Abhängigkeit der Ätz
Werbung
Verfahren Temperatur, °C Ätzrate, µm/min Bemerkungen H3PO4 400 ... 500 - Na2B4O7 PbF2 1000 ... 850 10 15 NaHSO4 V2O5 H2 Si 450 ... 850 940 1200 ... 1500 1100 ... 1300 1 ... 20 2 ... 3 0.01 ... 0.1 0.4 (1120°C) wellig, keine konstante Ätzrate glatte Oberfläche, Abtragen mechanischer Fehler Abhängigkeit der Ätzund Aufwachsrate von der Silizium Aufdampfgeschwindigkeit Wachstumsrate von Silizium auf korund in Abhängigkeit von der Temperatur bei konstanter Auftreffrate Grenzbedingung für das Aufwachsen von Si auf Korund in Abhängigkeit von der Auftreffrate und Temperatur Schematische Darstellung der Herstellung einer SOI-Struktur durch laterale Festphasenepitaxie Schematische darstellung der Wachstumsphasen während der lateralen CVD: (a) Vertikales Wachstum, (b) Laterales Wachstum vor der Koaleszenz, (c) Bildung einer durchgängigen Schicht. Schematische Darstellung der Profilformen für unterschiedliche Kristallitorientierungen bei der Graphoepitaxie Schematische Darstellung eines Graphitstreifenrekristallisationssystems Schematische Darstellung eines rf-Rekristallisationssystems Tempraturprofile in der Nähe des SiSchmelzpunktes Zusammenhang zwischen Leistungsdichte und Scangeschwindigkeit Abhängigkeit des Abstandes zwischen den Kleinwinkelkorngrenzen vom Temperaturgradienten in der Rekristallisationszone Abhängigkeit des Abstandes zwischen den Kleiwinkelkorngrenzen als Funktion der Scangeschwindigkeit Schematische Darstellung der Bildung von großen Kristalliten im ZMR-Prozeß Mikrostruktur einer ZMR-Schicht auf Siliziumdioxid Dynamik der Kristallitgröße und der Kleinwinkelkorngrenzen in Abhängigkeit vom Temperaturgradienten Schematische Darstellung des SPEAR-Prozesses (a) und des DSPEProzesses (b) Evolution der oberen und unteren Grenzfläche in Abhängigkeit von der Implantationsdosis Evolution der vergrabenen SiO2-Schicht als Funktion der Synthesebedingungen Blasenbildungszeit als Funktion der Temperungstemperatur Temperaturabhängigkeit der Blasenbildung und des Schichtabhebens Prozeßsequenz des Smart CUT® Prozesses Mikrokavität im SiC erzeugt für den Smart CUT® SOI BI-CMOS: (a) Bipolartransistor in der SOI-Schicht, (b) Bipolartransistor in einer selektiv gewachsenen Si-Schicht. Schematische Darstellung einer JCMOSStruktur Schematische Darstellung eines 3D CMOS IC mit einem n-Kanal Ttransistor in der SOISchicht und einem p-Kanal Transistor im Si Substrat Struktur eines Verarmungsdünnschichttransistors Abhängigkeit der Keimdichte von der Abscheidetemperatur für das SiH4-H2 - Verfahren für 1000°C und 1100°C Substarttemperatur. Abhängigkeit der Oberflächenperfektion von Si-Schichten vom Substratmaterial: (a) Verneuil-; (b) Chochralski-Spinell Baufehlerdichte in SOS-Schichten als Funktion der Distanz von der Grenzfläche SIMS-Al-Profile in Si-Schichten auf Korund unterschiedlicher Herstellungsverfahren Abhängigkeit der Akzeptorenkonzentration von der Abscheidetemperatur (2 µm/min, d = 2 µm Abhängigkeit der hallbeweglichkeit von der Abscheidetemperatur: (A) 10 µm Si auf (1102)Al 2 O 3 , (B) 2 µm Si auf (1102)Al2O3, (C) 2 µm Si auf (0001)Al 2 O 3 , (D) 15 µm Si auf (0001)Al2O3, (E) 2 µm Si auf (111)Spinell Hall-Löcherbeweglichkeiten in Si auf Korund und Spinell unterschiedlicher Orientierung in Abhängigkeit von der Schichtdicke Hall-Elektronenbeweglichkeiten in Si auf korund und Spinell unterschiedlicher Orientierungen in Abhängigkeit von der Schichtdicke Hallbeweglichkeiten in Si in Abhängigkeit von der Löcherkonzentration Einfluß der Substratorientierung auf die Hallbeweglichkeit Abhängigkeit der Hallbeweglichkeit von der Abscheidetemperatur. Abscheidung durch Silanpyrolyse bei 1075°C, getempert bei 1100°C in O2, N2 n-Kanal-FET-Beweglichkeiten und h:2h-Halbwertsbreiten in Abhängigkeit von der Schichtdicke SOI Technologie (a) konventioneller MOSTransistor, (b) teilweise verarmter MOS-Transistor, (c) vollständig verarmter MOS-Transistor SOI Technologie Querschnitt durch einen CMOS-Inverter mit Latchup - Wegen (a) und CMOS-Inverter (b), sowie einer Darstellung der Drainkapazitäten. SOI Technologie Kontaktformierung auf flachen pn-Übergängen für die klassische SiTechnologie (a) und die SOI-Technologie (b). Eigenschaften von Saphir Substrate im Angebot Verneuill-Verfahren http://www.analog.com/library/analogDialogue/archives/35-05/latchup/ http://omnibus.uni-freiburg.de/~neukircf/geo/verneuil.html Eigenschaften von einkristallinen Saphir Kristallstruktur EFG-Verfahren Eigenschaften von EFG Saphir: http://www.saphikon.com/semiprop.htm http://www.saphikon.com/qrg.pdf http://www.crystalresearch.com/crt/ab34/293_a.pdf Zonenschmelzen von Saphir-Substraten: Reichweiten und Kristallschädigung bei der Ionenimplantation (Simulationen)
