Abbildung mittels Elektronenstrahl - Lehrstuhl für Optik, Uni Erlangen

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Scheinseminar Optische Lithographie
Anwendungen, Grenzen und Perspektiven
Vortrag vom 19.11.2008
Abbildung durch Elektronenstrahlen
(Wie funktioniert ein Rasterelektronenmikroskop?)
Benjamin
Hussendörfer
Gliederung
●
Motivation für die Nutzung von Elektronenoptik bzw. REM
●
Elektronenstrahlerzeugung
●
Elektronenoptik, Linsenfehler und Auflösungsvermögen
●
Wechselwirkungsprozesse
●
Kontrast und Detektion
●
Mögliche weitere Verfahren
●
Zusammenfassung
Abbildungsmöglichkeiten (Auswahl)
feste Beleuchtung
rasternd
Linse
Rasterkraftmikroskop
Lichtmikroskop
Rastertunnelmikroskop
Transmissionselektronenmikroskop Rasterelektronenmikroskop
Quelle: www.ipf.uni-stuttgart.de/.../optik/linse.gif
Goldprobe mit monoatomaren Stufen
Lichtmikroskop
●
●
Wichtige Parameter: Auflösung, Vergrößerung
Auflösungsvermögen von
der Wellenlänge abhängig
=> A=
●
●
1.22 
2 sin  n
Minimale Wellenlänge
beim Lichtmikroskop ca. 0.4 µm
=> bestes Auflösungsvermögen: 0.2 µm
Vergrößerung bis zu 1:1000
=>
v=
−s∗t
f ob∗ f ok
Elektronenoptik
●
de Broglie Wellenlänge:
=> =
h
 eUE eU 
2
0
●
Beschleunigungsspannung bis ca. 100 KeV
=> minimale Wellenlänge : 4 pm
●
Auflösungsvermögen: 1,2 nm
●
Vergrößerung: etwa 1:1000.000
„ Väter der Elektronenoptik und des
Rasterelektronenmikroskops“
●
●
●
●
●
1886 Entdeckung der Kanalstrahlen durch
Eugen Goldstein
1927 theoretische Grundlagen
der Elektronenoptik durch Hans Busch
1932 erstes Elektronenmikroskop durch E. Ruska u.
Max Knoll
Ernst Ruska
1937 Manfred von Ardenne setzt die Grundlagen
für das Rasterelektronenmikroskop
1938 Ruska und Bodo von Borries entwickeln
erstes REM
Manfred von Ardenne
Glühkathode
●
●
●
●
●
Thermische Emission von Elektronen
Richardson Formel:
−
2 KT
J = AT e
Erste Fokussierung des Elektronenstrahls
durch den Wehnelt- Zylinder
=> Reeller Crossover Point
Kathodenmaterial z.B. LaB6 oder Wolfram
Lebensdauer des Kathodenmaterials
stark abhängig von Heizstrom
Quelle:L.Reiner G. Pfefferkorn Raster-Elektronenmikroskopie
Feldemission
●
Sehr dünne und saubere Spitze
(z.B. Wolfram)
●
Hohe elektrische Feldstärke : E=
●
Äußeres Feld => Tunneleffekt
●
Strom gegeben durch
die Fowler- Nordheim- Gleichung:
3
2
=> j= AE e
●
−B  2
E
Kalte Emission
U
r
Charakteristische Größen
Parameter
Austrittsarbeit
Arbeitstemperatur
Stromdichte
Crossovergröße
Lebensdauer
Emissionsstromstabilität
Einheit
eV
K
A/m2
μm
hr
%/h
Potentialverlauf eines Feldemitters
Wolfram
LaB6
Feldemission
4,5
2700
5.104
50
100
>1
2,4
1700
106
10
500
>1
4,5
300
1010
<0,01
>1000
>5
http://www.physics.csbsju.edu/lab/thermionic.pdf
Magnetische Elektronenlinsen
●
Der kleinste Strahlquerschnitt (Crossover)
muss minimiert werden =>Elektronenlinsen
●
Lorentzkraft: F =−e vx B
●
Schraubenförmige Bahn der Elektronen
●
Magnetfeld gegeben durch: B= N
0∗I
2R 1 Rz 22 /3
∞
Brennweite:
1
e
2
=
B z  dz
∫
f 8mU −∞
Quelle:L.Reiner G. Pfefferkorn Raster-Elektronenmikroskopie
●
Wegen schraubenförmigen Verlauf kommt es zu

∞
e
Bilddrehung:
=
∫ B Z  dz
8mU −∞
Linsensystem
●
Im REM verkleinert das Linsensystem
den Crossover d`0
=>
d 0=
f1f2 f3
d ´0
L1 L 2 L3
●
Linsensystem:
●
2 Kondensorlinsen
=> Reduzieren den Querschnitt
●
1 Objektivlinse bildet den
Crossover auf die Probe ab
Linsenfehler (Öffnungsfehler)
Abb. 3.3a, L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie, Springerverlag 1977
Öffnungsfehler:
-Elektronen, die einen großen Abstand von der Achse haben, werden
stärker abgelenkt
=> Kürzere Brennweite
-Bildung eines „Brennkreises“ statt eines Brennpunktes
3
=> d s=0.5C s 
Linsenfehler / Farbfehler
Abb. 3.3b, L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie, Springerverlag 1977
Farbfehler:
-Brennweitendifferenz bei verschiedenen Wellenlängen
- Wellenlängenschwankungen durch Schwankung der
Elektronenenergie verursacht
=> d C =C C
E

E0
Linsenfehler / Axialer Astigmatismus
Abb. 3.3b, L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie, Springerverlag 1977
- Brennweite zweier aufeinander senkrecht stehender Elektronenbündel
kann aufgrund von magnetischen Inhomogenitäten,
Aufladungserscheinungen, etc. zueinander verschoben sein.
=> d A= f ∗
- Dieser Fehler kann durch elektrische oder magnetische
Korrekturfelder behoben werden
Linsenfehler / Axialer Astigmatismus
Gute Einstellung der Astigmatoren
Schlechte Einstellung der
Astigmatoren in x- und y- Richtung
Beugungsfehler
Abb. 3.3b, L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie, Springerverlag 1977
-Die Aperaturbegrenzung führt dazu, dass der Fokus
der Linse nicht scharf sein kann
=> Beugungsscheibchen:
d B=0.6


(z.B. bei α=1.25.10-3 und λ=4 pm => dB= 2 nm)
Auflösungsvermögen
●
Das Auflösungsvermögen wird im Wesentlichen
vom Durchmesser der Elektronensonde auf der
Probe bestimmt
Idealer Durchmesser des
abgebildeten Crossovers:
1
2 I 0  2 1
d 0=  
 

●
●
Theoretisches Auflösungsvermögen:
d eff = d 0 d s d e d B
2
2
2
2
Weitere begrenzende Faktoren:
●
●
Elektronenstreuung in der Diffusionswolke
Statistische Schwankung
Abb 3.4,L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie,
Springerverlag 1977
Rasterprozess
Vergrößerung:
- Veränderung des Spulenstroms
und des Arbeitsabstandes
=> Änderung der abgerasterten Fläche
=> Änderung der Vergrößerung
- Vergrößerung ohne Variation der Brennweite
V=
Kantenlänge des Bildes auf der Bildröhre
Kantenlänge des abgebildeten Bereichs auf dem Objekt
Darstellung:
- Jeder Punkt wird abgerastert
- Die gewonnene Information bestimmt die
Helligkeit des in Echtzeit dargestellten Punktes
- So läuft z.B. der Strahl eines CRT Schirms
synchron zum Elektronenstrahl des REMs
●
Lehrstuhl für Verbundwerkstoffe Praktikum REM und
EDXS Bearbeiter: Dr. H. Podlesak
„Rasterelektronenmikroskopie (REM) und
Energiedispersive Röntgenmikrobereichsanalyse
(EDXS) “
Stoßprozesse
Elastische Streuung:
- Streuung an den Nukleonen
der Probe durch Coloumbkraft
- Differentieller Wirkungsquerschnitt:
d  
=
d
 4R∗Z 2
0

64∗ a 0  ∗sin   
2
2
2
2
- großer Streuwinkel
Inelastische Streuung:
-Streuung an Plasmonen
- Anregung von Elektronen
- Ionisierung
- Comptoneffekt
- Kleiner Streuwinkel
Quelle:Rasterelektronenmikroskopie, 2.Aufl. 1977, Fig. 1.5
Diffusionswolke
9000
10800
6000
7500
Pb bei U=70 KV, ɳ=0.52
Cu bei U=70 KV, ɳ=0.25
●
In der Realität kommt es zu Mehrfachstreuung (>25)
●
Hohes Z führt zu einer Zunahme der Rückstreuelektronen
Diffusionswolke
Au mit d=200nm auf GaAs,
Beschleunigungspannung: 5 kV
40 kV
Streubirne
Quelle:L.Reimer Scanning Elektron Microskop 2nd ed. 1998, Fig. 1.4,
Rückstreuelektronen
Röntgenstrahlen
>50eV
Materialkontrast
Materialabhängig Bestimmung der enthaltenen Elemente
und deren Konzentration
Absorptionsstrom
Topographiekontrast und Ordnungszahl
Transmittierte Elektronen
keV
Innere Struktur
Kathodoluminieszenz
0.3 – 2 µm
Defekte, Verunreinigungen
Augerelektronen
50 eV – 3 KeV Oberflächenelemente+Verunreinigungen
Detektion der Sekundärelektronen
(Everhart-Thornley Detektor)
Abb. 3.11, L.Reimer G. Pfefferkorn: Rasterelektronenmikroskopie, Springerverlag 1977
Detektion der Sekundärelektronen (Everhart-Thornley Detektor)
-Szintilationszähler mit angeschlossenem Photomultiplier
-Es müssen langsame Elektronen detektiert werden
=> Elektronen werden zunächst von einem
schwachen elektr. Feld abgesaugt (ca. 0.2 keV)
und anschließend zum Szintilator hin beschleunigt
- Im Metall entstehen Elektron-Loch Paare
(ca. 3000 pro einfallendem Elektron)
- Entstehung von Licht durch Rekombination (1-3% der SE)
1SE~10PE
- Verstärkung durch Photomultiplier
Detektion der Rückstreuelektronen
(Halbleiterdetektor)
Detektion der Rückstreuelektronen (Halbleiterdetektor)
-Halbleiterdetektor mit Oberflächensperrschicht (z.B. Metallschicht)
=> Langsame SE und Lichtquanten, emittiert von der Probe,
werden absorbiert
-RE mit 10 KeV erzeugen ca. 3000 Elektron Loch-Paare
-Durch Trennung am pn-Übergang und Diffusion entstehen
so pro einfallendem RE Elektron 1000 Elektronen im Detektor
- Anbringung oberhalb der Probe deckt ein größeres
Raumwinkelement der RE ab
Detektion der Rückstreuelektronen
(Halbleiterdetektor)
●
●
Summe der beiden Detektorsignale
=> Materialkontrast
Differenz der beiden Signale
=> Topographiekontrast
Quelle: Invitation to the SEM World, p.30
Kontrast
Teststruktur bei V=12000
●
●
Kontrast durch Kanten:
- An Kanten oder hervorstehenden Strukturen kommt
es zu einer erhöhten RE- und SE- Ausbeute
- Auflösung der genauen Form der Kante geht verloren
- Struktur der Kante erscheint aber besser aufgelöst
- Besonders der Kontrast kleiner Teilchen wird verändert
Flächenneigungskontrast:
-SE-Ausbeute δ undRückstreukoeffizient η sind abhängig vom Einfallswinkel des
Elektronenstrahls
=> Flächen die in Richtung des Detektors geneigt sind erscheinen heller => I ~sin 
Kontrast durch Abschattung
Quelle: Inventention to the SEM´s World JEOL
-Bei der vom Detektor abgewandten Fläche spielt die Struktur der Fläche eine
wichtige Rolle
-RE erscheinen dunkel
-SE erscheinen hell
- Abschattungseffekte sind insbesondere bei tiefen Löchern nachteilig
Materialkontrast
Au ɳ=0.48; GaAs ɳ=0.26
- Variation des Rückstreukoeffizenten
=> Bildhelligkeit wird durch den
Rückstreukoeffizenten des Materials bestimmt
(Atome höherer Ordnungszahl streuen stärker)
-Probenstrom
=> hoher Probenstrom nötig
=> von der Detektorgeometrie unabhängig
Schärfentiefe
Numerische Apertur

tan 
: Kleinste Größe der auf dem Monitor noch auflösbaren Objektdetails
Schärfentiefe: T =

Geometrie der Schärfentiefe
Schärfentiefe
Blende 170 µm,
Arbeitsabstand 15mm
Blende 170 µm
Arbeitsabstand 48 mm
Schärfentiefe
Blende 50 µm
Arbeitsabstand 15 mm
Blende 50 µm
Arbeitsabstand 48 mm
Bildfehler durch Aufladungseffekte
Ursache: -Die einfallenden PE ionisieren die Atome auf der Oberfläche der Probe.
-Kleine Beschleunigungsspannungen führen zu negativer, große
Spannungen zu positiver Aufladung (Ionisation)
-Bei Isolatoren können die Ladungen nicht abfließen
Mögliche
Gegenmaßnahmen: -Kleinere Beschleunigungsspannungen
=> negative Aufladung
=> Verlust von Eindringtiefe und Sekundärelektronen
- Herabsetzen des Vakuums
=> Streuung an Gasatomen und Molekühlen
-Aufdampfen einer dünnen Metallschicht
=> Verlust von wichtigen Strukturen auf der Oberfläche
Aufladungseffekte
Photonische Glasfaser bei einer
Beschleunigungsspannung von 20 KV
Die gleiche Faser bei annähernd
gleicher Bestrahldauer, aber einer
Beschleunigungsspannung von
40 KV
Erweiterungen und zusätzliche Detektoren
Mögliche weitere Messverfahren:
●
Messung unter mechanischer Spannung
●
Oberflächenuntersuchungen bei erhitzten Proben
●
Veränderung des Betrachtungswinkels
weitere Detektoren:
●
Leuchtschirm bzw. CCD-Sensor
●
Spektroskop
●
Wellenlängendispersive Röntgenfluoreszenzanalyse
●
Energiedispersive Röntgenspektroskopie
EDX
●
●
●
●
●
Materialanalyse mit Hilfe
von Röntgenstrahlung
Detektion mit Hilfe von
von SI(Li)- Detektoren
Möglichkeit zur Bestimmung
der chemischen Zusammensetzung
in Abhängigkeit vom Ort
Energiespektrum einer 20 Cent Münze
Abschirmung der Hintergrundstrahlung
durch Windowmaterial
Schnelle Analyse
Verteilung von Ga anhand der Kα-Linien
Si(Li)- Detektor
●
●
●
●
●
Schwach dotierter p n Übergang mit
breiter intrinsischer Schicht
im Raumladungsgebiet
Entstehung von ElektronLoch- Paaren
Betrieb in Sperrichtung
Eindiffundieren von Li zur Kompensation von
Löchern und freien Ladungsträgern
Stickstoffgekühlt
Quelle: Rasterelektronenmikroskop. Dr. Bertsche
Elektronenstrahllithographie
●
Beamblanker
Ansteuerung der Ablenkspulen
über spezifisches Tool
●
●
Konstanter Strahlenstrom
●
Präzissionsprobentisch
Auswahl des maximalen
Schreibfeldes (Stitching)
●
●
Beschreibung sowohl vektoriell
als auch rasterförmig
Einfühurngsvortrag Rasterelektronenmikroskop Universität
Erlangen
Zusammenfassung
●
REM hat ein wesentlich höheres Auflösungsvermögen als herkömmliche optische Systeme
●
Hohe Vergrößerung und gute Schärfentiefe
●
Möglichkeit der Untersuchung der Topographie und der Zusammensetzung
Untersuchung von leitenden Proben, mit entsprechender Präperation auch
die Untersuchung von nichtleitenden Proben möglich
●
●
Zusätzliche Möglichkeiten wie Elektronenstrahllithographie und EDX
●
Oberfläche und Tiefe untersuchbar
Vielen Dank für Ihre
Aufmerksamkeit !!!!
Quelle:http://www.hohenstein.de/ximages/316458_remmilbe15.jpg
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