pdf, 378 kB - Christian Albrecht

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Fachhochschule München
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
University of Applied Sciences
Stromspiegel und
Differenzverstärker
Gunnar Demke, Studiengruppe E3A
München den,25.01.02,
Fachhochschule München
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
University of Applied Sciences
Gliederung
1.Stromspiegel....................................................................................................... 3
1.1.Statisches Verhalten – Stromverhältnisse, Kennlinien und
Innenwiderstände....................................................................................... 3
1.2 I/U – Kennlinie .......................................................................................... 5
1.3 Dynamischer Betrieb – Umkehrverstärker................................................ 7
2. Differenzverstärker............................................................................................ 9
2.1. Grundformen des Differenzverstärkers .................................................... 9
2.1.1 Arbeitspunkte........................................................................................ 10
2.1.2 Differenzverstärkung ............................................................................ 12
2.1.3 Gleichtaktverstärkung und Gleichtaktunterdrückung .......................... 14
2.1.4 Verhalten bei Gleichtaktunterdrückung ............................................... 17
2.2 Differenzverstärker mit Transistorstromquelle und Stromspiegel............. 18
2.2.1 Arbeitspunkt ......................................................................................... 18
2.2.2 Kleinsignalverhalten – Differenzverstärkung bei externer Last
von 100kΩ ........................................................................................... 20
2.2.3 Großsignalaussteuerung und Slew Rate ............................................... 22
3. Schlußwort....................................................................................................... 24
Literaturverzeichnis:............................................................................................ 25
Anhang 1 ............................................................................................................. 26
Schaltung zur Simulation mit PSPICE aus Aufgabe 1.2............................. 26
Anhang 2
Versuchsanleitung zum Versuch 5 " Stromspiegel und Differenzverstärker "
Anhang 3
Handschriftliche Vorbereitung zum Versuch 5
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1.Stromspiegel
Ein Stromspiegel liefert am Ausgang eine verstärkte oder abgeschwächte Kopie des
Eingangstroms, arbeitet also als stromgesteuerte Stromquelle. Man kann jeden
Stromspiegel auch als Stromquelle betreiben, indem man den Eingangsstrom
konstant hält; in diesem Zusammenhang ist die Stromquelle ein spezieller
Anwendungsfall des Stromspiegels.
Der einfachste Stromspiegel besteht aus zwei Transistoren und aus zwei optionalen
Widerständen zur Stromgegenkopplung. Mit einem zusätzlichen Widerstand Rv kann
man einen konstanten Referenzstrom einstellen; wodurch der Stromspiegel zur
Stromquelle wird .[2]
Beim Parallelschalten von mehreren Transistorfolgestufen ist auch ein Stromteiler
mit verschiedenen Verhältnissen denkbar.
Durch eine I/U– Gegenkoppelung wird die Hochohmigkeit der Stromquelle verbessert
und durch die AP-Stabilisierung eine Unempfindlichkeit gegenüber Drift erreicht. [1]
Heute wird in vielen integrierten Schaltungen der Stromspiegel eingesetzt, da durch
die Hochohmigkeit der Transistorstufe auf den Einsatz von Widerständen im IC
(Integrated Circuits) verzichtet werden kann.
1.1.Statisches Verhalten– Stromverhältnisse, Kennlinien und Innenwiderstände
Bemerkung :
Für alle Berechnungen zu den Stromspiegel gilt: UBE = 0.7V ; B>> 1
Bild 1 Stromspiegel
Ausgehend von der Schaltung in Bild 1 bestimmt man anhand der gegebenen Werte
Iref und ermittelt welche Stromwerte für I1 und I2 zu erwarten sind. Um für die
folgenden Messungen eine Vergleichsmöglichkeit zu bekommen.
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ges. : Iref; I1; I2
mit [1] :
RV :=
( U S − U BE)
I ref :=
I ref :=
I ref
15V − 0.7V
U S − U BE
RV
I ref = 9.533 × 10
15000Ω
−4
A
aus dem geforderten Stromverhältnis:
Iref : I1 : I2 = 1 : 1 : 2
und
Iref : (I1 + I2 ) = 1 : 3 ergeben sich für die Ströme
I 1 := I ref
I 1 = 9.533 × 10
( I1 + I2) := 3 ⋅ Iref
I 2 := 2 ⋅ I ref
−4
A
I 2 = 1.907 × 10
I1 und I2
−3
( I1 + I2)
A
= 2.86 × 10
−3
A
Es wird ein Stromspiegel aus einem Tranistorarray, nach Bild 1 aufgebaut. Dabei ist
zu beachten, daß bei dem nicht benutzten Transistor Kollektor – und
Emitteranschluß offen bleiben müssen, andernfalls wird das Meßergebnis verfälscht.
Die Mess- und Rechenergebnisse werden in der Tabelle 1.1 dargestellt.
Iref
Rechnung
Messung
Stromverhältnisse
I1
I2
I1 +I2
0,953mA
0,953mA
1,907mA
2,86mA
0,971mA
1,064mA
2,087mA
3,101mA
01:00
1,1
2,15
3,19
Tabelle 1.1 Stromverhältnisse am Stromspiegel
Die gemessenen Werte stimmen mit den berechneten Werten weitestgehend
überein.
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1.2 I/U – Kennlinie
In diesem Versuch soll festgestellt werden,
welchen Einfluß die Gegenkopplungswiderstände RE auf den Stromspiegel haben.
Dazu wird der Transistor im steuernden Zweig
mit einem Referenzstrom gespeist. Solange der
Transistor T1 im gesteuerten Zweig im aktiven
Bereich arbeitet, wird dieser Referenzstrom in
ihm reproduziert.
Die I/U –Kennlinie am Transistor T1 ist seine
Ausgangskennlinie für den Betriebsfall UBE =
konstant. Dabei ist der Ausgangswiderstand rCE
gleich dem Innenwiderstand rQ.
Bild 2 I/U - Kennlinie
geg. :
U y := 140V
−4
I c := 9.533 × 10 A
rQ
ges. :
Fall a: Re := 0
aus [1] :
rQ := rCE
rCE :=
Uy
Ic
5
rQ = 1.469 × 10 Ω
Wird ein Emitterwiderstand in die Schaltung gebracht, wird durch die Gegenkopplung
über Re die Kennlinie und damit der Innenwiderstand rQ verändert.
Fall b: Re := 100Ω
aus [2] :
rQ := rCE ⋅ ( 1 + gm ⋅ Re)
und gm aus [4] : gm :=
mit :
Ic
UT
U T := 26mV
gm = 0.037 S
5
rQ = 6.853 × 10 Ω
Bei einer Simulation mit PSPICE *1, in der verschiedene Widerstände für Re
eingesetzt wurden, ist auch ein Anstieg der Mindestspannung Umin deutlich zu sehen.
*1 PSPICE ist ein Programm der Firma OrCad. Eingesetzt wurde die Studentenversion mit der Nummer 9.1 .
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1100uA
0 Ohm
800uA
100 Ohm
500 Ohm
1kOhm
400uA
0A
0V
0.2V
Ic(Q1)
0.4V
0.6V
0.8V
1.0V
1.2V
1.4V
1.6V
1.8V
2.0V
V_V2
Bild 3 Simulation I/U – Kennlinie mit PSPICE nach Schaltung, siehe Anhang 1
Um die Innenwiderstände experimentell zu bestimmen, wird die Schaltung gemäß
Abbildung 2 aufgebaut und die Messungen für verschiedene Werte von Re
durchgeführt.
6V
3V
Messung: Rechnung:rQ
rQ
U1
12V
9V
Re = 0Ω
I1
1,033mA
1,012mA 0,992mA 0,969mA
140kΩ
147kΩ
Re = 100Ω
I1
0,953mA
0,949mA 0,944mA 0,938mA
600kΩ
685kΩ
Tabelle 1.2 I/U- Kennlinie und Innenwiderstand
Der Innenwiderstand rQ wurde über rQ = ∆U1 / ∆ I1 bestimmt. Und die vorher
errechneten Werte konnten dabei bestätigt werden.
Mit dieser Schaltung lassen sich durch das Vorschalten der Emitterwiderstände
hochohmige Stromquellen realisieren.
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1.3 Dynamischer Betrieb –
Umkehrverstärker
Umkehrverstärker oder Phasenumkehrstufen
sind Kleinsignalverstärker mit einer
Verstärkung von eins. Jedoch ist die
Ausgangsspannung gegenphasig zur
Eingangsspannung.
Dies erreicht man, wenn dem statischen
Betriebsfall eine Wechselstromaussteuerung
überlagert wird.
Dabei werden die Ströme Iref und I1 von einem
Kleinsignalstrom und die
Bild 3 Umkehrverstärker
Basis-Emitter-Spannung UBE am
Transistor Tref von einer Kleinsignalspannung
uBE überlagert.
uBE := u1 ⋅
rm
R2 + r m
≈
u1 ⋅
rm
da R2
R2
» rm und β » 1
( 1.1)
Auch am gesteuerten Transistor liegt die selbe Spannung an. Der
Eingangswiderstand dieses Transistors berechnet sich aus βrm und kann
gegenüber dem viel kleineren rm vernachlässigt werden. Gleiches gilt für rCE, der
auch vernachlässigt wird. Daraus ergibt sich folgender Zusammenhang:
 R3 ⋅ r ce 
u2 := −uBE ⋅ gm ⋅ 
 R3 + r ce 
≈
−uBE ⋅ gm ⋅ R3
da
R3 « r ce2
( 1.2)
aus Gleichung 1.1 und Gleichung 1.2 ergibt sich:
u2
u1
≈
−R 3
( 1.3)
R2
Für diese Schaltung werden im folgenden die Potentiale φ1 bis φ3 sowie uBE für
u1 =1,00V bestimmt.
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ges. : Φ i , i=1...3
uBE ,u2
geg. : u1 := 1.00V
UT := 26mV
R1 := 8.2kΩ
Us := 15V
R2 := 6.8kΩ
R3 := 6.8kΩ
aus Gleichung1.1 :
Ic :=
Us − Φ 2
uBE := u1 ⋅
( R1 + R2)
Ic = 9.533 × 10
−4
r m :=
A
Φ 1 = 7.183 V
R2
1
gm :=
gm
Φ 1 := Us − Ic ⋅ R1
r m :=
rm
1
Ic
UT
gm = 0.037 S
( gm)
r m = 27.273 Ω
Φ 2 := 0.7V
uBE = 4.011 × 10
Φ 3 := Us − ( I1 ⋅ R3)
−3
V
aus Gleichung 1.3:
I1 := Ic
u2 :=
Φ 3 = 8.517 V
Rechnung
Messung
−R 3
R2
⋅ u1
u2 = − 1 V
φ1
Φ2
φ3
u1
UBE
u2
7,183V
7,223V
0,7V
0,7322V
8,517V
8,312V
1000mV
1020mV
4,011mV -1,0V
5,0mV
-1,0V
Tabelle 1.3 Arbeitspunkt und Kleinsignalspannungen am Umkehrverstärker
Auch hier konnte die Messung die vorausgehenden Berechnungen bestätigen.
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2. Differenzverstärker
Eine weitere Stufe eines OPV ist der Differenzverstärker.
Differenzverstärker verstärken nur die Differenz zweier Eingangssignale wobei
gleichzeitig gleichphasige Störspannungen und unerwünschte Driftspannungen
unterdrückt werden.
In diesem Versuchsteil werden Schaltungsvarianten von Differenzverstärkern
rechnerisch und meßtechnisch untersucht. Betrachtet werden Arbeitspunkt,
Kleinsignalverstärkungen bei Differenz – und Gleichtaktaussteuerung; für eine
Schaltungsvariante auch die Slew Rate. [3]
Vorbemerkung:
Für die Berechnung wurden folgende Kenndaten verwendet:
NPN und PNP:
|UBE |= 0,7V
|UCesat | = 0,15V
NPN
:
B = 200
Earlyspannung UY = 80V
PNP
:
B = 60
Earlyspannung UY = 70V
2.1. Grundformen des Differenzverstärkers
Es werden zwei Formen des Differenzverstärkers untersucht. Form A stellt dabei die
einfachste Form dar. Form B wurde dahingehend verbessert, daß der gemeinsame
Emitterwiderstand Re durch eine Transistorstromquelle ersetzt wurde.
Bild 4 Grundform des Differenzverstärkers
Bild 5 Differenzverstärker mit Transistorstromquelle
Für beide Formen werden die Potentiale und Ströme im Arbeitspunkt bestimmt.
Dabei werden die beiden Eingänge u1a und u1b auf Masse gelegt und die
Meßschaltung mit dem Transistorarray CA3096 aufgebaut.
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2.1.1 Arbeitspunkte
Form A
ges. : Φ i;i=1-3;IRe ;Ic1;Ic2
Rc := 2.7k Ω
geg. :
Re := 3.9k Ω
u1a := 0V
u1a := u1b
Φ 1 := U s −
I Re
2
⋅ Rc
I Re :=
Φ 1 = 3.512 V
Φ 2 := Φ 1
aus [1] :
aus [1] :
Us − Φ3
I c1 :=
Re
−3
I Re = 1.103 × 10
I Re
2
−4
I c1 = 5.513 × 10
A
Φ 2 = 3.512 V
I c2 := I c1
Φ 3 := 0.7V
I c2 = 5.513 × 10
−4
Form B
ges. : Φ i;i=1-5;Ic1;Ic2;Ic3
geg. : Re := 470Ω
U T := 26mV
I c3 := I Re
Φ 1 := U s −
I c3
2
⋅ Rc
Φ 1 = 3.512 V
I c1 :=
I c3
2
−4
I c1 = 5.513 × 10
A
Φ 2 := Φ 1
Φ 2 = 3.512 V
I c2 := I c1
−4
Φ 3 := 0.7V
I c2 = 5.513 × 10
Φ 5 := I c3 ⋅ Re + ( −U s)
Φ 5 = −4.482 V
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A
A
A
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aus [1]
Φ 4 := ( −U s) + I c3 ⋅ Re + U BE
Φ 4 = −3.782 V
aus [1]
ri := rSQ
Re = 470 Ω
rSQ := rCE ⋅ ( 1 + gm ⋅ Re)
rCE :=
gm :=
U yNPN
I c3
gm = 0.042 S
UT
4
rCE = 7.256 × 10 Ω
I c3
6
rSQ = 1.519 × 10 Ω
Form A
φ1
φ2
φ3
IC1
IC2
IRE
Rechnung 3,512V 3,512V 0,7V
551,3µA 551,3µA 1,1mA
Messung 3,529V 3,521V 0,6916V 568µA
571µA
1,14mA
Form B
φ1
φ2
φ3
φ4
φ5
IC1
IC2
IC3
Rechnung 3,512V 3,512V 0,7V
-3,782V -4,482V 551,3µA 551,3µA 1,1mA
Messung 3,540V 3v531V 0,689V -3,880V -4,589V 565µA 567µA 1,14µA
Tabelle 2.1 Arbeitspunkte
Die Messwerte zeigen auch hier keine Abweichungen von den berechneten Werten.
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2.1.2 Differenzverstärkung
Bei der Untersuchung der reinen Differenzverstärkung werden die
Eingangsspannungen u1a und u1b genau um 180° phasenverschoben eingespeist.
Diese Art der Ansteuerung nennt man auch Gegentaktaussteuerung, wobei sich die
Stromabnahme und -zunahme in beiden Transistoren ausgleichen. Das Potential am
Punkt 3 im Bild 4 verharrt in Ruhe und wird deshalb als „virtuelle Masse“ bezeichnet.
Die Formel für die Differenzverstärkung lautet:
ADa :=
AD :=
u2a
( 2.1)
u1⋅a − u1⋅b
( u2a − u2⋅b)
( u1a − u1⋅b)
( 2.2)
Um die Differenzverstärkung bestimmen zu können, wird das Kleinsignalverhalten
des Verstärkers bestimmt, indem am Eingang eine Sinusspannung mit f =1kHz und
u1a = -u1b = 10mV angelegt wird
ges. : uMitte ; u2a ;u2b ;ADa ;AD
geg. :
u1a := 10mV
u1⋅b := −10mV
RC := 2.7kΩ
IC2 := 5.513 × 10
UyNPN := 80V
UT := 26mV
uMitte := 0V
für Wechselspannung
uMitte := 0.7V für Gleichspannung
aus [1] :
AD :=
u2a − u2⋅b
u1a − u1⋅b
AD := −gm ⋅ r a
−gm ⋅ r a :=
u2a − u2⋅b
u1a − u1⋅b
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−4
A
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r a :=
r CE ⋅ RC
gm :=
r CE + RC
IC2
r CE :=
UyNPN
UT
IC2
5
gm = 0.021 S
r CE = 1.451 × 10 Ω
3
r a = 2.651 × 10 Ω
u2a := u1a ⋅ ( −gm) ⋅ r a
u2b := u1b ⋅ ( −gm) ⋅ r a
u2a = −0.562 V
u2b = 0.562 V
AD :=
u2a − u2⋅b
u1a − u1⋅b
AD = −56.205
u1D := u1a − u1b
ADa :=
u2a
u1D
ADa = −28.102
Am Knoten 3 (φ3) stellt sich ein Nullpotential ein. Die beiden Eingangsspannungen
sind um 180° phasenverschoben, diese überlagern sich damit vollkommen. Wobei
sich, an diesem Punkt, eine Spannung von null Volt einstellt.
Durch einen großen Verstärkungsfaktor und der reinen Gegentaktaussteuerung,
können schon bei einigen Millivolt Eingangssignal sehr große Ausgangsspannungen
an den Knoten 1 und 2 abgegriffen werden.
u1a
U1b
uMitte
U2a
u2b
Rechnung
10mV -10mV
0
-562mV 562mV
Messung Form A 9,99mV 9,96mV 1,2mV -521,5mV 519,4mV
Messung Form B 9,97mV 9,94mV 1,2mV -519mV
519,2mV
ADa
AD
-28,1 -56,2
-26,1 -52,2
-26,06 -52,1
Tabelle 2.2 Differenzverstärkung
Die berechneten Werte und die gemessenen Werte zeigen, daß bei der reine
Differenzverstärkung beide Schaltungen identisch arbeiten.
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2.1.3 Gleichtaktverstärkung und Gleichtaktunterdrückung
Für den Nachweis, daß gleichphasige Störspannungen kaum Einfluß auf den
Verstärker haben, wird dieser jetzt mit einem reinen Gleichtaktsignal
u1a =u1b=u1G betrieben und damit die Gleichtaktverstärkung bestimmt.
Die Gleichtaktverstärkung ist im Idealfall gleich Null. Aber schon die Berechnungen
zeigen, daß dies nicht ganz der Fall ist.
Darüber hinaus ist bei dieser Schaltung zu beachten, daß sich das Emitterpotential
am Knoten 3; bei amplituden- und phasengleicher Ansteuerung der Basen der
beiden Eingangstransistoren; sich im Rhythmus von u1 mitbewegt.
u1a := u1⋅b
u1G := 500mV
AGa :=
u2a
( 2.3)
u1G
ACMR( a) :=
ADa
( 2.4)
AGa
α CMR( a) := 20 ⋅ log ( ACMR( a) )
( 2.5)
ges.: uMitte;
u2a ; u2b ;
AGa ; ACMR(a); aCMR(a)
für Form A:
geg.:
Rc := 2.7kΩ
Re := 3.9kΩ
raa := Rc
ADa := −27.333
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mit Gleichung (2.3 ) :
AGa :=
u2a
mit Gleichung (2.4 ) :
AGa :=
u1G
−r aa
ACMR( a) :=
2 ⋅ Re
AGa = −0.346
ADa
AGa
ACMR( a) = 78.962
u2a := AGa ⋅ u1G
mit Gleichung (2.5):
α CMR( a) := 20 ⋅ log ( ACMR( a) )
u2a = −0.173 V
u2⋅b := u2a
α CMR( a) = 37.948 dB
u2⋅b = −0.173 V
für Form B:
geg.:
6
r SQ := 1.519 × 10 Ω
Rc := 2.7kΩ
r aa := Rc
ADa := −27.333
mit Gleichung (2.3 ):
AGa :=
u2a
u1G
mit Gleichung (2.4 ) :
AGa :=
AGa = −8.887 × 10
−r aa
2 ⋅ r SQ
ADa
AGa
−4
ACMR( a) = 3.075 × 10
u2a := AGa ⋅ u1G
u2a = −4.444 × 10
ACMR( a) :=
4
mit Gleichung (2.5) :
−4
α CMR( a) := 20 ⋅ log ( ACMR( a) )
V
u2⋅b := u2a
u2⋅b = −4.444 × 10
−4
α CMR( a) = 89.758 dB
V
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u1a = u1b uMitte
= u1G
u2a
u2b
AGa
ACMR( a) aCMR(a) dB
Rechnung 500mV 500mV
-173,1mV
-173,1mV
-0,34615 78,962
Form A
Messung 500mV 496,8mV -172,93mV -179,34mV
-0,3456
75,47
Form A
Rechnung 500mV 500mV
-444µV
-444µV
-888,7*10-6
30750
Form B
Messung 500mV 500mV
-460µV
-440µV
-920*10-6
28370
Form B
Tabelle 2.3 Gleichtaktverstärkung und Gleichtaktunterdrückung
37,948
37,56
89,758
89,69
Die Güte eines Differenzverstärkers mißt man daran, wie gut er
Gleichtaktspannungen im Verhältnis zu der erwünschten Verstärkung der
Eingangsdifferenzspannung unterdrücken kann. Um eine große Güte zu erreichen,
ist eine möglichst große Symmetrie anzustreben.
Da eine exakte Symmetrie auf Grund der Fertigungstoleranzen nicht möglich ist, wird
man versuchen einen möglichst hohen Gegenkopplungswiderstand zu realisieren.
Dies schafft man dadurch, daß der gemeinsame Emitterwiderstand Re durch eine
Stromquelle ersetzt wird, welche einen höheren dynamischen Widerstand besitzt
(hier in Form B).
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2.1.4 Verhalten bei Gleichtaktunterdrückung
Hierbei wird nur die Schaltung A einseitig angesteuert. Der andere Eingang, der
Schaltung, befindet sich dabei auf Masse. Dies ist der in der Technik vorkommende
Fall, daß die Ansteuerung der Schaltung gemischte erfolgt. Was gleichbedeutend
damit ist, daß an beiden Eingängen unterschiedliche Kleinsignale anliegen. Dabei
überlagert sich die reine Differenz- und Gleichtaktaussteuerung.
In dem untersuchten Fall sind u1a =-u1b = 5mV für die Gegentaktaussteuerung und
u1a =u1b = 5mV für die Gleichtaktspannung gegeben. Durch die Superposition beider
Spannungen beträgt u1a = 10mV und für u1b = 0V.
Damit ergeben sich rein theoretisch folgende Werte für die Ausgangsspannungen:
ges.:u2a ; u2b ; uMitte
geg. :
u1a := 10mV
u1⋅b := 0mV
ADa := −27.333
uMitte :=
AGa := −0.346
u1a
2
uMitte = 5 × 10
−3
V
aus [1]:
u2a := ADa ⋅ u1D + AGa ⋅ u1G
u1D := u1a − u1b
u2a = −0.275 V
u1G :=
u2b := ADb ⋅ u1D − AGb ⋅ u1G
ADb := −ADa
u2b = 0.277 V
AGb := AGa
u1a
Rechnung
Messung
u1b
uMitte
(u1a + u1b)
2
u2a
10mV
0
5mV
277mV
10,05mV
0,17mv 4,9mV
277,17mV
Tabelle 2.4 Schaltung A bei einseitiger Aussteuerung
u2b
274mV
273,8mV
Auch hier zeigt sich, daß die vorher bestimmten Werte mit den Meßwerten
übereinstimmen.
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2.2 Differenzverstärker mit Transistorstromquelle und Stromspiegel
Durch den Einsatz eines Stromspiegels anstatt der
Arbeitswiderstände RC ändert sich auch das Verhalten der
Schaltung grundlegend.
Der Ausgang, es existiert jetzt nur ein massebezogener,
stellt nun eine Stromquelle dar, die abhängig von der
Differenz der Eingangsspannungen ist.
Dabei gilt
Ay :=
Bild 5 Differenzverstärker
mit Transistorstromquelle
und Stromspiegel
i2
(u1a − u1⋅b )
i2 := 2 ic
ic := gm1 , 2 ⋅
uD
2
2 ic := gm1 , 2 ⋅ uD
2.2.1 Arbeitspunkt
Die Schaltung arbeitet hier ebenfalls mit einem Ruhestrom IC3
von 1,1mA.
Der Transistor T4 aus dem Stromspiegel stellt eine Diode dar. Damit läßt sich das
Potential am Punkt Eins zu dem leicht bestimmen und mit ihr die verschiedenen
Spannungen und Ströme. Nur über das Potential am Punkt Zwei können keine
Aussagen getroffen werden, da hier die Schaltung sehr hochohmig ist.
ges.: Φ i , i= 1-5 ; C1
I ;IC2 ;IC3
geg.:
Ic3 := 1.1mA
Us := 5V
UBE := 0.7V
Re := 470Ω
Φ 1 := Us − UBE
Ic3 = 1.1 × 10
Φ 1 = 4.3 V
Ic2 :=
Φ 3 := 0.7V
Φ 4 = −3.783 V
Ic1 :=
Φ 5 := Ic3 ⋅ Re + (−Us)
Φ 5 = −4.483 V
Gunnar Demke, Studiengruppe E3A
2
−4
A
Ic3
2
Ic1 = 5.5 × 10
18
A
Ic3
Ic2 = 5.5 × 10
Φ 4 := (−Us ) + Ic3 ⋅ Re + UBE
−3
−4
A
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φ1
φ2
φ3
φ4
Φ5
IC1
IC2
IC3
Rechnung 4,3V XXXXX
0,7V -3.783V -4.483V 552µA 552µA 1,1mA
Messung 4,419V 3,307V
688,6mV -3,898V -4,606V 548µA 545µA 1,101mA
Tabelle 2.5 Differenzverstärker mit Stromspiegel – Arbeitspunkt
Die berechneten Werte stimmen mit den Meßwerten überein.
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2.2.2 Kleinsignalverhalten – Differenzverstärkung bei externer Last von 100kΩ
Die Schaltung aus Bild 5 wird nun mit einer externen Last von 100kΩ beschaltet.
Die Last besteht im einzelnen aus einem Spannungsteiler mit R1 = 90kΩ und
R2 =10kΩ sowie einem Koppelkondensator Ck.
Der Koppelkondensator kann hier als Wechselstromkurzschluß betrachtet werden.
Untersucht wird die Kleinsignaldifferenzverstärkung AD.
AD :=
AD :=
u2
uD
u2
( 2.7)
u1a − u1⋅b
geg.:
ges.: ra' ; AD
UyPNP := 70V
UyNPN := 80V
Ic2 := 5.5 × 10
−4
A
Ic := Ic2
RL := 100kΩ
UT := 26mV
ra' = rCE5 || rCE2 || RL
aus [1]:
r CEx :=
Uy
r CE5 :=
Ic
UyPNP
r CE2 :=
Ic
5
r CE5 = 1.273 × 10 Ω
r a' :=
UyNPN
Ic
5
r CE2 = 1.455 × 10 Ω
1
1
1
1
+
+
r CE5 r CE2 RL
4
r a' = 4.043 × 10 Ω
AD := gm ⋅ r a'
AD = 855.318
gm :=
Ic
UT
aD := 20 ⋅ log ( AD)
Gunnar Demke, Studiengruppe E3A
gm = 0.021 S
aD = 58.643
20
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Für die Messung wird die Spannung am Spannungsteiler mit dem hochohmigen ACVoltmeter HP400E bestimmt. Dabei wurde darauf geachtet, daß die
Ausgangsspannung unverzerrt anlag und mit dem Oszilloskop weiter beobachtet.
Rechnung
ra` = 40,43kΩ
Messung
u1a = 550µV
AD = 855.318 aD = 58,643 dB
u1b = -540µV
u2 = 680mV AD = 623,8
aD = 55,9 dB
Tabelle 2.6 Differenzverstärker mit Stromspiegel –Differenzverstärkung
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2.2.3 Großsignalaussteuerung und Slew Rate
Eine kapazitive Belastung des Differenzverstärkers am Ausgang bewirkt eine
endliche Arbeitsgeschwindigkeit der Ausgangsspannung.
Der in diesem Versuch mit CL belastete Differenzverstärker benötigt eine bestimmte
Zeit, um den Kondensator bei einem definierten Umladestrom zu laden bzw. zu
entladen.
Slew Rate ist die maximale Anstiegsgeschwindigkeit der Ausgangsspannung.
Weiterführende Informationen unter [1] Abschnitt 1-27.
Um die Slew Rate in diesem Versuch zu bestimmen, wird der Verstärker mit einer
Rechteckspannung angesteuert und dann die Ausgangsspannung über die
Lastkapazität mit dem Oszilloskop aufgezeichnet. Über die Anstiegs- und
Abfallzeiten, die am Lastkondensator auftreten, wird die Slew Rate durch du2 /dt =SR
bestimmt.
Um auf sinnvolle Ergebnisse zu kommen, wird mit einem Tastkopf gemessen und im
nachhinein der dabei entstandene Fehler berücksichtigt.
i2 kann maximal den Wert voncIannehmen.
ges.: Slew Rate SR ; Ctot
geg.: CL := 1nF
CTastkopf := 40pF
CimOszi := 25pF
Ic := 1.1mA
SR :=
Ic
Ctot := CL
Ctot
SR = 1.1 × 10
SR :=
6V
SR := 1.1
s
Ic
µs
Ctot := CL + CTastkopf + CimOszi
Ctot
SR = 1.033 × 10
SR := 1.033
V
6V
Ctot = 1.065 × 10
s
V
µs
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−9
F
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i2max
C
Rechnung
1,1mA
Cl = 1nF
Verbesserte Rechnung
Messung
XXXXX Ctot = 1,0478nF
XXXXX XXXXX
SR (V/µs )
1,1
0,86
steigende Flanke = 0,875
fallende Flanke = 0,925
Tabelle 2.7 Differenzverstärker mit Stromspiegel - Slew Rate
Die berechneten Werte mit Fehlerkorrektur stimmen sehr gut mit den gemessenen
Werten überein.
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3. Schlußwort
Mit den in diesem Experiment untersuchten Grundschaltungen von Transistoren,
wurde versucht, die technischen Zusammenhänge zu erläutern, warum die beiden
Schaltungen, Stromspiegel und Differenzverstärker, so eine weite Verbreitung in der
Technik finden.
Mit dem Stromspiegel werden vor allem in integrierter Bauform Stromquellen mit
definierten Strömen möglich, die einen hohen dynamischen Innenwiderstand haben.
Damit bilden sie eine der am häufigsten vorkommenden Schaltstufen in IC’s.und
nicht nur, wie eingangs erwähnt, bei dem OPV.
Eine weitere Möglichkeit des Einsatzes ist der als Umkehrverstärker. Hierbei kommt
vor allem der hohe dynamische Innenwiderstand zur Geltung. Die Verstärkung ist
meist nicht viel größer als Eins, aber das Ausgangssignal ist um 180°
phasenverschoben gegenüber dem Eingangssignal.
Die Hauptanwendung des Differenzverstärkers liegt vor allem im OPV. In ihm werden
die Möglichkeiten in Kombination mit Stromquellen und Stromspiegeln am meisten
eingesetzt, um Verstärker zu schaffen, die große Verstärkungen erreichen können.
Die ersten Operationsverstärker waren Differenzverstärker, die aus Röhren
aufgebaut waren. Sie bildeten Grundlage der damaligen Technik bevor der IC seinen
Siegeszug antrat. Siehe hier auch [4]
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Literaturverzeichnis:
[1] L.Zeisel; H. L. Zapf; W.Ulbrich: „Elektronischen Schaltungen“; Skriptum zum
gleichnamigen Lehrfach; Fachhochschule München; Fachbereich Elektrotechnik und
Informationtechnik; 2001
[2] U.Tietze; Ch.Schenk: „Halbleiter- Schaltungstechnik “;Springerverlag Berlin
Heidelberg New York; 1999
[3] H. L. Zapf: „Praktikum Elektronische Schaltungen“, Skriptum zum gleichnamigen
Praktikum; Fachhochschule München; Fachbereich Elektrotechnik und
Informationtechnik ; 2001
[4] J.A. Nossek: „Schaltungstechnik 1 “; Skriptum zum gleichnamigen Lehrfach;
Technische Universität München; 1999
Gunnar Demke, Studiengruppe E3A
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Anhang 1
Schaltung zur Simulation mit PSPICE aus Aufgabe 1.2
Simulation eines Stromspiegels mit verschiedenen Werten für Re
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