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Eingangstest Variante A:
1.) Nennen sie mindestens zwei Logikfamilien (Abkürzung und kurze Erklärung)
RTL / DTL (Widerstands-Transistor-Logik)
- integrierte Schaltungen bestehen ausschließlich aus Widerständen und
Transistoren
- die logischen Verknüpfungen werden durch Reihen- beziehungsweise
Parallelschaltung der Transistoren erreicht
- Bei der Diode-Transistor-Logik (DTL)
- eingangsseitig logische Verknüpfungen über Dioden erzeugt und danach
mit Transistorstufe verstärkt und invertiert
TTL (Transistor-Transistor-Logik (TTL)
- Diodennetze an den Eingängen durch Transistoren mit mehreren EmitterAnschlüssen ersetzt
LSL(Langsame störsichere Logik)
- auch als high-level logic (HLL) bekannt
ECL(Emittergekoppelte Logik)
IIL (Integrierte Injektionslogik)
2.) Zeichne einen NAND und einen Negator (NOT) und für beide die Schalttabellen.
Gegenteil von AND 
„NAND“  „nicht und“
„NOT“ Eingangssignale umkehren (Nagation von A)
Dabei liefert der Ausgang genau dann eine 1, wenn
am Eingang eine 0 anliegt und genau dann eine 0,
wenn am Eingang eine 1 anliegt. Er liefert also die
Negation des am Eingang anliegenden Signals.
3.) a) Berechnen sie an einem Kondensator Ic und Ibü.
Ic
 Berechnung mit Hilfe des Widerstandes der am Kollektor des Transistors sitzt und
der Spannung die über diesen Widerstand abfällt
Ibü
 Mit Hilfe von gegebenem B(Stromverstärkungsfaktor) folgt, dass Ibü=Ic/B
b) Berechnung der Verlustleistung Pv am Transistor.
Pv  Pv = Ucex * Icx
4.) Zeichnung des Graphen eines TTL-Gatters.
5.) Ein XOR-Gatter ist aufgezeichnet und muss hier
erkannt und benannt werden. Außerdem soll die für Y
geltende Funktion genannt werden + Schalttabelle.
Aufbau eines XOR-Gatters
aus vier NAND-Gattern
„XOR“ „Entweder Oder“
Eingangstest Variante B:
1.) Nennen Sie die beiden Theoreme von De Morgan und überprüfen Sie eines
davon durch Aufstellen der vollständigen Schaltbelegungstabelle.
NICHT (A UND B)
= NICHT A ODER NICHT B
NICHT (A ODER B) = NICHT A UND NICHT B.
2.) Geben Sie die Schaltbelegungstabelle für die logische Funktion. Wie kann diese Funktion
mit NAND- Gattern realisiert werden?
3.) a) BCD 0111 1000 1001 in Dezimalzahl umwandeln
789
b) 51 als BCD Zahl darstellen
0101 0001
4.) Berechnen Sie für den gegebenen Transistorschalter
a) den Kollektorstrom ICx und den zugehörigen Basisstrom IBx
ICx
IBx
16,6mA(Icx)  Masche Icx = Uq / Rc
0.166mA(Ibx)  B = Icx / Ibx
 Ib = Ic / B
b) wie groß muss der Widerstand Rb gewählt werden, damit zur Erhöhung der
Schaltsicherheit der Basisstrom IBx = 3 IBü fließt?
zunächst eine Masche für die Spannung über
Rb auf, z.B.
Urb = Ub - Ubex
Dann ohmsches Gesetz für den Widerstand
auf
Urb = Rb * Ibx
gleichsetzen
umgestellt
Rb = (Ub - Ubex) / Ibx
Der Index „x“ bezieht sich auf den EIN- Zustand des
Transistorschalters. Der Faktor bei IBü; hier 3; heißt auch
Übersteuerungsfaktor!
5.) Gegeben ist folgende Schaltung. Es gilt:
 Schalter geschlossen Si= 1 bzw High (H)
 Schalter geöffnet Si= 0 bzw Low (L)
Geben Sie die logische Funktion Y für das Leuchten der
Lampe an.
y = s.3 n (s.1 u s.2) = 1
6.) Erläutern Sie am Beispiel des BCD-codes die Darstellung des Wertes 5 als 4-stelliges
Digitalwort (Tetrade).
Kennzeichnen Sie MSB und LSB.
[0101]bcd = [5]
0101  msb
0101  lsb
M:
MSB ist immer 1 wenn keine Limitierung vorgegeben ist. Limitierung = zB. 4 stellige
BCD Zahl 1 ( = 0001 , also MSB = 0 und LSB =1)
LSB ist die 2^0 Stelle!
Welche typischen Störungen können diese Darstellung bei der Verarbeitung
verfälschen?
 Bitfehler
Eingangstest Variante D:
1.) Zeigen dass NOR und AND mit invertierendem Eingang dieselbe Schaltfunktion besitzen
+ Schaltbelegungstabelle
2.) Y=(A+B)quer + A*Bquer + Aquer*B bzw. Y=Negiert(AvB) + A v negiert(B) +negiert(A) v B
mit De Morgan vereinfachen
 Ich hab das mal mit einem KV Diagramm vereinfacht und komme auf negiert(Aund B)
 Schaltung lässt sich daraus mit einem NAND Gatter realisieren
Lösung:
Y
=(A+B)quer + A*Bquer + Aquer*B
= Aquer*Bquer + A*Bquer + Aquer*B
=Aquer*Bquer + A*Bquer + Aquer*B + Aquer*Bquer
 (hier einfach mit Aquer*Bquer erweitern, da sich dadurch nichts an der Gleichung
ändert)
=Aquer*(Bquer+B)+Bquer*(Aquer+A)
 (Aquer+A) ist immer wahr dadurch kürzt sich das weg
= Aquer+Bquer
=(A*B)quer ==> NAND
alternativ:
Y = (A+B)quer + A*Bquer + Aquer*B
= Aquer*Bquer + A*Bquer + Aquer*B
= (Aquer+ A)*Bquer + Aquer*B
X1
= Bquer+(Aquer*B)
X2
= (Aquer+Bquer)*(Bquer+B)
X3
= Aquer+Bquer
= (A*B)quer ==> NAND
X1: (Aquer+A) ist immer 1(high)  Lösung bei einer "und"- Verknüpfung immer gleich dem
anderen Glied (kann man sich auch am Logikplan vorstellen: da wo eine eins bei Y ist wird
bei der "und"- Verknüpfung auch im Ergebnis eine Eins herauskommen, da wo eine Null ist
eine Null): (X+Xquer)*Y=1*Y=Y
So gilt natürlich auch für (X*Xquer)=0 und somit (X*Xquer)+Y=0+Y=Y
X2: ausmultipliziert
X3: wie bei X1, halt nur mit B
1.) Theorem De Morgan NOR Fkt, und mit NAND realisieren
Hintereinander realisiert diese Schaltung die gewünschte NOR Funktion
2.) NAND und Negation (aus nand basteln), Schaltbild zeichnen und Schaltbelegungstabelle
zu beiden
 Sprich einfach einen NAND mit Schalttabelle und eine Negation realisiert durch
einen NAND(wobei sich einfach eine Eingangsspannung auf die beiden Eingänge
des eines NAND austeilt) mit Schaltungstabelle
3.) y=x1+x2quer Schaltbelegungstabelle  OR
X1
0
1
0
1
X2
0
0
1
1
X2 (quer)
1
1
0
0
Y
1
1
0
1
4.) Ausgangskennlinienfeld mit einer Arbeitsgerade für eine ohmsche Last gegeben. Wir
sollten die 3 Arbeitspunkte der Gerade erläutern.
6.) AND mit NAND-Gattern realisieren
7.) Schaltbelegungstabelle aufstellen
Einige Beispiele für Realisierungen mit NAND-Gattern:
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