physikalischen Formeln

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Yannick Bremond
Molecular Modelling
SS 2002
Raster-Tunnel-Mikroskopie (RTM)
Scanning Tunneling Microscopy (STM)
Yannick Bremond
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Yannick Bremond
Molecular Moddeling
Inhaltsverzeichnis
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Einleitung
Prinzip des Rastertunnelmikroskop
Bändermodell
Tunneleffekt an der Rechteckbarriere
Tunnelstrom
Messmodus
Steuerung
Piezoelektrischer Effekt
Vorteile/Nachteile
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Yannick Bremond
Molecular Moddeling
Einleitung
•
•
•
•
Heinrich Rohrer, geboren 1933 in Sankt Gallen
1955 Diplom in Physik an der ETH Zürich
1960 Dissertation über Supraleitung, ETH
1961-1963 Postdoktorand, Rutgers University,
New Brunswick, N.J.
• 1963 Anstellung im IBM Forchungslabor
• 1986 Nobelpreis der Physik mit Gerd Binning
und E.Ruska für die Erfindung des RTM
• Gerd Binning, geboren 1947 ihn Frankfurt am
Main
• 1978 Anstellung im IBM Forschungslabor
• 1986 Nobelpreis der Physik mit H. Rohrer
und E.Ruska für die Erfindung des RTM
Quelle:http://hrst.mit.edu/hrs/materials/public/Binnig&Rohrer.htm
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Molecular Moddeling
Prinzip des Rastertunnelmikroskop
Quelle:http://2piweb.physik.rwth-aachen.de/prak/anleit/vers208.pdf
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Molecular Moddeling
Bändermodell
• WA = Austrittsarbeit ~5eV
• EF = die Energie, bei der die
Wahrscheinlichkeit,
dass der betreffende
Zustand besetzt ist, ½
beträgt
• U = Spannung zwischen
Sonde und Probe
~10mV
Quelle:Paul A.Typpler;Physik;Spectrum-Verlag;s.1380
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Molecular Moddeling
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Tunneleffekt an der Rechteckbarriere
•
Ve  2E / m
•
V
ea
(1)
 2( E  V0 )
(2)
• Reflexion
E < V0
• Tunnelprozeß
E < V0
klassische Physik
Quantenmechanik
• Ein Teilchen kann mit endlicher
Wahrscheinlichkeit eine Potentialbarriere
überwinden.
• Schrödinger-Gleichung

•
h 2 d 2  ( x)
 V ( x) ( x)  E ( x)
2m dx 2
T  e a
a  barrierebr eite
  2m(V0  E / h) 2
Rechteckiger Potentialwall;Darstellung einer Wellenfunktion an einer
Eindimensionalen Tunnelbarriere
Quelle:Paul A.Typpler;Physik;Spectrum-Verlag;s.1251
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Tunneleffekt an der Rechteckbarriere
• Die Zeitunabhängige Schrödinger-Gleichung löst man in die 3 Bereiche x<0, 0<x<d und x>d
mit dem Ansatz einer von links einlaufenden Welle, deren Amplitude exponentiell abklingt.

Die Lösung lautet dann:
h 2 d 2  ( x)
 V ( x) ( x)  E ( x)
2m dx 2
x  0:
V ( x)  0
0 xl:
xl:
V ( x)  V
1 ( x)  A1 exp( k1 x)  A2 exp( k1 x)
2 ( x)  B1 exp( k 2 x)  B2 exp( k 2 x)
V ( x)  0
3 ( x)  C exp( k1x)
k1  (1 / h) 2mE
k 2  (1 / h) 2m(V0  E )
• A, B und C ergeben sich aus der Stetigkeit der
Wellenfunktion und ihrer Ableitung an den
Übergängen x  0 und x  d.
• Durch Vereinfachung der Wellenfunktion im
eindimensionalen Raum ergibt eine Lösung
der Schrödinger-Gleichung eine
Durchlasswahrscheinlichkeit D.
D
( x  l )
2
( x  0)
2
Quelle:www.e-technik.uni-dortmund.de,www.ifp.uni-bremen.de
 2l 
 exp( 2k2l )  exp    2m(V0  E )
 h
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Tunnelstrom
• Schon zu Beginn der Quantenmechanik wurde ein Tunneleffekt vorausgesagt. Zwischen
zwei Metallen, die durch Vakuum oder ein Oxid getrennt sind, fließt ein Tunnelstrom.
e2
I 
h

A 
UT

8 s
exp(  A  s )
I:
U:
s:
 :
Tunnelstrom
Extern angelegte Spannung
Distanz zwischen Probe und Spitze
Barrierenhöhe
1 ,2 : Austrittsarbeit von Metall 1 zu Metall 2

 
1
2
• Der Tunnelstrom hängt exponentiell vom
Abstand s ab. Für typische Austrittsarbeiten
 ~ 4,5eV ändert sich der Strom um eine

Größenordnung,wenn die Distanz um 1A
variiert.
2
A2
2m
h
2

1
 1.025 A eV
1 / 2
f
Quelle:monet.physik.unibas.ch/www.physik.uni-erlangen.de
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Messmodus
a) Constant Heigt Imagine CHI
• Abrastern entlang der z-Achse mit dem Piezo-Element
• Die Änderung des Tunnelstroms, also der lokalen Leitfähigkeit
gibt Auskunft über die Oberflächentopographie
• geeignet für feine Oberflächen z.B. Graphit
• Ergebnis: Strombild
b) Constant Current Topographie CCT
• Konstante Strommessung
• Messen des Abstandes über die Spannung am Piezo-Element
• Ergebnis: Konstantstromtopographie, Höhenpeaks
Quelle://www.chemie.uni-oldenburg.de/pc/al-shamery/pc-fpraktikum/v11.pdf
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Steuerung
• Durch das Anlegen einer Spannung entsteht zwischen Probe und Spitze ein
Tunnelstrom, der exponentiell vom Abstand abhängt.
Bei geringen Änderungen der Z-Achse folgen
große Änderungen in IT.
Quelle:http://www.chemie.uni-oldenburg.de/pc/al-shamery/pc-fpraktikum/v11.pdf
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Piezoelektrischer Effekt
• Piezoelektrische Rasterelemente, engl. Piezoelectric scanner, beruhen auf dem transversalen
piezoelektrischen Effekt, der Kristall dehnt sich überwiegend senkrecht zum angelegten elektrischen
Feld aus:

L  d31  L  E

E

E : elektrisches Feld, L: länge, ΔL: Längenänderung
d31: transversaler piezoelektrischer Koeffizient
• Durch Anlegen verschiedener Spannungen
wird die Längenänderung beeinflusst.
y
z
• Constant Heigt Imagine CHI
- über zwei elektroden, x-y Ebene
Δlz
UCHI
L
UCCl
x
• Constant Current Topographie CCT
- über vier Elekroden, x-y-z Ebene
• Als Matrerial werden Keramiken wie PZT (Blei Zirkon Titanat) verwendet.
Das Zirkon/Titan Verhältnis bewirkt eine Veränderung der Curietemperatur
und der piezoelektrischen Koeffizienten.
Quelle:www.monet.physik.unibas.ch
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Vorteile/Nachteile
Vorteile
• am besten geeignetes System zur Abbildung von Atomen
• sehr kompakt und praktisch zu handhaben
• relativ kostengünstig im Vergleich zu TEMs und REMs
• kein Vakuum erforderlich!
Nachteile
• untersuchtes Präparat muss elektrisch leitend sein, um die
zum Tunneln nötige Spannung zu gewährleisten
• äußerst erschütterungsempfindlich!
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Vielen Dank für ihre Aufmerksamkeit
und ein schönes Wochenende
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