Selektive Neuausrichtung des Exchange Bias Feldes mittels Laser

Selektive Neuausrichtung des Exchange Bias Feldes mittels LaserVerfahren
Berthold, Isabel1; Löschner, Udo; Ebert, Robby; Exner, Horst
Laserinstitut Hochschule Mittweida, Technikumplatz 17, 09648 Mittweida, [email protected]
Kurzfassung
Die selektive Neuausrichtung des Exchange Bias Feldes ist ein wichtiger Prozessschritt bei der Herstellung von
3D-GMR-Magnetfeldsensoren. Hierfür wurde ein laser-basiertes Verfahren untersucht. Durch kurzzeitige Erwärmung des Schichtsystems mittels fokussierter gepulster oder kontinuierlicher Laserstrahlung im externen
Magnetfeld wurde das Exchange Bias Feld selektiv neuausgerichtet. Diese Veröffentlichung gibt einen Überblick
über die durchgeführten Untersuchungen und präsentiert die gewonnen Erkenntnisse hinsichtlich der Intensitätsschwellen, der resultierenden Exchange Bias Feldstärke, des lateralen Auflösungsvermögens und der Anwendung
des Prozesses auf Leiterbahnstrukturen.
1
Einleitung
Die zunehmende Automatisierung in allen technischen
Bereichen erfordert eine leistungsstarke Sensorik. In
der Magnetfeld-Sensorik haben sich dabei die GMRSensoren etabliert, da sie aufgrund ihrer hohen
Sensitivität und kompakten Bauweise vielfältig
einsetzbar sind. GMR-Sensoren basieren auf einem
Spin Valve Schichtsystem, bestehend aus zwei
ferromagnetischen Schichten, die durch eine dünne
nichtmagnetische Zwischenschicht getrennt sind [1].
Eine der beiden ferromagnetischen Schichten ist dabei
an eine antiferromagnetische Schicht gekoppelt. Wird
eine solche Schichtverbindung von einer Temperatur
oberhalb der sogenannten Blocking-Temperatur des
Systems abgekühlt, während ein äußeres Magnetfeld
anliegt, dann entsteht im gekoppelten Ferromagneten
eine unidirektionale magnetische Anisotropie. D.h.
der ferromagnetischen Schicht wird eine Vorzugsrichtung der Magnetisierung aufgeprägt, was sich in
einer Verschiebung der Hysteresekurve des Ferromagneten um einen bestimmten Feldstärkebetrag
äußert. Dieser Effekt wird als Exchange Bias Effekt
bezeichnet [2,3]. Entsprechend wird der Feldstärkebetrag, um den die Hysterese verschoben wird,
Exchange Bias Feld genannt. Diese ferromagnetische
Schicht mit fixierter Magnetisierungsrichtung dient als
Referenzschicht,
während
sich
die
andere
ferromagnetische Schicht frei nach einem äußeren
Magnetfeld ausrichten kann.
Die Herstellung von GMR-Sensoren erfordert eine
präzise Schichtabscheidung sowie eine laterale
Strukturierung des Schichtstapels. Weiterhin ist es
notwendig, die durch den Exchange Bias Effekt
fixierte Magnetisierungsrichtung der Referenzschicht
selektiv neu auszurichten. Hierfür wurde ein laserbasiertes, direkt schreibendes Verfahren untersucht.
Durch den Einsatz eines schnell abgelenkten,
fokussierten Laserstrahls wurde das Schichtsystem
lateral begrenzt über die Blocking-Temperatur
aufgeheizt. Währenddessen befand sich das
Schichtsystem in einem externen Magnetfeld, sodass
das Exchange Bias Feld und damit die
Referenzmagnetisierungsrichtung in den aufgeheizten
Bereichen neu ausgerichtet werden. Dadurch ist eine
magnetische Strukturierung in hoher Selektivität
möglich.
Dieser magnetische Strukturierungsprozess wurde
sowohl an einem Schichtsystem mit in-plane
Exchange Bias als auch an einem Schichtsystem mit
out-of-plane Exchange Bias untersucht. Letzteres ist
insbesondere für die Herstellung dreidimensionaler
Magnetfeldsensoren von Interesse. Für die räumlich
selektive Erwärmung wurden sowohl kontinuierliche
als auch gepulste Laserstrahlung eingesetzt.
2
Experimentelles
2.1
Schichtsysteme
Die laser-basierte Neuausrichtung des Exchange Bias
Feldes wurde an zwei verschiedenen Schichtsystemen
untersucht. Das erste Schichtsystem war ein vollständiges Spin-Valve-System mit in-plane Exchange Bias,
das auf einem Siliziumsubstrat mit SiO2Passivierungsschicht abgeschieden wurde. Dieser
Schichtstapel bestand aus einer freien ferromagnetischen Schicht, einer nichtmagnetischen Zwischenschicht und einer gepinnten ferromagnetischen Schicht
(Bild 1). Die Schichtabscheidung erfolge im externen
Magnetfeld, sodass bereits ein Exchange Bias Feld
aufgeprägt war. Die bevorzugte Magnetisierungsrichtung der gepinnten ferromagnetischen Schicht war
dabei parallel zur Schichtebene orientiert („in-plane“).
Das Schichtsystem hatte eine Gesamtdicke von 23 nm
und eine Blocking-Temperatur von 500 K.
zugsmagnetisierungsrichtung orientiert, um diese umzukehren.
2.3
Bild 1: Schichtaufbau und M(H)-Hysteresekurve des SpinValve-Systems mit in-plane Exchange Bias.
Das zweite Schichtsystem war ein out-of-plane
Exchange Bias System. Dabei handelte es sich nicht
um ein vollständiges Spin-Valve System sondern nur
um eine ferromagnetische (Pt/Co)-Multilage, die
durch eine angrenzende antiferromagnetische Schicht
magnetisch gepinnt wurde (Bild 2). Auch hier erfolgte
die Schichtabscheidung im externen Magnetfeld, sodass eine anfängliche magnetische Vorzugsrichtung
vorlag. Diese war senkrecht zur Schichtebene orientiert („out-of-plane“). Das out-of-plane Exchange Bias
System hatte eine Gesamtschichtdicke von 17 nm und
eine Blocking-Temperatur von 400 K.
Bild 2: Schichtaufbau und M(H)-Hysteresekurve des out-ofplane Exchange Bias Systems.
2.2
Versuchsanordnung
Für die lokale Lasermodifizierung wurde wie in
[4,5,6,7] ein Nd:YAG-Laser mit einer Emissionswellenlänge von 1064 nm eingesetzt, der sowohl im kontinuierlichen als auch im gütegeschalteten Modus betrieben werden konnte. Im gütegeschalteten Betrieb
mit Pulswiederholfrequenzen zwischen 1 und 13 kHz
wurden Pulsdauern zwischen 60 und 200 ns gemessen.
Der Laserstrahl wurde mithilfe eines Galvanometerscanners schnell abgelenkt und mit einer f-ThetaOptik der Brennweite 80 mm auf einen Fokusradius
von etwa 12 µm fokussiert. Wie in [6,7] beschrieben,
wurde das äußere Magnetfeld während des Laserprozesses durch Permanentmagnete bereitgestellt. Für die
Neuausrichtung des in-plane Exchange Bias wurde die
Probe zwischen zwei gegenüberliegende Permanentmagnete gebracht. Durch Variation des Abstandes
zwischen den Magneten konnte dabei die Magnetfeldstärke zwischen 15 kA/m und 335 kA/m variiert werden. Für die Neuausrichtung der out-of-plane Exchange Bias wurde die Probe so über einem Permanentmagnet positioniert, dass sie senkrecht von den Magnetfeldlinien durchdrungen wurde. Die Magnetfeldstärke betrug dabei 290 kA/m. Das äußere Magnetfeld
wurde stets entgegengesetzt zur anfänglichen Vor-
Prozess und Analyse
Das laser-basierte Neuausrichten des Exchange Bias
wurde mit drei verschiedenen Methoden untersucht.
Erste Untersuchungen erfolgten an mithilfe von Laserstrukturierung isolierten Flächen des Spin-ValveSystems mit in-plane Exchange Bias [4,5]. Diese Flächen wurden mit lateral überlappenden Laserpulsen
bzw. überlappenden Linien bei Einsatz kontinuierlicher Laserstrahlung im äußeren Magnetfeld erwärmt.
Die Isolierung der Flächen erlaubte dabei die Analyse
mithilfe eines eigenen Messaufbaus mit einem
spintronischen Magnetfeldsensor im Rastersondenverfahren [4,5]. Diese Analysemethode ermöglichte jedoch keine Bestimmung der resultierenden magnetischen Kenngrößen.
Daher wurden weitere Untersuchungen mithilfe der
Kerr-Magnetometrie als Analysemethode vorgenommen [6,7]. Hierfür wurden ebenfalls Flächen (Größe
200 x 200 µm2) mit lateral überlappenden Laserpulsen
bzw. Linien bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung im externen Magnetfeld erwärmt. Die Analysemethode beruhte auf dem magneto-optischen
Kerr-Effekt (MOKE) und erforderte keine Isolierung
der Flächen. Diese Untersuchungen wurden sowohl an
dem Schichtsystem mit in-plane Exchange Bias als
auch an dem Schichtstapel mit out-of-plane Exchange
Bias vorgenommen. Aus den mittels MOKEMessungen ermittelten M(H)-Hysteresekurven konnte
die resultierende Exchange Bias Feldstärke in Abhängikeit von den eingesetzten Prozessparametern
bestimmt werden.
In einer dritten Verfahrensweise wurde das räumliche
Auflösungsvermögen des laserbasierten Prozesses zur
Ausrichtung des Exchange Bias Feldes untersucht.
Hierfür wurden kleine runde Flächen durch Einzelpulse sowie schmale Linien durch überlappende Laserpulse oder einen bewegten kontinuierlichen Laserstrahl erwärmt. Währenddessen befand sich die Probe
wieder in einem äußeren Magnetfeld, welches der
anfänglich gepinnten Magnetisierungsrichtung entgegengesetzt gerichtet war. In den durch Linien oder
Einzelpulse erwärmten Bereichen wurde die magnetische Vorzugsrichtung damit umgekehrt, sodass daraus
eine magnetische Strukturierung resultierte. Die magnetischen Strukturen wurden mithilfe eines magnetooptischen Sensors, dessen Funktionsweise auf dem
Faraday-Effekt beruhte, analysiert [6]. Diese Untersuchungen wurden ebenfalls für beide Schichtsysteme
vorgenommen.
Weiterhin wurden Untersuchungen zur Anwendung
des laser-basierten Verfahrens auf Leiterbahnstrukturen des Spin-Valve-Schichtsystems mit in-plane
Exchange Bias vorgenommen. Hierfür standen mittels
Sputter-Ätzen
hergestellte
Leiterbahn-MäanderStrukturen zu Verfügung. Diese Strukturen wurden
ganzflächig mit überlappenden Laserpulsen bzw.
überlappenden Einzelspuren bei Einsatz kontinuierlicher Laserstrahlung erwärmt.
3
Ergebnisse und Diskussion
3.1 Flächige
Exchange Bias
Neuausrichtung
des
Spin-Valve Schichtsystem mit in-plane Exchange Bias
Mithilfe der Untersuchungen zur flächigen Neuausrichtung des Exchange Bias an isolierten sowie nicht
isolierten Flächen konnten die Intensitätsschwellen für
eine vollständige Umorientierung des Exchange Bias
Feldes bestimmt werden. Für die vollständige Neuausrichtung des in-plane Exchange Bias in dem SpinValve Schichtsystem war bei Einsatz gepulster Laserstrahlung mit Pulsdauern im Bereich 100 bis 200 ns
eine Pulsspitzenintensität von 0,4 MW/cm2 [4,6,7]
erforderlich. Bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung mit Scangeschwindigkeiten zwischen 100
und 4.000 mm/s waren ebenfalls Spitzenintensitäten
zwischen 0,4 und 0,5 MW/cm2 ausreichend, um eine
vollständige Neuausrichtung des in-plane Exchange
Bias zu erzielen [4,6,7]. Die Schwellintensitäten für
eine Neuausrichtung des Exchange Bias Feldes für
den Einsatz gepulster und kontinuierlicher Laserstrahlung stimmten damit nahezu überein. Die Streckenenergie und damit der Energieeintrag in das Schichtsystem war jedoch bei Verwendung kontinuierlicher
Laserstrahlung wesentlich größer als bei Einsatz gepulster Laserstrahlung (Bild 3) [4]. Ein höherer Energieeintrag führte zu einer stärkeren thermischen Belastung des Schichtsystems und damit zu einer verstärkten Diffusion. Aufgrund der sehr geringen Schichtdicken von wenigen nm im Schichtsystem sowie der
starken Abhängigkeit des Exchange Bias Effektes von
der Grenzflächenbeschaffenheit [2] war ein nachteiliger Einfluss des höheren Energieeintrags bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung zu erwarten.
Unter Berücksichtigung dieses Aspekts wäre demzufolge gepulste Laserstrahlung zu bevorzugen.
gepulster Laserstrahlung nur ein reduzierter Betrag
des Exchange Bias Feldes erreicht wurde (Bild 4). Bei
Einsatz kontinuierlicher Laserstrahlung wurde hingegen nahezu der Initialwert erreicht [7]. Mögliche Ursache für den geringeren erzielten Betrag der Exchange Bias Feldstärke nach dem Prozess mit gepulster
Laserstrahlung war einerseits die kurze Abkühlphase
beim Erwärmen mit den kurzen Laserpulsen. Mithilfe
von Temperaturfeldberechnungen [7] wurde gezeigt,
dass die Abkühlrate beim Prozess mit gepulster Laserstrahlung wesentlich höher war als beim Prozess mit
einem bewegten kontinuierlichen Laserstrahl. Möglicherweise war diese Abkühlphase zu kurz, um eine
vollständige Neuausrichtung der magnetischen Domänen zu erzielen. Außerdem konnte auch die kleine
laterale Ausdehnung des pro Puls erwärmten Gebietes
eine mögliche Ursache sein. Denn aufgrund der kleinen eingesetzten Pulswiederholfrequenzen zwischen 1
und 13 kHz war das Schichtsystem bereits abgekühlt
bevor der nächste Puls eingestrahlt wurde. Infolgedessen wurden die magnetischen Domänen immer nur in
sehr kleinen Flächen neuorientiert. Diese Schritt-fürSchritt Neuausrichtung des Exchange Bias führte
möglicherweise zu einem reduzierten Durchschnittsbetrag der Exchange Bias Feldstärke über eine größere Fläche. Die Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung führte hingegen zu einer deutlich kontinuierlicheren Erwärmung und damit zu einer fortlaufenden
Neuausrichtung in größeren zusammenhängenden
Gebieten. Dem Nachteil des höheren Energieeintrages
bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung steht
demzufolge der Vorteil eines höheren Betrages der
erzielten Exchange Bias Feldstärke gegenüber.
Bild 4: Vergleich der resultierenden Exchange Bias Feldstärke (in-plane) für den Einsatz gepulster und kontinuierlicher Laserstrahlung [7].
Bild 3: Notwendige Streckenenergie für die vollständige
Neuausrichtung des Exchange Bias (in-plane) bei Verwendung gepulster und kontinuierlicher Laserstrahlung [4].
Die Untersuchungen zu den resultierenden magnetischen Kenngrößen durch Analyse mittels KerrMagnetometrie zeigten jedoch, dass bei Verwendung
Weiterhin zeigten die Untersuchungen mittels KerrMagnetometrie, dass der resultierende Exchange Bias
Feldstärkebetrag für höhere Laserintensitäten deutlich
abnahm. Bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung war das ab Intensitäten größer als 0,8 MW/cm2
der Fall, für Einsatz gepulster Laserstrahlung mit einer
Pulsdauer von 100 ns ab Intensitäten größer als
1,0 MW/cm2 (Bild 4) [7]. Diese Abnahme des
Exchange Bias Feldstärkebetrages wies auf die einsetzende Grenzflächendurchmischung aufgrund zu hoher
Temperaturen hin, da der Exchange Bias Effekt sehr
stark von der Grenzflächenbeschaffenheit abhängt [2].
Schichtsystem mit out-of-plane Exchange Bias
Die Untersuchungen zum flächigen Neusetzen des
Exchange Bias am out-of-plane Exchange Bias System wurden ebenfalls mittels MOKE-Messungen analysiert [6]. Bild 5 zeigt die resultierenden Exchange
Bias Feldstärken als Funktion von der Laserspitzenintensität für Verwendung gepulster (links) und kontinuierlicher (rechts) Laserstrahlung. Es ist erkennbar,
dass das Exchange Bias Feld in beiden Fällen ab einem Intensitätswert von 0,3 MW/cm2 vollständig neu
ausgerichtet wurde. Die Streckenergie und damit der
Energieeintrag in das Schichtsystem war aber bei Einsatz kontinuierlicher Laserstrahlung wiederum deutlich höher als bei Verwendung gepulster Laserstrahlung. Bei der Bestrahlung mit Laserpulsen der Pulsdauer 60 ns wurde für Intensitäten größer als
1,5 MW/cm2 eine Abnahme des resultierenden
Exchange Bias Feldstärkebetrages festgestellt. Dies
war wiederum auf einsetzende Grenzflächendurchmischung zurückzuführen.
Bild 6: Magneto-optisch visualisierte, magnetische Strukturen (out-of-plane Exchange Bias System) durch Laserheizen
im externen Magnetfeld mit Einzelpulsen (a, b) sowie Einzelspuren durch hohen Pulsüberlapp (c). Pulsdauer: 60 ns.
[6]
3.3 Anwendung des Prozesses auf Leiterbahnstrukturen
Bild 5: Resultierende Exchange Bias Feldstärke (out-ofplane) in Abhängigkeit von der eingestrahlten Laserspitzenintensität für den Einsatz gepulster Laserstrahlung mit zwei
verschiedenen Pulsdauern (links) und kontinuierlicher Laserstrahlung bei zwei verschiedenen Scangeschwindigkeiten
(rechts) [6].
3.2
Magnetische Strukturierung
Bild 6 zeigt magnetische Mikrostrukturen, die durch
einen Laserprozess mittels Einzelpulsen sowie Einzelspuren durch großen Pulsüberlapp bei verschiedenen
Pulsspitzenintensitäten am Beispiel des out-of-plane
Exchange Bias Systems erzeugt wurden [6]. Sie wurden mithilfe eines magneto-optischen Sensors visualisiert. Die durch Einzelpulse neuorientierten Bereiche
(Bild 6 a, b) wiesen Durchmesser von wenigen µm
auf. Ab einer Pulsspitzenintensität von 1,8 MW/cm2
wurde ein zusätzlicher Kontrast in der Mitte erkennbar. In diesem Bereich lag also offenbar keine Vorzugsmagnetisierung der gepinnten ferromagnetischen
Schicht mehr vor. Ursache hierfür war das gaußförmige Strahlprofil. In der Mitte wurden demzufolge höhere Temperaturen induziert. Bei zu hohen Pulsspitzenintensitäten kam es folglich in der Mitte zu Grenzflächendurchmischungen und damit zur Aufhebung des
Exchange Bias Effektes. Dies konnte auch bei den
magnetisch neuorientierten Einzelspuren für Pulsspitzenintensitäten ab 1,5 MW/cm2 beobachtet werden
(Bild 6 c). Die Einzelspuren wiesen Breiten zwischen
5 und 15 µm auf.
Die Applikation dieses laser-basierten Prozesses zur
magnetischen Neuausrichtung von Leiterbahnstrukturen des Schichtsystems mit in-plane Exchange Bias
zeigte, dass der höhere Energieeintrag bei Einsatz
kontinuierlicher Laserstrahlung von Nachteil war.
Denn die Bestrahlung von Leiterbahnstrukturen mit
kontinuierlicher Laserstrahlung führte vereinzelt zu
Defekten an den Leiterbahnen (Bild 7). Dies war auf
vereinzelte Unregelmäßigkeiten der Strukturen, wie
z.B. redeponiertes Material des Strukturierungsprozesses an den Leiterbahnrändern, zurückzuführen. An
diesen Stellen kam es offenbar zu einer erhöhten Absorption der Laserstrahlung. Der insgesamt höhere
Energieeintrag bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung führte an diesen Unregelmäßigkeiten
folglich zur Zerstörung der Leiterbahnen. Durch Verwendung gepulster Laserstrahlung konnten diese
Strukturdefekte weitestgehend vermieden werden. Die
Verwendung gepulster Laserstrahlung war also letztendlich zu bevorzugen.
Bild 7: Defekte der Leiterbahnstrukturen nach dem laserbasierten Neuausrichten des Exchange Bias mittels kontinuierlicher Laserstrahlung.
4
Zusammenfassung und Ausblick
Die selektive Neuorientierung einer durch den
Exchange Bias Effekt gepinnten ferromagnetischen
Schicht wurde mithilfe eines laser-basierten Prozesses
untersucht. Der Prozess wurde sowohl für den Einsatz
gepulster als auch kontinuierlicher Laserstrahlung an
zwei verschiedenen Schichtsystemen untersucht: ein
Spin-Valve Schichtsystem mit in-plane Exchange Bias
sowie ein out-of-plane Exchange Bias System. Durch
nachfolgende MOKE-Messungen wurden die Intensitätsschwellen für eine vollständige Neuorientierung
sowie die resultierende Exchange Bias Feldstärke als
Funktion der Prozessparameter bestimmt. Die Untersuchungen zeigten, dass der Einsatz gepulster Laserstrahlung den Vorteil eines geringeren Energieeintrags
in das Schichtsystem besitzt. Jedoch resultierte dabei
nur ein reduzierter Exchange Bias Feldstärkebetrag,
während bei Verwendung kontinuierlicher Laserstrahlung nahezu der Ausgangswert erreicht wurde. Untersuchungen zur Anwendung des laser-basierten Prozesses auf Leiterbahnen zeigten, dass die Einstrahlung
kontinuierlicher Laserstrahlung aufgrund des höheren
Energieeintrages vereinzelt zur Zerstörung der Leiterbahnen führt. Daher ist der Einsatz gepulster Laserstrahlung für den Prozess zu bevorzugen. Mittels
magneto-optischer Visualisierung wurde das laterale
Auflösungsvermögen der laser-basierten, magnetischen Strukturierung untersucht.
Bild 8: Laseranlage zum Neuausrichten des Exchange Bias
mit Elektromagnet. 1: Galvanometerscanner, 2: xyAchssystem, 3: Quadrupol
Inzwischen wurde die bestehende Laseranlage durch
einen als Quadrupol ausgeführten Elektromagneten
ergänzt (Bild 8). Mit diesem Aufbau kann auf einer
Fläche von etwa 20 x 20 mm2 ein homogenes und um
beliebige Winkel drehbares Magnetfeld erzeugt werden. Damit können die verschiedenen notwendigen
Magnetisierungsrichtungen auf einem Chip realisiert
werden. Durch die Kombination mit einem xyAchssystem können dabei ganze Wafer bearbeitet
werden.
5
Danksagung
Die vorgestellten Untersuchungen wurden dankenswerterweise aus Mitteln der Europäischen Union (Europäischer Fond für regionale Entwicklung – EFRE)
und des Freistaates Sachsen im Rahmen des Projektes
„Erzeugung und Untersuchung spintronischer Schichtsysteme – Spintronik“ finanziert. Die Autoren danken
weiterhin der AG Albrecht am Institut für Physik der
TU Chemnitz sowie der AG Schulz am Fraunhofer
Institut ENAS in Chemnitz für die sehr gute Zusammenarbeit, vor allem hinsichtlich der Bereitstellung
der Schichtsysteme und der Leiterbahnstrukturen sowie dem Support bei den MOKE-Messungen.
6
Literatur
[1] B. Dieny: Giant magnetoresistance in spin-valve
multilayers. J. Magn. Magn. Mater. 136, 335359, 1994
[2] J. Nogues, I. K. Schuller: Exchange Bias. J.
Magn. Magn. Mater. 192, 203-232, 1999
[3] W.H. Meiklejohn: Exchange Anisotropy – A
Review. J. Appl. Phys. 33, 1328-1335, 1962
[4] I. Berthold, M. Mueller, S. Klötzer, R. Ebert, S.
Thomas, P. Matthes, M. Albrecht, H. Exner:
Investigation of selective realignment of the
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stacks using laser radiation. Appl. Surf. Sci. Vol.
302, 159–162, 2014
[5] I. Berthold, M. Müller, R. Ebert, S. Thomas, P.
Matthes, M. Albrecht, H. Exner: Investigation of
micro structuring and magnetizing of spintronic
layer stacks using laser irradiation. Proceedings
of Smart Systems Integration, Amsterdam, The
Netherlands, 13-14 March 2013, Nr. 109, 2013
[6] I. Berthold, M. Müller, R. Ebert, J. Schille, U.
Löschner, H. Exner, P. Matthes, M. Albrecht:
Selective realignment of the exchange biased
magnetization direction in spintronic layer stacks
using continuous and pulsed laser radiation.
Proc. SPIE 8967, Laser Applications in
Microelectronic
and
Optoelectronic
Manufacturing (LAMOM) XIX, 89671F, 2014
[7] I. Berthold, U. Löschner, R. Ebert, H. Exner:
Exchange bias realignment using a laser-based
direct-write technique. Physics Procedia,
Volume 56, 1136-1142, 2014