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Sind Spitzenentladungen mitverantwortlich für
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Simulationsstudien zu gluonischen oder Multiquark
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Simulationen kosmischer Röntgenquellen
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Simulation von Small-Tube-Driftkammern und Vergleich
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Simulation von CNFET basierten Digitalschaltungen
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Simulation und Messung longitudinaler Raumladungseffekte
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Simulation elektromagnetischer Wellen in
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Simulation einer magnetischen Rastertunnelmikroskop
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Simulation einer ballistischen Diode mit dem Drift-Diffusions
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Simulation des HF-Feldes in Implantaten
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Simulation des elektromechanischen Verhaltens von
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Simulation der Transport- und Depositionsvorgänge von
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Simulation der longitudinalen Strahldynamik in
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Silizium– und SiC–Leistungsdioden unter besonderer
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Silizium Germanium p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistoren
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Silicat und Oxidkeramik
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Silbercluster auf einer Quarzoberfl¨ache
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sign von Chip/Multichipmodulen1
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Sickerwassergewinnung im „ungestörten“ Boden mit freidränenden
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SHIP - GSI
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