Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 07.04.10 1 ⋅ Q = 1⋅ Q E = Punktladungen: εo ⋅ εr 4π ⋅ r 2 ε A εo εr (als Spezialfall "Kugel" aus allgemeinerem Gesetz) = 8,85 ⋅10-12 As/Vm allg. Dielektrizitätskonst. = 1 Vakuum, Gase rel. Dielektrizitätskonst. = 2...6 Isolierstoffe; = 80 Wasser elektr. Feld: bG Feldlinienbild: G Uab = ∫ E ⋅ ds a wegunabhängig G G v∫ E ⋅ ds = 0 ⇒ Potenzialfeld E-Linien: • kreuzen/verzweigen nicht • Enden in Ladungen (+→ -) • Dichte = Feldstärke • ⊥ zu Leiteroberflächen (Äquipotenzialflächen) Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 14.04.10 Kapazität: C Ladung, die bei vorgegebener Spannung aufgenommen werden kann: a C=Q/U bG G Uab = ∫ E ⋅ ds b a Einheiten: 1 As = 1F V 1 mF = 10-3 1 µF = 10-6 1 nF = 10-9 1 pF = 10-12 F F F F parallele Platten (Plattenkondensator): Elektrische Eigenschaften: i = C⋅ u= du dt 1 ⋅ ∫ i ⋅ dt C C = ε⋅A d ⇒ Spannung kann sich nicht sprunghaft ändern Parallelschaltung Reihenschaltung Cp = C1 + C2 CR = C1 ⋅ C2 C1 + C2 Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 21.04.10 gespeicherte Energie: 2 1 2 1 Q W = ⋅C⋅ U = ⋅ 2 2 C Kraft zwischen parallelen Platten F = 1 ⋅ε⋅ E2 ⋅ A 2 Berechnung der Kraft aus Energieänderung: - z. B. virtuelle Verschiebung - Systemgrenze beachten! Anwendungsbeispiele: - Füllstandssensor leitende Flüssigkeit - Füllstandssensor nicht-leitende Flüssigkeit Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 28.04.10 magnetisches Feld rechtswendig um Strom: ("Schraubenregel") magnetische Feldstärke H A/m magnetische Flussdichte B = µ⋅H Vs/m2 µ = µ0⋅µr µ0 = 0,4⋅π⋅10-6 Vs/Am Permeabilität des Vakuums µr = 1 meiste Materialien µr bis 106 ferromagnetische Materialien (Fe, Ni, Co + Legierungen) Kraft auf stromdurchflossenen Leiter F ⊥ I, F⊥B F = I⋅B ⋅L Durchflutungssatz: G G ∫ H ⋅ ds = ∑ I = Θ Mit Durchflutungssatz kann die Feldstärke ausgerechnet werden, wenn der Feldverlauf bekannt ist. ds I1 I2 I3 I4 Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energieanlagen und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorferstr. 38, 21073 Hamburg Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 05.05.10 ferromagnetische Stoffe ur >> 1 (ur ≈103...105) Eisen, Stahl, Nickel, Kobalt, Legierungen daraus Bei praktischen Anwendungen: Durchflutung für Luftspalt >> Durchflutung für Eisenkreis an Grenzflächen in der Luft: Feldlinien parallel oder senkrecht zum Eisen G G magnetischer Fluß: Φ = ∫ B⋅ dA oft: Φ ↔ A !! Φ=B⋅A „Dichte der B-Linien“ „Anzahl der B-Linien“ Analogie magnetisch elektrisch I Φ U Θ R = U/I Rm = Θ/Φ A A ⋅ρ R = Rm = A Aµ Σ I = 0 (Knoten) Σ Φ = 0 (Knoten) Σ U = 0 (Masche) Σ Θ = 0 (Masche) Alle Regeln zur Berechnung von Netzwerken gelten Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energieanlagen und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorferstr. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 12.05.10 → → magnetischer Fluß: Φ = ∫ B• d A A Φ erfordert Angabe „welche Fläche“ Eisen: Sättigung µr >> 1 Bsätt = 1,5…2,5 T Hysterese (übertrieben dargestellt) B Neukurve H Induktion U= • • dΦ , Φ durch Fläche der Schleife dt • • µ , H, A → Φ → u Richtung: Wirkung versucht, Ursache zu bremsen (Lenz`sche Regel) Gegeninduktivität Selbstinduktivität Φ 2 (i1 ) Φ (i ) = M21 = 1 2 i1 i2 Φ (i ) L1 = 1 1 i1 M21 = Zwei gekoppelte Spulen d i1 dt di u1(i2) = M12 ⋅ 2 usw. dt u1(i1) = L ⋅ Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 19.05.10 n 2 L= n Rm Energie, Energiedichte, Kraft 1 W = L · I2 2 dW 1 = B2 dV 2 ⋅ µ F 1 · B2 = A 2µ o A B idealer Transformator bei zeitlich veränderlichen Größen („Wechselstrom“): µFe → ∞, keine Streuung: U1 n1 I 2 = = U 2 n 2 I1 Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 09.06.2010 4wertiges Si, Ge im Gitter Dotierung 5wertig Dotierung 3wertig Keine freien Ladungsträger → keine Leitfähigkeit Leitfähigkeit durch Elektronen „Leitfähigkeit durch Löcher“ (= fehlende Elektronen) pn-Übergang: Durchlassrichtung: Ladungsträger + ,-rekombinieren zu Paaren Sperrrichtung: Paare müssten zerrissen werden Diodenkennlinie: Anwendungsbeispiele: U 1.0A I Schaltzeichen der Diode mit Bezugspfeilen I 0.5A 0.5 -1000V -20mA -40mA 1.0V UD US o Einweggleichrichter o Zweiweggleichrichter o mit Glättung o Stabilisierung mit ZenerDiode U 1) Durchbruch zerstörend 2) Zener-Durchbruch Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 16.06.2010 C Transistor - 3 Schichten npn oder pnp - dünne Basis - C-B Diode leitfähig durch E-Ladungsträger, die in B keinen Partner finden n Β p n E IC IC IB U Sättigung CE IB U BE IE ≈UD Schalter Verstärker UCE IC = B ⋅ IB B : Stromverstärkung 50 … 1.000 Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 23.06.2010 Operationsverstärker Ua = V0 (U+ - U_ ) - (UB - U∆) < Ua < (UB - U∆) U∆ ≈ 1...2V V0 → ∞ Gegenkopplung Ausgangssignal wird mit negativem Vorzeichen auf Eingang zurückgeleitet → Verstärkung nur von Rückkopplungsbauelementen bestimmt „Rezept“ zur Berechnung Gilt wenn: - Gegenkopplung (Weg Ua → U_) - Ua nicht in Begrenzung 1: U+ = U_ (wegen V0 → ∞) 2: i+ = i_ = 0 Dann Maschen/Knotengleichungen Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 30.06.10 „Rezept“ zur Berechnung bei Gegenkopplung Gilt wenn: - Gegenkopplung (VZ-Wechsel im Kreis) - UA nicht in Begrenzung 1: U+ = U- (wegen V0 → ∞) 2: i+ = i- = 0 Dann Maschen/Knotengleichungen (Bei nichtlinearen Elementen ggf. Fallunterscheidung) Mitkopplung Einsatz als Vergleicher (Komparator) mit Hysterese Fallunterscheidung: UA = Umax UA = - Umax Mit „Rezept“ Umschaltpunkte berechnen. Beispiele Operationsverstärker - Anwendung: Mit- u. Gegenkopplung (Motor n = const.) Feldeffekttransistor (FET, MOSFET) Verdrängung der Ladungsträger, Einschnürung der leitenden Bahn. Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik II“ SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 07.07.2010 Thyristor: Schalter: Einschalten: iG > 0, uAK > 0 Ausschalten: iA < 0 Gesteuerter Gleichrichter io 4 a 1 L uo u X = uR 1-3 u i L=0 2-4 1-3 t 3 2 uX uR R uo L ∞ uX uR u Die mittlere Spannung kann durch den Zündwinkel eingestellt werden. t uo uo Zündwinkel α Dimmer: Mit Triac, Stromfluss in beide Richtungen Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation, Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2010 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 14.07.2010 Beispiele: − Gleichrichter für Drehstrom − Hochsetzstelle − Feldmessung Hochspannungsfreileitung (s. separates Dokument) Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg