Dielektrische Keramiken Polarisationsprozesse

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Dielektrische Keramiken
Polarisationsprozesse
ƒ Einleitung
ƒ Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
ƒ Wechselfelder und die komplexe Dielektrizitätszahl
ƒ Atomare Deutung elektrischer Polarisationsmechanismen
ƒ Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
ƒ Ferroelektrika
ƒ Mikrowellen-Resonatoren
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Einleitung
Gemeinsames Merkmal von Dielektrika: hoher spezifischer Widerstand
Andere Eigenschaften richten sich nach Einsatzgebiet:
ƒ Isolatoren:
I l t
physikalische
h ik li h T
Trennung von elektrischen
l kt i h L
Leitern
it
¾ Mikroelektronik: U = einige Volt
p bei IC‘s ((integrierten
g
Schaltkreisen))
Bsp:
SiO2 als Isolatorfilm (thermische Oxidation von Si zu Schichten von einigen nm bis
µm)
¾ Energieversorgung:
Energie ersorg ng U bis zu 1 MV
Bsp: Porzellanisolatoren (Meterlang) als Abstandshalter bei der Übertragung von
Hochspannungen
380 kV: kontinental
220 kV: regional
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Einleitung
Isolatoren (Abstandshalter):
(
)
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Einleitung
Isolator bei Zündkerzen:
• Mittelelektrode und Gehäuse isolieren
• Wärmeleitung
⇒ Al2O3-Keramik
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Einleitung
Isolatoren als Substrat oder Sockel:
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Einleitung
¾ Isolatoren als Substrat oder Sockel
Materialanforderungen:
_ gute mechanische Stabilität
_ hohe Wärmeleitfähigkeit
_ kleine Dielektrizitätszahlen εr
Kondensatoren:
Elektrische Energiespeicherung
Wechselspannungskopplung
Frequenzfilterung
Æ Maximales εr für hohe Kapazitäten
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Einleitung
Mikrowellenmaterialien:
Oszillatoren und dielektrische Filter (1-100 GHz) für Satellitenkommunikation,
Mobiltelephon, etc
Æ Relativ
R l ti h
hohes
h εr
Æ niedrige dielektrische Verluste
Æ hohe Temperaturkonstanz der Oszillator
Oszillator-Frequenz
Frequenz
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Elektrisches Feld E:
Æ führt nicht zu makroskopischen Ladungstransport (da keine freien
Ladungsträger!)
Aber: + und
Ab
d – Bausteine:
B
t i
At
Atome (Atomkern
(At k
und
d Elektronen),
El kt
)
Ionenkristalle (Kationen und Anionen)
g der + und – Bausteine um δx wobei δx<a ((a:
E Æ Verschiebung
Atomabstand)
ÆJedes Paar (Atomkern + Elektronen Hülle) trägt ein Dipolmoment:
r
r
pi = qi ⋅ δx
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+
r
E=0
+
r
E
+
-
r r
δx E
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Gesamtdipolmoment p: Addition von n Bausteinen
r
r
p = ∑ pi
n
Dichte der Dipolmomente pro Volumen P: Æ Polarisation
r pr
r
r
P = = c ⋅ pi = c ⋅ qi ⋅ δx
V
Konzentration oder Volumendichte der Dipole:
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n
c=
V
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Inneren eines Materiales: Kompensierung von + und – Dipolladungen
Oberfläche: Ladungen sind gebunden (nicht frei beweglich) Æ Dipolladungen
nicht kompensiert
Flächenladungsdichte:
r
sp = c ⋅ qi ⋅ δx
weilil
r
r
P = c ⋅ qi ⋅ δx
folgt
P = sp
r r
oder P ⋅ n = − sp
n: Oberflächennormale
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Auswirkung der dielektrischen Polarisation: Plattenkondensator
Jede freie Ladung = Quelle für dielektrische Verschiebungsdichte D
r
Poisson-Gleichung: divD = ρ f
ohne Dielektrum
ρf: Raumladungsdichte
Plattenkondensator:
r
Q
D = D = sf =
A
A: Kondensatorfläche
mit Dielektrum
Q: Zahl der freien Ladungen
sf: Flächendichte an freien Ladungen
Vak
S Diel
=
S
− Sp
f
f
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
ohne Dielektrum (Vakuum)
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Mit Dielektrum
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
DDiel = D Vak + P
r Vak
r
r Diel
r
= ε 0E ⇒ D = ε 0 εrE
Feldstärke E=U/d bleibt unverändert Æ D
εr: relative Dielektrizitätszahl
r
r r
D = ε 0E + P
D: Gesamtverschiebungsdichte
ε0E: Vakuumverschiebungsdichte
P: Material-Polarisation
Elektrische Suszeptibilität
χ = εr − 1
r
r
P = χε 0E
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Dielektrika in statischen elektrischen Feldern
Wieviel Ladungen können bei bestimmter angelegter Spannung gespeichert
werden?
Æ Kapazität C [Farad, 1F=As/V=C/V]
Plattenkondensator
C=
Q
A
= ε 0 εr
U
d
Wieviel Energie kann gespeichert werden?
C 2
W= U
2
W 1
Energiedichte bei Plattenkondensator: w =
= εr ε 0E 2
Ad 2
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Wechselfelder und komplexe Dielektrizitätszahl
Idealen Kondensator:
real
ideal
u( t ) = U0 cos(( ωt )
ic ( t ) = C
∂
[U0 cos(ωt )] = −ω ⋅ C ⋅ U0 sin(ωt )
∂t
Komplexer Wechselstromwiderstand
= Impedanz eines idealen kondensators:
ZC =
u( t )
1
=
ic ( t ) jωc
Reale Dielektrika: kapazitiven Anteil iC (90° phasenverschoben)
+ ohmschen Anteil iR (nicht phasenverschoben)
Verlustfaktor: tan δ =
iR
iC
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=
1
ω ⋅ RC
Güte: Q =
1
tan δ
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Wechselfelder und komplexe Dielektrizitätszahl
Ideal Kondensator
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Real Kondensator
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Wechselfelder und komplexe Dielektrizitätszahl
Plattenkondensator: tan δ =
σ sp
ωε r ε 0
σsp:spezifische Leitfähigkeit des Dielektrikums
Dielektrische Relaxationszeit:
Komplexe Dielektrizitätszahl:
Wobei
ε r = ε' r
und
εr ε 0
τε =
σ sp
ε * r = ε' r − j ε' ' r
tan δ =
ε' ' r
ε' r
J
Jeweils
il εr und
d ttanδδ frequenzabhängig
f
bhä i
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Wechselfelder und komplexe Dielektrizitätszahl
Einsatz von Dielektrika im Mikrowellenbereich Æ Einfluss der Materie auf
Wellenausbreitung
r r
E = E0 ⋅ e 2 π( υt −kx ) ⋅ e( − αE x )
wobei
π⋅δ
αE ≈
λ
Æ Dämpfungskonstante
Wellenlänge im Material ist
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λ Vak
λ≈
nB
mit Brechungsindex
nB = εr
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Dipolmoment
p
pi über weiten Bereich p
proportional
p
zum E:
r
r
p i = αE
r
r
P = c ⋅ αE
α: Polarisationsbarkeit je Baustein
c ⋅α
χ = εr − 1 =
ε0
ƒ Im Gas: kleine WW zwischen Bausteinen:
Æ Identisch von außen angelegtes Feld
Æ Vergleich makroskopisch χ und mikroskopisch α
ƒ Im
I Kristallgitter:
K i t ll itt
j d Di
jeder
Dipoll b
beeinflusst
i fl
t mitit seinem
i
Ei
Eigendipole
di l d
das G
Gesamtfeld
tf ld d
der
Nachbardipole
Æ Elok ist verschieden von äußeren Feld E
Für kubische Kristallstruktur:
Functional Materials
r
r
r
P
Elok = E +
3ε 0
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Für Festkörper allgemein:
c ⋅α
ε0
χ = εr − 1 =
c ⋅α
1−
3ε 0
Clausius-Mosotti-Gleichung:
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εr − 1 c ⋅ α
=
ε r + 2 3ε 0
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
4 Grundtypen der mikroskopischen Polarisationsmechanismen:
a: elektronische Polarisation
b: ionische Polarisation
c: Orientierungspolarisation
d: Raumladungspolarisation
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
4 Grundtypen der
mikroskopischen
ik
k i h
Polarisationsmechanismen:
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Einzelbeiträge Æ Superposition Æ Gesamtsuszeptibilität χ
χ‘
Frequenzabhängigkeit der χ‘(υ)
Verluste χ
χ‘(υ)
( ) ((Imaginärteil)
g
)
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Elektronische Polarisation
E verschiebt Elektronenhülle gegenüber Atomkernen Æ Dipol induziert
Auslenkung δ << Atomradius
k
kaum
T-Einfluss
T Ei fl
Frequenzabhängigkeit:
r
Aδ&x& + Bδx& + Cδx = qElok
1 Term: Trägheitskraft
1.Term:
2. Term: Dämpfung
3. Term: Rückstellkraft
4. Term: Antriebskraft
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
δx durch P und Elok durch das dazu proportionale E:
r
1 &&
&
P + τPe + Pe = ε 0 ∆χ eE
2 e
ω0
ω0: resonanzfrequenz des Oszillators
∆χe: Differenz der Suszeptibilität weit unterhalb und weit oberhalb ω0
τ: Dämpfungs-Konstante
Resonanzfrequenz υ0=ω
ω0/2πÆ 1014…10
1015 Hz
(wegen kleiner Elektronenmasse)
Liegt im sichtbaren Bereich
Frequenzabhängigkeit von χe spielt keine Rolle
für E-Technik
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Ionische Polarisation
Nur im Materialien mit IonenbindungÆ alle oxidkeramischen Dielektrika
Ebenfalls schwingungsfähiges System Æ Kationen- und Anionen-Teilgitter schwingen
gegeneinander = optische Phononen
Beitrag
g über χion
Resonanzfrequenz 1011…1013 Hz (größere Massen der Ionen, geringere
Frequenzen)
⇒ IR-Bereich
IR Bereich des elektromagnetischen Spektrums
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Orientierungspolarisation
Permanentes Dipolmoment pperm von: ⇒ polaren Molekülen
⇒ assoziate geladener Punktdefekte
Ohne Feld ⇒ Unordnung=f(T) ⇒ alle Dipolmomente kompensieren sich (außen Pyro.)
Mit Feld ⇒ Ausrichtung ⇒ Orientierungspolarisation
α Or =
r
p 2perm
kT
Übliche T-Bereich ⇒ Stoßfrequenz (Dipol) >> 1/Zeit zum Ausrichten des Dipols
⇒ keine Schwingungen im Feld um Gleichgewichtslage ⇒ Trägheitsterm in
Bewegungsgleichung entfällt:
r
&
τ R Por + Por = c ⋅ α or E
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
τR: Relaxationszeit=Zeitkonstante,
Relaxationszeit=Zeitkonstante mit der sich ach Ein
Ein-/Ausschalten
/Ausschalten von statischem
Feld der neue Gleichgewichtszustand einstellt.
ƒ Orientierungspolarisation
g
ist langsamer
g
als
ionische oder elektrische Polarisation
ƒ Wassermoleküle: 1/τR≈1010 Hz
ƒ polare Molekülgruppen in Polymeren bei
niedrigen T:1/τR≈10-3 Hz (also in Stunden)
ƒ Defektassoziation im Kristallgitter: thermisch
aktivierter Sprungprozess (ähnlich Ionenleitung):
⎛ WA ⎞
τ R ∝ exp⎜
⎟
kT
⎝
⎠
WA: Aktivierungsenergie des Sprunges
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Raumladungspolarisation
Bewegungen von Ladungen über viele Gitterabstände!
⇒ Es müssen in räumlichen begrenzten Bereichen freie Ladungsträger vorhanden sein
Raumladungspolarisation = Maxwell-Wagner-Polarisation
Tritt in Materialien mit lokalen Leitfähigkeitsinhomogenitäten auf
z.B.:
B
ƒ Leitfähige Korngrenzen ↔ weniger leitfähige Kristallite (⇒Ionische Leitung in Al2O3Keramik)
oder
ƒ weniger leitfähige Korngrenzen ↔ leitfähige Kristallite (⇒Erdalkali-Titanat-Keramiken
als Kondensatoren))
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Erdalkali-Titanat-Keramiken:
Gemischte elektronisch-ionisch Restleitfähigkeit durch O-Vakanzen und Löcher
⇒ Raumladungszonen bilden sich zu beiden Seiten der Korngrenzen aus (ca. 100nm
Breite)
Korngröße: dG=dBulk+dRL
Annahme: dG>>dRL
Zeitkonstante für die Raumladungspolarisation:
τR≈RBCRL
τR oft in Stunden
⇒ übliche E-Technik Anwendung
⇒ Kein Einfluss auf εr durch RL-Polarisation
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Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Atomare Deutung der elektrischen Polarisationsmechanismen
Insbesondere in Gläsern und auch in vielen Keramiken:
⇒ keine abrupte Änderung
Ä
der Leitfähigkeit
⇒ Leitfähigkeitfluktuationen über alle Skalengrößen
⇒ keine klare Trennung zw.
zw Orientierungspolarisation (Ursache Ionensprünge auf
mikroskopischer Ebene) und Raumladungspolarisation (Ursache makroskopischer
Ladungstransport)
⇒ fließender Übergang zw.
zw Beiden Polarisationsmechanismen
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
Gibt nicht nur elektrisches Feld!
⇒ auch andere Parameter und Materialeigenschaften führen zur Bildung von elektrischen
Polarisationsladungen
⇒ abhängig von Kristallsymmetrie (Symmetriezentrum, Drehachse, Spiegelebene und
Kombinationselemente)
ƒ Dielektrische Polarisation
Jede Materie ist aus elektrischen Ladungen aufgebaut
Kann immer auftreten (in den Kristallklassen aller 32 Punktgruppen)
E bewirkt die Verschiebung der Ladungsschwerpunkte
r
r
Pel = χε 0 E
χ: elektrische Suszeptibilität der Materie
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
ƒ Piezoelektrische Polarisation
21 der 32 Punktgruppen besitzen kein Symmetriezentrum
Piezoelektrizität (der Kristalle aus 20 der 21 Punktgruppen ohne Symmetriezentrum)
⇒Ladungsverschiebung
L d
hi b
d
durch
h mechanischen
h i h D
Druck
k σM (symmetrischer
(
ti h T
Tensor))
r
r
Ppi = d ⋅ σ M
⇒Mit d = piezoelektrischer Konstante d (Tensor)
Ursache der Piezoelektrizität: Druck wirkt unterschiedlich auf Anionen- und
Kationenteilgitter ⇒ kann Einheitszellen zu Dipolen machen
Voraussetzung: nicht-zentrosymmetrische Punktgruppe
Ein symmetrischer Tensor (wie der Druck) auf ein zentrosymmetrisches System kann kein
y
Resultat hervorrufen ((wie Ppi)).
unsymmetrisches
Genauer in Kapitel „Piezoelektrische Werkstoffe“
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
ƒ Pyroelektrische Polarisation
In 10 der 20 piezoelektrischen Punktgruppen ⇒ spontan bereits elektrische Polarisation
⇒ Polare Kristalle
RT Polarisationsladungen
RT:
P l i ti
l d
werden
d kkompensiert
i td
durch
h Ob
Oberflächenladungen
flä h l d
∆T: thermische Ausdehnung ⇒ Verschiebung der Untergitter ⇒ Änderung der
Polarisationsstärke
r
r
Ppy = p py ⋅ ∆T
Mit ppy: pyroelektrische
l kt i h K
Konstante
t t (Vektor)
(V kt )
Technische Nutzung
g Æ Einkristalle
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
ƒ Ferroelektrische Polarisation
In einigen polaren Kristallen ⇒ Änderung der Richtung der spontanen Polarisation durch
äußeres elektrisches
Ferroelektrika: herausragende Rolle bei elektronischen Werkstoffen
Grund: ferroelektrischen Keramiken anstelle von Einkristallen zur Herstellung von polaren
Materialien.
F
Ferroelektrischen
l kt i h K
Keramiken:
ik
_ Kristalliten statistisch orientiert (nach Sinterprozess) Æ praktisch unpolar
_ lassen
asse ssich
c po
polen
e mit Hilfe
ee
eines
es e
elektrisches
e sc es Feld
ed
_ Piezo- und pyroelektrische Eigenschaften
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Allgemeine Polarisationsmechanismen in Festkörpern
32 Punktgruppen (Dielektrika)
21 Punktgruppen ohne zentrosymmetrie
20 Piezoelektrika
10 Pyroelektrika
Ferroelektrika
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Ferroelektrika
Spontane Polarisation und Domänenbildung
c⋅α
ε0
χ
=
ε
−
1
=
r
Cl
Clausius-Mosotti-Gleichung:
i M
tti Gl i h
c ⋅α
1−
3ε 0
Wenn Polarisation groß wird, d.h. wenn c*α
c α groß ⇒
und damit also P/E beliebig groß
c⋅α
→1
3ε 0
⇒
χ→∞
⇒Polarisation verursacht lokales Feld Æ Rückkopplung
⇒ weitere Stabilisierung der Polarisation! =„kooperatives Phänomen“
⇒ spontane Polarisation d.h. auch bei E=0 Æ P≠0
⇒ kollektive
k ll kti L
Ladungsverschiebung
d
hi b
((asymmetrische
ti h V
Verschiebung
hi b
d
der IIonen))
Verschobene Ladungen sind Ionen ⇒ Änderung der Kristallstruktur
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Ferroelektrika
Wenn Energiegewinn durch spontan Polarisation gering:
⇒Änderung der Polarisationsrichtung durch E
⇒ Ferroelektrika (phänomenologische Analogie mit Ferromagneten)
B d t d M
Bedeutendes
Material:
t i l BaTiO
B TiO3
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Ferroelektrika
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Ferroelektrika
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Ferroelektrika
Abkühlen der Paraelektrischen Hochtemperaturphase:
_ Kraftkonstante und damit Frequenz der Gitterschwingungen Ì wenn T Ì
_ bei TC (Curie-Punkt) Æ Schwingungsfrequenz=0 Æ kristallographischer Phasenübergang
_ betreffende
b t ff d Gitterschwingung
Gitt
h i
= Soft
S ft Mode
M d
_ Abnehmende Frequenz der Soft Mode Æ Zunahme der Polarisationsbarkeit Æ Anstieg der
εr-Werte bei Annäherung an TC.
_ Temperaturabhängigkeit: Curie-Weiss Gesetz:
εr =
C
T − T0
C: Curie-Weiss Konstante
T0: Curie Temperatur
Es kann TC≠T0, z.B. BaTiO3: T0=TC-10 K
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Ferroelektrika
Ferroelektrische Hochtemperaturphase:
_ extrem anisotropes εr (im Einkristall): z.B. bei RT: εr(a-Achse)=4000, εr(c-Achse)=200
_ Polykristall: statistische Körnerverteilung: mittleres εr≈950 (falsch !)
_ experimentell:
i
t ll h
hohe
h εr-Werte
W t zw. 2000-5000
2000 5000 jje nach
hK
Korngröße.
öß
Grund:
_ Aufspaltung der Körner in Domänen unterschiedlicher Polarisationsrichtung
Æ Reduzierung der freien Energie der Keramik
Æ weil: elastische Energie von Phasenumwandlung bei T<TC stark reduziert werden kann.
ε r = ε r ,m + ε r ,D
εr,m: statistischer
t ti ti h Mittelwert
Mitt l
t
εr,D: Beitrag der Domänenwände
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Ferroelektrika
Thermodynamik der ferroelektrischen Phasenübergänge:
Am TC des BaTiO3(403 K): kubische EZ der Perowskit-StrukturÆ tetragonale Struktur
273 K: Tetragonal Æ Monoklin
198 K:
K Monoklin
M
kli Æ Rhomboedrisch
Rh b d i h
Phasenübergänge 1. oder 2. Ordnung?
∂ nG
∂( p ,V ,T )n
Phasenumwandlung ist von n. Ordnung wenn n
n-te
te Ableitung
Sprünge in der thermodynamischen Funktionen?
unstetig ist!
1. Ordnung: ∆P, ∆H, ∆S≠0, und TC>T0 (latente Wärme QL≠0)
⇒bei BaTiO3, PbTiO3
2. Ordnung: ∆P, ∆H, ∆S=0, und TC=T0 (latente Wärme QL=0)
⇒Perowskite
P
kit mitit komplexer
k
l
Z
Zusammensetzung,
t
Pb(Mg
Pb(M 0.33Nb0.66)O3 und
d Mi
Mischkristalle
hk i t ll von
BaTiO3
⇒ T0: hypothetische Temperatur für die 1/εrÆ0
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Ferroelektrika
Unterschied auch im dielektrischen
V h l
Verhalten
(di
(dielektrische
l k i h M
Maximum)
i
)
ε r ,max
C
=
TC − T0
Bei 2. Ordnung (TC=T0)
Nenner=0 ⇒ theoretisch εr Æ !
Tatsächlich experimentell: 500070000 !
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Ferroelektrika
BaTiO3 (1. Ordnung) aber Mischkristalle mit ZrO3
⇒Verschieben zu höheren Werten (d.h. nach Phasenübergang 2. Ordnung)
Bei vollständigem Übergang
Ü
2. Ordnung: latente Wärme QL=0
QL vs. y (Zr-Gehalt) ⇒ Extrapolation QL-Minimum bei y=0,12-0,13
In der Tat: bei yy=0
0,13
13 ⇒ höchstes εr.max gefunden: 30000-40000
30000 40000
Höhere Zr-Gehalte ⇒ breitere Maxima ⇒ „diffuse“ Übergänge
weil: geringere Energiedifferenz zw. paraelektrisch /ferroelektrisch nahe TC
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Ferroelektrika
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Ferroelektrika
Relaxoren:
Wenn ausgeprägte Frequenzabhängigkeit von εr(T)Æ Relaxoren: Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN)
BaTiO3: geringe Frequenzabhängigkeit bis in GHz-Bereich
Aber T von εr.max ist keine
Phasenumwandlungs-Temperatur
εr.max nicht thermodynamisch
sondern kinetisch bestimmt
Beweis:
_ εr,max ist breit nicht nur in
Keramiken sondern auch in EK !
_Hochtemperatur-Flanke folgt nicht
die Curie
Curie-Weiss-Gesetz
Weiss Gesetz
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Ferroelektrika
Relaxoren-Verhalten:
Auftreten mikroskopische kleiner, chemisch heterogener Bereiche ⇒ Mikrodomänen
Mikrodomäne in PMN: 5-10 nm, dort Nb:Mg=1:1 aber global 2:3 !
Die Kopplung der einzelnen
Polarisationsverktoren führen zur Bildung
(makroskopischer) Domänen
Mit TÌ: zunehmende Kopplung
⇒Wachsende Domänen
⇒ wachsender
h
d V
Volumenanteil
l
t il
Bis bei TF: gesamtes Volumen ist polar geworden
⇒ Verhalten ähnlich wie normaler Ferroelektrika
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Mikrowellen-Resonatoren
Dielektrische Keramiken = Funktionsmaterial für miniaturisierte Mikrowellen-Bauelemente für
alle
ll ttechnischen
h i h Anwendungen
A
d
(Frequenzbereich
(F
b i h 500 MHz
MH – ca. 100 GHz)
GH )
Anforderungen:
1. Möglichst hohe Dielektrizitätszahl zur Reduktion der Baugröße (εr Ê))
2. Möglichst kleinen T-Koeffizienten TKε damit Resonanzfrequenz T-unabhängig
3. Geringe Verluste (d.h. hohe Güte) Æ hohe Frequenzselektivität
Zu 1. Hohe Dielektrizitätszahl εr
Dielektrischer
Di
l kt i h R
Resonator
t (K
(Keramikzylinder
ik li d ∅D) = Ausbildung
A bild
einer
i
stehende
t h d
elektromagnetische Welle durch Reflexion an der Grenzschicht Dielektrikum-Luft
Resonanz-Frequenz υr eines dielektrischen Resonators:
υr =
c0
λd εr
υr: Wellenlänge der stehende Welle im Dielektrikum
c0: Vakuumlichtgeschwindigkeit
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Mikrowellen-Resonatoren
Näherungsweise
g
ist D ≈ λd
D≈
c0
υd ε r
⇒ Resonator kann umso kleiner sein, je größer εr
Grund:
G
d mitit εr Ê:
Ê Abnahme
Ab h
d
der Wellenlänge
W ll lä
iim M
Materie
t i iim V
Vergleich
l i h zur W
Wellenlänge
ll lä
iim
Vakuum
Zu 2. kleinen T-Koeffizieten TKε
Mit ∆T ändern sich: Geometrie des Resonators und εr.
Temperaturabhängigkeit der Resonanz-Frequenz TKυ:
1
TKυ = −α L − TK ε
2
⇒ Gezielte wechselseitige Kompensation zw.:
_ lineare Ausdehnungskoeffizient αL
_ TKε (T-Koeffizient der Dielektrizitätszahl εr)
Functional Materials
TKυ → 0
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Dielektrische Keramiken - Polarisationsprozesse
Mikrowellen-Resonatoren
Zu 3. Geringe
g Verluste Æ hohe Frequenzselektivität
q
Frequenzselektivität:
durch die Güte Q des dielektrischen Resonators bestimmt
⇒
Q=
υr
∆υ
1
1
1
=
+
Q QL QM
QL: Leitungsverlusten der Elektroden
QM: Verlustanteil des Dielektrikums:
tan δ =
iR
1
=
iC QM
Functional Materials
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Mikrowellen-Resonatoren
Materialklassen:
heute wichtige Materialklassen:
Erste technische eingesetzte
Mikrowellenkeramiken ((70er Jahre))
Besonders geringe Verluste
besonders kleiner TKυ
Einstellbaren TKυ über weiten TBereich
Wegen max. εr erlauben größte
Miniaturisierung
Functional Materials
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Mikrowellen-Resonatoren
BZT=Ba(Zr,Zn,Ta)O
( , , ) 3:
Einsatz: 4-25 GHz
Hohe Fernordnung der Kationen im Kristallgitter
⇒ geringe Verluste
⇒ Positives TKε deshalb TKυ negativ (siehe Gl. vorher)
gezielte Störung der Fernordnung z.B. durch Substitution von Ta durch Nb
g ((Æ0),
), außerdem εr steigt
g
⇒ TKε sinkt Æ TKυ steigt
Functional Materials
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Mikrowellen-Resonatoren
(Zr,Sn)TiO4:
ZTS = ZrO2-TiO2-SnO2 – System seit 80er Jahre
Einphasige ZTS-Keramiken (schraffiert) mit orthorombischer ZrTiO4-Struktur (Æ
Mikrowellenkeramik)
+/- TKυ Bereiche:
Ursache für Übergang für ZrTiO4:
Einbau von Sn (bis z=0,6 einphasig)
Bei Sn Ê ⇒ TKυÊ
Phasentransformation:
α-PbO Struktur von ZrTiO4
↓
Rutilstruktur von SnO2
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Mikrowellen-Resonatoren
NBT = Nd2O3-BaO-TiO2-Bi2O3:
Nahezu T-unabhängiges εr von ca. 80
⇒ Substitution von Ti-Ionen durch Bi Æ hohe εr + geringe
Verluste + kleine TKυ (siehe umrandeten bereich)
Mit Bi-Gehalt Ê
⇒ TKυÆ0 (bei x=0,34)
⇒ εr Ê (=90)
Ursache:
Zusätzlich zu Ausgangsphase
BaNd2Ti5O14 (im Schnittpunk)
bildet sich Zweitphase Nd2Ti2O7
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εr-Temperaturabhängigkeit TKε:
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εr-Temperaturabhängigkeit:
Nahezu T-unabhängiges εr von ca. 80
⇒
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