Grenzflaechen_Master_Klausur2013-2_(13-10

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Technische Universität Chemnitz
Grenzflächenchemie
Studiengang Chemie Master
Klausur 2013-10-01
Name : ........................................................................ Seiten No:..........

Alias oder Matrikel Nr.: ………………………
8 Aufgaben,
Gesamtpunktzahl 80
Bitte!
Organisieren Sie Ihre Arbeit so, dass eindeutig ist, welche Antworten zu
welchen Fragen gehören und dass ausgeschlossen ist, dass Blätter verloren gehen.
- Die Antwort zu jeder Aufgabe auf einem neuen Blatt beginnen.
- Jedes Blatt mit Ihrer Martrikelnummer oder dem Alias versehen, unter
dem Sie das Ergebnis ausgehängt haben möchten.
- Wenn Sie eine Aufgabe nicht bearbeiten, schreiben Sie Ihren Namen
auf das zur Aufgabe gehörende Blatt, streichen Sie den verbleibenden
Platz durch und geben Sie dieses Blatt mit ab.
- Ordnen Sie Ihre Blätter aufsteigend nach den Nummern der Aufgaben.
- Nummerieren Sie alle Ihre Blätter.
- Schreiben Sie auf das letzte Blatt "ENDE"
- Heften Sie Ihre Blätter zusammen.
Bewertungsschema
Unter 30 P
nicht bestanden
Ab Punktzahl
30 P
34 P
38 P
42 P
46 P
50 P
54 P
58 P
62 P
66 P
Note
4
3.7
3.3
3
2.7
2.3
2
1.7
1.3
1
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Klausur 2012-07-10
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
Aufgabe No:…..
1) 10P
Was versteht man unter einer Gibbs dividing surface?
Erläutern Sie auch, welche Bedeutung diese für die Festlehgung von
Grenz- und Oberflächenkonzentrationen hat.
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2) 10P
Erläutern Sie die Brewsterwinkelmikroskopie.

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3) 10 P
Was versteht man unter einer Konversionsschicht ?
Nennen Sie Beispiele für Konversionsschichten.

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Aufgabe No:…..
4) 10P
Erklären Sie den Unterschied zwischen dem anfänglichen Spreitungskoeffizienten und dem Gleichgewichtsspreitungskoeffizienten.
Welchen Werte können anfänglicher Spreitungskoeffizienten und Gleichgewichtsspreitungskoeffizient annehmen ?
Begründen Sie Ihre Aussage.
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Aufgabe No:…..
5) 10 P
Erläutern Sie den Aufbau einer sogenannten Langmuir-Filmwaage und
die mit ihr gemessenen 'Isothermen'.
Erläutern Sie in welchen Fällen die schwimmende Barriere andere Werte
liefern kann als die Wilhelmy-Platte.
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6) 10P
Erläutern Sie das Verfahren der (konventionellen) chemical vapour deposition.
In der Regel bevorzugt man in der Chemical vapour deposition Bedingungen, unter denen die Abscheidegeschwindigkeit durch die Geschwindigkeit der Reaktion mit der Grenzflächen limitiert ist. Erläutern Sie warum
diese Bedingungen bevorzugt werden.
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7) 10P
Erläutern Sie das Verfahren der atomic layer deposition (ALD).
Benennen Sie die Vor- und Nachteile im Vergleich zu einer konventionellen chemical vapour deposition.
Was versteht man unter dem 'ALD-Fenster'?
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8) 10P
Erläutern Sie das Verfahren des layer by layer assembly von polyelektrolyten. Erläutern Sie hierbei auch die Triebkraft die zum Schichtaufbau
führt.
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