SDP8105 - Honeywell Sensing and Control

SDP8105
Photodarlington aus Silizium
MERKMALE
• Kunststoffgehäuse T-1
• Aufnahmewinkel von 20° (nominal)
• Gleichmäßige optische Eigenschaften
• Mechanisch und spektral an SEP8505 und
SEP8705 Infrarot-Emissionsdioden angepasst
INFRA-55.TIF
BESCHREIBUNG
Die SDP8105-Serie besteht aus einem NPN
Photodarlington aus Silizium, der in ein schwarzes
Kunststoffgehäuse T-1 spritzgepresst ist, um die
Auswirkungen des sichtbaren Umgebungslichts
zu minimieren. Das bei diesem Gerät angewandte
Spritzpress-Verfahren gewährleistet im Vergleich
zu anderen Vergussverfahren eine überragende
Leistung der optischen Mittellinie. Die Längen der
Anschlussdrähte sind stufenartig, um eine einfache
Erkennung der Polarität zu ermöglichen.
AUSSENMASSE in inches (mm)
Toleranz
3-stellige Dezimalzahlen
2-stellige Dezimalzahlen
±0,005 (0,12)
±0,020 (0,51)
0,200 (5,08)
0,180 (4,57)
0,03 (0,76)
0,05 (1,27)
KOLLEKTOR
0,020 QUADR.
ANSCHLUSSDRAHTTYP
(0,51)
,050
(1,27)
EMITTER
0,125 (3,18) DURCHM.
0,115 (2,92)
,155
(3,94) DURCHM.
,500
MIN.
(12,7)
,250
(6,35)
MAX.
DIM_100.ds4
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Honeywell behält sich Änderungen vor,
um Verbesserungen der Ausführung
umsetzen und bestmögliche Produkte
anbieten zu können.
SDP8105
Photodarlington aus Silizium
ELEKTRISCHE DATEN (25 °C sofern nicht anders angegeben)
PARAMETER
Lichtstrom
SDP8105-001
Kollektor-Dunkelstrom
Kollektor-EmitterDurchschlagspannung
Emitter-KollektorDurchschlagspannung
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
SYMBOL
IL
MIN.
TYP.
MAX.
EINHEITEN
mA
250
nA
TESTBEDINGUNGEN
VCE=5 V
H=0,025 mW/cm2 (1)
VCE=10 V, H=0
0,5
ICEO
V(BR)CEO
15
V
IC=100 μA
V(BR)ECO
5,0
V
IE=100 μA
V
IC=IL/8
H=0,025 mW/cm2
IF=konstant
VCC=5 V, IL = 1 mA
RL=100 Ω
1,1
VCE(SAT)
Winkliges Ansprechen (2)
Anstiegs- und Abfallzeit
Ø
tr, tf
20
75
Grad
μs
Anmerkungen
1. Die Strahlungsquelle ist ein IRED mit einer Spitzenwellenlänge von 935 nm.
2. Als Ansprechwinkel wird der Winkel zwischen den Punkten halber Empfindlichkeit definiert.
ABSOLUTE MAXIMALWERTE
SCHALTPLAN
(25 °C Umgebungslufttemperatur, sofern nicht
anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Spannung
15 V
Emitter-Kollektor-Spannung
5 V
Verlustleistung
70 mW (1)
Betriebstemperaturbereich
-40 bis +85 °C
Lagerungstemperaturbereich
-40 bis +85 °C
Löttemperatur (5 sec)
240 °C
Kollektor
Anmerkungen
1. Lineare Leistungsreduzierung von 25 °C
Umgebungslufttemperatur bei einer Rate von 0,18 mW/°C
Emitter
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um Verbesserungen der Ausführung
umsetzen und bestmögliche Produkte
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SDP8105
Photodarlington aus Silizium
SCHALTZEIT-TESTSCHALTKREIS
SCHALTFUNKTION
cir_016.cdr
cir_004.cdr
VCC +5 V
Kollektor
1,0 V
90 %
GaAs-Emitter
eo
H
10 %
Emitter
0
RL
100 Ω
250 μS
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
Ansprechverhalten
vs. Einstrahlwinkel
Relatives Ansprechen
tf
tr
T
Abb. 2
gra_047.ds4
Ausgesteuerte Schaltzeit
vs. Lastwiderstand
gra_049.ds4
1000
-40 -30 -20
-10
0
+10 +20 +30 +40
Winklige Abstandserkennung - Grad
Abb. 3
0 V
Ansprechzeit – μs
Relatives Ansprechen
Abb. 1
eo
Spektrales
Ansprechverhalten
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
600
700
800
100
10
10
100
1000
10000
Lastwiderstand – Ohm
gra_050.ds4
900
1000
1100 1200
Wellenlänge – nm
Alle Leistungskurven zeigen typische Werte
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Honeywell behält sich Änderungen vor,
um Verbesserungen der Ausführung
umsetzen und bestmögliche Produkte
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Photodarlington aus Silizium
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