-1- Vorl. #19 (07. Jan. 2010) ExperimentalPhysik III (Bachelor) WS09/10 Wiederholung: Einfache Systeme r r - Ortsdarstellung ⇒ statt Zustand Ψ , t nehmen wir Wellenfunktion Ψ ( r , t ) = r Ψ , t r r - eindimensional ⇒ statt r , p , etc. nur x, p, etc. ⎛ h2 ∂2 ⎞ , EΨ ( x ) = ⎜⎜ − + V( x ) ⎟⎟Ψ ( x ) 2 ⎝ 2m ∂x ⎠ - Diff.-Gl. 2.ter Ordnung: Lösungen müssen stetig in Ψ ( x ) und Ψ ′( x ) sein freies Teilchen, V(x) = V0: Teilchen kommt von links, Ansatz: Ψ ( x ) = Ce ikx - zeitunabhängig: Ψ ( x , t ) = Ψ ( x )e S.-Gl.: E = − hi Et p2 + V0 ⇔ hk = 2m(E − V0 ) 2m Weiterführung Kapitel 4.b. wurde vor Weihnachten schon durchgenommen, kann aber zum Einstieg nochmal kurz drankommen Literatur für Kapitel 4: Schwabl, Quantenmechanik I 4.b. Potentialstufe, V(x<0) = 0 und V(x≥0) = V0 klassisch: - E > V0: Teilchen bewegt sich mit geringere Geschwindigkeit weiter fort - E < V0: Teilchen wird am Potential umkehren (kann sich nicht im Bereich II aufhalten) quantenmechanisch: Lösungen in Bereich I und II bekannt = ebene Wellen Stetigkeitsbedingungen ⇒ Anschlussbedingungen bei x = 0 E > V0: ΨI ( x ) = e ikx + Re −ikx hk = 2mE ΨII ( x ) = Te hq = 2m(E − V0 ) iqx k−q 2k , T= k+q k+q 2 ⇒ Teilchen wird mit Wahrscheinlichkeit R reflektiert und läuft mit Wahrscheinlichkeit t= T2 q/k weiter (klassisch gibt's das nicht => Welleneigenschaft eines qm Teilchens) Anschlussbedingungen ⇒ R = E < V0: Ansatz und Lösung genauso wie oben, nur: q ist imaginär ⇒ ΨII ( x ) = Te − κx mit hκ = −ihq = 2m(V0 − E) ⇒ Welle fällt im Bereich II exponentiell ab -2- Vorl. #19 (07. Jan. 2010) k − iκ 2k , T= k + iκ k + iκ 2 ⇒ R = 1 !!! ⇒R= ⇒ Teilchen wird vollständig reflektiert, dringt allerdings bis zu einer Tiefe von etwa 1 / κ in die Potentialstufe ein (in der Elektrodynamik als evaneszente Welle bekannt) V0 → ∞: ⇒ κ → ∞ ⇒ R = −1 , T = 0 ⇒ ΨI ( x ) = e ikx − e −ikx , ΨII ( x ) = 0 ⇒ an unendlich hoher Potentialkante gilt die Randbedingung Ψ (an Potentialkante) = 0 4.c. Potentialbarriere, V(x < -a/2) = 0, V(-a/2 ≤ x ≤ a/2) = V0, V(x > a/2) = 0 klassisch: - E > V0: Teilchen kommt über Barriere - E < V0: Teilchen wird am Potential umkehren (kann sich nicht im Bereich II aufhalten) quantenmechanisch: Lösungsweg im Prinzip genauso wie in 4.b., nur nun 3 Bereiche hk = 2mE ΨI ( x ) = e ikx + Re −ikx ΨII ( x ) = Be iqx + Ce −iqx hq = 2m(E − V0 ) ΨIII ( x ) = Te hk = 2mE ⇒ Teilchen läuft ein, wird mit Wahrscheinlichkeit R2 reflektiert und geht mit Wahrscheinlichkeit T2 hindurch (Transmission). ikx E < V0: (nur dieser Fall soll diskutiert werden) q ist imaginär ⇒ ΨII ( x ) = Be − κx + Ce + κx mit hκ = −ihq Anschlussbedingungen ⇒ T(E) = Tunnelwahrscheinlichkeit 1⎛κ k⎞ e −ika , ε= ⎜ − ⎟ 2⎝k κ⎠ cosh κa + iε sinh κa ⎞ ⎛ V02 t (E) = T = ⎜⎜1 + sinh 2 κa ⎟⎟ ⎠ ⎝ 4E(V0 − E) −1 2 ⇒ Teilchen durchdringt die Potentialbarriere mit Wahrscheinlichkeit t(E) Diskussion: ⎡ 2a ⎤ i) κa >> 1 (hohe und breite Barriere) ⇒ t (E) ≈ exp ⎢− 2m(V0 − E) ⎥ ⎣ h ⎦ ii) im allg. Fall eines kontinuierlichen Potentialberges gilt (WKB-Näherung): ⎡ 2b ⎤ t (E) = exp ⎢− ∫ 2m[V( x ) − E ]⎥ ⎣ ha ⎦ a und b sind die klassischen Umkehrpunkte V8a ) = V(b) = V0 -3- Vorl. #19 (07. Jan. 2010) Beispiele: i) alpha-Zerfall - dN = -N × Zerfallswahrscheinlichkeit × dt = -N/τ dt - Zerfallswahrscheinlichkeit = Tunnelwahrscheinlichkeit × Frequenz der Wandstösse = v/(2r) t(E) (r: Kernradius, v: Geschwindigkeit des alpha-Teilchens im Kern) ⎡ 2 m ⎛ 2 Z1 Z 2 ⎞⎤ ⇒ − 4e Z1 Z 2 r ⎟⎥ t (E) ≈ exp ⎢− ⎜ πe h ⎝ E ⎠⎦ ⎣ ii) Fusion zweier Kerne mit Ladungen Z1 und Z2 ⎡ 2 m 2 Z1 Z 2 ⎤ πe t (E) ≈ exp ⎢− ⎥ h E ⎦ ⎣ ⇒ Kernfusion bevorzugt für niedrige Z = kleine Kerne iii) Feldemission thermische Energie < Austrittsarbeit WA ⇒ kl geht's nicht aber qm durch tunneln mit starkes E-Feld (> 109 V/m) ⇒ e- werden aus negativer Kathode (Metall) gelöst ⎡ K W3/ 2 ⎤ E2 j(E) = K 1 exp ⎢− 2 A ⎥ (Fowler-Nordheim-Gleichung für Feldemission) WA |E| ⎦ ⎣ Versuch: Feldelektronenmikroskop raue Stellen ⇒ E-Feld grösser ⇒ grösser Tunnelwahrscheinlichkeit iv) kalte Emission von Elektronen aus Metal ⇒ Rastertunnelmikroskop U ⎡ 2d ⎤ I(d) ∝ exp ⎢− 2mWA ⎥ d ⎣ h ⎦ h / 2mWA ≈ 1Angström v) Josephson-Effekt: Tunneln von Cooperpaaren durch Isolation zwischen 2 Supraleitern