pressemitteilung - X-Fab

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PRESSEMITTEILUNG
X-FAB liefert als erste Foundry integrierte NVRAM-Speicherblöcke
Neue XH018-Prozessoption zusammen mit einem NVRAM-Compiler
vereinigt Vorteile von SRAM und nichtflüchtigen Speichern und
ermöglicht schnelle, kostengünstige Datensicherung
Erfurt, Deutschland, 4. März 2010. X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende
Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry mit Expertise in „More than Moore“-Technologien,
bietet seit heute als erste und einzige Foundry monolithisch-integrierte nichtflüchtige RAMSpeicherblöcke (embedded NVRAM) an. Die neue NVRAM-Option des XH018-Prozesses und
der ebenfalls verfügbare NVRAM-Compiler verbinden die Vorteile der kürzeren Zugriffszeiten
von SRAM-Speichern mit der dauerhaften Datenspeicherung nichtflüchtiger EEPROM- oder
FLASH-Speicher. Dies ermöglicht den Anwendern, gleiche oder bessere Funktionalität bei
deutlich geringerer Chipfläche zu erreichen und in der Entwicklungs- und Testphase Zeit und
Aufwand zu sparen.
Der neue Compiler erlaubt Entwicklern, kostengünstige, sofort verwendbare NVRAM-Blöcke
entsprechend ihren Spezifikationen zu erzeugen und verschiedene Speicherkonfigurationen
zu erproben, bevor das Design endgültig festgelegt wird. Die neue XH018-NVRAM-IP ist eine
ideale Option für schnelle, sichere nichtflüchtige Datenspeicherung in Anwendungen, die eine
dynamische Speicherung, eine Erhaltung der Daten bei ausgeschalteter
Versorgungsspannung und einen Schutz der Daten bei plötzlicher Unterbrechung der
Stromversorgung erfordern. Typische Applikationen ergeben sich in den Bereichen industrielle
Steuerungen, Automobilelektronik, Datentransfersysteme und RAID-Datenspeichertechnik
sowie bei der Verwaltung sicherheitsrelevanter Daten.
Dazu Thomas Freitag, Produktlinienmanager bei Melexis: „Mit dem NVRAM-Compiler von XFAB können wir unsere Speicherblöcke schnell und einfach definieren, und er erlaubt uns
sogar, mit verschiedenen Konfigurationen zu experimentieren. Diese Möglichkeiten hatten wir
bisher nicht.“
Traditionell wurden nichtflüchtige RAM-Speicherkapazitäten hergestellt, indem SRAMSpeicherelemente mit separatem EEPROM-Speicher kombiniert wurden, was jedoch
zusätzliche Funktionalität für den Datenaustausch zwischen beiden Speichertypen erfordert
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sowie erhöhten Entwicklungsaufwand hervorruft, um diese Schaltungsteile zu integrieren und
zu testen. Im Gegensatz dazu schreibt X-FAB’s integrierter NVRAM den SRAM-Dateninhalt in
einem einzigen Zyklus in den nichtflüchtigen Speicher. Wie Dr. Jens Kosch, Chief Technology
Officer bei X-FAB, betont: „Unsere Kunden können diese neue NVRAM-Funktionalität leicht
mit dem Rest ihres Designs zu einer Einzelchiplösung integrieren. Dank der kleineren
benötigten Chipfläche und der Zeitersparnis erlaubt unsere neue NVRAM-Prozessoption
kostengünstigere Designs.“
Verfügbarkeit
Sowohl die NVRAM-Prozessoption der XH018-Technologie als auch der dazugehörige
NVRAM-Compiler sind sofort verfügbar. Der Zugang zum XH018-NVRAM-Compiler erfolgt
online über X-FAB’s technische Informationsplattform X-TIC.
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Über X-FAB
Die X-FAB-Gruppe ist die führende analog/mixed-signal Foundry und fertigt im Kundenauftrag
Siliziumwafer für analog-digitale integrierte Schaltkreise (mixed-signal ICs). Das Unternehmen verfügt
über Waferfabriken in Erfurt und Dresden (Deutschland), Lubbock (Texas, US) und Kuching (Sarawak,
Malaysia) und beschäftigt rund 2.500 Mitarbeiter weltweit. Die Wafer werden auf der Grundlage
hochmoderner modularer CMOS- und BiCMOS-Prozesse in Technologien von 1,0 bis 0,18 Mikrometern
gefertigt. Hauptanwendungsgebiete sind der Automobil-, Kommunikations-, Konsumgüter- und
Industriebereich. Weitere Informationen unter www.xfab.com.
X-FAB Pressekontakte
Thomas Hartung
VP Sales & Marketing
+49-361-427-6160
[email protected]
ThinkBold Corporate Communications
Dagmar Berendes
+1-408-379-2344
[email protected]
Sarah Miller
+1-231-264-8636
[email protected]
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