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Modellierung Bipolarer Transistoren
• In dieser Vorlesung befassen wir uns mit einer Anwendung
gemischt elektrischer und thermischer Modellierung: dem
Bipolaren Transistor („Bipolar Junction Transistor“ BJT).
• Wir beginnen mit einem SPICE Modell des BJT, welches
wir sodann zu einem Bondgraphen umformen.
• Wir werden erkennen, dass das SPICE Modell des BJT
problematisch ist.
• Schliesslich werden wir den Bondgraphen so umformen,
dass das modifizierte Modell des BJT vom Gesichtspunkt
der Thermodynamik her sinnvoll ist.
8. Dezember, 2004
Anfang Präsentation
Übersicht
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8. Dezember, 2004
BJT Modell
Vertikal und lateral diffundierte npn Transistoren
Nichtlineare Stromquellen
Übergangsdiode
BJT Bondgraph
Leistungsfluss Interpretation
Modifizierter BJT Bondgraph
Inverterschaltung
Simulationsresultate
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SPICE-artiges BJT Modell
SPICE modelliert den BJT unter
Verwendung von drei Übergangsdioden, eine von der Basis zum
Kollektor, die zweite von der
Basis zum Emitter und die dritte
zum Substrat.
Die links abgebildete Ersatzschaltung zeigt einen lateral
diffundierten npn-Transistor.
8. Dezember, 2004
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Vertikale und laterale npn-Transistoren
Emitter
Basis
Substrat
Kollektor
vertikal
Emitter
Basis
Substrat
Kollektor
lateral
• Die pn Übergangsdioden verbinden positiv dotierte
Regionen mit negativ dotierten Regionen.
• Beim lateral diffundierten BJT, haben alle drei
Übergangsdioden ihre Anoden in der Basis.
8. Dezember, 2004
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Nichtlineare Stromquellen
• Das Model beinhaltet zwei nichtlineare Stromquellen, welche
Ströme in die Schaltung injizieren:
• Der Strom, welcher in den Kollektor injiziert wird, ist
abhängig von der Basis-Emitter Spannung, während der
Strom, welcher in den Emitter injiziert wird, abhängig von der
Basis-Kollektor Spannung ist.
8. Dezember, 2004
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Das Übergangsdiodenmodell
• Die pn Übergangsdiode wird wie folgt modelliert:
Jd
Strom
Spannung
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Der BJT Bondgraph

Umgewandelt unter
Anwendung der
Diamantenregel
8. Dezember, 2004
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Probleme mit dem BJT Bondgraphen
Woher
stammt
die
Leistung für diese Stromquellen?
Die Quellen sind intern
zum Modell. Darum gibt
es keinen Ort, von
welchem diese Quellen
ihre Leistung hernehmen
können.
8. Dezember, 2004
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Umwandlung des BJT Bondgraphen
8. Dezember, 2004
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Der nichtlineare Widerstand
Die beiden Stromquellen sind in Wirklichkeit Stromsenken.
Sie können als ein einziger nichtlinearer Widerstand
interpretiert werden.
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Verheizte Leistung I
• Die Gesamtleistung, welche in den RS-Elementen der
Übergangsdioden (d.h., den beiden ehemaligen „Stromquellen“) verheizt wird, ist:
• und somit:
• Wir müssen noch aufzeigen, dass PBJT > 0.
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Verheizte Leistung II
• Wir müssen zeigen, dass VC’E’ und iCE immer das gleiche
Vorzeichen haben.


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Inverterschaltung
• Die folgende Inverterschaltung verwendet das zuvor
eingeführte BJT Modell:
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Simulationsresultate
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Referenzen
•
Cellier, F.E. (1991), Continuous System Modeling,
Springer-Verlag, New York, Chapter 6.
•
Schweisguth, M.C. (1997), Semiconductor Modeling
with Bondgraphs, MS Thesis, Dept. of Electr. & Comp.
Engr., University of Arizona, Tucson, AZ.
•
Schweisguth, M.C. and F.E. Cellier (1999), A Bond
Graph Model of the Bipolar Junction Transistor, Proc.
SCS Intl. Conf. on Bond Graph Modeling, San
Francisco, CA, pp. 344-349.
•
Cellier, F.E. (2005), The Dymola Bond-Graph Library,
Version 1.1.
8. Dezember, 2004
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