Klausur 11.03.2009, „Grundlagen der Elektrotechnik II “ (BSc MB, EUT) Seite 1 von 4 Aufgabe 1 (10 Punkte) Gegeben ist die folgende Schaltung: gegeben: C1 = 200 µF C2 = 500 µF C3 = 200 µF C4 = 100 µF Bei t = 0 s sind alle Kondensatoren vollständig entladen und der Schalter steht in Stellung a. a) (3 Punkte) Skizzieren Sie den qualitativen Verlauf (ohne Maßstab) des Stromes i(t), wenn die Spannung u(t) folgenden Verlauf aufweist: Bei t = 5 s wird der Schalter in Stellung b geschaltet. b) c) d) (3 Punkte) Berechnen Sie die Kapazität des Kondensators C5, so dass die Kondensatoren C2, C3, C4 und C5 zusammengefasst eine Kapazität von C = 85 µF besitzen. (1 Punkte) Berechnen Sie den Widerstand R, so dass der Betrag des Stromes i(t) maximal 1 A beträgt. (3 Punkte) Berechnen Sie die Spannung UC, die sich nach dem Ausgleichsvorgang für t → ∞ einstellt. Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Klausur 11.03.2009, „Grundlagen der Elektrotechnik II “ (BSc MB, EUT) Seite 2 von 4 Aufgabe 2 (10 Punkte) Es soll eine Induktivität von 200 mH entsprechend der dargestellten Skizze gebaut werden. Für den Ringkern aus Eisen gibt der Hersteller an: Rm = 50000 A/Vs A = 1 cm2 magnetischen Widerstand Eisenquerschnitt A mittlerer Umfang (Weglänge der = 15 cm Feldlinien) (Das Feld im Kern sei homogen, Streuung sei vernachlässigbar.) i Eisenkern u(t) A Umax u(t) t -Umax 0 1 2 3 4 5 6 7 ms a) (2 Punkte) Welche Windungszahl ist erforderlich? b) (2 Punkte) Wie groß darf der Strom in der Spule maximal sein, damit die magnetische Flussdichte im Kern den Wert von 0,8 T nicht überschreitet? c) (3 Punkte) Wie groß darf die Spannung Umax des dargestellten rechteckförmigen Spannungsverlaufes maximal sein, damit die magnetische Flussdichte den in b) angegebenen Wert nicht überschreitet? (Für t < 0 sei der Strom null.) d) (3 Punkte) Skizzieren Sie (ohne Maßstab an der vertikalen Achse) zu dem angegebenen Spannungsverlauf den Verlauf der im Kern gespeicherten magnetischen Energie und berechnen Sie den maximalen Wert. (Für t < 0 sei der Strom null.) Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Klausur 11.03.2009, „Grundlagen der Elektrotechnik II “ (BSc MB, EUT) Seite 3 von 4 Aufgabe 3 (10 Punkte) a) (4 Punkte) Mit der dargestellten Messeinrichtung wird ein unbekannter (Bipolar-) Transistor untersucht. Die Tabelle zeigt das Ergebnis von sechs Versuchen. Welcher der Anschlüsse 1, 2 und 3 ist der Anschluss zur Basis des Transistors und handelt es sich um einen npn-oder pnp-Transistor? Begründen Sie Ihre Antwort stichwortartig. Versuch Verbindungen 1 2 X Y X X Y X Y Y a b c d e f 5kΩ A Ergebnis 3 I=0 I=0 I=0 I=0 I>0 I>0 Y Y X X I X T 1 5V Y 3 2 Gegeben ist nun die folgende Schaltung. Für die Transistoren sollen die üblichen Vereinfachungen angenommen werden (IC ≈ IE; Verstärkung β ≈ B; UBE = 0,6 V). R3 IC1 T1 IC2 T2 R2 U1 I1 U2 R1 Zahlenwerte: U1 = 20 V, U2 = 10 V, I1 = 10 mA, R1 = 2 Ω, R2 = 1 kΩ, R3 = 4 Ω, B = 90 b) (1 Punkt) Berechnen Sie den Strom IC1. c) (2 Punkte) Berechnen Sie den Strom IC2. d) (3 Punkte) Berechnen Sie die Verlustleistungen der Transistoren PV1 und PV2. (Verluste durch die Basisströme vernachlässigbar. Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg Klausur 11.03.2009, „Grundlagen der Elektrotechnik II “ (BSc MB, EUT) Seite 4 von 4 Aufgabe 4 (10 Punkte) Die Abbildung zeigt eine Schaltung mit einem idealen Operationsverstärker und einer idealen Diode. S R1 D R3 R2 OP U1 U2 R1 = 1 kΩ R2 = 1 kΩ R3 = 2 kΩ U3 Ua U1 = 5 V U2 = 4 V U3 = 3 V a) (4 Punkte) Berechnen Sie die Spannung Ua bei geöffneten Schalter S. b) (6 Punkte) Der Schalter S wird geschlossen. Die Spannung U2 sei nun variabel im Intervall von -3 V bis +3 V einstellbar. Skizzieren Sie den Verlauf der Spannung Ua als Funktion der Spannung U2. Technische Universität Hamburg-Harburg, Institut für Elektrische Energiesysteme und Automation Prof. Dr.-Ing. G. Ackermann, Eißendorfer Str. 38, 21073 Hamburg