konstantstrom­/Konstant­
der Ac­charger lädt elektrofahrzeug­
batterien unterwegs und zu hause vom
stromnetz nach.
spannungs­Batterieladegerät, welches für
das Aufladen von Lithium­Ionen­Batterie­
Systemen in Elektrofahrzeugen verwendet
werden kann.
Der Charger besitzt einen universal AC­
Eingang von 90 bis 264 VAC und einen Aus­
gang von 58 V DC mit einer Ausgangsleistung
von 400 W, um die Elektrorollerbatterie zu
laden. Mit dem On­Board­Charger können
Fahrzeugbatterien entweder unterwegs oder
zu Hause nachgeladen werden.
Er besitzt folgende Schutzfunktionen:
Überspannungs­, Kurzschluss­ und Über­
temperaturschutz sowie ein wasserdichtes
IP64 Gehäuse. Weitere Features sind Kom­
munikation über CAN Bus, hohe Zuverläs­
sigkeit und einen Wirkungsgrad von bis zu
92 %. Der Charger ist RoHS konform und
hat eine Garantie von 5 Jahren. (jwa)
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Über Caltest sind neue pro­
grammierbare AC­ & DC­
Netzteile von Pacific Pow­
er Source mit der einer der
höchsten Leistungsdichte
Bild: Caltest
auf dem Markt erhältlich.
Eine komplett neue digita­
le Steuerungsarchitektur ermöglicht eine noch nie dagewesene
Kompaktheit ohne Kompromisse bei der Leistungsfähigkeit.
Pacific Power Source hat programmierbaren AC­ und DC­Quel­
len der Serie AFX mit Leistungen von 9 bis 60 kVA entwickelt. Alle
Modelle basieren auf einer eigenentwickelten, volldigitalen Tech­
nologieplattform zur Leistungsumwandlung, die bisher nicht ver­
fügbare Features von programmierbaren Quellen möglich macht.
Dazu gehört beispielsweise ein direktgekoppelter Ausgang für
kombinierte Betriebsarten für den AC­, DC­ und AC+DC­Ausgang.
Die aktiven leistungskorrigierten AC­Eingänge arbeiten mit
einem breiten Eingangsspannungsbereich, sodass sie überall auf
der Welt eingesetzt werden können. Spannung, Wellenform,
Strom, Leistung, Phase und Frequenz sind programmierbar. 99
Einstellungen können gespeichert werden, um so einen schnel­
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len Abruf in einem Testprotokoll zu ermöglichen und den Auf­
wand zu verringern.
Weitere Funktionen sind ein Frequenzbereich von 15 bis 1200
Hz, ein Spannungsbereich von bis zu 300 Vrms in der Konstant­
Leistungs­Betriebsart, programmierbare Effektivwerte oder
Gleichspannung, die Möglichkeit der Spitzenstrombegrenzung
sowie die Kompatibilität zur Windows­Bediensoftware UPC
Studio von Pacific Power Source. All diese Funktionen können
vom Nutzer über die intuitive Frontplatte mit einem großen Farb­
LCD­Display bedient werden. Für automatische Prüfeinrichtun­
gen stehen eine LAN­Schnittstelle mit LXI­Konformität (LAN
eXtensions for Instrumentation) und IVI­Treiber zur Verfügung.
Durch die neue volldigitale Architektur kann die 15 kVA­
Version der AFX­Serie in einem nur 4HE hohen Rack unterge­
bracht werden. Dies erleichtert es, veraltete Leistungstestschrän­
ke mit zusätzlicher Leistung aufzurüsten, ohne den zusätzlichen
Platz zu benötigen, den konventionelle AC­Quellen in Anspruch
nehmen würden. Weitere Informationen unter www.caltest.de.
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810ejl0716
elektronik journal 07/2016
31
Halbleiter E-Motoren
lautlos und ruckelfrei
Energieeffizienz ist inzwischen Grund­
bedingung des Klimaschutzes in nahezu
jeder Anwendung oder auch unabdingbar
bei begrenzter Verfügbarkeit von Energie
w ie in Batterie­A nwendungen. Die
Ansteuerung von BLDC­Motoren wird
daher auf Wirkungsgrad optimiert, und
zwar in möglichst vielen Betriebszustän­
den. Auch mindert eine Sinusansteuerung
die Entstehung störender Vibrationen und
Geräusche.
ge in wechselnder Polarität gegen die vol­
le Betriebsspannungen geschaltet werden.
Lediglich über die Einschaltdauer lässt sich
das Drehmoment variieren. Bei dieser
Ansteuerungsmethode wird jedoch der
Motorstrom mit Oberwellen belastet, was
sich auch im Drehmoment widerspiegelt
und zu Vibrationen und unerwünschten
Geräuschen führt. Für einen optimalen
Wirkungsgrad müssen die Induktions­
spannung und der Motorstrom zueinander
phasengleich sein. Eine Weiterentwicklung
in diese Richtung ist die Sinus­Ansteue­
rung mit Pulsweitenmodulation (PWM)
der Steuerspannung, wodurch sich ein
sinusförmiger Stromverlauf und eine Rege­
lung des Phasenwimkels realisieren lässt.
Sensorlose BLDC­Motoren benötigen
zwar weniger Bauteile, ihre Anwendung
beschränkt sich jedoch auf ein konstantes
Drehmoment und eine längere Anlauf­
dauer. Motoren mit eingebauten Lagesen­
soren kennen die absolute Rotorposition,
was zum Beispiel höhere Anlaufmomente
erlaubt. Weiterhin verbessert dies die
Dynamik bei Lastwechseln. Sensorbasier­
te Systeme sind einfacher zu implemen­
tieren, weil sie weniger Software­Entwick­
lung erfordern. Die Ansteuerung mit
Sinus­PWM über eine diskrete Schaltung
ist dagegen komplexer und benötigt im
Vergleich mehr Bauelemente. Hoch inte­
grierte Motorsteuerungen vereinfachen
die Schaltungsentwicklung und verkürzen
die Entwicklungzeit.
Sinus-PWM
statt Block-Kommutierung
Neuer Chip-Prozess und Phasenwinkelregelung für mehr Effizienz
Die Ansteuerung von BLDC­Motoren
erfolgt traditionell mittels Blockkommu­
tierung, wobei die einzelnen Phasensträn­
Der neue BiCD­Halbleiterprozess ermög­
licht die Kombination von CMOS­Logik­
und Bipolar­Leistungstransitor­Schalt­
kreisen gemeinsam auf einem Chip. Ein
BiCD­Controller ist daher kleiner, erzeugt
weniger Verlustleistung und ist direkt
kompatibel zu anderen Mikrocontrollern.
effizientere bldc­Motorantriebe entwickeln
Eine Controller-Treiber-Schaltung mit gutem Regler erlaubt es, effiziente,
vibrationsarme und leise BLDC-Antriebe schnell und mit geringen
Beschaltungsaufwand zu realisieren. Toshiba stellt hierfür einen hochintergrierten Baustein vor und erläutert die besonderen VerbesserungsAutor: Frank Malik
merkmale.
B
ürstenlose 3­Phasen­Gleichstrom­
motoren (BLDC­Motoren) sind
inzwischen Standard in vielen
Anwendungen, die wenig Strom verbrau­
chen und geräuscharm arbeiten müssen.
Anstelle der klassischen Ansteuerung mit
Rechtecksignalen verringern per PWM
erzeugte sinusförmige Phasenströme die
Vibrations­ und Geräuschentwicklung
sowie die Verlustleistung.
Für optimale Leistungsfähigkeit erfor­
dert die Sinusansteuerung eine Phasen­
anpassung zwischen Motorspannung und
Motorstrom, auch um einen hohen Wir­
kungsgrad über einen weiten Drehzahl­
bereich von fast null bis zu mehreren 1000
U/min zu erreichen. Die Umsetzung sol­
cher Anforderung an die Regelung braucht
Zeit und bedeutet zusätzliche Bauteile für
die Phasenanpassung.
Wegen ihrer besonderen Eigenschaften
werden BLDC­Motoren in zahlreichen
Anwendungen, zum Beispiel in industri­
ellen Steuerungen, in Fahrzeugen, im Büro
und zu Hause verwendet. Dazu gehören
Ventilatoren, Pumpen oder Antriebe
beweglicher Teile wie zum Beispiel in Dru­
ckern oder Festplatten.
bild 1: Phasenströme und hall­Positionssignale
ermöglichen eine effiziente Motoransteuerung.
eck-daten
Bilder: Toshiba
bild 2: der bicd­cont­
roller regelt strom und
gegeninduzierte span­
nung in die gleiche
Phasenlage und steigert
damit den energieum­
satz des bldc­Motors.
32
elektronik journal 07/2016
Der neue BiCD-Chip-Prozess und ein geregelter Phasenwinkel zwischen Strom und
induzierter Spannung (EMK) erreichen eine
höhere Effizienz und gleichmäßigeres
Drehmoment bei der Ansteuerung von
BLCD-Motoren. Toshibas Dreiphasen-SinusPWM-Treiber erfasst Strom und EMK je
Phase und regelt die Ansteuerspannung
per PWM-Tastverhältnis nach.
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bild 3: Inpac optimiert den Wirkungsgrad bei allen drehzahlen.
Während Ende der 1990er Jahre mit
0,8­μm­Geometrie die Packungsdichte
etwa 6000 Gatter/mm 2 betrug, so ist sie
heute im 0,13­μm­Prozess auf 200.000
Gatter/mm2 angestiegen und bietet damit
eine höhere Logikkapazität. Im Vergleich
zur einheitlichen Bipolar­Technologie
haben BiCD­Controller über 80 % weniger
Verlustleistung.
Toshibas intelligente Regelung des Pha­
senwinkels (Inpac, Intelligent Phase Con­
trol) steuert BLDC­Motoren vollautoma­
tisch bei gleichzeitig weniger Stromver­
brauch und Geräuschentwicklung. Vergli­
chen mit der verbreiteten Vektorsteuerung
verringert Inpac die Anzahl der Bauteile
und ermöglicht einfachere Designs.
Ein Regler mit Inpac erkennt die Rotor­
lage und der Phasenwinkel des Motor­
stroms steuert die Induktionsspannung
automatisch in die gleiche Phasenlage
(Bild 2). Bei der herkömmlichen Sinus­
Ansteuerung müssen Entwickler entschei­
den, ob der optimale Wirkungsgrad bei
niedriger oder hoher Drehzahl erzielt wer­
den soll. Bei der Anpassung durch Inpac
wird der Wirkungsgrad bei jeder Drehzahl
optimiert. Im Vergleich zur herkömmli­
chen Technik lässt sich der Stromver­
brauch um etwa 20 % verringern (Bild 3).
Ein Mixed-Signal-Treiberbaustein
Der neue 3­Phasen­Sinus­PWM­Treiber
TC78B016FTG für BLDC­Motoren ist der
erste Motortreiber, der im BiCD/CD­Pro­
zess gefertigt wird. Der Mixed­Signal­
Prozess bewirkt einen niedrigen Durch­
lasswiderstand RON von 0,24 Ω. Der inte­
grierte Baustein arbeitet mit Motorspan­
nungen zwischen 6 und 30 V DC bei 3 A
www.elektronik-journal.de
Spitzenstrom; sein Eigenverbrauch liegt
bei 6 mA. Eine Drehzahlregelung ist damit
flexibel und einfach realisierbar. Entwick­
ler können über den Pin SEL_SP eine ein­
fache Analogspannung oder ein PWM­
Signal bereitstellen. Die Drehrichtung des
Motors wird durch High oder Low am
Pin CW/CCW vorgegeben.
Über den Pin SEL_LA lässt sich mithil­
fe einer Analogspannung ein Drehwinkel­
Offset von ­30 bis +30° einstellen, was eine
Fehlausrichtung der Hall­Sensoren kom­
pensiert. Der TC78B016FTG unterstützt
drei externe Hall­Sensoren und einen
externen Widerstand für die Strombegren­
zung. Zu den weiteren Funktionen zählen
Soft­Start, Beschleunigungs­ und Verzö­
gerungsregelung sowie eine Bremsfunk­
tion. Zu den Sicherheitsfunktionen zählen
eine Blockiererkennung und ein Blockier­
schutz, Abschaltung bei Überhitzung und
die Erkennung von Überstrom sowie
Unterspannung (UVLO).
Der Motor­Controller ist mit Abmes­
sungen von 5 × 5 × 0,8 mm3 im QFN36­
Gehäuse klein und leicht genug, um direkt
in die Motorbaugruppe integriert zu wer­
den. Damit verringern sich die Leitungs­
anzahl sowie Größe und Gewicht der
zugehörigen Anschlüsse. Der Treiberbau­
stein arbeitet bei Umgebungstemperatu­
ren von ­40 bis +105 °C. (jwa)
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Frank Malik
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In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten
kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich effizientere, kleinere und
leichtere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwiAutor: Guy Moxey
ckeln, wie der folgende Beitrag zeigt.
E
s ist hinlänglich belegt, dass Leistungskompo­
nenten auf Grundlage von Siliziumkarbid
(SiC) deutlich bessere Performance­Werte auf­
weisen und erheblich kleinere und leichtere Baugrö­
ßen ermöglichen als Systeme mit Siliziumbausteinen.
Vorteilhaft sind unter anderem höhere Sperrspan­
nungen, geringere Leitungsverluste und eine besse­
re thermische Leitfähigkeit.
SiC­MOSFETs weisen deutlich niedrigere Schalt­
verluste auf als gewöhnliche MOSFETs und Si­IGBTs,
bei SiC­Dioden treten keine Verluste in der Sperrver­
zögerung (Reverse Recovery Loss) auf und SiC­Halb­
leiter erreichen eine deutliche höhere Stromleitfähig­
keit bezogen auf die Die­Fläche.
Allerdings sind SiC­Komponenten nicht per se Bau­
steine für die Leistungswandlung. Daher sind inno­
vative Designs erforderlich, um die Vorteile von Sili­
ziumkarbid bei Hochleistungssystemen zum Tragen
zu bringen. Dass ein wachsender Bedarf an solchen
Komponenten besteht, ist unbestritten. So wird der
Bedarf an Fahrzeugen mit elektrischen Antriebssys­
temen in den kommenden Jahren drastisch steigen.
34
elektronik journal 07/2016
Elektrofahrzeuge mit Hybrid­Motoren, Plug­in­Hyb­
rid­Antrieben und reinen batteriegestützten Antriebs­
konzepten enthalten eine ganze Reihe kritischer Kom­
ponenten, die von Leitungselektroniksystemen auf
Grundlage von SiC profitieren.
Kleinere und effizientere DC/DC-Wandler
SiC­Komponenten kommen aber auch in Photovol­
taik­Wechselrichtern zum Einsatz sowie in Systemen
für die Umwandlung von Gleich­ und Wechselstrom
elektronischer Geräte und Kommunikationssysteme.
Hersteller sind bestrebt, die neuesten Komponenten
aus dem Bereich Leistungselektronik in ihre Designs
zu integrieren, um die Gesamtleistung und die Effi­
zienz zu erhöhen, gleichzeitig jedoch Kosten, Gewicht
und Komplexität zu reduzieren.
Diese Anforderungen erfüllen DC/DC­Leistungs­
wandler auf Grundlage der SiC­Technologie wie etwa
die SiC­MOSF ETs von Wolfspeed der Reihe
C3M065100K für 1000 V, die in Off­Board­Ladesta­
tionen für Elektrofahrzeuge zum Einsatz kommen.
Diese Bausteine bieten die industrieweit niedrigste
www.elektronik-journal.de
Halbleiter SiC-MOSFETs
Bilder: Wolfspeed
bild 1: ein dc/dc­Wandler mit einer leistung
von 20 kW, der sic­Komponenten von
Wolfspeed verwendet (links), ist deutlich
kompakter und leichter als ein Modell mit
15 kW auf grundlage von silizium­bausteinen
(rechts).
Figure of Merit (FOM, Kennzahl als Produkt aus On­
Widerstand und Gate­Ladung) und stehen in zwei
Demonstrator­Inverter­Versionen zur Verfügung:
• Ein Zweiebenen­LLC­Resonanzwandler arbeitet
zwischen 200 und 400 kHz und erreicht eine Effi­
zienz von 98,4 % bei einem Vo/p von 200 bis 500 V.
• Ein Zweiebenen­Wandler mit Phasenverschiebung
ist ebenfalls für den Frequenzbereich 200 bis 400
kHz ausgelegt und arbeitet mit einem Wirkungs­
grad von maximal 97,5 % bei Vo/p­Werten von 200
bis 700 V.
Nur die Hälfte der Bausteine erforderlich
Benchmark­Tests auf Systemebene mit SiC­Kompo­
nenten und den leistungsstärksten 650­V­Silizium­
MOSFETs zeigen, dass es durchaus möglich ist, mit­
hilfe von SiC­Komponenten von Wolfspeed den Auf­
bau von Systemen im Bereich Leistungselektronik zu
vereinfachen. Im Gegensatz zu Siliziumchip­Designs
mit drei Ebenen kommen SiC­Architekturen mit nur
zwei Ebenen aus.
Durch den Einsatz von SiC­Komponenten und
Modifikationen der Schaltungstopologie lässt sich die
Zahl der benötigten Bausteine in diesem Fall von 16
Silizium­Elementen auf acht SiC­MOSFETs reduzie­
eck-daten
Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid erreichen in Leistungselektronik-Systemen erhebliche Performance-Verbesserungen. Höhere Schaltspannungen und -frequenzen
sowie Leistungsdichten reduzieren Gewicht und Größe der
L- und C-Komponenten, verringern den Kühlungsaufwand
und die Schaltungskomplexität. Wolfspeed bietet hierfür
SiC-Power-Module an, mit denen sich LeistungselektronikSystemlösungen entwickeln lassen, die mit Silizium-Bausteinen schlichtweg nicht zu realisieren sind.
www.elektronik-journal.de
ren. Dadurch steigt gleichzeitig die Effizienz eines
Wandlers und die zweistufige SiC­Schaltung verein­
facht das Gate­Driver­Design. Bedingt durch den
höheren Frequenzbereich sinken sowohl die Größe
als auch die Kosten der magnetischen Komponenten.
Zusätzlich lassen sich beide Zweiebenen­Wandler mit
MOSFETs von Wolfspeed wegen der maximalen
Drain­Source­Schaltspannung von 1000 V problem­
los mit 850 V DC betreiben.
Bild 1 zeigt die Systemhardware eines konventio­
nellen 15­kW­DC/DC­Wandlers auf Siliziumbasis
und eines vergleichbaren SiC­MOSFET von Wolfspeed
mit 20 kW. Es ist deutlich zu erkennen, dass der Wand­
ler mit SiC­Komponenten mit einer kompakteren Pla­
tine auskommt, und dies trotz des höheren Leistungs­
bereichs. Außerdem erreichen die SiC­MOSFETs eine
Effizienz von 98,4 % (Peak), etwas höher als die von
Siliziumhalbleitern mit 97,5 % (Peak).
Kompaktere und kühlere Wechselrichter
SiC­Leistungskomponenten ermöglichen völlig neu­
artige Systemlösungen bei kommerziellen Si­IGBT­
Wandler­Stacks, die aus Modulen mit 62 mm, 400 A
und 1,2 kV bestehen. Typische Bestandteile solcher
Stacks sind DC­Zwischenkreiskondensatoren, ein
Kühlkörper mit Lüfter sowie Gatetreiber mit Schutz­
schaltungen und Sensoren.
Im Datenblatt werden für den ausgewählten IGBT­
Stack Werte von 140 kW (200 A rms) Ausgangsleistung
bei einer Schaltfrequenz fsw von 3 kHz ausgewiesen.
Damit ist der Stack der kleinste einer Reihe kommer­
ziell verfügbarer Produkte und ein typischer Vertreter
von modularen Stromversorgungssubsystemen. Die­
se kommen beispielsweise in Solarinvertern und bei
Antrieben zum Einsatz. Dieser IGBT­Stack wurde nun
im Rahmen einer Studie mit SiC­Modulen von
elektronik journal 07/2016
35
Halbleiter SiC-MOSFETs
leichteres und preisgünstigeres System konzipieren,
das bei vergleichbaren Schaltfrequenzen eine höhere
Leistung bietet. Dieser Vorteil wirtk sich wiederum
positiv auf die Leistungsdichte und das Verhältnis
Watt pro Euro aus.
Eine weitere Option besteht darin, ein System mit
SiC­Komponenten bei niedrigeren Sperrschicht­Tem­
peraturen und mit einer höheren Effizienz zu betrei­
ben. Das wirkt sich positiv auf die Zuverlässigkeit aus
und reduziert die Ausfallwahrscheinlichkeit.
Positionierung der SiC-Version
bild 2: herkömm­
liche Igbt­stacks im
vergleich mit versi­
onen auf basis von
siliziumkarbid (sic).
bild 3: das sic­MOsFet­
Modul cAs300M12bM2 mit
integrierter z­rec­Freilauf­
diode schaltet spannungen
bis 1,2kv und hat einen rds(on)
von 5 mΩ.
Wolfspeed neu dimensioniert. Statt der drei IGBT­
Module mit 1200 V und 400 A kamen drei SiC­Kom­
ponenten (CAS300M12BM2) mit 1200 V und 300 A
zum Zuge. Das Sechs­Kanal­Gate­Driver­Board wur­
de durch drei Zwei­Kanal­Platinen ersetzt, die spe­
ziell für SiC­Module ausgelegt sind. Da alle SiC­Leis­
tungskomponenten im selben Formfaktor und mit
kompatiblen Gatetreibern zur Verfügung stehen, war
das problemlos möglich.
Vorteile der SiC-MOSFET-Module
In die SiC­MOSFET­Module mit 1200 V und 300 A
sind SiC­Schottky­Freilaufdioden integriert. Die Sili­
zium karbid­Module weisen im Vergleich zu
400­A­IGBT­Modulen fünf zentrale Vorteile auf:
• Geringe Schaltverluste
• Niedrigere Leitungsverluste
• Vernachlässigbare Schaltverluste der Dioden
• Höhere Spannen bei der Durchschlagspannung
• Unempfindlichkeit gegenüber Fehlern durch kos­
mische Strahlung und Single Event Burnouts (SEB)
Der Stack mit den SiC­Komponenten wurde in einem
Dreiphasen­Wandler getestet. Anschließend erfolgte
ein Vergleich der Resultate mit den Werten, die im
Datenblatt des IGBT­Stacks ausgewiesen waren. Wie
erwartet zeigte sich beim SiC­Stack eine deutlich
geringere Verlustleistung. Dadurch ist es möglich, bei
deutlich höheren Schaltfrequenzen dieselbe Ausgan­
gleistung und Effizienz zu erreichen. So lässt sich
mithilfe von SiC­Bausteinen ein kompakteres,
36
elektronik journal 07/2016
Betrachtet man die gesamte Familie der IGBT­Stacks,
stellt sich die Frage, in welchem Bereich der Produk­
treihe eine SiC­Version ihren Platz hat. Dies hängt
von der Schaltfrequenz der Applikation ab.
Bild 2 zeigt den Nennausgangsstrom der Produkte
in Beziehung zur Schaltfrequenz fSW. Wie erwartet
besteht zwischen dem Ausgangsstrom und der Schalt­
frequenz eine inverse Beziehung. Allerdings geht der
Ausgangsstrom der Si­IGBT­Stacks (rote Graphen)
bei steigender Frequenz deutlich stärker zurück als
bei der SiC­Variante (blauer Graph).
Beeindruckend ist, dass der kleinere SiC­Wandler
bei einer Schaltfrequenz fSW von 10 kHz denselben
Strom von etwa 270 A rms liefert wie der physikalisch
dreifach größere 750­A­Wandler auf Basis von Silizi­
um. Der hellblau markierte Bereich in Bild 2 stellt den
erweiterten Einsatzbereich dar, die den Si­IGBTs aus
wirtschaftlichen Gründen verschlossen bleiben.
Mit Siliziumbausteinen nicht realisierbar
Bei Leistungselektroniksystemen wie DC/DC­Wand­
lern, Wechselrichtern und integrierten Onboard­
Ladegeräten lassen sich erhebliche Performance­Ver­
besserungen erreichen, wenn MOSFETs, Module und
Schottky­Dioden auf Basis von Siliziumkarbid zum
Einsatz kommen. Hinzu kommen Gewichtseinspa­
rungen und der niedrige Platzbedarf. Entwickler kön­
nen somit Systeme höherer Effizienz und Leistungs­
dichte entwerfen. Außerdem profitieren sie von den
geringeren Anforderungen an die Kühlsysteme und
das Wärmemanagement sowie von der geringeren
Komplexität der Schaltungen.
Mithilfe von SiC­Power­Komponenten wie denen
von Wolfspeed lassen sich Systemlösungen im Bereich
Leistungselektronik entwickeln, die mit Siliziumbau­
steinen schlichtweg nicht realisierbar sind. (jwa) n
autor
Guy Moxey
Senior Director Marketing & Applications bei Wolfspeed
infodirekt
807ejl0716
www.elektronik-journal.de
1700-v-sic-mosfet
energiesparende
leistungshalbleiter
Bild: Rohm
Nichts verbindet mehr
der 1700­v­sic­MOsFet mit hoher durchbruchspannung.
Rohm hat die Verfügbarkeit eines neuen 1700­V­SiC­
MOSFET bekanntgegeben, der für industrielle Anwen­
dungen wie etwa Fertigungsanlagen und universelle
Hochspannungs­Wechselrichter optimiert ist. Speziell
bei Anwendungen im industriellen Bereich, wie etwa bei
Universal­Wechselrichtern und Produktionsanlagen, ist
die Nachfrage nach energiesparenden Leistungshalblei­
tern in den letzten Jahren stark gestiegen. In Hilfsstrom­
versorgungen, die Treiberspannungen für andere Strom­
versorgungen, Ansteuer­ICs und verschiedene unterstüt­
zende Systeme erzeugen, werden normalerweise Silizium­
MOSFETs mit hohen Durchbruchspannungen von 1000 V
und mehr eingesetzt. Allerdings kommt es in diesen
Hochspannungs­MOSFETs zu hohen Leitungsverlusten,
die häufig zu einer übermäßigen Erwärmung führen.
Zusätzlich gibt es Probleme wegen der benötigten Lei­
terplattenfläche und des Aufwands an externen Bauele­
menten, sodass es sich schwierig gestaltet, die Systemab­
messungen zu reduzieren. Als Reaktion auf diese Situa­
tion entwickelte Rohm verlustarme SiC­MOSFETs und
Ansteuer­ICs, die einerseits die Performance maximieren
und andererseits zur Miniaturisierung der finalen Pro­
dukte beitragen.
Der SCT2H12NZ bringt die für Hilfsstromversorgungen
in industriellen Anlagen benötigte hohe Durchbruchspan­
nung mit. Außerdem kommt der gegenüber konventionel­
len Silizium­MOSFETs um den Faktor 8 reduzierte Lei­
tungsverlust der Energieeffizienz zugute. In Kombination
mit dem BD7682FJ­LB, einem speziell für das Ansteuern
von SiC­MOSFETs ausgelegten AC/DC­Wandler­IC von
Rohm lässt sich die Performance maximieren und die Effi­
zienz um bis zu 6 % verbessern. Dies wiederum erlaubt
die Verwendung kleinerer externer Bauelemente und trägt
damit zur vermehrten Miniaturisierung bei. (ah)
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Wärmemanagement MOSFET
kleiner aber stärker
neue gehäuse erhöhen die thermische und
elektrische belastbarkeit von MOsFets
Bild fotolia: Robert Kneschke
Parallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften
von MOSFETs tut sich auch einiges im Bereich des Gehäusedesigns. So verbessert ON Semiconductor mit dem neuen
ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von
MOSFETs deutlich. elektronik journal liefert Detailinfos.
Autor: Takashi Akiba
E
inem unlängst veröffentlichten Bericht von Price Water­
house Coopers (PWC) zufolge belaufen sich die Halblei­
terumsätze im Kraftfahrzeugbereich im Jahre 2016 auf
ungefähr 37,4 Mrd. USD, das entspricht 10% des gesamten Halb­
leiterumsatzes. Damit hätte der Automotive­Bereich das größte
Wachstum, ungefähr 9,4% – getrieben sowohl durch die unge­
heure Nachfrage nach Automobilen in Schwellenländern als
auch durch den steigenden Elektronikanteil im Kfz. Eine weiter­
gehende Analyse durch PWC zeigte, dass Halbleiter derzeit
ungefähr ein Drittel der Gesamtkosten eines Autos ausmachen
und bis zum Jahre 2030 dieser Anteil auf die Hälfte der Gesamt­
kosten ansteigen wird.
Zunehmend komplexere Elektronik im Fahrzeug
Mit dem Fortschritt der Technologie sind Autos in der Lage, ihre
Umgebung wahrzunehmen, und moderne Fahrerassistenzsys­
38
elektronik journal 07/2016
teme vermindern die Wahrscheinlichkeit von Unfällen durch
Systeme wie automatische Bremsen, Spurverlassenswarnungen
sowie Abstandsregel­Tempomaten. Die Automobile können Stra­
ßenverkehrszeichen lesen und mit der Welt um sie herum kom­
munizieren – einschließlich der intelligenten Infrastruktur, die
in vielen Ländern installiert werden soll.
Flaches ATPAK-Design für raue Umgebungen
Die Umgebung von Kraftfahrzeugelektronik unter der Motor­
haube oder in Aufhängungssystemen ist rau. Vibrationen, hohe
Temperaturdynamik, Staub und Schmutz treten teilweise selbst
im Fahrgastraum und fordern robuste zuverlässige Bauteile, die
aber auch kostengünstig sein müssen. Parallel zur Weiterent­
wicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen
auch im Bereich des Gehäuse­Designs Innovationen mit funda­
mentalen Verbesserungen.
www.elektronik-journal.de
Wärmemanagement MOSFET
einige Nachteile auf. Der beengte Bauraum vieler Anwendungen
erfordert Bauteile, die eine beträchtlich geringere Bauhöhe haben
als die 2,3 mm der DPAKs. Zudem begrenzen die etwa 70 µm
starken Bond­Drähte zwischen Chip und Träger die thermische
und elektrische Leitfähigkeit, selbst, wenn mehrere parallel zum
Einsatz kommen. Diese Verbindungsmethode verursacht ohm­
sche und induktive Widerstände, welche ein schnelles Schalten
wie auch einen geringen R DS(on) verhindern. Das von von ON
Semiconductor neu entwickelte ATPAK­Gehäuse (Advanced
Thin Package) überwindet diese Einschränkungen. Bei gleichem
Footprint nimmt das 1,5 mm hohe ATPAK im Vergleich zum 2,3
mm dicken DPAK ein um 35 % geringeres Bauvolumen ein und
bleibt rückwärts­kompatibel mit vorhandenen Entwicklungen,
die das DPAK verwenden (Bild 1).
Strombelastbarkeit und thermisches Verhalten
durch Clip-Kontaktierung verbessert
Ein neuer Kupfer­Clip im ATPAK ersetzt die Draht­Bonds des
herkömmlichen DPAK vorteilhafter. Als hervorragender Wär­
meleiter verbessert Kupfer die Wärmeübertragung zwischen
dem Halbleiter­Chip und den Gehäuseanschlüssen. Mit dem
verringerten Wärmewiderstand RTHJ+A des Gehäuses, werden
deutlich höhere Leistungsdichten bei Stromversorgungen mög­
lich.
Kundenspezifische Lithium-Ionen-Akkupacks
Derzeitiger Standard für MOSFETs das DPAK­
Gehäuse – ein oberflächenmontierbarer Baustein mit
drei Pins sowie einer großen Montage­Lasche zur
Wärmeableitung und mechanischen Verstärkung.
Doch trotz seiner hohen Verbreitung weist das DPAK
eck-daten
Das neue ATPAK-Gehäusedesign für MOSFETs von ON Semiconductor ersetzt die klassischen Bonddrähte durch
massive Kupfer-Clips und erreicht bei 35 % weniger Bauvolumen gegenüber dem DPAK eine deutlich verbesserte
thermische und elektrische Belastbarkeit. Verglichen mit
einer Diode weisen ATPAK-MOSFETs nur ein Zehntel des
RDS(on) auf und verringern damit ihre Verlustleistung immens.
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Wärmemanagement MOSFET
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Bilder: On Semiconductor
Höchste
Zuverlässigkeit
bild 1: AtPAK ist 35% niedriger als dPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim d2PAK.
Darüber hinaus ist der Kupfer­Clip (Bild
2) durch eine wesentlich größere Quer­
schnittsfläche gekennzeichnet als die
70­µm­Draht­Bonds. Das minimiert den
R DS(on) eines ATPAK­basierten MOSFETs,
steigert die Effizienz und senkt Leistungs­
verluste und damit die Wärmeerzeugung.
Außerdem erhöht die g rößere Quer­
schnittsfläche des Clips die max. Strom­
belastbarkeit auf 100 A – ein Wert, der bis­
lang nur durch das D2PAK erzielbar war,
dessen Volumen 7,5­mal höher ist als das
des neuen ATPAK. ON Semiconductor
führte Benchmark­Tests zum thermischen
Verhalten des DPAK im Vergleich zum neu­
en ATPAK durch, um die Vorteile des neu­
en Gehäuses zu demonstrieren.
Oberflächen- und Sperrschichttemperatur im Vergleich
Für den Wärmetest wurden DPAK­ und
ATPAK­Bausteine auf getrennte, jedoch
baulich identische Leiterplatten montiert
und auf eine Verlustleistung von je 1,44 W
eingeregelt.
Messungen der Oberflächentemperatu­
ren mit einem Thermographen ergaben eine
im stationären Zustand eine Gehäusetem­
peratur von 80 °C für das herkömmlihe
DPAK­Design und 74,8 °C für die neue
ATPAK­Ausführung.
Die Sperrschichttemperaturen jedes Bau­
steins wurden mithilfe des Wärmewider­
stands für jedes Gehäuse berechnet und
ergaben 82,2 °C für das DPAK sowie
76,0 °C für das ATPAK (Bild 3).
Die im ATPAK eingesetzte Clip­Bon­
ding­Technik verbesserte die Wärmelei­
tung und ­abstrahlung gegenüber dem
DPAK wirksam. Trotz eines um 35 % gerin­
geren Volumens erreicht das ATPAK eine
um 6,2 K niedrigere Sperrschichttempera­
tur.
Die niedrigen RDS(on)­Werte der ATPAK­
MOSFETs von ON Semiconductor ermög­
lichen es, beispielsweise in Kraftfahrzeug­
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bild 2: Anstelle der klassischen bond­drähte verbessert der neue Kupfer­clip die strom­
belastbarkeit, das thermische verhalten und den rds(on).
40
elektronik journal 07/2016
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Wärmemanagement MOSFET
schaltungen ein Verpolschutz mit weniger Spannungsabfall und
geringerer Verlustleistung zu realisieren, als mit herkömmlichen
Dioden (Bild 4).
Nur ein Zehntel der Verlustleistung von Dioden
Bei der Dioden­Lösung kann die Verlustleistung selbst bei rela­
tiv geringen Strömen signifikant sein – etwa 2,4 W sind das bereits
bei 3 A Laststrom. Das ist nicht nur hinsichtlich des Leistungs­
verlusts ineffizient, sondern macht zudem einen Kühlkörper
erforderlich, der wertvollen Platz beansprucht und die Materi­
alkosten erhöht.
Die Verwendung eines P­Kanal­MOSFETs in einem SOT23­
Gehäuse zeigt tatsächlich eine Verringerung der Leistungsver­
luste, die sich jedoch bei Lastströmen um die 3 A nur unwesent­
lich von der Diodenlösung unterscheiden. Mit dem sehr niedri­
geren RDS(on) in einem ATPAK­MOSFET ergeben sich beim selben
Laststrom wesentlich kleinere Verlustleistungen – nur etwa ein
Zehntel dessen einer Diode oder eines SOT23­MOSFETs. Das
steigert die Schaltungseffizienz und spart Kosten sowie Bauraum
für einen Kühlkörper.
Für Fahrzeugapplikationen bietet ON Semiconductor ein
umfassendes Portfolio an Automotive­ATPAK­MOSFETs. Dem­
nächst werden neue N­ und P­Kanal­Bausteine auf den Markt
kommen, die mit Strömen von bis zu 120 A (I D max) belastbar sind
und einen RDS(on) kleiner als 5 mΩ besitzen. Sämtliche Bausteine
sind bleifrei/RoHS­konform und halogenfrei, sie bestehen PPAP
(Produktions­Freigabe­Verfahren) und sind für den Einsatz im
Automobil AEC­qualifiziert. (jwa)
n
autor
Takashi Akiba
Product Engineering Manager bei ON Semiconductor
infodirekt
806ejl0716
Total
dicht
IP 68
bild 3: Wärme­benchmark­tests zeigten die vorteile des AtPAK­designs eindeutig auf.
bild 4: vergleich einer verpolschutz­schaltung unter verwendung einer diode oder eines
MOsFets
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schukat.
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S C H U K AT
Wärmemanagement Kühlung
optimale Kühlung
Mechanische Nachbearbeitung von Kühlkörpern
Im direkten Strangpressverfahren hergestellte Kühlkörper aus Aluminiummaterial finden ihren Einsatz oftmals
zur Entwärmung von elektronischen Bauteilen. Neben der wärmetechnischen Performance muss man vor der
Autor: Jürgen Harpain
Verwendung auch stets mechanische Randparameter einer Überprüfung unterziehen.
Bilder: Fischer Elektronik
Der Einsatz von Strangkühlkörpern, die im direkten Strangpressverfahren hergestellt sind, klingt in
der Theorie relativ einfach, bringt allerdings in der
praktischen Anwendung einige Herausforderungen
mit sich. Ein effektives thermisches Management für
elektronische Bauelemente ist essentiell wichtig, um
die Erwärmung der Bauelemente in einem gewissen
Temperaturfenster zu halten, zumal die Entwicklung
in der Halbleiterindustrie in den vergangenen Jahren
kontinuierlich fortgeschritten ist. Viele Leistungshalbleiter haben neue Größenordnungen im Bereich
der entstehenden Verlustleistungen erreicht, ohne
dass die Abmessungen proportional zugenommen
haben. Wo Entwickler aufgrund der mechanischen
Abmessungen der Bauteile in der Anwendung an Platz
sparen, stehen Schaltungstechniker vor der Herausforderung, pro Flächeneinheit deutlich mehr Verlustleistung abführen zu müssen.
Für spezielle Anwendungsfälle selbst
entwickelte Fräs- und
Bearbeitungswerkzeuge ermöglichen
oftmals den Blick
über den Tellerrand
hinaus.
42
D
er Einsatz elektronischer Bauteile in einem
vom Hersteller nicht spezifizierten Temperaturbereich senkt unmittelbar deren
Lebensdauer und führt zwangsläufig zu Fehlfunktionen in der schaltungstechnischen Anwendung oder
gar zur Zerstörung des Bauteils. Um die Temperaturen in einem nach dem Herstellerdatenblatt vorgegebenen Fenster zu halten, kommen in der Praxis sehr
häufig Strangkühlkörper zum Einsatz. Diese funktionieren nach dem physikalischen Wirkprinzip der
freien natürlichen Konvektion, was durch den zweiten Hauptsatz der Thermodynamik definiert ist.
Kühlkörper aus Aluminium besitzen eine sehr gute
Wärmeleitfähigkeit und müssen zur Entwärmung der
elektronischen Bauteile mit diesen optimal verbunden sein, um deren thermische Energie aufzunehmen
und die Verlustwärme anschließend über die optimal
angepasste Oberfläche des Kühlkörpers an die
Umgebungsluft abzugeben. Reicht die freie Konvektion aufgrund der anfallenden Wärmemenge nicht
aus, kommen für die forcierte Konvektion meist
zusätzliche Lüftermotoren in Form von Lüfteraggregaten zum Tragen.
elektronik journal 07/2016
Thermische Widerstände anpassen
Neben der richtigen Auswahl eines zur Applikation
passenden Kühlkörpers mit dem perfekten Verhältnis
aus Bodenstärke, Rippendicke, -höhe und -abstand
gestaltet es sich darüber hinaus oftmals schwierig,
die thermischen Widerstände zwischen dem zu entwärmenden Bauteil und dem Kühlkörper anzupassen
oder zu reduzieren. Planebene Auflageflächen zur
Bauteilmontage auf dem Kühlkörper sind für das Endergebnis der Entwärmungsleistung enorm wichtig
und werden oft von den Herstellern der elektronischen
Bauelemente gefordert und im dazugehörigen Datenblatt vorgegeben.
Eine optimale wärmetechnische Kontaktierung bei
der Montage elektronischer Bauelemente auf dem
Kühlkörper wird allerdings aufgrund der fertigungsbedingten Toleranzen der einzelnen Kühlkörperprofile erheblich erschwert. Verschiedene auf das Kühlkörperprofil zugeschnittene Wärmeleitmaterialien,
eck-Daten
Stranggepresste Kühlkörper weisen herstellungsbedingte
Toleranzen auf, die für eine optimale Entwärmung der
montierten elektronischen Bauteile hinderlich sind. Abhilfe schafft die mechanische Nachbearbeitung mit modernen CNC-Fräsmaschinen.
www.elektronik-journal.de
Wärmemanagement Kühlung
aber auch eine nachträgliche CNC-Bearbeitung bieten
sich als sehr gute Lösungsmöglichkeit an.
Bei der Herstellung von Kühlkörpern im direkten
Strangpressverfahren, auch als Extrusionsverfahren
bezeichnet, presst man das erwärmte Aluminiummaterial (Knetlegierung) durch eine in einer Werkzeugkassette enthaltene Matrize. Die durch dieses Herstellungsverfahren hervorgerufenen Toleranzen ergeben sich aus der Kühlkörpergröße und Beschaffenheit
der Kühlkörpergeometrie. Sie sind aufgrund des Produktionsverfahrens besonders durch Höhen- und
Breitentoleranzen, Durchbiegungen im Querschnitt
(konvex/konkav) sowie durch Torsion in Längsrichtung
bedingt. Die jeweils maximal zulässigen Toleranzfelder obliegen internationalen DIN-Normen, die die
Strangpressprofile je nach umschreibendem Kreis
klassifizieren. Extrusionsprofile mit einem umschreibenden Kreis von bis zu 350 mm sind in der DIN EN
12020-2 klassifiziert, während die Toleranzen von
Profilen mit einem umschreibenden Kreis von mehr
als 350 mm in der DIN EN 755 aufgeführt sind.
Auf Tauglichkeit überprüfen
Der Kühlkörper ist oftmals eine im elektronischen
Gerät verbaute Komponente, die in Zusammenhang
mit anderen Bauteilen zu sehen ist. Daher ist es stets
empfehlenswert, die genannten Toleranzfelder im
Vorfeld in der Gesamtkonzeption zu berücksichtigen
und auf Tauglichkeit zu überprüfen. Grundsätzlich
gilt, dass je größer die Kühlkörperabmessungen, desto höher sind die Toleranzen und desto mehr fallen
auch kleine Maßabweichungen ins Gewicht. Vielfach
sind in den Herstellerdatenblättern für die Halbleitermontageflächen der Bauteile auf dem Kühlkörper
Ebenheitswerte im Hundertstel-Bereich gefordert, die
allerdings mit dem Strangpressverfahren alleine nicht
zu realisieren sind. Abgesehen von den Restriktionen
bei der Festlegung erforderlicher Toleranzfelder beim
Kühlkörperdesign ist das Strangpresseverfahren zur
Herstellung von Kühlköpern aus Aluminium die ers-
Die stetige Überwachung der einzelnen
Produktionsschritte
mit dazugehöriger
Prozessoptimierung
gehört zum Handwerkzeug reproduzierbarer Qualität.
te Wahl, da sich bei verhältnismäßig niedrigen Werkzeugkosten Kühlkörper mit sehr guten thermischen
Eigenschaften in unterschiedlichen Abmessungen und
Geometrien relativ einfach herstellen lassen.
Exakte mechanische CNC-Bearbeitung
Aufgrund der vom Anwender benötigten Kühlkörpergeometrie mit der daraus resultierenden Materialanordnung können sich erhebliche Fertigungstoleranzen bezüglich der Durchbiegung der Montageflächen, aber auch
der Breiten- und Höhentoleranz ergeben und bedürfen
oftmals einer mechanischen Nacharbeit oder einer applikationsspezifischen Anpassung. Exakte Halbleitermontageflächen auf dem Kühlkörper sowie Außenabmessungen des Kühlkörpers in einem je nach Einbausituation
vorgegebenen Toleranzbereich lassen sich mithilfe moderner und hochgenauer CNC-Bearbeitungszentren realisieren. Des Weiteren lässt sich die Eloxalschicht des bereits
anodisierten Kühlköpers, je nach Positionierung der
jeweiligen Bauelemente, an der Bauteilauflagefläche durch
mechanische Nacharbeit wieder entfernen. Planebene
Montageflächen auf dem Kühlkörper spielen bei der Optimierung von Wärmeübergangswiderständen eine signifikante Rolle, weshalb der präzisen CNC-Nacharbeit des
Kühlkörpers besondere Aufmerksamkeit gebührt. Die
mechanische Bearbeitung im Bereich der Auflageflächen
der einzelnen zu entwärmenden Bauteile sollte idealer-
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Wärmemanagement Kühlung
Aktive Entwärmungssysteme
in Form von Lüftergaggregaten bewirken gegenüber der
natürlichen Konvektion in
punkto Wärmeableitung
eine erhebliche Leistungssteigerung.
Verschiedenartige
Strangkühlkörper aus
Aluminium liefern zur
Entwärmung elektronischer Bauelemente hervorragende Lösungsmöglichkeiten.
weise keine Fräskanten oder gar Fräsabsätze verursachen. Diese können auf der Montagefläche am Kühlkörperboden entstehen, wenn die Kühlkörperbreite
größer ist als das verwendete Fräswerkzeug und man
somit die Gesamtfläche in mehreren Bahnen planfräsen muss. Solche Fräsabsatzkanten liegen zwar nur
im Tausendstel-, maximal im Hundertstel-Millimeterbereich, können aber im ungünstigsten Fall den
Wärmeübergang oder bei der Verwendung einer
zusätzlichen Keramik die Montage der elektronischen
Bauelemente negativen beeinflussen. Zur Vermeidung
jeglicher Beeinträchtigungen oder bei dekorativen
Ansprüchen empfiehlt es sich, auf der dazugehörigen
Fertigungszeichnung die in Frage kommenden Bereiche inklusive der Bauteilposition und -größe sowie
die erforderliche Ebenheit anzugeben.
Innovative Maschinentechnologien und die dazugehörigen Bearbeitungswerkzeuge ermöglichen es
auch, die komplette Auflagefläche des Kühlkörpers
in einer Bahn plan zu fräsen. Die anschließende Aufbringung einer besonderen Schutzfolie verhindert ein
Zerkratzen der bereits bearbeiteten Oberfläche. Ein
speziell angefertigter und ausreichend großer Fräskopf
sowie die Tragfähigkeit der eingesetzten Spindel in
der CNC-Maschine spielen bei der Umsetzung der
geforderten Toleranzen eine wesentliche Rolle. Zu
den weiteren Kriterien der mechanischen Bearbeitung
gehört die exakte und einfache Ausrichtung des Kühlkörpers auf der Maschine durch eine genaue und
zuverlässige Spanntechnik. Das als Nullspannsystem
bezeichnete Schnellspannsystem verkürzt die Rüstzeiten immens und gewährleistet eine exakte Ausrichtung der zu bearbeitenden Kühlkörper, was gerade bei kleineren Serien oder bei Prototypen sehr
wichtig ist.
44
elektronik journal 07/2016
Soweit kundenseitig keine speziellen Anforderungen beziehungsweise Toleranzen auf der Zeichnung
spezifiziert sind, gelten bei einer mechanischen Bearbeitung, wie zum Beispiel beim Konturfräsen oder
Bohrungen einbringen, üblicherweise die Allgemeintoleranzen nach DIN ISO 2768 mit der mittleren Toleranzklasse m. In der genannten Bearbeitungsnorm
sind symmetrische Grenzabmessungen für Längenund Winkelmaße sowie Allgemeintoleranzen für
Form und Lage aufgeführt. Je nach Kühlkörpergeometrie und Bearbeitungsgrad kann man die mit m
gekennzeichnete Toleranzklasse auch in der Toleranzklasse f für fein oder c für grob ausführen.
Bearbeitungstoleranzen prüfen
Bei der Verwendung extrudierter Strangkühlkörper
sollte man vor der Anwendung mögliche Kühlkörperund mechanische Bearbeitungstoleranzen in der
Gesamtapplikation prüfen. Bei einer plan gefrästen
Montagefläche für die elektronischen Halbleiter kann
die Bodenplatte des Kühlkörpers durch den Materialabtrag dünner werden, und die Gewindetiefen können sich reduzieren. Mit modernen 3D-Messmaschinen erfolgt eine fertigungsbegleitende Produktionsund Qualitätsüberwachung, die das Bearbeitungsportfolio abrundet und reproduzierbare Kundenwünsche und -anforderungen erfüllt. (pet)
n
autor
Jürgen Harpain
Entwicklungsleiter bei Fischer Elektronik.
infoDireKt
238ejl0716
www.elektronik-journal.de
Wärmemanagement Highlights
KomFortZone FÜr heisse umrichter
Rittal hat die Weiterentwicklungen des
Luft-/Wasser-Wärmetauschers Liquid
Cooling Package (LCP) Industrie vorgestellt. Steuerungs- und Schaltanlagenbauer sowie Anwender von Maschinen und
Anlagen sollen durch mehr Flexibilität und
Energieeffizienz der Kühllösung profitieren. Das LCP Industrie eignet sich, um
ganze Schaltschrankreihen zu klimatisieren. Ist der Luft/Wasser-Wärmetauscher
in der Mitte einer Schaltschrankreihe installiert, wird die Kühlluft nach beiden Seiten in die Schaltschränke eingeblasen.
Mit einer Kühlleistung von bis zu 10 kW
lässt sich zum Beispiel die Kühlung von
Frequenzumrichtern realisieren. Den Klimaschrank mit einer Breite von 30 cm können Anwender dabei in das Anreihschrank-System TS von Rittal integrieren.
Im LCP sind jetzt Aussparungen vorgese-
Bild: Rittal
upgrade von rittals lpc
LCP Industrie ist ein System zur flüssigkeitsbasierten Kühlung von Leistungselektronik.
hen, durch die sich Sammelschienensysteme und Kabel führen lassen. (jck/ah) n
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Laser und ein Fadenkreuz helfen, die richtigen
Elemente ins Blickfeld zu rücken. Die Messzange
erfasst Ströme bis 600 A sowie Spannungen bis
1000 V. Eine integrierte Arbeitsbeleuchtung erhellt
dunkle Schaltschränke. Funktionen wie Echteffektivwert, LoZ, VFD-Modus, Anlaufstrom oder
der Dioden-/Halbleitertest erleichtern die Messung. Mit dem Flex-Zubehörset lässt sich der Messbereich auf bis zu 3000 AAC erweitern. (jwa)
n
Bild
Conrad Business Supplies hat eine neue Thermografie-Stromzange CM174 von FLIR Systems im
Sortiment aufgenommen. Sie bietet mit IGM (Infrared Guided Measurement) eine sichere Messmethode ohne direkten Kontakt mit gefährlichen
Leitungen, um Hotspots über Wärmebildtechnik
ziu erfassen. Ausgesattet mit einem Lepton-Wärmebildsensor von FLIR und einem 2-Zoll-FarbTFT-Display lassen sich gefährliche und unbekannte Problembereiche sicher lokalisieren. Die
Strommesszange erfasst ein Sichtfeld von 38,6 Zoll
× 50 Zoll und stellt ein Wärmebild im Tempera-
rad
Kombinierte Wärmebild-strommesszange
Mit der Thermografie-Stromzange FLIR CM174 lassen sich
schwer zu lokalisierende
Störungsquellen einfacher
und sicherer aufspüren.
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extrem niedrige RDC ermöglicht höchste Nennströme bei gleichzeitig minimaler
Eigenerwärmung. Die Serie ist optimiert für die Befilterung von hocheffizienten
DC/DC-Konvertern im rauen Industrieumfeld. Weitere Informationen unter:
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1812
2220
3312
Ob elektrostatische
Entladung durch
Blitzeinschlag oder
das Anlegen von Signalspannungen ohne
Betriebsspannung:
Die Schäden am
Endgerät ohne hinreichenden Schutz
durch EOS TVSs können die gleichen sein.
stressfaktor spannung
Silizium-basierende Suppressordioden schützen ICs vor Überlast
Der Trend zu höherer Packdichte und niedrigerer Spannungsversorgung macht integrierte
Schaltungen zugleich anfälliger gegen Überlastung. Electrical Overstress Transient Voltage
Suppressors (EOS TVS) schützen ICs zwar davor, allerdings mussten Entwickler bei der AusAutor: Falko Ladiges
wahl der diskreten Bauteile bisher immer Kompromisse eingehen.
D
ie gestiegenen Anforderungen und Funktionalitäten von Endprodukten bedeuten für
integrierte Schaltungen neben niedrigeren
Versorgungsspannungen auch die Steigerung von
Komplexität, Funktionalität und Dichte. Mögliche
Beschädigungen der ICs durch elektrische Überlast
(Electrical Overstress, EOS), elektrostatische Entladung (Electro Static Discharge, ESD), schnelle Transienten (Electrical Fast Transients, EFT) oder Kabelentladungen (Cable Discharge Event, CDE) bleiben
daher nicht aus. Wie lässt sich also der Teufelskreis
aus verbesserter IC-Performance, gesteigerter Effizienz und der damit einhergehenden Anfälligkeit für
potentielle EOS-Schäden durchbrechen?
Electrical Overstress Transient Voltage Suppressors
(EOS TVS) eignen sich gut, um ICs mit sehr kleiner
Packdichte und Versorgungsspannung zu schützen.
Deren Performance muss sich den Entwicklungen
und neuen Anwendungen ständig anpassen, um ein
hohes Maß an Schutz gewährleisten zu können. Ein
signifikanter Treiber für ihre ständige Weiterentwicklung ist die immer höher werdende Datenrate
der neuen Endgeräte, woraus sich wiederum eine
Problematik ergibt.
46
Bilder: WDI
Passive + E-Mechanik Schutz
elektronik journal 07/2016
Bei 0,6 pF ist Schluss
Im Gegensatz zu anderen Kleinsignal-Diskreten können EOS TVSs nicht in das IC integriert werden. Vielmehr geben Konstruktionsbeschreibungen die Platzierung der Bauteile vor: so weit wie möglich entfernt
vom zu beschützenden IC und möglichst nah am
Eingang von Schaltungen, um dort bereits EOS entgegenzuwirken. Also zum Beispiel am Geräteeingang
eines Smartphones. Für gewöhnlich werden EOS
TVSs zwischen Datenleitung und Erdung oder zwischen einer Spannungsschiene und Erde platziert.
Erhöhen sich die Datenraten, reduziert sich die Impedanz der EOS TVSs aufgrund der Bauteilekapazität,
gemessen in Picofarad (pF). Diese geringere Impedanz
hat einen negativen Einfluss auf Signalintegrität und
Amplitude und leitet das Signal direkt zur Erdung ab.
Als Lösung für die gestiegenen Datenraten muss also
die Kapazität der EOS TVSs verringert werden.
Doch was noch vor wenigen Jahren als niedrig kapazitives Bauelement galt, wird heute schon als hochkapazitives Bauteil angesehen und ist in vielen aktuellen Datenprotokollen nicht mehr einsetzbar. Für
Datenraten ab USB 3.0, also mehr als 5 GBit/s, kommen nur noch EOS TVSs mit einer maximalen Kapawww.elektronik-journal.de
Passive + E-Mechanik Schutz
eck-Daten
Mit einer Bauhöhe von nur 0,5 mm lässt
sich der zehnpolige E-Guard0524P
gut integrieren.
Die schnellere Übertragung immer größerer Datenpakete
erfordert einen zuverlässigen Schutz gegen elektrische
Überlast, kurz EOS. Entsprechend groß ist die Herausforderung, die richtigen Schutzbauteile für Anwendungen
zu finden, ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen und dennoch die mechanischen Anforderungen
für immer kleinere Anwendungen zu erfüllen. Diese Kombination ist SMC Diode Solutions mit der neuen Serie EGuard und den beiden zurzeit erhältlichen Versionen EGuard0522P (sechs Pins) und E-Guard0524P (zehn Pins)
gelungen. Die Transient Voltage Suppressors schützen
zwei beziehungsweise vier I/Os und messen dabei gerade
einmal 1,45 x 1,0 x 0,58 mm3 beziehungsweise 2,5 x 1,0 x
0,5 mm3. Sie schützen Highspeed-Datenleitungen nach
• IEC 61000-4-2 (ESD) ±17 kV (±15 kV) (Luft), ±12 kV (±8
kV) (Kontakt)
• IEC 61000-4-5 (Blitz) 7 A (5 A)(8/20 μs) sowie
• IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
und finden Anwendung in HDMI-, DVI-, Displayport- und
eSATA-Interfaces sowie in MDDI Ports und PCI Express.
zität von 0,6 pF zum Einsatz. Werte darüber haben
eine unakzeptable Signaldämpfung zur Folge. Zusätzlich zur niedrigen Kapazität ist ein sehr enges Klemmverhältnis unbedingt notwendig.
Dieses ergibt sich aus der Berechnung, wie nah der
EOS an der maximal erlaubten Spitzenspannung
abgesichert wird, in Relation zur Gegenspannung des
Bauteils (normale Arbeitsspannung der Schaltung).
Im Idealfall wären die Klemmspannung Vc und die
Gegenspannung V RWM gleich. In der Realität jedoch
ist Vc grundsätzlich höher als V RWM und in manchen
Anwendungen ist Vc/V RWM sogar größer als 4.
Große Anforderungen an ein kleines Bauteil
Die Suche nach EOS TVSs mit dem kleinstmöglichen
Vc/V RWM-Verhältnis ist aber nur die halbe Miete. Beim
Gehäusedesign von Bauteilen spielen die Abmessungen und insbesondere die Bauhöhe eine immer größere Rolle, denn Endprodukte verlangen nach ultradünnen IC-Gehäusen.
Aufgrund der verschiedenen Technologien und
Materialien sind viele EOS TVSs nicht gerade gut für
eine niedrige Bauform geeignet. Mit Silizium-basierenden Bauteilen lassen sich, bedingt durch die Konstruktion des dünnen Siliziumchips parallel zur Leiterplatte, sehr dünne Gehäuseformen realisieren.
Aktuell bieten bereits einige Hersteller verschiedene
Bauteile mit Gehäusehöhen von unter 0,4 mm an. Und
schließlich gilt es noch, die Leistungsfähigkeit eines
EOS TVS im Verhältnis zu Standby-Leistung und
Blindstrom abzuwägen.
Es ist sehr gut möglich, dass ein EOS TVS während
der Lebensdauer der zu schützenden Schaltung nur
ein- oder zweimal in Aktion treten muss, um unerwünschte Überbelastungen zu verhindern. Die Frage
ist, was er die anderen 99,9 % der Zeit macht? Hofwww.elektronik-journal.de
fentlich nichts. Idealerweise ist die Suppressordiode
in der Schaltung komplett unsichtbar und konsumiert
keinen Strom. In der Realität jedoch kommt es selbst
im Leerlauf zu geringen Blindströmen. Weil dieser
Verluststrom zu Ineffizienz beim Energieverbrauch
des Endgerätes führt, versucht man EOS TVSs mit
möglichst geringem Standby-Leistungsverbrauch
auszuwählen.
Qual der Wahl
Die unterschiedlichen Technologien, Gehäuseformen
und natürlich auch die Kosten bieten diverse Entscheidungsmöglichkeiten bei der Auswahl. Leider
erfüllt keines der Bauteile alle wünschenswerten Voraussetzungen hinsichtlich Kapazität, Klemmverhältnis, maximaler Energie, Standby-Leistung und Bauhöhe optimal.
Es gibt jedoch inzwischen neue Bauteile, die Entwicklern nur noch wenige Kompromisse abverlangen
und gleichzeitig den kritischen
Designvorgaben gerecht werden.
SMC Diode Solutions hat in den
Silizium-basierenden EOS TVSs der
Serie E-Guard die kritischen Eigenschaften ultra-niedrige Kapazität,
sehr enges Klemmverhältnis und
niedriger Blindstrom in einem sehr
flachen Gehäuse vereint. (il)
n
autor
Falko Ladiges
Produktmarketing Pemco bei der
WDI AG in Wedel.
infoDireKt
101ejl0716
elektronik journal 07/2016
47
Passive + E-Mechanik Relais
und es hat klick
gemacht
Trennrelais für Hochvolt-Ladesysteme
Bilder: NPanasonic
Für Ladestationen ist eine galvanisch trennende
Schaltfunktion vorgeschrieben, die in der Regel mit
Relais realisiert wird. Panasonic bietet dafür spezielle
Leistungsrelais, erläutert konstruktive Details und erklärt, worauf es bei den unterschiedlichen LadeverAutor: B. Eng. Benjamin Miedl
fahren ankommt.
Bild 1: Für die galvanische Trennenung bei
unterschiedlichen Ladeverfahren bietet
Panasonic spezielle Leistungsrelais.
D
ie Bundesregierung unterstützt den Marktanlauf elektrischer Fahrzeuge mit einem Förderprogramm von
über 300 Millionen Euro für den Kauf, Unterhalt und
Betrieb von Ladeinfrastruktur. Die Elektromobilitätsziele
Deutschlands setzen aber eine flächendeckende Ladeinfrastruktur voraus. Bis 2020 sind wenigstens 7000 Schnellladepunkte mit
Leistungen größer als 22 KW (AC- oder DC-Ladung) und 28.000
Normalladepunkte mit Leistungen kleiner als 22 KW (AC bis
32 A) geplant.
Kabelgebundenes Ladeverfahren
Die große Mehrheit an Ladestationen stellen aktuell die standardisierten konduktiven (kabelgebundene) Systeme dar. Die Norm
IEC 61851-1 unterscheidet nach Lademodus 2, 3 und 4, je nach
Installationsort und Betriebsart. Alle drei Modi schreiben eine
elektrische Trennvorrichtung zwischen Energiequelle und Fahrzeug vor. Die Trennung erfolgt planmäßig durch Kommunikation zwischen Ladestation und Fahrzeug oder im AC-Fehlerfall
eck-Daten
Die Norm IEC 61851-1 schreibt für Ladestationen eine galvanisch trennende Schaltfunktion vor, wofür sich das Leistungsrelais HE-S von Panasonic eignet. Zwei Schließer schalten jeweils 35 A Dauerstrom und
verkraften kurzzeitig 250-A-Stromspitzen. Der integrierte invertierende Hilfskontakt ermöglicht auch im Fehlerfall bei verschweißten
Hauptkontakten eine sichere Diagnose.
48
elektronik journal 07/2016
durch Erkennung des Fehlerstroms, bei DC-Fehlern durch Auslösen einer Isolationsüberwachung. Die vorgeschriebene trennende Schaltfunktion lässt sich mit Leistungsrelais umsetzten:
Elektrische Merkmale
• Hohe Leistungsdichte durch hohes Schaltvermögen trotz kleiner Bauform
• Beste Stromführungseigenschaften durch Kontaktwiderstände unter 3 mΩ
• Effiziente Ansteuerung durch Spulenspannungsabsenkung
(170 bis 300 mW)
• Hohes Isolationsvermögen durch Luft- und Kriechstrecken
größer 8 mm
• Galvanische Trennung zwischen Steuer- und Lastkreis
• Spannungsfestigkeit bis 10 kV zwischen Steuer- und Lastkreis
• Stromspitzen bis 250 A verursacht vom Fahrzeugfiltersystem
werden toleriert, können aber mit Vorwiderständen gemäß
ISO17409 begrenzt werden.
Mechanische Merkmale
• Leiterplattendesign bis 90 A
• Temperaturbereich -40 bis +85 °C
• Schaltgeräusch kleiner 50 dB
Leistungsrelais mit integriertem Hilfskontakt
Das Zwei-Schließer-Relais HE-S mit Abmessungen von
36 × 30 × 40 mm3 schaltet pro Kontakt 35 A. Eine Neuheit ist der
integrierte invertierende Hilfskontakt. Das Ankersystem betätigt
www.elektronik-journal.de
Passive + E-Mechanik Relais
Bild 2: Der integrierte Hilfskontakt ermöglicht eine zuverlässige Diagnose
zum Schaltzustand des HE-S-Relais,
auch bei verschweißten Kontakten.
neben den beiden Lastkontakten (Schließer-2 Form A) auch einen
Signalkontakt (Öffner-1 Form B). Im Fehlerfall (bei verschweißten Hauptkontakten) behält der Signalkontakt eine Kontaktöffnung von mindestens 0,5 mm bei. Diese Funktion ist durch den
VDE gemäß IEC 60947-4-1 für Spiegelkontakte zertifiziert. Der
Entwickler enthält somit als Mehrwert eine Diagnosefunktion
des Relaiszustandes ohne aufwendige Zusatzschaltungen.
Die HE-Relais (inklusive des Spitzenmodells HE-S mit Rückmeldekontakt) sind prädestiniert für den Einsatz in Ladestationen
im öffentlichen und privaten Bereich bei sogenannten Wall-Boxen
mit Ladeleistungen bis zu 22 kW beziehungsweise 43 kW gemäß
IEC Spezifikation. Sie erfüllen die spezifizierten Daten auch bei
langen Ladezeiten und Umgebungstemperaturen bis +85 °C.
Lademodus 2 – Im Kabel integrierte Schaltfunktionen
Für diesen Lademodus schreibt die Norm IEC 62752 für eine im
Kabel integrierte Steuerbox vor, wie das Schalten der Ladeleistung, die Fehlerstromschutzerkennung (Typ A oder B) und eine
Pilot-Kommunikation zwischen Fahrzeug und Kontrollbox erfol-
gen müssen. Das Ladekabel wird im Fahrzeug mitgeführt und
kann an eine haushaltsübliche Schuko-Steckdose bis 16 A oder
an eine CEE-Steckdose bis 32 A angeschlossen werden. Somit
sind keine Investitionen für eine spezielle Ladetechnik nötig,
allerdings ist die maximal übertragbare Leistung nach IEC 62752
im Drei-Phasen-System mit 32 A auf 22 KW begrenzt.
Lademodus 3 – Ladestation oder Wall-Box-System
Die Ladung an einer fest installierten Ladevorrichtung mit Wechselstrom ist für Ladeströme bis 63 A (dreiphasig) sowie 70 A
(einphasig) ausgelegt. Damit werden Ladeleistungen bis zu 43 kW
erzielt. Die Investitionskosten sind verglichen mit aufwendigen
DC-Systemen niedriger.
Der Lademodus 3 ist in der Norm IEC 61851-1 spezifiziert. Ihm
kommt bei der Umsetzung der öffentlichen Ladestruktur aufgrund der günstigen Kosten-Nutzen-Relation große Bedeutung
zu, denn er erlaubt bei typischen Batteriekapazitäten von 30 kWh
im mittleren Preisniveau eine – theoretisch – vollständige Ladung
innerhalb einer Stunde. Flaschenhals für die Ladezeit ist bei
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Passive + E-Mechanik Relais
Spulenansteuerung
Signalkonktakt 1FormB
Logische Verknüpfung
Variable A
Variable B
A_B
Zustand Relais
0
1
1
ok
Lastkontakt verschweißt oder fehlerhafte Kontaktgabe
Rückmeldekontakt
0
0
0
1
0
1
ok
1
1
0
Signalkontakt
verschweißtt
Tabelle: Schaltzustände des HE-S Relais als Wahrheitstabelle.
Bild 3: Für sämtliche Ladeverfahren bietet Panasonic unterschiedliche
Leistungsrelais mit Schaltströmen von 32 AAC bis 300 ADC.
vielen Elektrofahrzeugen das verbaute Ladegerät, welches die
Ladeleistung häufig auf 7,4 kW begrenzt und somit eine Nachladedauer von mehreren Stunden bewirkt.
Lademodus 4 – DC-Schnellladen
Auf den ersten Blick bietet diese Lösung nach Norm IEC 6185123 durch kurze Ladezeiten unter 30 Minuten (auch bei Batterien
größer als 50 kWh) beträchtliche Vorteile. Das für die AC/DCKonvertierung notwendige Ladegerät befindet sich in der Ladestation und nicht im Fahrzeug. Das bedeutet fahrzeugseitig reduzierte Gewichts- und Systemkosten und auch der Fahrzeugkunde spart unmittelbar Ladegerätkosten.
Der Investitionsaufwand für DC-Ladestationen (Spannungen
bis 800 V, mehrere hundert Ampere Strom, Kommunikation mit
dem Batteriemanagementsystem) ist verglichen mit AC-Systemen
deutlich höher. Dies gilt ebenfalls für die Schaltelemente (Relais).
Anders als beim Wechselstrom fehlen beim Gleichstrom die
Nulldurchgänge, weshalb der Schaltlichtbogen aufwendig und
sicher gelöscht werden muss, zum Beispiel mithilfe von Magneten, Löschelektroden und Schutzgasen. Der Spezialist Panasonic
bietet im Bereich Hauptbatterietrennung Battery Disconnect
Units (BDU) in Form von EV- und EP-Relais in einem hermetisch
dichten Gehäuse an, die DC-Spannungen bis 400 V und DCStröme bis 300 A schalten können. Sie ermöglichen hohe Schutzgrade sowie ein hohe Verfügbarkeit im Hochvoltumfeld.
Induktives Ladeverfahren
Kabelgebundene Systeme haben verschiedene Nachteile wie das
hohe Gewicht durch große Stecker und dicke Leitungsquerschnitte, die Handhabung bei schlechtem Wetter (Nässe, Kälte, Schnee)
und die potentielle Stolpergefahr.
50
elektronik journal 07/2016
Die kontaktlose Energieübertragung arbeitet als zweigeteilter
Transformator, angesteuert von Leistungselektronik im Frequenzbereich bis mehrere hundert Kilohertz. Die Übertragung
erfolgt durch magnetische Kopplung zwischen stationärer Primärspule in der Bodenplatte und entsprechender Sekundärspule auf der Fahrzeugseite. Das Trennrelais wird üblicherweise im
vorgelagerten 50-Hz-AC-Stromkreis zur Schaltung der Energieversorgung genutzt. Für Ladeleistungen bis 22 kW kann das
HES-Relais zum Einsatz kommen, Systeme mit höherer Leistung
lassen sich mit dem HE-Y6-Relais realisieren.
Die hohen Betriebsfrequenzen der induktiven Energieübertragung (etwa 20 bis 360 kHz) bewirken auf allen beteiligten
elektrischen Leitungen den sogenannten Skin-Effekt. Dieser
beschreibt eine Stromverdrängung und damit Verringerung der
wirksamen Leitungsquerschnitte. Auch Relais, Leiterplattenanschlüsse und Kontakte sind davon betroffen. Der effektive Durchgangswiderstand erhöht sich, womit auch die Verlustwärme
zunimmt. Erste Messungen mit Kleinsignalen und Frequenzen
bis 160 kHz haben einen Anstieg im Bereich Faktor 2 bis 3 gegenüber Durchgangswiderständen bei 50 Hz gezeigt. Beim Einsatz
von Relais in diesem Frequenzbereich unterstützt Panasonic
durch sein Applikationsteam.
Herausforderungen der induktiven Ladetechnologie
Insbesondere die Positionierung, also der Versatz und Abstand
von Sender und Empfänger, ist kritisch und führt bei Abweichungen zu relevanter Minderung der Leistungsübertragung.
Die hohen Frequenzen und gleichzeitig hohen Leistungen bewirken erhebliche elektromagnetische Emissionen.
Die Normierung zur induktiven Ladung hat noch keine verabschiedeten Standards hervorgebracht, allerdings beschäftigen
sich mehrere Arbeitsgruppen auf IEC- und UL-Ebene mit einer
einheitlichen Festlegung.
Die globalen Vorhaben zur Reduzierung des CO2-Ausstoßes
im Verkehrssektor sind Motor der Weiterentwicklung bestehender Systeme und Ladetechnologien. Damit erschließt die Ladung
von Elektrofahrzeugen neue Marktsegmente für elektrische und
elektromechanische Bauteile und Anlagen. (jwa)
n
autor
B. Eng. Benjamin Miedl
Applikationsingenieur im Bereich Elektromobilität für Leistungsrelais bei
Panasonic Electric Works Europe
infoDireKt
805ejl0716
www.elektronik-journal.de
Passive + E-Mechanik Highlights
datenübertragung in der fabrik, im auto und in der telekommunik ation
neue usb-c-steckverbinder-serie von molex
Ultra­High­Definition­TV­Systemen.
Molex USB­C­Anschlüsse und ­Kabel
USB­C ist mit dem neuesten USB
erfüllen Anforderungen für eine breite
3.1­Protokoll kompatibel und über­
Palette von Elektronikanwendungen in
trägt Signale mit einer viel höheren
Computing­, Consumer­, Kommunika­
Geschwindigkeit als frühere Versio­
tions­, Automatisierungs­ und Automo­
nen. Darüber hinaus sind die Stecker
tivemärkten. RS Components (RS) hat
klein, leicht und beidseitig einsteckbar,
seine wachsende Palette an USB­C­
was ihre Ver wendung erheblich
Lösungen um das neue Molex USB­C­
ents
erleichtert.
Anschlusssortiment erweitert. Ergän­
Bild: RS Compon
Die neue Molex­Palette umfasst
zend kommen konfektionierte Kabel
USB­C­Anschlüsse und Kabelkonfek­
hinzu.
tionen, welche eine Adaptierung von älteren Anschlüssen mit
USB­Typ­C oder USB­C, ist die nächste Generation des USB­
USB 3.1 und 2.0­Protokoll an USB­C­Geräte ermöglichen. Die
Stecker­Standards (Universal Serial Bus). Bereits als Multifunk­
Molex USB­C­Produkte umfassen: USB 2.0 und 3.1 Kabelkon­
tionskomponenten entwickelt, sind USB­C­Anschlüsse in der
fektionen (USB­C auf USB­A); USB 3.1 Kabelkonfektionen (USB­
Lage, je nach Anwendung verschiedene Rollen erfüllen: Sie kön­
C auf USB­C). RS wird auch weiterhin sein Angebot an USB­C­
nen als Standard­USB­Anschlüsse dienen, um Peripheriegeräte
Produkten ausbauen. (jwa)
wie Kameras, Drucker, Tastaturen oder Mäuse mit PCs, Tablets
n
oder Mobiltelefonen zu verbinden. Als Strom­ oder Video­
Anschlüsse genutzt sind sie kompatibel mit den neuesten 4K­
infodirekt
814ejl0716
Bild: Murata
mlcc-kondensatoren
Murata kündigt den
nach eigener Einschät­
zung weltweit ersten
100 V/10 µF MLCC
(Multilayer Ceramic
Capacitor ) im EIA­
F o r m a t 1 2 10 m i t
Mit 10 µF und 100 v ersetzt der winzige
Maßen von 3,2 x 2,5
Mlcc bisherige parallele sMd­Konden­
mm an und durch­
satoren
bricht damit die bishe­
rige Kapazitätsgrenze von MLCCs von 4,7 µF. Die GRM­Serie
entspricht der Toleranzklasse K (±10 %), hat die Tempera­
turcharakteristik X7S und arbeitet bei Betriebstemperaturen
bis 125 °C. Der Baustein eignet sich insbesondere für die
Verwendung in Netzteilen mit 48 V DC, wie sie in Netzwerken
und Basisstationen zum Einsatz kommen. In der Vergan­
genheit wurde die für solche Anwendungen benötigte Kapa­
zität durch die Verwendung mehrerer Kondensatoren von
je 2,2 µF und 4,7 µF realisiert. In heutigen Designs mit ihren
beengten Platzverhältnissen besteht jedoch verstärkt die
Notwendigkeit, die Zahl der Kondensatoren zu verringern.
Darüber hinaus werden hier Kondensatoren mit einer Nenn­
spannung von 100 V benötigt. (jwa)
n
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industrieanwendungen
Referenzdesign für Umrichter
Infineon Technologies und TDK haben eine Komplettlösung für Umrichter entwickelt, die im Bereich
Elektromobilität sowie in Industrieanwendungen zum Einsatz kommen. Auf dieser Basis können
Entwickler Antriebskonzepte ohne großen Aufwand schnell und einfach realisieren und testen.
Autor: Wolfgang Rambow
W
ährend elektrische Antriebe für Industrieanwendungen meist Asynchronmotoren enthalten, kommen bei Antrieben für
den Automobilbereich permanentmagnetisch erregte Synchronmotoren zum Einsatz. Bei Motoren für
beide Anwendungsbereiche begrenzen die Hersteller
den maximal zulässigen Spannungsanstieg (dU/dt)
an den Inverterklemmen gemäß IEC 60034-18-41 auf
rund 5 kV/µs. Grund für diesen Grenzwert ist die Isolationsfestigkeit der Motorwicklungen.
Beim Inverterbetrieb von Motoren treten, bedingt
durch die parasitären Kapazitäten der Wicklungen in
Verbindung mit dem Spannungsanstieg des Inverters,
hohe Ableitströme gegen Masse auf. Diese können
zur Funkenbildung in den Lagern und zur Oberflächenerosion führen und so die Lebensdauer der Lager
stark begrenzen.
Um einen hohen Wirkungsgrad zu erzielen, arbeiten die Leistungshalbleiter der Inverter mit Schaltfrequenzen im Bereich von 4 bis 15 kHz. Durch die
benötigte Flankensteilheit bei den Schaltfrequenzen
führt dies dazu, dass Harmonische mit großer Amplitude im Frequenzbereich um 1 MHz auftreten. In
Anwendungen für den Automobilbereich bewirkt dies
Störungen im Mittelwellenband (526,5 bis 1606,5 kHz),
die den Radioempfang im Auto nahezu unmöglich
machen.
Bilder: Epcos
IGBT-Module mit sechs DC-Anschlüssen
52
elektronik journal 07/2016
Damit Anwender auf einen motorschonenden und
EMV-gerechten Inverter zurückgreifen können, haben
Infineon und TDK Schlüsselkomponenten neu entwickelt, sorgfältig aufeinander abgestimmt und die
bisherigen IGBT-Module Hybrid-Pack HP1 verbessert.
Neben der IGBT3-Chipgeneration mit erhöhter
Durchbruchspannung von 705 V enthalten die Module statt bisher zwei nun sechs DC-Anschlüsse (Bild
1). Zusammen mit dem modifizierten DC-Link-Kondensator von Epcos konnten die Entwickler dadurch
den ESL-Wert im DC-Link-Kreis von typisch 30 auf
rund 15 nH nahezu halbieren. Dementsprechend verringert sich die erzeugte Überspannung beim Abschalwww.elektronik-journal.de
Passive + E-Mechanik Umrichter
ten der IGBTs unter vollem Nennstrom (400 A) von
500 auf 420 V (Bild 2).
Durch die vier zusätzlichen DC-Anschlüsse erhöht
sich die Stromtragfähigkeit des IGBT-Moduls in Verbindung mit der Stromschiene am DC-Link-Kondensator. Damit ist das Modul Hybrid-Pack-DC6 auch für
künftige IGBT-Technologien mit höherer Stromtragfähigkeit gerüstet. Bestehende Anwendungen mit
dem Hybrid-Pack1 mit zwei DC-Anschlüssen sind
mit der neuen Variante einfach in ihrer Leistungsfähigkeit erweiterbar, da die Abmessungen weitgehend
identisch sind.
Die Vorgängerversion Hybrid-Pack1 mit zwei DCAnschlüssen erreicht durch eine im Modulgehäuse
befindliche Stromschiene einen sehr kompakten Aufbau. Aus Gründen der Kompatibilität wurde dies auch
bei der neuen Version beibehalten. Durch eine äußere Stromschiene lässt sich der Strom in der DC-Versorgung des Moduls aufteilen und so eine bessere
Ausnutzung erreichen. In Bild 2 (rechts) ist bei
Nennstrom der Strom von 400 A durch die innere
Stromschiene dargestellt.
Flachwickelvariante mit 380 µF (B25655P4387J). Beide Kondensatortypen sind jeweils mit oder ohne
direkte Anbindung an einen EMV-Filter erhältlich.
Hochvolt-DC-Filter
für elektrische Fahrzeugantriebe
TDK hat auch eine Serie von Zweileiter-HochvoltGleichstromfiltern entwickelt, die speziell auf die
Anforderungen elektrischer Antriebe für Fahrzeuge
zugeschnitten ist. Damit lassen sich auch die EMVForderungen gemäß UN ECE Regulation No. 10 –
Rev.5 erfüllen.
Die Hochvolt-DC-Filter der Serie P100316 (Bild 4)
sind für eine maximale Spannung von 600 V DC ausgelegt und entsprechen damit den typischen Spannungen von Hochvoltbatterien. Die StromtragfähigBild 1: Das IGBTModul Hybrid-Pack1DC6 verfügt über
sechs DC-Anschlüsse
und ist für 705 V
beziehungsweise
400 A ausgelegt.
Zwischenkreiskondensator
Eine weitere Neuentwicklung ist der DC-Link-Kondensator B25655P4477J von Epcos (Bild 3), dessen
Anschlüsse genau auf die Stromschiene des IGBTModuls abgestimmt sind. Es handelt sich hier um
eine Weiterentwicklung der bisherigen Epcos-Kondensatoren für die Hybrid-Pack- und Easy-Serien
von Infineon. Der Kondensator hat eine Kapazität
von 470 µF und steht mit Nennspannungen von 450
oder 500 V DC zur Verfügung. Die Abmessungen
betragen 154 x 72 x 50 mm3.
Grundlage des platzsparenden Designs ist die PCCTechnologie (Power Capacitor Chip), bei der eine
gestapelte Folie zum Einsatz kommt. Diese Technologie ermöglicht einen Füllfaktor des Kondensatorgehäuses von nahezu 1. Alternativ gibt es auch eine
eck-Daten
Um Anwendern einen motorschonenden und EMV-gerechten Inverter anbieten zu
können, haben Infineon und TDK Schlüsselkomponenten neu entwickelt, sorgfältig
aufeinander abgestimmt und die bisherigen IGBT-Module Hybrid-Pack HP1 verbessert. Eine weitere Neuentwicklung ist der DC-Link-Kondensator B25655P4477J als
Weiterentwicklung der bisherigen Epcos-Kondensatoren für die Hybrid-Pack- und
Easy-Serien von Infineon.
Bild 2: Deutliche
Senkung der Überspannung. Geringere
Spannungsspitzen
beim Schalten schonen IGBT-Modul und
Motor.
www.elektronik-journal.de
elektronik journal 07/2016
53
Passive + E-Mechanik Umrichter
Bild 3 (li.): Platzsparender Zwischenkreiskondensator.
Dank PCC-Technologie ist ein Füllfaktor
von fast 1 erreichbar.
Bild 4 (re.): HochvoltDC-Filter P001316 für
Automotive-Inverter.
Die Anschlüsse sind
so geformt, das sie
sich direkt mit dem
DC-Link-Kondensator
verbinden lassen.
Neben einem platzsparenden Design
weisen die Filter eine
geringe Induktivität
und niedrige Übergangswiderstände
auf.
Bild 5: Emissionen
beim Einsatz des
Hochvolt-DC-EMVFilters. Mit dem neuen EMV-Filter zwischen Batterie und
Inverter reduzieren
sich trotz des ungeschirmten Kabels die
leitungsgebundenen
Emissionen.
54
keit der Filter liegt bei 150 oder 350 ADC, wodurch sich
selbst Antriebssysteme mit Leistungen bis etwa 100
kW befiltern lassen. Der Gleichstromwiderstand liegt
für alle Typen bei 0,05 mΩ, so dass auch bei hohen
Strömen keine nennenswerten Verluste auftreten.
Die Filter sind so wirksam, dass Entwickler auf
geschirmte Leitungen zwischen Batterie und Inverter verzichten können (Bild 5). Dies bringt nicht nur
Kosten- und Gewichtsvorteile, sondern sorgt auch
für eine höhere Langzeitstabilität, da eine aufwendige und störanfällige Schirmanbindung entfallen
kann.
Leitungsgebundene Emissionen senken
Obwohl eine ungeschirmte Leitung zum Einsatz kam,
ließen sich mithilfe der neuen Hochvolt-GleichstromEMV-Filter besonders die leitungsgebundenen Emissionen um bis zu 70 dB oder einen Faktor von 3000
reduzieren. Auch lassen sich bisher übliche EMVMaßnahmen in den einzelnen Systemkomponenten
reduzieren.
Aufgrund des geringen Gewichts und der kompakten Abmessungen von 186 x 65 x 65 mm3 und 121 x 52 x
52 mm3 eignen sich die Filter insbesondere für den
Einsatz in Fahrzeugen. Neben Ausführungen mit
genereller Gleichtaktunterdrückung sind auch Typen
verfügbar, die im Langwellenspektrum zwischen 150
und 300 kHz eine hohe Filterwirkung aufweisen.
elektronik journal 07/2016
Ferritkerne verlängern Motorlebensdauer
Am Ausgang des Inverters treten aufgrund der steilen
Schaltflanken Spannungsspitzen auf, die sich durch
die parasitäre Induktivität der Motorleitungen noch
erhöhen können. Unter ungünstigen Umständen können die Spannungsspitzen zu Durchschlägen in den
Motorwicklungen führen und diese zerstören. Gleichzeitig führt die Schaltfrequenz des Inverters zu einer
höherfrequenten Beaufschlagung der parasitären
Kapazitäten zwischen Wicklungen und Gehäuse
(Massepotential) der Motoren. Dies wiederum führt
zu Ableitströmen, die durch die Motorlager fließen
und Funken verursachen können.
Ableitströme sinken
Abhilfe schaffen Ferrit-Ringkerne am Ausgang des
Inverters, durch die die Motorleitungen verlaufen.
Durch einen verringerten dU/dt reduzieren sich auch
die Gleichtaktstörungen. Zugleich sinken die Ableitströme auf ein unkritisches Niveau. Somit ist sichergestellt, dass die Störgrenzen der Klassen I und III
eingehalten werden (Bild 6). TDK bietet Ringkerne
der Serie B64290L mit unterschiedlichen Abmessungen und Ferritmaterialien an. Diese eignen sich jeweils
für bestimmte Frequenzbereiche und Temperaturen
und lassen sich auf jedes Antriebssystem abstimmen.
Zu empfehlen sind Materialien wie T65, N30 und N87,
die auch in Epcos-EMV-Drosseln enthalten sind.
www.elektronik-journal.de
Passive + E-Mechanik Umrichter
Bild 6:
Dämpfung von
Gleichtaktstörungen. EpcosFerritkerne halten die Störgrenzen der Klassen
I und III ein.
Treiberboard unterstützt Entwickler
Darüber hinaus wurde ein Treiberboard für das Modul
Hybrid-Pack1-DC6 entwickelt, das auf den bewährten Gatetreibern der Serie 1ED020I12FA2 von Infineon basiert und eine effiziente und EMV-gerechte
Ansteuerung ermöglicht, um die Vorteile der neuen
Konfiguration einfach umsetzen zu können. Mit dieser Lösung ist es erstmals gelungen, eine Leistungsendstufe, bestehend aus IGBT-Modul, DC-LinkKondensator, EMV-Filter und Gate-Ansteuerung,
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Nürnberg, 16. – 18.05.2017
anzubieten, die die Erfordernisse der EMV-Maßnahmen von Anfang an berücksichtigt. (hb)
n
autor
Wolfgang Rambow
Senior Director für Sales Reference Designs bei TDK.
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100ejl0716
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Mess- und Prüftechnik Smart-Meter
energieverbrauch messen
Klarheit schaffen mit Stromnebenzählern
Bilder: LEM
Wer wissen möchte, welches Gerät, welcher Teilbereich eines Unternehmens oder welche Wohneinheit
wann die meiste Energie verbraucht, sollte sich mit dem Thema Stromnebenzähler befassen und den Energieverbrauch selbst messen. So lassen sich Energiekosten den Verursachern zuweisen und Energiesparmaßnahmen umsetzen.
Bild 1: Eine intrusive Messmethode zur Ermittlung des Energieverbrauchs verlangt gegenüber der
NIALM-Methode mehrere Multi- oder Single-Point-Nebenzähler und verursacht somit hohe Kosten.
A
ufgrund der steigenden Energiekosten und der Tatsache, dass
Behörden den Energieeffizienzstandard ISO50001 forcieren, möchten
Unternehmen ihren Energieverbrauch
selbst überprüfen beziehungsweise steuern und hohe Kosten zu Spitzenverbrauchszeiten vermeiden.
Unternehmen mit mehreren Fertigungsstätten möchten zudem an Programmen
der Energieversorger teilnehmen, die Sparanreize in Spitzenverbrauchszeiten bieten,
um die elektrische Last zu bestimmten
Tages- oder Nachtzeiten geschickt zu verteilen. Hierzulande können Verbraucher
sogar Steuervorteile geltend machen, wenn
sie Lastspitzen reduzieren. Damit Unternehmen Strategien zur Einsparung von
Energie entwickeln können, sind sie auf
Möglichkeiten zur Überwachung ihres
Energieverbrauchs angewiesen.
Intrusives Messen ein No-Go
Bei traditionell intrusiven Messmethoden
müssten Unternehmen mehrere Multioder Single-Point-Nebenzähler installieren, die Ein- bis Drei-Phasen-Schaltkreise
in jedem lastbezogenen Versorgungsschrank überwachen (Bild 1). Je nach
Struktur des Betriebs kann sich die elektrische Verteilung in verschiedenen Versorgungsschränken im gesamten Gebäude
befinden, was viele Nebenzähler in nächster Nähe erfordern würde. Diese Methode
ist teuer und erfordert einen erheblichen
Installations- und Wartungsaufwand.
Eine andere Lösung, um verbraucherspezifische Daten zu erhalten, besteht darin, die Gesamtverbrauchsdaten am Haupttrennschalter aufzuteilen. Die kann mit der
NIALM-Methode (Non-Intrusive Appliance Load Monitoring oder nicht-intrusive Lastüberwachung) erfolgen, die auf nur
einem Messpunkt und speziellen Signalverarbeitungstechniken basiert (Bild 1).
Die NIALM-Methode zur Ermittlung
der Aufteilung des Energieverbrauchs (Bild
2) arbeitet mit einer Reihe von statistischen
Ansätzen sowie auf Basis von Verbrauchsdaten von Systemen und Geräten, um ein
Signal für das gesamte Gebäude zu erhalten, ohne dass dazu Sensoren an jedem
Stecker beziehungsweise Stromentnahmepunkt erforderlich sind.
Aufklappbare Stromwandler
Der Energieverbrauch eines Gebäudes
lässt sich mit aufklappbaren Stromwandlern der Serie ATO von LEM und anderer
Hardware ermitteln (Bild 3). Die Lösung
besteht aus drei Elementen:
• Drei ATO Split-Core CT (aufklappbare
Stromwandler) für das gesamte Gebäude: Eine elektrische Vorrichtung aus Ferritmaterial mit einer aufklappbaren Öffnung für das nicht-intrusive Umschließen elektrischer Leitungen im Hauptstromversorgungskreis des Gebäudes.
• Ein NIALM-Nebenzähler, der den Energieverbrauch in Echtzeit ermittelt (Bild
2) und die Daten an einen Gateway
überträgt.
• Ein Gateway zum Datenempfang und
zum Versenden der Verbrauchsdaten an
Cloud-basierten Speicher. Der Gebäu-
Bild 2: Mit der NIALM-Methode lassen sich Informationen über den Energieverbrauch einzelner Geräte erheben.
56
elektronik journal 07/2016
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Mess- und Prüftechnik Smart-Meter
Bild 4: Die nach IEC 61869-2 zertifizierten Split-CoreWandler der Serie ATO mit teilbarem Kern ermöglichen die Messung von Wechselströmen bis 125 A.
Bild 3: Lösung zur Ermittlung des Energieverbrauchs in einem Gebäude, bestehend aus drei
Stromwandlern und einem NIALM-Nebenzähler.
demanager kann somit Möglichkeiten
finden, mithilfe einer Energiemanagement-Anwendung den Stromverbrauch
zu senken.
• Obwohl Ferritmaterialien für Stromsensoren seit Jahren zum Einsatz kommen,
sind sie hinsichtlich Sättigung und magnetischer Permeabilität eher ungeeignet.
Ihr Einsatz war daher bei niedrigen Frequenzen von 50/60 Hz nicht möglich.
Weiterentwicklungen haben die Eigenschaften von Ferriten bei diesen Frequenzen verbessert. Die neuen Ferrite
bieten bessere Permeabilität und eignen
sich trotz ihrer niedrigen magnetischen
Sättigung als Ersatz für FeSi- oder FeNiKerne in 50/60-Hz-Stromwandlern.
Mit aufklappbaren Stromwandlern auf
Basis der neuen Ferrite lassen sich ACMessungen im genannten Frequenzbereich durchführen. Die überarbeiteten
Werkstoffe nutzen die Ferriteigenschaften
und ermöglichen bei niedrigen Primärströmen hohe Genauigkeit und Linearität.
Immun gegen Alterung
Zudem bieten sie eine geringe Phasenverschiebung zwischen Ein- und Ausgangsströmen, was für die Messung der Wirkleistung oder Energie erforderlich ist. Der
harte, kompakte Kern minimiert Luftspalte und ist, im Gegensatz zu anderen Materialien wie FeSi oder FeNi, nahezu immun
gegen Alterung und Temperaturschwankungen. Enthalten sind die neuen Ferrite
beispielsweise in den Split-Core-Wandlern
der Serie ATO von LEM (Bild 4).
Die Modelle der Serie ATO sind die einzigen aufklappbaren Stromwandler (CT),
zertifiziert nach IEC 61869-2 und eine
Nennspannungsausgang von 333 und 225
mV bei Nennstrom I Pr (Rated Nominal
Current) bieten. Außerdem sind sie für die
Genauigkeitsklassen 1 und 3 ausgelegt,
eck-Daten
Stromnebenzähler auf Basis der nicht-intrusiven Lastüberwachung (NIALM-Methode)
bilden zusammen mit aufklappbaren Stromwandlern der Serie AOT von LEM eine Lösung,
mit der sich der Energieverbrauch in Gebäuden in Echtzeit ermitteln lässt.
die Maximalwerte für Verhältnis- und
Phasenverschiebungsfehler vorschreiben.
Welche Anforderungen die Norm IEC
61869-2 bei Genauigkeit und Phasenverschiebung stellt, zeigt Bild 5. So ist bei
einem Primär-Nennstrom (I Pr) von 75 A
(Genauigkeitsklasse 1) eine Genauigkeit
von ±1 beziehungsweise ±3 % erforderlich.
Diese Werte gelten für I Pr = 120 % beziehungsweise 5 %. Die Stromwandler der
Serie ATO erfüllen diese Anforderungen.
Der Gesamtprozentsatz korrekter Messungen mit Nebenzählern auf Basis des
NIALM-Algorithmus beträgt etwa 80 bis
90 % – Tendenz steigend. Informationen
zum Energieverbrauch können mit Nebenzählern auf Basis von Stromwandlern der
ATO-Serie das Verbraucherverhalten
beeinflussen und Einsparungen bewirken.
Die Nebenzähler lassen sich aus der Ferne
ansteuern und auslesen. Nachfrage/Angebot-Programme lassen sich auf dieser
Grundlage umsetzen und validieren sowie
Unklarheiten zwischen Versorgern und
Verbrauchern vermeiden. (hb)
n
Der Artikel beruht auf Unterlagen von LEM.
Bild 5: Anforderungen der Norm IEC 61869-2 hinsichtlich Genauigkeit und Phasenverschiebung.
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infoDireKt
960ejl0716
elektronik journal 07/2016
57
Mess- und Prüftechnik Drahtlos
die vierte industrielle revolution
auf dem vormarsch
Bild fotolia: Neyro
drahtloses echtzeit­
temperaturmesssystem
für die Fertigung
Bis 2020 will die deutsche Industrie jährlich 40 Milliarden Euro in Anwendungen von Industrie 4.0 investieren.
Eine Möglichkeit für die geglückte Verknüpfung informations- und softwaretechnischer Systeme aus mechanischen und elektronischen Komponenten ist das hier vorgestellte echtzeitfähige drahtlose Temperaturmesssystem (WTMIA) für Fertigungsprozesse, die ein Temperaturprofil genau einhalten müssen.
Autoren: Martin Kemmerling, Frederic Meyer, Dr. Michael Marx, Kai Grundmann
W
enn Bauteile autark mit der Fertigungsanlage kom­
munizieren, technische Module eigenständig Repa­
raturen veranlassen und sich Maschinen, Sensoren,
Mitarbeiter und industrieller Prozess intelligent vernetzen, dann
ist von Industrie 4.0 die Rede. Smarte Analyseprozesse sollen
Unternehmen und ganze Wertschöpfungsnetzwerke in Echtzeit
steuern und optimieren. Der Schlüssel zum Erfolg liegt in einer
geglückten Verknüpfung informations­ und softwaretechnischer
Systeme aus mechanischen und elektronischen Komponenten.
Im Folgenden geht es um Konnektivität im Bereich Wireless
Temperature Measurement for Industrial Applications (WTMIA).
Drahtlose Temperaturmessung
Um die angestrebte Produktqualität zu erreichen, erfordern zahl­
reiche Fertigungsprozesse die genaue Einhaltung eines Tempe­
raturprofils. Für die Temperaturüberwachung lassen sich dabei
meist problemlos Sensoren an den jeweiligen Messpunkten befes­
tigen und mit einem Kabel für die Stromversorgung zu verbinden.
Wenn jedoch zum Beispiel versiegelte Kammern innerhalb des
Produktionsprozesses keine Kabeldurchdringung erlauben, sich
der zu messende Bezugspunkt bewegt oder die Umgebung kei­
ne sicherere Kabelverlegung erlaubt, ist eine Verdrahtung sehr
aufwendig oder sogar unmöglich. An dieser Stelle setzt Wireless
Temperature Measurement for Industrial Applications (WTMIA)
an. Um die Integration eines derartigen Systems in einen rund­
laufenden Produktionsprozess mit vier hintereinander angeord­
neten Kammern geht im folgenden Beispiel.
58
elektronik journal 07/2016
Systemarchitektur und Energiehaushalt
Das Gesamtsystem besteht aus einer Basisstation (Bild 1) mit
UHF­Funkfrontend und USB­Schnittstelle (optional LAN­
Schnittstelle/CAN/Profibus) zur Prozesssteuerung. Der Haut­
prozessor der Basisstation verwaltet das TDMA­Kommunikati­
onsprotokoll und das Systemhandling.
Die Sensorknoten sind für einen Arbeitstemperaturbereich bis
125 °C ausgelegt und bestehen aus einem kleinen Mikrocontrol­
ler, einem Funkfrontend, Anpassnetzwerk, Wake­up­Empfänger
und analogem Sensorfrontend für die Auswertung der verwen­
deten Thermoelemente Typ K (Bild 2). Die Auswahl dieser Kom­
ponenten erfordert besondere Sorgfalt.
Drahtlose Sensorsysteme im Industrie­Umfeld müssen
beschränkte Ressourcen effizient nutzen. Dazu zählt die zur
Verfügung stehende Energie – und zwar unabhängig davon, ob
sie von einer Batterie oder einem Harvester kommt. Bei drahtlo­
sen Sensoren muss die Batterielebensdauer möglichst lang sein.
Wird die Energie per Harvesting aus einer Temperaturdifferenz
eck-daten
Das Fraunhofer-Institut IMS hat ein Kommunikationsprotokoll für ein
drahtloses Temperaturmesssystem entwickelt, dass sich durch deterministische und echtzeitfähige Datenübertragung auszeichnet. Das
vorgestellte WTMIA-System lässt sich in einen rundlaufenden Produktionsprozess integrieren und gewährleistet die Einhaltung eines vorgegebenen Temperaturprofils.
www.elektronik-journal.de
gewonnen, ist der für den Betrieb des Sensors erforderliche Leis­
tungsbedarf zu minimieren. Ein erheblicher Teil der benötigten
Energie entfällt auf den für die Datenübertragung verwendeten
Transceiver. Mit Reduzierung der Funkrate von 1 auf 0,2 Hz lässt
sich die Lebensdauer von 373 Tagen einer 7500­mAh­Batterie
mehr als verdoppeln. Der Transceiver sollte daher die über­
wiegende Zeit in einen Schlafmodus mit einer zu vernachlässi­
genden Stromaufnahme verharren. Beim hier vorgestellten
System ist der Transceiver nur wenige Millisekunden pro Sekun­
de aktiv geschaltet.
In Industrieumgebungen mit einer großen Anzahl von Mess­
punkten und somit einer Vielzahl drahtloser Sensoren pro Fläche
gilt es, eine weitere Ressource effizient zu nutzen: das zur Ver­
fügung stehende Frequenzspektrum. Daher verbieten sich beim
Design des Kommunikationsprotokolls einfache Medienzugriffs­
verfahren wie zum Beispiel reines Listen­before­Talk von selbst,
da solche Verfahren eine zu geringe Ausnutzung der bereitste­
henden Bandbreite erreichen.
Bilder: Fraunhofer-Institut IMS
Mess- und Prüftechnik Drahtlos
bild 1: blockschaltbild der basisstation. das gesamtsystem besteht aus
basisstation mit uhF­Funkfrontend und usb­schnittstelle.
Deterministische Datenübertragung
Das vorgestellte drahtlose Messsystem verwendet ein am Fraun­
hofer­Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme
(IMS) entwickeltes Kommunikationsprotokoll, das sich durch
geringen Energiebedarf und gute Ausnutzung des Spektrums
auszeichnet und mithilfe eines Zeitmultiplexverfahrens (TDMA,
Time Division Multiple Access) eine deterministische und echt­
zeitfähige Datenübertragung bietet. Die grundlegende TDMA­
Rahmenstruktur des Protokolls wiederholt sich ein Mal pro
Sekunde (Bild 3).
Zu Beginn des TDMA­Rahmens befindet sich ein schmaler
Downlink­Kanal, auf dem die Basisstation Telegramme an die
Sensorknoten sendet. So können Anwender die Sensoren auch
während des Betriebs von der Basisstation aus neu konfigurieren.
Dies betrifft Frequenzkanäle, Sendeleistung, Synchronisations­
zeiten, Messraten und Funkrate.
2016
inside tomorrow
bild 2: Prinzipielles blockschaltbild des sensorknotens mit Mikrocontroller,
Funkfrontend, Anpassnetzwerk, Wake­up­empfänger und analogem
sensorfrontend.
Timing synchronisieren
Dann folgt ein Random­Access­Kanal, über den sich noch nicht
bei einer Basisstation angemeldete Sensorknoten im System ein­
buchen können. Dazu lauscht der einzubuchende Sensorknoten
auf Beacon­Telegramme, die die Basisstation zu genau definier­
ten Zeitpunkten auf den Downlink­Kanal sendet. Nach Empfang
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elektronik journal 07/2016
59
Mess- und Prüftechnik Drahtlos
bild 3: die grundlegende tdMA­rahmen­
struktur des Protokolls wiederholt sich ein
Mal pro sekunde.
bild 4: Prinzipielle signalverarbeitung zur tempe­
raturmessung in WtMIA. ein zusätzlicher sensor
(oben li) erfasst die absolute temperatur.
eines solchen Telegramms kann der Sensorknoten das eigene
Timing mit dem der Basisstation synchronisieren. Sobald das
geschehen ist, fordert der Sensorknoten bei der Basisstation die
Zuteilung eines Uplink­Zeitslots an. Dazu sendet er auf dem
Random­Access­Kanal eine Anforderung, wofür zunächst noch
Listen­before­Talk zum Einsatz kommt.
Die Basisstation reagiert und sendet auf dem Downlink­Kanal
eine Konfigurationsnachricht an den Knoten. So erfährt der
Sensorknoten neben weiteren Konfigurationsparametern die
Nummer des nun reservierten Uplink­Slots.
Jetzt sind alle Voraussetzungen erfüllt, damit der Sensorkno­
ten den Messbetrieb aufnehmen kann. Um die kollisionsfreie
Übertragung der Daten sicherzustellen, sendet der Knoten die
Messergebnisse ausschließlich im eigenen Uplink­Slot. Da sich
dieser Zeitschlitz genau im Sekunden­Raster wiederholt, erfolgt
die Übertragung absolut deterministisch.
Gehen die vom System ermittelten Messwerte als Ist­Größe in
ein komplexes Regelungssystem ein, sollten die Messzeitpunkte
untereinander synchronisiert sein, also alle angemeldeten Sen­
sorknoten die Messung zum exakt gleichen Zeitpunkt durchfüh­
ren. Weil eine zeitliche Synchronisation aller Knoten mit der
Basisstation von vornherein für das Kommunikationsprotokoll
notwendig ist, verfügen alle beteiligten Knoten bereits über eine
gleiche Zeitbasis. Somit lässt sich der Messzeitpunkt auf der
Zeitachse kurz vor dem Down­Link­Slot ansiedeln, was eine
möglichst verzögerungsfreie Weitergabe des Messwerts ermög­
licht.
Skalierbarkeit
Das System lässt sich in mehreren Ebenen skalieren. So kann
eine Basisstation bei einem Messintervall von einer Messung pro
Sekunde bis zu 84 Sensorknoten verwalten. Erhöht sich das
Messintervall auf beispielsweise drei Messungen pro Sekunde,
so werden jedem Sensorknoten drei äquidistante Zeitslots im
Uplink­Kanal zugeteilt. Bei einem Messintervall von drei Mes­
sungen pro Sekunde kann die Basisstation jetzt also bis zu 84:3=28
Sensorknoten verwalten.
Dieses Verfahren funktioniert auch in die entgegengesetzte
Richtung: Durch eine Halbierung des Messintervalls lässt sich
die Anzahl möglicher Sensorknoten verdoppeln. Soll die Anzahl
noch weiter steigen, so können mehrere Basisstationen parallel
arbeiten. Dazu bekommt jede Basisstation eine eigene Sendefre­
quenz. Auf diese Weise können wie beim Mobilfunk Funkzellen
gebildet werden, die sich durch die innerhalb einer Zelle verwen­
dete Sendefrequenz gegeneinander abgrenzen. Eine weitere
Möglichkeit, die Anzahl der Teilnehmer zu erhöhen, bietet das
ebenfalls aus dem Mobilfunk bekannte SDMA­Verfahren (Space
Division Multiple Access). Hier wird das Umfeld der Basisstation
über Richtantennen in unterschiedliche Sektoren eingeteilt, was
eine effektivere spektrale Nutzung ermöglicht.
Im Rahmen des Produktionsprozesses ist es möglich, die Sen­
sorknoten auch über längere Zeiträume zu lagern. Während des
Lagervorgangs befinden sich die Knoten in einem Tiefschlafmo­
dus, in dem die Stromaufnahme nahezu Null beträgt. Das Auf­
wecken der Knoten erfolgt über LF­Antennen, wie auch aus der
RFID­Technik bekannt. Dazu ist am Anfang jeder Produktions­
straße eine LF­Antenne positioniert.
Außerdem teilt die Antenne dem Sensorknoten mit, auf wel­
chem Kanal er sich bei welcher Basisstation anmelden soll. So
können die Knoten mühelos von einer Funkzelle zur nächsten
wandern. Zusätzlich erfolgt ein Selbsttest des mobilen Sensors,
um den Ladezustand der Batterie zu prüfen, ob ein Defekt an
einem Thermoelement vorliegt und ob die Thermoelemente
richtig kontaktiert sind. Damit gelangen nur funktionsfähige
Sensoren in den Produktionsprozess.
Temperaturmessung mit Thermoelementen
bild 5: typische stromaufnahme über die zeit für ein tdMA­basierendes
echtzeitfähiges kabelloses temperaturmesssystem. der sensor befindet
sich die meiste zeit in einem energiesparmodus.
60
elektronik journal 07/2016
Das System ist auf eine Temperaturmessung mit Thermoelemen­
ten ausgelegt. Thermoelemente können Temperaturen bis 2500
°C messen, sind sehr robust gegenüber mechanischem Stress
und können sehr kompakt sein. Die Verbindungsstelle der zwei
www.elektronik-journal.de
systemeigenschaften des wtmia-sensors
•
•
•
•
•
•
•
•
Resistenz gegen aggressive Medien im industriellen Umfeld
keine Prozessbeeinflussung durch Ausgasungen (einsetzbar
in der Lebensmittelherstellung und für Vakuumbetrieb)
bis 125 °C temperaturfest
minimaler Stromverbrauch durch Wake-up-Mechanismus
echtzeitfähige deterministische Funkübertragung
kollisionsfreie Funkübertragung mit bis zu 84 Sensoren
Messrate bis zu 3 Hz
mobile Sensorknoten
Leiter wird auf die vom Messsystem zu erfassende IST­Tem­
peratur (Werkstück) gebracht. Die Anschlussstelle der beiden
Leiter mit der Signalerfassung und Signalverarbeitung ist
nachfolgend als Cold Junction bezeichnet. Näherungsweise
ist die Thermospannung proportional zur Differenz der bei­
den Temperaturen. Zum Bestimmen der absoluten Tempe­
ratur muss ein separater Sensor die Temperatur an der Cold
Junction erfassen. Dieser Vorgang wird auch Cold Junction
Compensation (CJC) bezeichnet).
Schnell
8-Stunden-Service für Leiterplatten
4-Tage-Service für Bestückung
Zuverlässig
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pünktlich oder kostenlos
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Bestückung online ab 1 Bauteil
Normierte Thermokennlinie berücksichtigen
Die Thermospannung ist nur näherungsweise linear zur
Temperaturdifferenz. Die DIN EN 60584 beschreibt in Form
sogenannter Grundwertreihen den nichtlinearen Zusam­
menhang zwischen Thermospannung und den Temperatu­
ren in tabellarischer Form. In WTMIA sind diese Grund­
wertreihen digital im Speicher der Sensorknoten abgelegt.
Zwischen den Werten wird interpoliert.
Insbesondere Abweichungen der Thermoelemente von
den Norm­Kennlinien führen in der Praxis zu vergleichs­
weise großen Fehlern. Nach der Norm können beispielswei­
se Thermoelemente vom Typ K in der höchsten Genauig­
keitsklasse 1 im Temperaturbereich bis 1000 °C im Ausliefe­
rungszustand immer noch bis zu ±4 °C von der Normkenn­
linie abweichen. Durch Alterungsprozesse können sich die­
se Abweichungen noch deutlich vergrößern. In WTMIA ist
eine Korrekturmöglichkeit dieser Abweichungen implemen­
tiert. Details zur Fehlerkorrektur finden Sie in der Online­
Version dieses Beitrags per infoDIREKT 203ejl0716. (mou) n
autor
Dipl.-Ing. Martin Kemmerling
Abteilungsleiter Transpondersysteme und Anwendungen bei
Fraunhofer IMS in Duisburg
Dipl.-Ing. Frederic Meyer
Gruppenleiter Hochfrequenzsysteme bei Fraunhofer IMS in Duisburg
Dr.-Ing. Michael Marx
Projektleiter bei Fraunhofer IMS in Duisburg
Dipl.-Ing. Kai Grundmann
Projektleiter bei Fraunhofer IMS in Duisburg
infodirekt
www.elektronik-journal.de
203ejl0716
www.pcb-pool.com
Mess- und Prüftechnik IoT-Sensoren
langzeitstrommessung
herausforderung batterielebensdauer von drahtlosen Iot­sensoren
Ein neues Verfahren zur unterbrechungsfreien Wahl des Strommessbereichs in Verbindung mit einem hochauflösenden Datenlogger mit langer Aufzeichnungsdauer hilft Ingenieuren, den winzigen und impulsweisen
Stromverbrauch eines drahtlosen IoT-Sensors in einem Zug genau zu messen. Autoren: Carlo Canziani, Dimitri Malsam
D
rahtlose Sensoren sind die ideale Lösung zur Erfassung
von Umweltdaten oder Betriebsparametern von Indus­
trieanlagen. Sie sind unproblematisch zu installieren
und können an vielen Stellen eingesetzt werden. In wenigen
Jahren werden solche Sensoren in großer Zahl im Rahmen des
„Internets der Dinge“ (IoT) eingesetzt werden. Momentan steht
dem Einsatz solcher Sensoren noch entgegen, dass sie ihre Auf­
gabe nur eine begrenzte Zeit lang erledigen können. Wird ein
drahtloser Sensor von einer Batterie gespeist, ist er nur noch
Elektroschrott, wenn die Batterie leer ist.
Sparspam mit der Batterieladung haushalten
Das wichtigste Kriterium bei der Konstruktion eines batteriebe­
triebenen drahtlosen Sensors ist daher ein sparsamer Stromver­
brauch. Ziel ist, dass das Gerät mit einer Batterie eine vernünf­
tige Zeitspanne läuft. Die Problem löst man üblicherweise so,
dass man große Teile der Schaltung nur für die gewünschte
Aktivität einschaltet und das Gerät danach in den Tiefschlaf ver­
setzt. Der einfachste Weg zu längerer Batterielaufzeit ist eine
größere Batterie mit höherer Kapazität. Das macht das Gerät
allerdings räumlich größer, und Ihre Kunden hätten gern einen
möglichst kleinen, aber leistungsfähigen Sensor (der viele Daten
senden kann und eine Menge lokale Prozessorleistung hat). Die­
se Erwartung des Kunden ist somit diametral entgegengesetzt
zur einfachsten Lösung des Batterielaufzeitproblems.
wenn man sie braucht. Ein solches Gerät ist meist so konstruiert,
dass es sich den Großteil der Zeit mit minimalem Stromverbrauch
im Tiefschlaf befindet. In dieser Betriebsart läuft lediglich eine
Uhr, die den Rest des Gerätes periodisch für eine Messung auf­
weckt. Die gesammelten Daten werden dann zu einem Empfän­
ger gefunkt, danach wird der Großteil der Schaltung wieder
schlafen gelegt. Nachfolgend sind typische Stromaufnahme und
zugehörige Zeiten im jeweiligen Betriebsmodus aufgeführt:
• Senden: 20 … 100 mA, 1 … 100ms
• Aktiv: 100µA … 10 mA, 10 … 100 ms
• Schlafen: 500 nA … 50 µA, 100 ms … Minuten
Die Stromaufnahme unterscheidet sich in verschiedenen Betriebs­
phasen sehr stark, sie reicht von sub­µA bis 100 mA, das ist
näherungsweise ein Verhältnis von 1:1.000.000.
Innovationen bei der Messung der Stromaufnahme
In batteriebetriebenen Geräten wie drahtlosen Sensoren sind
verschiedene Subsysteme aus Stromspargründen nur dann aktiv,
Herkömmliche Messverfahren wie ein Digitalmultimeter mit
hochohmigem Stromshunt oder ein Oszilloskop mit Stromtast­
kopf oder Strommesszange stoßen bezüglich Genauigkeit und
zeitlichem Auflösvermögen an ihre Grenzen. Insbesondere ist
es schwer mit diesen Messmethoden dynamische und impuls­
förmige Ströme im Mikroamperebereich zu erfassen.
Die speziell für Stromverbrauchsanalysen über lange Zeit ent­
wickelte SMU (Source/Measure Unit) N6781A von Keysight über­
windet die Grenzen herkömmlicher Messmethoden mit zwei
Innovationen: Nahtloser Messbereichswechsel und Langzeitauf­
zeichnung ohne Pausen.
Die SMU ist ein Modul, das mit einem flachen modularen
Stromversorgungssystem N6700 von Keysight oder einem DC­
bild 1: Impulsartige stromaufnahme über zeit eines
drahtlosen sensors in verschiedenen betriebsphasen.
bild 2: die sMu n6781A von Keysight erlaubt genaue
strommessungen über einen großen dynamikbereich.
Bilder: Keysight
Dynamische Strommessungen sind schwierig
62
elektronik journal 07/2016
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eck-daten
Drahtlose Sensoren müssen mit ihrer Batterieladung
sparsam haushalten. Damit der Entwickler über lange Zeit
die kurzen und oft nur wenige Mikroampere großen
Strompulse sicher erfassen kann, bietet Keysight ein geeignetes Messsystem. Die speziell für Stromverbrauchsanalysen entwickelte SMU (Source/Measure Unit) N6781A
überwindet die Grenzen herkömmlicher Messungen mit
zwei Innovationen: Nahtloser Bereichswechsel und Langzeitaufzeichnung ohne Pausen.
Leistungsanalysator N6705 eingesetzt werden kann.
Der nahtlose Bereichswechsel ist eine patentierte
Technik, mit der die SMU den Messbereich wechseln
kann, ohne dass sich die Ausgangsspannung beim
Bereichswechsel ändert (oder sie gar aussetzt).
Diese Funktion erlaubt es, einerseits die hohen
Stromaufnahmen zu messen, andererseits aber auch
den kleinen Strom im Schlafzustand. Der Messbereich
von 1 mA hat einen niedrigen absoluten Messfehler
von nur 100 nA (das sind 10% bei 1 µA oder 1% bei
10 µA). Die Messgenauigkeit ist damit um Größen­
ordnungen besser als bei einem traditionellen
Digital­Multimeter.
Zudem enthält die SMU zwei A/D­Wandler, die
simultan Spannung und Strom mit einer Abtastrate
von 200 kSa/s messen (Zeitauflösung 5 µs). Bei voller
Auflösung können Messungen 2 Sekunden lang
erfasst werden (entsprechend länger mit reduzierter
Zeitauflösung).
Für Langzeitmessungen kann der interne Daten­
logger im modularen DC­Leistungsanalysator N6705B
von Keysight die Messungen mit 200 kSa/s über ein
vom Anwender vorgegebenes Intervall (20 µs bis 60
s) integrieren und verliert dabei kein einziges Samp­
le. Alle Samples fallen entweder in ein Integrations­
intervall oder das nächste. Mit diesem Datenlogger
können Ingenieure nun Strom­ und Energieverbrauch
eines drahtlosen Sensors bis zu 1000 Stunden lang
aufzeichnen.
Incircuit-Funktionstestsysteme,
Adaptionen, Kabeltester,
Präzisions-Mikrodosiersysteme
Testsysteme für Incircuit- und Funktionstest mit hoher Prüfschärfe und Prüftiefe,
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manuelle und
pneumatische
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1000/2000 N, austauschbareAdapterplatten
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Präzisions-Mikrodosiersystem dosiert exakt zwischen
20 nl und 50 ml, einstellbare
Dosiergeschwindigkeit, kalibrierfähig, RS232Schnittstelle, robustes Metallgehäuse
REINHARDT
System- und Messelectronic GmbH
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ABSOLUTDRUCKSENSOREN
bild 3: der datenlogger erfasst alle samples lückenlos, nix
geht verloren. Für jede sampleperiode werden neben dem
durchschnitt auch Minimal­ und Maximalwert ermittelt.
www.elektronik-journal.de
www.absolutdruck-sensoren.de
Mess- und Prüftechnik IoT-Sensoren
bild 4: der über 200 sekunden betrieb aufgezeichnete strom liefert einen
neuen einblick in die dynamische stromaufnahme eines gerätes.
bild 5: Mit der software 14585A von Keysight kann man energieverbräuche
direkt in Joule messen.
Überraschende Phänomen aufgedecken
spielsweise mittels einer getriggerten Messung die Energie mes­
sen, die das Senden eines Datentelegramms verbraucht (Bild 5).
Hier erweist sich als Vorteil, dass die SMU zwei separate A/D­
Wandler hat, die simultan Strom und Spannung messen. Daraus
kann man ganz einfach Punkt für Punkt die Leistungsaufnahme
errechnen. Man kann den Energieverbrauch in Joule als Wert
zwischen zwei Markern anzeigen lassen; ein Entwicklungsin­
genieur kann sogar noch einen Schritt weitergehen und einen
Wert „Joule pro übertragenes Bit“ definieren.
Für die Messung des Stroms im Tiefschlaf muss man in einer
Langzeitmessung lediglich die Marker passend positionieren und
kann dann den Messwert direkt auslesen (Bild 4). Das liefert ein
vollständiges Bild des Stromverbrauchs und dazu einen genauen
Messwert im Tiefschlaf (599 nA).
Man kann durch diese Messung scrollen und ins Bild hinein­
zoomen. Damit kann man mit hoher Genauigkeit die Stromauf­
nahme zu einer bestimmten Zeit ermitteln und wie lange diese
Stromaufnahme bestanden hat. Einzelheiten, die man mit her­
kömmlichen Messwerkzeugen nicht sehen konnte, kann man
nun identifizieren und quantifizieren. Die Messung in Bild 4 hat
dieses überraschende Phänomen aufgedeckt: Das Gerät nahm
hier etwa 500 ms lang etwa 90 µA auf (Durchschnitts­
stromaufnahme 3,3 µA). Addiert man diese Stromaufnahme zu
den 599 nA im Tiefschlaf, so ergibt sich ein Durchschnittsstrom
von 730 nA, 22% höher als erwartet. Derlei Überraschungen sind
möglicherweise der Grund dafür, dass der Stromverbrauch eines
Geräts unterschätzt wird und diese kürzer läuft, als berechnet.
Bei der Optimierung der Stromaufnahme drahtloser Sensoren
ist es für Ingenieure ausgesprochen wertvoll, die Details zu ver­
stehen. Weiß man, wie viel Energie es kostet, ein einzelnes Daten­
telegramm zu senden, kann man einen guten Kompromiss finden
zwischen Stromverbrauch und Nutzererfahrung, und man kann
Fragen beantworten wie etwa diese: „Soll ich ein Datentelegramm
alle Sekunde, alle 5 Sekunden oder nur alle 10 Sekunden senden?“
Die Ingenieure können nun seriös abschätzen, welche Auswir­
kung eine bestimmte Firmwareänderung auf die Batterielaufzeit
hat und diese Abschätzung mit vernünftigem Zeitaufwand durch
reale Messungen bestätigen.
Joule-Messungen einfach gemacht
Bei der Abschätzung von Batterielaufzeiten sind Joule nützlich,
denn jede Aktivität hat einen bestimmten Energiebedarf. Man
kann beispielsweise auch eine Maßzahl „Joule pro übertragenes
Bit“ ausrechnen. Aber Ingenieure rechnen selten mit Joule, denn
sie müssen diese aus Spannung, Strom und Zeit erst errechnen.
Mit der Steuer­ und Analysesoftware 14585A von Keysight kann
man Energieverbräuche direkt in Joule messen. Man kann bei­
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elektronik journal 07/2016
Die Stromaufnahme genau erfassen
Entwicklungsingenieure, die batteriebetriebene Geräte für das
Internet der Dinge entwickeln, arbeiten mit ausgefeilten Strom­
spartechniken, um eine möglichst lange Batterielaufzeit zu erzie­
len. Herkömmliche Messtechniken sind komplex, zeitaufwendig
und bringen nicht die Messgenauigkeit, die man braucht, um den
Batteriestromverbrauch zu optimieren und zu validieren. Das
führt oftmals dazu, dass man die Stromaufnahme eines Gerätes
unterschätzt. Die für Stromverbrauchsanalysen optimierte SMU
von Keysight ermöglicht genaue Strommessungen und zeigt sie
auf nur einem Bildschirm vollständig und detailliert an. Analy­
sesoftware erleichtert dem Ingenieur seine Arbeit, indem sie ihm
Details zeigt, die er vorher nicht gesehen hat.
Mit Keysights neuester SMU N6785A sind diese Funktionen
nun bis zu 80 W und von nA bis 8 A verfügbar. Die neuen SMUs
kann man für viele Messaufgaben einsetzen, über das Testen von
Smartphones und Tablets bis zu Steuergeräten in der Kfz­Elek­
tronik sowie drahtlosen Sensoren und Chipsätzen für das
Internet der Dinge. (jwa)
n
autoren
Carlo Canziani
Account Manager bei Keysight Technologies
Dimitri Malsam
Field Engineer for Power Products bei Keysight Technologies
infodirekt
808ejl0716
www.elektronik-journal.de
Mess- und Prüftechnik Highlights
temperatur – analogspannungen – Digitalsignale
Bild: Measurement Computing
Kleine messmodule mit ethernet-schnittstelle
Ethernet-Messmodule von Measurement Computing (MCC) für die
DIN-Hutschiene.
Measurement Computing (MCC) stellt drei kompakte Messmodule mit Ethernet-Schnittstelle von Data Translation vor. Es handelt sich dabei um ein Gerät für den Anschluss von Thermoelementen, ein High-Speed Multifunktions-Messmodul mit 16 Bit
A/D-Wandler und ein Digital-I/O-Modul mit 24 Kanälen.
Die auf DIN-Hutschienen montierbaren Geräte unterstützen
viele in der Messtechnik gängige Softwarelösungen (unter anderem LabView, DASYLab, DAQami, TracerDAQ) und sind dank
der mitgelieferten Softwarebibliotheken sowie entsprechender
Programmierbeispiele unter Windows, Linux und Android besonders leicht zu integrieren.
Das neue 8-Kanal-Thermoelement-Messmodul E-TC mit 24-BitA/D-Wandler ermöglicht den Direktanschluss von Thermoelementen der Typen J, K, R, S, T, N, E und B und verfügt über
eine eingebaute Kaltstellenkompensation. Die Sensoranschlüsse sind gegenüber dem Host isoliert ausgeführt, und ein Kabelbruch des Thermoelements wird automatisch erkannt. Die
maximale Abtastrate beträgt 4 S/s pro Kanal. Darüber hinaus
stehen ein 32-Bit-Zähler und acht ebenfalls isoliert ausgeführte
digitale Ein- und Ausgänge zur Verfügung. Diese High-DriveAusgänge lassen sich beispielsweise für Temperaturalarme
konfigurieren.
Mit dem Modell E-1608 ist ein schnelles Multifunktions-Messmodul mit acht SE- oder vier DI-Analogeingängen mit 16 Bit A/DAuflösung und 250 kS/s Abtastrate sowie mit zwei analogen Ausgängen, acht digitalen I/O-Kanälen und einem 32-Bit-Zähler erhältlich. Das Digital-I/O-Modul E-DIO24 schließlich ist mit 24 TTLkompatiblen Kanälen ausgestattet, welche die Anwender individuell über das Netzwerk als Ein- oder Ausgang konfigurieren können.
An die Ausgänge, die jeweils ±24 mA Treiberleistung liefern, lassen
sich bei Bedarf auch Relais anschließen. Ein digitaler Ausgang kann
den Verbindungsstatus des Moduls signalisieren. Außerdem besteht
die Möglichkeit einen Kanal als 32-Bit-Ereigniszähler zu nutzen.
Alle Modelle verfügen über einen 10/100-Mbit/s-EthernetAnschluss und unterstützen die Protokolle TCP/IP sowie UDP.
Neben den Gehäuseversionen sind auch Platinenvarianten für
OEMs erhältlich. (jwa)
n
infoDireKt
815ejl0716
multitalent mit vielen gesichtern
Siglent Technologies erweitert mit dem neuen Multimeter
SDM3045X seine X–Serie. Auf dem 4,3 Zoll großen TFT-Farbdisplay mit 480 × 272 Bildpunkten kann das SDM3045X eine
4½-stelligen Ziffernanzeige mit einer Auflösung von 60.000
Counts gemischt mit grafischen Anzeigen darstellen. Mit einer
Messgeschwindigkeit von bis zu 150 rdgs/s verfügt das Gerät
über eine echte Effektivwerterfassung (TRMS) bei der AC-Spannungs- und Strommessung. Ein interner 1 Gbyte großer NANDFlash-Speicher bietet genügend Platz für Messdaten und Konfigurationsdateien. Speziell der Steckanschluss für Thermoelemente ist intern kompensiert.
Das Geräte-Design unterstützt einen Dual-Display-Modus mit
den Menüsprachen Englisch und Chinesisch inklusive Hilfesystem. Per PC-Software EasyDDM ist das Mutimeter steuerbar. Die
Standard-Schnittstellen USB und LAN unterstützen den allgemeinen SCPI-Befehlssatz und sind damit kompatibel mit andewww.elektronik-journal.de
Bild: Siglent
universell nutzbares Digital-multimeter
Das SDM3045X.22
arbeitet mit den Menüsprachen Englisch und
Chinesisch.
ren DMMs auf dem Markt. SDM3045X unterstützt Funktioen
wie Histogramm, Trenddiagramm, Balkendiagramm und bis zu
sieben Arten von Messungen.
Typische Anwendungsgebiete dieses Multimeters sind Forschung
und Entwicklung, Wartung und Service, Kalibrierlabor sowie automatisierte Produktionstests. (jwa)
n
infoDireKt
811ejl0716
elektronik journal 07/2016
65
Impressum/Verzeichnisse
inserenten
AMSYS
63
Beta LAYOUT
61
Bicker
31
Blume
51
Bürklin
37
CTX Thermal Solutions
5
Deutronic
27
Digi-Key
Titelseite, 2.US
E-A Elektro-Automatik
59
Elektrosil
EMTRON
Fischer
FORTEC
GAÏA CONVERTER
HKR
inpotron
Intersil
iseg
41
Titelseite, 23
3
40
63
47
30
26
33
LEM
Linear Technology
Mesago PCIM
MTM Power
Murata
Nova Elektronik
RECOM
Reinhardt
Rogers Germany
25
13
55
29
4.US
43
9
63
49
Rohm Semiconductor
Rohrer
Schukat
Schulz-Electronic
TDK-Lambda
TRACO ELECTRONIC GmbH
Würth Elektronik eiSos
7
23
19, 39
17
21
15
45
unternehmen
Bicker Elektronik
BSW Testsystems
Caltest
Compu-Mess Elektronik
Data Translation
Emtron
Fischer Elektronik
Fraunhofer-Institut ISE
Fraunhofer-Institut IMS
Green Watt Power
GS Yuasa
23
24
31
7
65
10
42
27
58
31
7
Infineon Technologies
Intersil
Kamaka
Keysight
Keysight Technologies
LEM
Linear Technology
Littelfuse
Maxim
Mean Well
Measurement Computing
38
10
28
8
62
8
58
Harpain, Jürgen
Kemmerling, Martin
Koschnick, Gunther
Ladiges, Falko
Loata, Gabriel
Loh, Debora
Loh, Friedhelm
52
9, 14
31
7
62
56
20
9
9
10
65
Molex
51
Mouser Electronics
8
MTM Power
27
ON Semiconductor
9, 38
Pacific Power Source
31
Panasonic Electric Works
48
Rittal
8
Rohm
37
RS Components
9, 51
Rutronik Elektronische Bauelemente 6
Samsung SDI
6
Schurter
SE Spezial-Electronic
Siglent Technologies
Silica
TDK
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba Electronics
Trumpf Hüttinger
WDI
ZVEI-Fachverband Automation
Malik, Frank
Malsam, Dimitri
Mangler, Andreas
Marx, Michael
Meyer, Frederic
Miedl, Benjamin
Rambow, Wolfgang
Röttchen, Carsten
Schramm, Mario
Schuster, Wolfgang
Sethna, Meenal
Tooth, Daniel
Werner, Christian
Witte, Hellmuth
28
14
65
9
52
8, 16
8
32
27
46
6
personen
Akiba, Takashi
Bergstein, Stefan
Blum, Herbert
Bouffier, Volker
Canziani, Carlo
Dr. Köhler
Grundmann, Kai
42
58
6
46
24
8
8
32
62
6
58
58
48
52
8
8
8
9
16
14
20
impressum
www.elektronikjournal.com
ISSN: 0013-5674
51. Jahrgang 2016
Das Themen-Magazin für den Entwickler
redAKtIOn
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Freie Mitarbeiter:
Ihre Kontakte:
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elektronik journal 07/2016
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