Universität Bielefeld Prof. Dr. Thomas Dahm Bielefeld, den 7.6.2016 Übungen zur Theoretischen Festkörperphysik SS 2016 Blatt 8 Aufgabe 17: Pauli-Paramagnetismus Betrachten Sie ein System wechselwirkungsfreier Elektronen in einem äußeren Magnet~ = Bêz , wobei das Magnetfeld nur an den Elektronenspin koppeln soll. In zweiter feld B Quantisierung lautet der Hamiltonoperator dann X † Ĥ = k ck,σ ck,σ − B M̂z k,σ wobei M̂z = −µB X c†k,↑ ck,↑ − c†k,↓ ck,↓ k der Operator des magnetischen Momentes der Elektronen ist und µB = e~/2me das Bohrsche Magneton. a) Berechnen Sie die Magnetisierung M = hM̂z i des Systems, d.h. den thermischen Erwartungswert des magnetischen Momentes, als Funktion von Magnetfeld B und Temperatur T im Grenzfall kleiner B und T . des Systems. Zeigen Sie, b) Berechnen Sie die magnetische Suszeptibilität χPauli = ∂M ∂B dass sich für tiefe Temperaturen ergibt χPauli = 2µ2B ρ0 (F ) wobei ρ0 (F ) die Zustandsdichte an der Fermikante ist. Aufgabe 18: Thomas-Fermi-Abschirmung Betrachten Sie eine Punktladung Q, die sich am Ort ~r = 0 eines Festkörpers (Metall oder Halbleiter) befinde. Die freien Elektronen werden das Potential dieser Punktladung abschirmen. Wir wollen annehmen, dass das abgeschirmte Potential schwach ist, und dass es langsam auf der Skala der Fermi-Wellenlänge variiert. Ihre Aufgabe besteht im Folgenden darin, zu zeigen, dass das abgeschirmte Potential die Gestalt φ(~r) = Q e−r/λ 4π r hat, und die Abschirmlänge λ zu bestimmen. (a) Weil das Potential φ(~r) sich räumlich nur langsam ändert, ist es eine vernünftige Annahme, dass die Energie eines Elektrons am Ort ~r gegeben ist durch E~k (~r) = E~k − eφ(~r) , E~k = ~2~k 2 2m Die Teilchenzahldichte der Elektronen werde in φ(~r) linearisiert: Z 1 1 ∂n0 (µ) n(~r) = 3 d3 k β(E −eφ(~r)−µ) = n0 (µ) + eφ(~r) + . . . , 4π ∂µ e ~k +1 wobei das chemische Potential µ aus der Bedingung Z N 1 1 = n0 (µ) = 3 d3 k β(E −µ) 4π V e ~k +1 (1) bestimmt werden muss. Wie groß ist die gesamte Ladungsdichte ρ(~r), d.h. die Ladungsdichte der Punktladung Q, des ionischen Hintergrundes, und der freien Elektronen? Nehmen Sie dabei an, dass der ionische Hintergrund eine konstante, homogene Ladungsverteilung habe. (b) Setzen Sie die in φ(~r) linearisierte Ladungsdichte ρ(~r) in die Poisson-Gleichung ~ 2 φ(~r) = − 1 ρ(~r) ∇ ein, wobei die dielektrische Konstante des ionischen Hintergrunds ist und lösen Sie sie mit Hilfe einer Fourier-Transformation, die für eine beliebige Funktion f (~r) die Gestalt hat Z Z 1 ~ ~ 3 i k~ r f (~r) = d k f (~k)e , f (~k) = d3 r f (~r)e−ik~r . 3 (2π) Welches Ergebnis erhalten Sie für das Fourier-transformierte Potential, φ(~k)? Dabei ist es günstig, die Größe e2 ∂n0 (µ) κ2 = ∂µ einzuführen. Beweisen Sie zuerst eine (oder, wenn Sie können, beide) der Identitäten Z ~ 3 dk eik~r ~k 2 + p2 = 2π 2e −pr r Z , d3 r e−pr −i~k~r 4π e = 2 , r p + k2 wobei der Parameter p positiv ist, und bestimmen Sie das Potential φ(~r) im Ortsraum. Welche Beziehung ergibt sich zwischen der Abschirmlänge λ und κ? (c) Debye-Hückel Abschirmlänge. Betrachten Sie den klassischen Limes, in dem die FermiDirac-Verteilung in Gl. (1) durch die Boltzmann-Verteilung ersetzt werden kann. Was finden Sie für λ in diesem Grenzfall? Thomas-Fermi Abschirmlänge. Betrachten Sie den Fall tiefer Temperaturen, in dem die Fermi-Dirac-Verteilung näherungsweise als eine Stufen-Funktion dargestellt werden kann. In anderen Worten: es sind alle Zustände mit Energie E~k < µ besetzt und die Zustände mit E~k > µ unbesetzt. Bestimmen Sie mit Hilfe dieser Näherung die Funktionen n0 (µ) und ∂n0 (µ)/∂µ aus Gleichung (1), und daraus schliesslich die Abschirmlänge λ. (d) Bestimmen Sie den Gültigkeitsbereich der Thomas-Fermi-Näherung indem Sie die Thomas-Fermi Abschirmlänge mit der Fermi-Wellenlänge λF = (3π22π vergleichen. n0 )1/3 Formulieren Sie diese Bedingung insbesondere mit Hilfe der Dichte n0 der freien Elektronen und machen Sie eine numerische Abschätzung. Besprechung erst ab 21.6.2016