1 Grundlagen

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Prof. Dr. M. Schubert
Schaltungstechnik
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1 Grundlagen
1.1 Symbole und Zeichen
1.1.1 Quellen
1.1.1.1 Normierte Symbole für Quellen
U
U(x)
I
unabhängige Spannungsquelle
gesteuerte Spannungsquelle
unabhängige Stromquelle
gesteuerte Stromquelle
I(x)
Man beachte die in den oben aufgeführten Symbolen enthaltene Symbolik für Kleinsignale:
Kurzschluß oder Unterbrechung.
1.1.1.2 Andere, übliche Symbole für Quellen
U, u
U, u
I, i
I, i
Spannungsquelle
Wechselspannungsquelle
Stromquelle
Stromquelle, die Ringe können
Transformator gesehen werden
- SC / Seite 1-1 -
als
Symbol
für
den
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1.1.2 Halbleiter-Bauelemente
1.1.2.1 Transistorsymbole, mit denen wir arbeiten
pnp Bipolar-Transistor
npn Bipolar-Transistor
p-Kanal MOSFET, selbstleitend (engl.: depletion type), VT>0
p-Kanal MOSFET, selbstsperrend (engl.: enhancement type), VT<0
n-Kanal MOSFET, selbstleitend (engl.: depletion type), VT<0
n-Kanal MOSFET, selbstsperrend (engl.: enhancement type), VT>0
n-Kanal Sperrschicht FET, auch J(unction) FET genannt,
oder MESFET (MES steht für „metal - semiconductor“, z.B. Alu - GaAs)
p-Kanal Sperrschicht FET bzw. J FET (selten)
- SC / Seite 1-2 -
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1.1.2.2 Varianten: ähnliche Transistor-Symbole
n-Kanal MOSFET, Bulk auf VSS
n-Kanal MOSFET, Bulk auf VSS, Source mit Pfeil gekennzeichnet
n-Kanal MOSFET, Bulk auf VSS, Source gekennzeichnet (rechts unten)
p-Kanal MOSFET, Bulk auf VDD
n-Kanal MOSFET, Bulk auf VSS
VT > 0
1.1.2.3 Symbole mit mehreren Transistoren
Oft sieht man zusammengesetzte Symbole, die eigentlich einen Kurzschluß zur Folge hätten.
Diese Schreibweisen vereinfachen und veranschaulichen die graphische Darstellung.
Oft sieht man zusammengesetzte Symbole, die eigentlich einen Kurzschluß zur Folge hätten.
Diese Schreibweisen vereinfachen und veranschaulichen die graphische Darstellung.
- SC / Seite 1-3 -
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Die wichtigsten Leistungsschalter
Symbol
Innenschaltung
Kommentar
Q2
Darlington-Transistor, npn-Typ. Häufig als Leistungstreiber. ß = ß1ß2, UBE ≈ 1,4V. Oft mit Widerstand R,
wodurch (a) bei IR ≥ IB2 der Arbeitspukt von Q1
stabililisert und (b) Q2 schneller ausgeschaltet wird.
Q2
Darlington-Transistor, pnp-Typ. Sehr selten, da pnpTransistoren schlechtere Leistungstreiber sind, als npnTransistoren. UBE ≈ -1,4V.
Q2
Pseudo- oder Komplementär-Darlington-Transistor,
pnp-Typ. Häufig als Leistungstreiber. Effektiv, weil ein
npn-Transistor den Hauptteil der Leistung treibt.
ß = ß1ß2, UBE ≈ -0,7V.
Q2
Pseudo-Darlington-Transistor, npn-Typ. Selten, da pnp
als Leistungstreiber wenig hilfreich. UBE ≈ 0,7V. Wird
zum IGBT, wenn man Q1 durch M ersetzt.
Q1
R
R
Q1
Q1
R
R
Q1
Q
M
M
Q
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor, n-Knal-Typ.
häufig, ermöglicht leistungslose Steuerung großer
Ströme. (Aus praktischen Gründen der fast ausschließlich gebaute IGBT.)
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor, p-Knal-Typ,
selten. (Dieser IGBT-Typ wird aus praktischen Gründen
sehr selten gebaut.)
- SC / Seite 1-4 -
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1.2 Spannung, Strom und Ladung
1.2.1 Kirchhoff’sche Maschenregel (Lit.: KVL: Kirchhoff’s Voltage Law)
Die Summe aller Spannungen um eine Masche ist Null.
R1
I1
Bild 1.2-1:
U6
Spannungen einer geschlossenen Masche eines Netzwerkes
U2
U1
U5
C3
U4
L4
U3
Beispiel Bild 1.2-1:
U1  U 2  U 3  U 4  U5  U 6  0
Gegeben sei U1=1V, U2=2V, U3=3V, U4=4V, U5=5V. Wie groß ist U6 ?
U 6  U 1  U 2  U 3  U 4  U 5  (1  2  3  4  5)V  3V
1.2.2 Kirchhoff’sche Knotenregel (Lit.: KCL: Kirchhoff’s Current Law)
Die Summe aller Ströme in einen Schaltungsknoten ist Null.
I2
Bild 1.2-2:
Ströme an einem Knoten
eines Netzwerkes
I1
I6
I3
I4
I5
Beispiel Bild 1.2-2:
 I1  I 2  I 3  I 4  I5  I 6  0
Es sei I1=1mA, I2=2mA, I3=3mA, I4=4mA, I5=5mA. Wie groß ist I6 ?
I 6  I 1  I 2  I 3  I 4  I 5  (1  2  3  4  5) mA  3mA
- SC / Seite 1-5 -
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1.2.3 Ströme und Ladungen eines Bauelementes
Die Summe aller Ströme in ein Bauelement ist Null. Andernfalls lädt sich das Bauelement
als Elektrode einer Kapazität durch Aufbau elektrischer Feldlinien gegen einen anderen Leiter
auf.
Bild 1.2-3:
(a)
(b)
I1
CCE
(a) Kapazität.
(b) Bipolartransistor,
interne
Kapazitäten
explizit
gezeichnet
Beispiel Bild 1.2-3(a):
IC
IE
CBC
I2
CBE
IB
Igesamt = I1 + I2 = 0
Die Ladung Q1 auf der oberen Kondensatorplatte in berechnet sich zu Q1   I 1dt
Die gesamte Ladung Qgesamt in der Kapazität ist
Qgesamt  Q1  Q2   I gesamt dt   0dt  0 ,
wobei Q2   I 2 dt die Ladung auf der unteren Kondensatorplatte ist.
Beispiel Bild 1.2-3(b):
Igesamt = Ic + IB + IE = 0
Die gesamte Ladung Qgesamt in dem Transistor ist
Qgesamt   I gesamt dt   0dt  0 .
1.2.4 Ströme und Ladungen einer Schaltung
Die Summe aller Ströme in eine Schaltung ist Null. Andernfalls lädt sich die Schaltung als
Elektrode einer Kapazität durch Aufbau elektrischer Feldlinien gegen einen anderen Leiter
auf.
Bild 1.2-4:
I1
Operationsverstärker
I2
I4
I3
I5
Es bestehen keine galvanischen Verbindungen oder kapazitive Kopplungen zum Umfeld der
Schaltung als den eingezeichneten.
Der gesamte Strom in die Schaltung ist
I gesamt   I k  0
k
Die gesamte Ladung Qgesamt(Igesamt) einer Schaltung ist
Beispiel Bild 1.2-4:
Qgesamt   I gesamt dt   0dt  0
I1  I 2  I 3  I 4  I 5  0
- SC / Seite 1-6 -
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1.2.5 Spannungs- und Stromteiler
1.2.5.1 Regeln zur Berechnung von Spannungs- und Stromteilern
Es sei G1 = 1/R1 und G2 = 1/R2.
(a)
(b)
Bild 1.2.5.1:
a) Spannungsteiler
b) Stromteiler
R1
I1
U0
I0
R2
U2
Beispiel Bild 1.2.5.1(a): Spannungsteiler
U1 
R1
G2
U0 
U
R1  R2
G1  G2 0
U2 
R2
G1
U0 
U
R1  R2
G1  G2 0
Beispiel Bild 1.2.5.1(b): Stromteiler
I1 
G1
R2
I0 
I
G1  G2
R1  R2 0
I2 
G2
R1
I0 
I
G1  G2
R1  R2 0
I2
- SC / Seite 1-7 -
R1
R2
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1.2.5.2 Anwendung von Spannungsteilern zur Impedanzmessung
Messen des Ausgangswiderstandes einer Schaltung
Verstärker
Bild 1.2.5.2-1:
Verstärker mit
zuschaltbarer
Last.
Voltmeter
S
Zout
Uin
Zin
Ri
AvUin
Uout
ZL
V
Bild 1.2.5.2-1 zeigt einen Verstärker dessen Ausgangswiderstand gemessen werden soll. Der
Innenwiderstand Ri des Voltmeters soll wegen Ri >> Zout||ZL vernachlässigt werden. Bei
geöffnetem Schalter und Uin(t)=Ui0sint(t) messen wir die Ausgangsamplitude Uout=U0. Bei
geschlossenem Schalter und gleichem Uin ist die Ausgangsamplitude Uout=aU0.
Aus obiger Spannungsteilerregel ergibt sich Z out  Z L
1 a
.
a
Beispiel: für a=0,75 und ZL=100 ist der Ausgangswiderstand der Schaltung
Z out  100
1  0.75
 33,3
0.75
Es sei daran erinnert, dass 0  a  1 sein muß und dass für a=½ ZL=Zout ist. Bei der
sogenannten „Halbspannungsmethode“ verändert man ZL bis a= ½ ist.
Messen eines hohen Eingangswiderstandes
S
Voltmeter
Verstärker
Rs
Ugen
Voltmeter
Zout
Ri
V
Uin
Zin
AvUin
Ri
Uout
V
Bild 1.2.5.2-2: Messung eines hohen Eingangswiderstandes.
In Bild 1.2.5.2-2 soll der Eingangswiderstand einer Schaltung gemessen werden. Es sei z.B.
Zout100 und Zin5M, daher wird RS=4,7M gewählt. Das Messgerät ist mit einem
Eingangswiderstand von Ri1M spezifiziert. Würde man das Messgerät vor den Eingang
schalten (durchgestrichen dargestellt), so würde man mehr den Innenwiderstand des
meßgerätes als den Eingangswiderstand der Schaltung messen.
- SC / Seite 1-8 -
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Daher hängt man das Messgerät an den Ausgang der Schaltung und misst, um welchen faktor
a die Amplitude Uout durch Zuschalten von RS zusammenbricht. Bei konstanter Verstärkung
AV des Vesrtärkers muss der Spannungseinbruch a am Ein- und Ausgang gleich groß sein, so
dass man den Faktor a, der am Eingang auftritt, am Ausgang messen kann. Mit Hilfe der
Spannungsteilerformel angewendet auf RS und Zin erhält man
Z in  RS
a
1 a
mit
a
U out ( RS  4,7 M)
U out ( RS  0)
1.2.5.3 Parallelschaltung von Widerstand und Leitwert
(a)
Bild 1.2.5.3: Parallelschaltung von
(a) Widerstand R und Leitwert G,
(b) Widerstand R und Leitwert sC.
(b)
R
1
G
R
Häufig findet man die Paralleschaltung von einem Leitwert und einem Widerstand. Man
erhält die Gesamtimpedanz zu
Z = R||G-1 =
R
G 1R
=
.
1
1  GR
G R
Der Widerstand wird also um den Faktor (1+GR) gemindert. Als Beispiel sei hier die
Parallelschaltung eines Widerstandes R und einer Kapazität mit Leitwert sC genannt. Als
Gesamtimpedanz erhält man
Z=
R
.
1  sCR
- SC / Seite 1-9 -
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1.2.6 Energie–Quellen und –Senken
1.2.6.1 Identifikation von Energie–Quellen und –Senken
Wenn Spannungs- und Strompfeil an einem zweipoligen Bauelement in die gleiche Richtung
zeigen, dann handelt es sich bei einem positiven produkt um eine Energiesenke und bei einem
negativen Produkt um eine Energiequelle. (Wechsel möglich, z.B. C, L, Akku, Photodiode ...)
(a)
Bild 1.2.6.1: Solarzelle.
Sie kann je nach Betrieb
als Energiequelle oder
Senke arbeiten. Im Bild
arbeitet sie im schraffierten Bereich als Quelle.
(b)
ID
ID
UD
IPh
-IPh
- SC / Seite 1-10 -
UD
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1.2.6.2 Umformung von Spannungs- und Stromquellen
R
U0
= I0
R
U0
R
Stromquelle:
R
I0
I0R=U0
G
Spannungsquelle:
Spannungsquelle:
R1
R1
U0
R2
U0
R1+R2
U2
R2
R2
Spannungsquelle:
R1
R2
I0
R2
Stromquelle:
I1
I0
I2
R1
I0
R2
R1
Spannungsquelle:
I1
U0
I0R2=U2
U2
I2
R1
U0
R2
Bild 1.2.6.2: Elektrisch äquivalente Schaltkreise.
- SC / Seite 1-11 -
R2
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1.2.6.3 Spannungsquelle mit Spannungsteiler realisieren
(a)
(b)
Bild 1.2.6.3:
(a) Benötigte Schaltung.
(b) Realisierung mit Hilfe
von VDD.
VDD
R2
U2
R1
U1
U0
Zout
U1
VSS
VSS
Benötigt werde eine Spannungsquelle mit der Quellspannung U1 und der Ausgangsimpedanz
Zout gemäß Bild 1.2.6.3(a) benötigt. Realisiert werden soll diese Quelle mit dem
Spannungsteiler in Biteil (c).
Wir definieren die Spannungsteilerverhältnisse als
Aus der Paralleschaltungsformel Z out 
Und somit R1 
R1  Z out
R1 R2
R1  R2
a
U1
R1

,
U 0 R1  R2
b
U2
R2

U 0 R1  R2
ergibt sich Z out  aR2  bR1
Z out
Z
, R2  out . Einsetzen der Spannungsverhältnisse für a und b liefert
b
a
U0
,
U2
R2  Z out
U0
U1
Wenn man die Konstante b eleiminieren möchte: Wie aus der obigen Definition von a und
b leicht zu ersehen ist gilt a+b=1  b=1-a. Folglich kann R1=Zout/b auch bestimmt werden
aus
R1 
Z out
a
 R2
.
1 a
1 a
- SC / Seite 1-12 -
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1.2.7 Lineare Überlagerung in linearen Netzwerken (lineare Superposition)
Bild 1.2.7(a):
Lineares Netzwerk mit drei voneinander
unabhängigen Quellen.
Gesamtspannung U3= = U3,1+U3,2+U3,3
Gesamtstrom
IC3 = IC3,1+IC3,2+IC3,3
Gesamtstrom
IL3 = IL3,1+IL3,2+IL3,3
U1
R2
I3
C3
U3
U2
R1
L3
Partialgrößen Ui, ICi, ILi berechnen:
(b.1): Situation für U2=I3=0, Berechnung der Partialgrößen IC3,1 IL3,1 U3,1
mit der Quellenumwandlung I1=U1/R1:
I C 3,1  I L 3,1  I 1
U
R12
 1
R1 R12  Z 3
R12
R1 || R2
 I1
R12  Z 3
( R1 || R2 )  Z 3
I1
R1
R2
, U3,1= I3,1(sL+1/sC)
(b.2): Situation für U1=I3=0, Berechnung der Partialgrößen IC3,2 IL3,2 U3,2
mit der Quellenumwandlung I2=U2/R2:
I C 3,2  I L3,2
R12
U2
R12
 I2


R12  Z 3 R2 R12  Z 3
,
R1
C3
IC3,1
L3
IL3,1
C3
IC3,2
L3
IL3,2
C3
IC3,3
L3
IL3,3
I2
R2
U3,2= I3,2(sL+1/sC)
(b.3): Situation für U1=I2=0, Berechnung der Partialgrößen IC3,3 IL3,3 U3,3:
I L 3,3  I 3
ZC
Z C  X L3
, I C 3,3   I 3  I L3,3
R1
R2
I3
U3,3= IL3,3 sL+ IC3,3 /sC)
Gemäß dem Prinzip der linearen Superposition (i.e. der linearen Überlagerung) überlagert
sich der Einfluß der einzelnen Quellen linear und unabhängig voneinander. Das Verhalten des
Netzwerkes kann berechnet werden, indem man die Wirkungen der einzelnen Quellen einzeln
berechnet und anschließend summiert. Bildteil (a) oben zeigt ein lineares Netzwerk mit drei
voneinander unabhängigen Quellen. Gesucht seien U3, IC3 und IL3.
Die Partialströme und -spannungen einer Quelle findet man, indem man die Quellgrößen aller
anderen Quellen zu Null setzt. Eine Spannungsquelle mit Spannung Null entspricht einem
Kurzschluß. Eine Stromquelle mit Strom Null entspricht einer Unterbrechung.
Voneinander abhängige Quellen müssen gleichzeitig berücksichtigt werden, z.B. UBE und IC
eines Bipolartransistors.
- SC / Seite 1-13 -
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1.2.8 R2R-Leiter: Spannungsteiler und D/A-Wandler
(a)
U
(b)
U
2
R
U
R
1
Zin =>
R
=2R
(d)
R
U
2
Zin =>
U
2
10
R
U
4
9
R
U
8
R
8
2R
U
16
R
Zin =>
=2R
U
32
6
2R
U
64
R
5
2R
U
2
U
4
R
2
R
7
2R
R
U
1
2R
=R
(c)
U
2
R
U
128
4
2R
R
2R
R
U
256
U
512
3
2R
1
R
2
2R
2R
1
R
Uout
(e)
R
9
R
0
R
1
R
2
R
3
R
R
4
5
R
6
7
R
2R
2R
2R
2R
2R
2R
2R
2R
Rx
0V
a0
a1
a2
a3
a4
a5
a6
a7
0V
Bild 1.2.8: Spannungsteiler und lineare Superposition, aus Prüfungsaufgabe
Schreiben Sie in Bild 1(a) die Werte für die Spannung an Knoten 1 (gekennzeichnet durch
einen Kreis um die Ziffer '1') als f(U) und Zin als f(R).
(2P)
Schreiben Sie in Bild 1(b) die Werte für die Spannung an Knoten 1 als f(U) und Zin als f(R). (2P)
Schreiben Sie in Bild 1(c) die Werte für die Spannungen an den Knoten 1 und 2 als f(U) und
(2P)
Zin als f(R).
Schreiben Sie in Bild 1(d) die Werte für die Spannungen an die Knoten 1 ... 9 als f(U).
(2P)
In Bild 1(e) seien ax (x=0...7) ideale Spannungsquellen mit Zout=0 und Rx=2R. Welche
Impedanz Zi gegen Masse haben die Schaltungsknoten i (i=0...7) als f(R)?
Zi= 2R/3, i=0…7
(2P)
Bild 1(e): Rx=2R, alle Quellen aj=0V für j≠i und ai=U? Wie groß ist Ui?
Bild 1(e): Rx=2R, a7=a5=U und alle Quellen aj=0V. Wie groß ist Uout?
Bild 1(e): Rx, a7=U und alle Quellen aj7 = 0V? Wie groß ist Uout?
(2P)
(2P)
(2P)
Allgemein: U out 
Ui=U/3
Ui=U/3+U/12
Uout=U/2
7
2 7
i 8
a
2
wenn
R
=2R.
In
der
Praxis
meist
R
,
U

x
x
 i
 ai 2i8 .
out
3 i 0
i 0
- SC / Seite 1-14 -
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1.3 Das Grundprinzip der Verstärkung
1.3.1 Verstärkung eines Vierpols
(a)
(b)
Cx
Xj
Rx
n1
Ri
U1
Ly
n2
Lx
n1
U2
n0
n3
I2 =
GmU1
U1
C
y
n2
Z2
n3
Iz
U2
n0
Bild 1.3.1: (a) Beliebiges Netzwerk mit U2=f(U1), (b) reduziertes Netzwerk
Bild 1.3.1(a) zeigt ein beliebiges Netzwerk mit U2=f(U1). Nach einigen Umformungen sei es
gelungen, das Netzwerk auf die im Bildteil (b) gezeigten Komponenten zu reduzieren. Mit
diesem reduzierten Netzwerk lässt sich die Spannungsverstärkung AV=U2/U1 zu ermitteln.
Es ist
U2 =
I2 Z2
=
[GmU1] Z2
=
(GmZ2) U1.
Ohm'sches Gesetz
=
I2 = [..]
=
AV = (..)
Die Spannungsverstärkung AV=U2/U1 berechnet sich zu
AV 
g m Z 2U 1
U2

= Gm Z2
U1
U1
Im reduzierten Netzwerk ...
(a) darf zwischen den Knoten n1 und n3 eine beliebige Schaltung liegen, entscheidend ist die
Spannung U1 zwischen den Knoten n1 und n3.
(b) ist Z2 die Impedanz zwischen den Knoten, zwischen denen U2 gemessen wird.
(c) liegt die Stromquelle i2 zwischen den Knoten, zwischen denen U2 gemessen wird.
(d) enthält Z2 sämtliche Einflüsse auf die Impedanz zwischen den Knoten n2 und n0, z.B.
auch Koppelkondensatoren und die Eingangsimpedanz der folgenden Stufe.
In der Regel ist n0 der Masseknoten. Differentielle Ausgänge sind oft leichte als Differenz
zweier „single-ended“ Ausgänge zu berechnen, die beide gegen Masse arbeiten.
- SC / Seite 1-15 -
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1.3.2 Verstärkung eines 4-Pols
4-Pol
I1
I2
ZG
U1
UGen
Zin
GmU1
Zo
U2
ZL
Bild 1.3.2: Beliebiges 4-Pol-Netzwerk
Bild 1.3.2 zeigt einen beliebiges 4-Pol-Netzwerk, gespeist von einem Generator mit Innenwiderstand ZG und belastet mit einer Lastimpedanz ZL. Es ist
Spannungsverstärkung:
AV 
U2
U1
(Gl. 1)
Stromverstärkung:
AI 
I2
I1
(Gl. 2)
Eingangsimpedanz:
Z in 
U1
I1
(Gl. 3)
Ausgangsimpedanz:
Zo
Lastimpedanz:
ZL 
U2
I2
(Gl. 4)
Für den Zusammenhang zwischen Stromverstärkung und Spannungsverstärkung folgt
AI =
Z
U /Z
U Z
I2
= 2 L = 2 in = AV in
I1
U 1 / Z in U 1 Z L
ZL
Die Leistungsverstärkung AP des Systems als Funktion von AV, Zin und ZL berechnet sich zu
AP  AV AI  AV
Z in
Z
AV  AV2 in
ZL
ZL
Anmerkungen:
 Da keine speziellen Voraussetzungen an das Netzwerk geknüpft wurden, gilt diese
Formel sehr allgemein und erlaubt ein Messen von AI ohne Öffnen des Stromkreises.
 Die oft schwierig zu messende Ausgangsimpedanz Zo wird in der Formel nicht benötigt.
 AV muss im Betrieb und bei anliegender Last gemessen werden, da Av, AI, AP = f(ZL).
- SC / Seite 1-16 -
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1.3.3 Das Verstärkungs-Bandbreite-Produkt
(a)
(b)
n1
40
lH(s)l
dB 20
n2
0
U1
I2
R2
C2
0,01 0,1
1
10 100 f/fT
0,01 0,1
1
10 100 f/fT
-20
S
n0
n3
U2
-40
(H(s))
0°
-45°
-90°
Bild 1.3.3-1: (a) Verstärker-Netzwerk, (b) Übertragungsfunktion
Auf einer 1/f (i.e. –20dB/dec) Kennlinie ist das Produkt aus Bandbreite und
Verstärkung konstant.
Gegeben sei das Verstärkernetzwerk in Bild 1.3.3-1(a) und I2 = Gm U1 mit konstantem
Gm>0. Die Übertragungsfunktion H(s)=U2(s)/U1(s) für offenen (nicht leitenden) Schalter S
berechnet sich zu
H(s) = Gm Z2 = Gm / sC2.
Für s=j2πf ergibt sich die Übertragungsfunktion H(jf) zu
H(jf) = Gm Z2 = Gm / j2πfC2.
also |H(jf)| = fT / f. Die durchgezogene Linie im Bode-Diagramm in Bild 1.3.3-1(b) stellt
diese Übertragungsfunktion dar.
Das Verstärkungs-Bandbreite-Produkt GB mit G=|H(jf)| und f=B berechnet sich zu
GB 
Gm
G
B  m
j 2BC 2
2C 2
- SC / Seite 1-17 -
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Zur Berechnung von GB stellen wir die Rechnung in der Transitfrequenz auf:
GB = fT  1 = fT (vorausgesetzt, die Steigung in f=fT nicht schon 0 oder –40dB/dec ist)
Der Schalter S in Bild 1.3.3-1(a) werde nun geschlossen (Innenwiderstand 0). Dadurch
ergibt sich ein Pol in der Freqenz p (festgelegt durch die bedingung R=XC mit XC=1/pC).
Seine Wirkung auf die Asymptoten der Übertragungsfunktion sind in Bild 1.3.3-1(b)
gestrichelt eingezeichnet. Verstärkungs-Bandbreite-Produkt ist auf der Geraden mit der
Steigung von –20dB/dec gültig, also in Bild 1.3.3-1(b) für f > fp = 0,1 fT.
Bild 1.3.3-2 zeigt eine Eingangsspannung U1 = 2,5Vcos(2πf1t) zu dem Netzwerk in
Bild 1.3.3-1 und für tt1 sowie f1/fT für t>t2 die zugehörige Ausgangsspannung U2 im
eingeschwungenen Zustand. (Zwischen t1 und t2 findet ein Einschwingvorgang statt.) Wie
groß ist das Verhältnis f1/fT für tt1 bzw. f2/fT für t>t2? Begründen Sie kurz Ihre Antwort.
(Eine Antwort finden Sie in der SC-Prüfung vom WS 2001/2002.)
(a)
U1
(b)
2.5V
0V
-2.5V
time
t1
t2
5V
time
U2 0V
-5V
Übergang
Bild 1.3.3-2:
Veranschaulichung des Verstärkungs-Bandbreite-Produkts im Zeitbereich:
(a) Eingangsspannung und (b) Ausgangsspannung des Netzwerkes in Bild 1.3.3-1(a).
- SC / Seite 1-18 -
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1.4 Miller-Effekt
1.4.1 Miller-Effekt: Herleitung
Ym
(a)
i1
i*1
i*2
u1
Zi
Gm u1
Zo
Zi
Gm u1
Zo
i2
Av*u1=u2
(b)
u1
Y*m1
Y*m2
u2
(a) Leitwert Ym über einem Schaltungsteil mit u2 = Av u1,
(b) Umformung der Schaltung nach Miller.
Bild 1.4.1:
Bild 1.4.1(a) zeigt eine Schaltung mit u2 = Av u1 und einem Leitwert Ym (bzw. Impedanz
Zm=1/Ym) zwischen u1 und u2. Diese Schaltung läßt sich nach dem Theorem von Miller in die
Schaltung von Bild 1.4.1(b) umformen. Beweis:
i1*
 (u1  u2 )Ym  (u1  Av u1 )Ym  u1 (1  Av )Ym
Ym*1  i1* / u1  (1  Av )Ym
Ym*1  (1  Av )Ym

Z m* 1 
Zm
1  Av
Z m* 2 
Zm
1  1 / Av
Analog berechnet sich Y*m2 als Funktion von Av und Ym :
i 2*  (u2  u1 )Ym  (u 2  u 2 / Av )Ym  u 2 (1  1 / Av )Ym
Ym*2  i 2* / u 2  (1  1 / Av )Ym
Ym*2  (1  1 / Av )Ym

- SC / Seite 1-19 -
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1.4.2 Miller-Effekt Anwendungen
1.4.2.1 Miller-Effekt mit negativer Rückkopplung in bipolarer Verstärkerstufe
UCC
Bild 1.4.2.1:
RC
Schaltung mit MillerKondensator
URC
U2
Cm
Ri
U1
Q1
*
Cm1
C*m2
U3
In Bild 1.4.2.2 erzeugt der Innenwiderstand Ri der Quelle einen Pol mit der Kapazität Cm.
Dieser Pol liegt in der Frequenz
fp 
1
2RiCm* 1
mit Cm* 1  Cm (1  AV ) .
Nehmen wir für obige Schaltung AV=-200, dann ist die Eingangskapazität mit
C*m1 = (1-(-200))·Cm = 201·Cm
erheblich vergrößert, während der Miller-Effekt am Ausgang mit
C*m2 = (1-(-1/200))·Cm = 1,005·Cm
vernachlässigbar ist.
Speziell bei hochfrequenten Schaltungen wird die kleine aber unvermeidliche BasisKollektor-Kapazität des Transistors aufgrund des Miller-Effekts zu einem erheblichen
Problem.
- SC / Seite 1-20 -
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1.4.2.2 Kaskoden-Schaltung zur Reduktion des Miller-Effekts
(a)
(b)
(c)
VCC
VCC
(d)
VCC
ICa
VCC
ICa
ICa
ICa
n3
Q2
UB
Cm
n2
n1
gnd
Q1
n1
C*m1
Cm
n2
Q1
n1
C*m2
n3
Q2
UB
n2
Q1
gnd
n1
Cm1
n2
Q1
C*m2
Bild 1.4.2.2: (a) Verstärker mit Biplartransistor, (b) Millerkapazität bzgl. (a) umgerechnet
(c) Kaskodierter Verstärker, (d) Millerkapazität bzgl. (c) umgerechnet.
Zu Bildteilen (a) und (b):
Z2 = rCE1 = VA/IC = 104V/1mA = 104KΩ
-AV = Gm·Z2 = gm·rCE1 = (IC/uT)·VA/IC = VA/uT = 104V/26mV = 4000
C*m1 = Cm·(1-AV) = 1nF4001 = 4,001 µF
C*m2 = Cm·(1-1/AV) = 1nF1,00025 = 1 nF
fp = 1/(2πZ1C*m2) = 1/(2π·104KΩ·1nF) = 1530 Hz
- SC / Seite 1-21 -
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1.4.2.3 Miller-Effekts mit positiver Rückkopplung: Bootstrapping
(a)
(b)
(c)
VDD
VDD
R2
VDD
R2
u1
R2
u1
u1
Ck
Ck1
1
C3
u2
R1
RS
Ck
RG
R1
1
C3
u2
RS
gnd
R*G1
R1
gnd
R*G2
u2
RS
gnd
Bild 1.4.2.3: (a) Verstärkerstufe mit JFET, Eingangswiderstand Zin,a=R12=R1||R2 (bei XC≈0),
(b) Verstärkerstufe mit JFET, Eingangswiderstand Zin,b=R*G1,
(c) Verstärkerstufe gemäß Bildteil (b) mit RG umgerechnet in R*G1 und R*G2.
In Bild 1.4.2.3(a) beträgt die resistive Eingangsimpedanz Zin,a=R12=R1||R2.
Bild 1.4.2.3(b) zeigt die Kleinsignal-Eingangsimpedanz erheblich vergrößert, indem die
positive Verstärkung 0<AV<1 der Drain-Schaltung über C3 auf den Eingang rückgekoppelt
wird. (Großsignalrückkopplung ist nicht notwendig, da die Koppelkapazität Ck1 den DCAnteil des Eingangssignals nicht durchlässt.) Die DC-Einstellung der Gatespannung erfolgt
wie in Bildteil (a) durch R1 und R2.
Bild 1.4.2.3(c) zeigt die gleiche Situation wie Bildteil (b) jedoch mit RG umgerechnet nach
Miller in R*G1 und R*G2. Betrachtet man alle Kapazitäten als Kleinsignalkurzschluss, dann gilt
RG* 1 
RG
(1  Av )
RG* 2 
und
RG
(1  1 / Av )
Nehmen wir als typische Zahlenwerte R1, R2 im Bereich 20...100KΩ, RG=1MΩ und AV=0,8.
Als resistive Kleinsignaleingangsimpedanz erhalten wir nun
RG* 1 
1M
 5M
(1  0,8)
RG* 2 
und
1M
 4M
(1  1 / 0,8)
Damit haben wir den gewünschten Effekt der sehr hohen Kleinsignal-Eingangsimpedanz von
5MΩ. Die Impedanz R*G2 wird mit –4MΩ negativ. Eine negative Eingangsimpedanz ist ein
Generator. Der Eingangskonten mit der Spannung u1 wird weiterhin als Quelle gesehen,
allerdings nicht mit dem Innenwiderstand RG=1MΩ sondern mit R*G2=4MΩ.
- SC / Seite 1-22 -
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1.4.2.4 Großsignalanwendung des Miller-Effekts in der Digitaltechnik
Bild 1.4.2.4:
Digitaler CMOSInverter
(a) Miller-Kapazität
Cm.
(b) mit äquivalenten
Kapazitäten C*m1
und C*m2.
VDD
(a)
VDD
(b)
MP
Uin
Uout
Cm
MN
MP
Uin
Uout
C*m1
MN
C*m2
VSS
VSS
Die Miller-Kapazität in Bild 2 ist gestrichelt eingezeichnet, weil sie nicht absichtlich
eingebaut wird, sondern aus den unvermeidlichen Kapazitäten Gate-Drain-Kapazitäten
besteht: Cm = CGD(MN) + CGD(MP).
Die äquivalenten Kapazitäten C*m1 und C*m2 ergeben sich damit zu C*m1 = Cm (1-AV)
und C*m2 = Cm (1-1/AV). Tabelle 2 liefert AV = -1 für die stationären Endwerte.
Tabelle 1.4.2.4: Zusammenhang zwischen Uin und Uout
Uin =
Uout =
VSS
VDD
VDD
VSS
Für die äquivalenten Kapazitäten ergibt sich damit C*m1 = C*m2 = 2Cm. Der doppelte
Spannungshub an Cm wird umgerechnet in einen einfache Spannungshub an C*mx.
Anmerkung zu Praxis.
Parasitäre Kapazitäten von Leitungen, Transistoren und anderen Bauelementen werden von
Extraktionsprogrammen aus dem Layout Lasten ermittelt. Programme, die derlei leisten,
findet man oft unter dem Kürzel „LVS“, welches für „Layout versus Spice“ steht. Als erstes
erstellt man einen Stromlaufplan (engl. Schematics), setzt diesen auf Maskenebene in
geometrische Strukturen auf dem Halbleiter um und lässt anschließend die LVS-Software
prüfen, ob der Stromlaufplan und das daraus erstellte geometrische Layout die gleiche
Schaltung repräsentieren. Bei dieser Gelegenheit extrahiert das Programm auch parasitäre
Kapazitäten, sowohl direkt als auch – beispielsweise beim Inverter – um den Miller-Effekt
vergrößert.
- SC / Seite 1-23 -
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1.5 Geschaltete Kapazitäten
Ein wesentliches Merkmal dieser Schaltungstechnik ist der Übergang von einem zeitkontinuierlichen auf ein zeit-diskretes System, welche die üblichen Probleme der Abtastung
mit sich bringt wie beispielsweise Aliasing.
Andererseits sind geschaltete Kapazitäten automatisch Track- & Hold-Schalter, wie sie für
die A/D-Wandlung benötigt werden. Daher findet man sie auch dort besonders häufig.
Für Chip-Designs muss man die Daten des Kapazitätsbelages aus den Technologieparametern ermitteln. Platinen
(engl. Printed Circuit Boards oder PCBs) werden heutzutage meistens aus 0,2 mm dicken FR4-Platten (FR =
flame retarded) hergestellt, einem Epoxidharz- und Glasfasergewebe mit εr=3,4, so dass sich gemäß C= εr·
ε0·Fläche/Plattenabstand mit ε0=8,854·10-12F/m ein Kapazitätsbelag von 15pF/cm2 ergibt.
1.5.1 Quer geschaltete Kapazität als äquivalenter Leitwert
(a)
U1
(b)
n1
Q1
1
n2
C
U2
U1
(c)
n1
2
n2
U2
U1
IR
n1
R
n2
U2
1
C
Bild 1.5.1 (a) C lädt an U1, (b) C lädt um auf U2, (c) äquivalenter Widerstand und Quelle.
In Bild 1.5.1-1 (a) enthält die Kapazität C die Ladung
Q1 = CU1.
In Bild 1.5.1-1 (b) enthält die Kapazität C die Ladung
Q2 = CU2.
Die von Situation (a) nach (b) transportierte Ladung ist
Q = Q1 - Q2 = C(U1 - U2).
Bewegt man den Schalter mit der Frequenz fS hin und her,
dann fließt der mittlere Strom
ICm = fSQ = fSC(U1-U2).
De gleichen Strom liefert ein äquivalenter Leitwert
oder ein äquivalenter Widerstand
Gequiv = fSC
Requiv = 1/fSC.
- SC / Seite 1-24 -
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1.5.2 Quer geschaltete Kapazität als treibende Spannungsquelle
Quer geschaltete Kapazität als Quelle ohne Vorzeichenumkehr
(a)
(b)
n1
1
n2
C U
34
U12
n2
(c)
n1
CL
C
U12
n4
2
n2
n2
U34
R
CL
U12
U34
CL
n4
Bild 1.5.2-1: (a) C lädt an U1, (b) C lädt um auf U2, (c) äquivalenter Widerstand und Quelle.
Man kann die Kapazität auch an einer beliebigen Quelle mit der Spannungsdifferenz U12
laden und anschließend beide Seiten der Kapazität umschalten, wie in Bild 1.5.1.2-1. Man hat
dann eine treibende Quelle (, bei der nur die Spannungsdifferenz festliegt,) mit der Quellenspannung U12 und dem Innenwiderstand Requ=1/fC.
Quer geschaltete Kapazität als Quelle mit Vorzeichenumkehr
Wenn man mit zwei Schaltern arbeitet, liegt es nahe, dass man die Kaazität auch umpolen und
somit das Vorzeichen der Spannungsquelle U12 in Bildteil (c) mit umgekehrter Polarität
verwenden kann.
(a)
(b)
n1
1
n2
C
U12
n2
U34
n4
(c)
n1
CL
2
C
U12
n2
n2
U34
R
CL
-U12
U34
CL
n4
Bild 1.5.2-2: (a) C lädt an U1, (b) C lädt um auf U2, (c) äquivalenter Widerstand und Quelle.
- SC / Seite 1-25 -
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1.5.3 Längs geschaltete Kapazität als äquivalenter Leitwert
Gleichsinnig bewegte Schalter: Ohne Vorzeichenumkehr von U1:
(a)
(b)
(c)
Q1
U1
1
C
U2
Q2
U1
1
2
C
IR
R
U2
U1
2
U2
U1-U2
0V
Bild 1.5.2-1: (a) C lädt an U1, (b) C lädt um auf U2, (c) äquivalenter Widerstand und Quelle.
In Bild 1.5.3.1(a) entlädt die Kapazität C auf die Ladung Q1 = 0
In Bild 1.5.3.1(b) lädt die Kapazität C auf die Ladung
Q2 = C(U1 – U2)
Die von Situation (a) nach (b) transportierte Ladung ist
Q = Q2 – Q1 = C(U1 - U2) - 0.
Bewegt man den Schalter mit der Frequenz f hin und her,
dann fließt der mittlere Strom
ICm = fSQ = fSC(U1-U2).
Den gleichen Strom liefert ein äquivalenter Leitwert
oder ein äquivalenter Widerstand
Gequiv = fSC
Requiv = 1/fSC.
Gegensinnig bewegte Schalter: Vorzeichenumkehr von U1:
In Bild 1.5.3.2(a) lädt die Kapazität C auf die Ladung
Q1 = C U1
In Bild 1.5.3.2(b) lädt die Kapazität C auf die Ladung
Q2 = -C U2
Die von Situation (a) nach (b) transportierte Ladung ist
Q = Q2 – Q1 = C(–U2 – U1).
Bewegt man den Schalter mit der Frequenz f hin und her,
dann fließt der mittlere Strom
ICm = fSQ = fSC(-U1–U2).
Den gleichen Strom liefert ein äquivalenter Leitwert
oder ein äquivalenter Widerstand
(a)
Gequiv = fSC
Requiv = 1/fSC.
(b)
Q1
U1
1
C
U1
U2
2
(c)
Q2
U1
2
C
U2
1
IR
R
-U1
U2
-U2
Bild 1.5.3.2: (a) C lädt an U1, (b) C lädt um auf U2, (c) äquivalenter Widerstand und Quelle.
- SC / Seite 1-26 -
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1.6 Arbeiten mit Polen und Nullstellen
1.6.1 Pole und Nullstellen im Orts- und Bode-Diagrammen
(a)
(b)
U1
C
(c)
j
R
U2
-1/RC

0
lH(s)l
dB
0,1
1
10 100
p
-40
s=+j
0
0,1
1
10 100
p
(H(s))
Grad
-90
Bild 1.6.1-1: (a) Schaltung mit Pol, (b) Lage des Pols in der komplexen s-Ebene, (c) BodeDiagramm mit Betrag und Phase der Übertragungsfunktion
H (s) 
1 / sC
1
1
1

=

R  1 / sC sRC  1 1  s /(1 / RC ) 1  s / s p
=>
s p  1 / RC .
Bild 1.6.1-1 zeigt ein System mit einem Pol, gelegen in sp=-1/RC in der komplexen Ebene.
Ein System ist stabil, wenn alle seine Pole in der negativen halbebene liegen. Alle Reaktionen
am Ausgang klingen ab, wenn der Eingang Null ist.
Ein Pol in der linken Halbebene bewirkt im Amplitudengang eine Abbiegung nach „rechts“,
und zwar in der Polfrequenz p=|sp|, wenn man in Richtung f schaut. Die Tangenten an
|H(s)| haben einen Schnittpunkt in einem Pol. Ihre Steigung verringert sich um 20dB/dec
(=6dB/oct), wenn man mit Spannungen und Strömen rechnet. Bei leistungen sind es 10dB/dec
bzw. 3dB/oct. Ein Pol bewirkt ferner eine Phasendrehung von 0...–90°.
Amplitudenfehler der Tangentennäherung in /p=1:
Phasenfehler der Tangentennäherung in /p=1:
Phasenfehler der Tangentennäherung in /p=0,1:
Phasenfehler der Tangentennäherung in /p=10:
3 dB
0°
arctan(0,1) = 5,71°
arctan(10) – 90° = -5,71°
Eine Nullstelle ist die Umkehrung eines Pols, bewirkt eine Abbiebung nach „links“ im
Amplitudengang und eine Phasendrehung von 0...90° im Phasengang
Frage: Wie verhalten sich Pol- und Nullstellen in der positiven (rechten) Laplace-Halbebene?
(Lösung: Polstelle in positiver Halbebene: Instabilität da aufklingende Schwingung. Nullstellen in der pos. Halbebene verhalten sich im
Amplitudendiagramm wie Nullstellen in der neg. Halbebene, drehen aber die Phase umgekehrt. Da Nullstellen in der Stabilitätsbetrachtung
zum Gewinn von Phasenreserve dienen, kosten Nullstellen in der pos. Halbebene Phasenreserve  vergrößerte Instabilität.)
- SC / Seite 1-27 -
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1.6.2 Pole und Nullstellen in Übertragungsfunktionen
Übertragungsfunktion eines Systems mit Polen und Nullstellen:
H (s) 
( s  s z1 )  ( s  s z 2 )  ...  ( s  s zm )
Y ( s)
K
, mit K konstant,
X ( s)
( s  s p1 )  ( s  s p 2 )  ...  ( s  s pn )
X(s) und Y(s) sind die Laplace-Transformierten der Ein- und Ausgangssignale x(t) und y(t).
Anzahl Nullstellen:
m
Anzahl Pole:
n
Ordnung Zählerpolynom:
m
Ordnung Nennerpolynom:
n
Ordnung der Übertragungsfunktion H(s): Maximum von m und n
Nullstellen von H(s):
sz1, sz2, ...,.szm
Pole von H(s): sp1, sp2, ..., spn
Ein natürliches System verhält sich bei hinreichend hohen Frequenzen immer träge, so dass
letztendlich in der Natur immer n>m sein muss.
1.6.3 Die inverse Übertragungsfunktion
1.6.3.1 Mathematische Betrachtungen und Folgerungen
Es ist y(s) = H(s) x(s). Gesucht ist die Umkehrfunktion G(s), so dass x(s) = G(s) y(s):
G(s) =
1
1 ( s  s p1 )  ( s  s p 2 )  ...  ( s  s pn )

H ( s ) K ( s  s z1 )  ( s  s z 2 )  ...  ( s  s zm )
Die inverse Übertragungsfunktion G(s)=H-1(s) erhält man im Bode-Diagramm durch
Spiegelung von H(s) an der 0dB-Achse.
Folgerungen:
Wo H(s) eine Nullstelle hat, da hat G(s)
einen Pol
Wo H(s) einen Pol hat, da hat G(s)
eine Nullstelle
Beschreibt H(s) einen Tiefpass, dann beschreibt G(s)
einen Hochpaß
Beschreibt H(s) einen Hochpass, dann beschreibt G(s)
einen Tiefpaß
Beschreibt H(s) einen Bandpass, dann beschreibt G(s)
eine Bandsperre
Beschreibt H(s) einen Bandsperre, dann beschreibt G(s)
einen Bandpass
- SC / Seite 1-28 -
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1.6.3.2 Anwendungen der inversen Übertragungsfunktion
(a)
uno
(c)
Av
(b)
dB
80
Av(s)
40
uno(s)
0
uni
log(f/Hz)
-40
Av
uni(s)
-80
Bild 1.6.3.2-1: (a) Schaltung mit Rauschquelle von 0dB im Ausgang, (b) Schaltung mit
äquivalentem Eingangsrauschen, (c) Übertragungsfunktionen Av(s), u no (s ) , u ni (s ) .
Bild 1.6.3.2-1(a) zeigt einen OP mit der Ausgangsrauschquelle u no ( s )  0dB . Dieses weiße
Ausgangsrauschen soll gemäß Bildsteil (b) umgerechnet werden in ein äquivalentes
Eingangsrauschen. Bild 2.3.1(c) zeigt Av(s) des OPs und die Rauschspannung u no (s ) . Das
äquivalente Eingangsrauschen u ni (s ) erhält man gemäß Bild 1.6.3.2-1(c) zu
u ni ( s )  AV1  u no ( s )
Rückgekoppelte Systeme (z.B. Operationsverstärker) verhalten sich bei hinreichend hoher
Schleifenverstärkung A(s) gemäß A*(s)1/k(s), wobei k(s) die Übertragungsfunktion des
Rückkopplungsnetzwerkes ist. Folgerung: Ist das Rückkopplungsnetzwerk ein Hochpaß, dann
verhält sich das Gesamtsystem als Tiefpaß.
(a)
(b)
Uinp
Uinn
Uout
R2
80
A*(s)=1/k(s)
40
dB
C2
0
log(f/Hz)
-40
R1
-80
k(s)
Bild 1.6.3.2-2: (a) Schaltung mit Rückkopplungsnetzwerk, (b) Übertragungsfunktion des
Rückkopplungsnetzwerkes k(s) und der Gesamtschaltung: A*(s)1/k(s).
- SC / Seite 1-29 -
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1.7 Definition von Bel und deziBel (dB)
Ein Bel ist der Logarithmus zur Basis 10 aus einem Quotienten zweier Leistungen. Gegeben
sei die Signalleistung Ps und die Rauschleistung Pn. Ihr Quotient oder Signal-Rausch-Abstand
(engl.: Signal to Noise Ratio, SNR) ist definiert als
P
SNRBel  log10  s  Bel.
 Pn 
(1)
Das Bel erwies sich als zu grobes Maß, so daß man in zehntel Bel bzw. deziBel (dB) rechnet:
P
SNRdB  10  log10  s  dB.
 Pn 
(2)
Bezieht man diese Leistung auf einen Widerstand R, dann kann man den SNR auch als
Funktion der Spannungen an oder der Ströme durch diesen Widerstand berechnen.
Elektrische ist Leistung proportional zum Quadrat von Strom und Spannung:
P  UI  U 2 / R  I 2 R .
(3)
Gl. (3) eingesetzt in Gl. (2) liefert wegen log(x n )  n  log(x )
 U  2
U 2 / R
U 
 dB  10 log10   s   dB  20 log10  s  dB
SNRdB  10  log10  s2


 Un 
 Un / R 
  Un  
oder
 I  2
 I 2R
I 
SNRdB  10  log10  s2  dB  10 log10   s   dB  20 log10  s  dB
  In  
 In 
 In R 


Rechnet also man mit Strömen oder Spannungen, muß als Faktor die 20 anstatt der 10 vor den
Logarithmus gesetzt werden.
Das Ergebnis einer Rechnung darf nicht davon abhängen, ob man mit Leistungen,
Strömen oder Spannungen rechnet!
Beispiel: Ps=100mW, Pn=10W. Bezogen auf einen Widerstand von 40 bedeutet dies
Us=2V, Un=20mV oder Is=50mA, In=500A. Man erhält den Signal-Rausch-Abstand als
Quotient von Leistungen:
 100mW 
SNRdB  10  log10 
 dB  10 log10 10000 dB  10  4  dB  40dB
 0,01mW 
Quotient von Spannungen:
 2V 
SNRdB  20  log10 
 dB  20 log10 100 dB  20  2  dB  40dB
 20mV 
Quotient von Strömen:
 50mA 
 dB  20 log10 100dB  20  2  dB  40dB
SNRdB  20  log10 
 500A 
- SC / Seite 1-30 -
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1.8 Die vier Axiome der Signalverarbeitung
Da wir Schaltungen in erster Linie für die Signalverarbeitung konstruieren, ist es nützlich,
einige dort geltende Grundregeln zu kennen.
1.8.1 Zeitvarianz und Zeitinvarianz
Ein System ist zeitinvariant , wenn dessen Impulsantwort h(t) gleich jeder
zeitlich verschobenen Impulsantwort h(t-) ist.
Bild 1.8.1-1:
Schwingkreis mit
Varaktordiode
Uin
L
Ck1
Cv
Ck2
Uout
Usteuer
Bild 1.8.1-1 zeigt einen Schwingkreis mit einer Varaktordiode Cv, deren Kapazität sich mit
der Spannung Usteuer unentwegt ändert. Das System in Bild 1.8.1-1 ist nicht zeitinvariant, da
sich die Steuerspannung Usteuer(t) laufend ändert und man sich nicht darauf verlassen kann,
dass h(t-)=h(t-) ist.
Bild 1.8.1-2:
Radarstation
mit Sende- /
Empfangsantenne
a*(t)
b*h(t-)
b*(t-)
H
Bild 1.8.1-2 zeigt eine Radarstation, deren Antenne einen Impuls (t) aussendet und dessen
Reflexion r(t) anschließend empfängt. Nach dem Empfangsverstärker soll das gleiche Objekt
unabhängig von seiner Entfernung zur Antenne gleich große Impulsantworten h(t-τ) liefern.
Dürfen wir den Empfangsverstärker als zeitinvariantes System behandeln?
Nein! Denn mit zunehmender Entfernung des Objekts kommt die
Impulsantwort
schwächer.
während
Der
des
des
Radarsignals
Empfangsverstärker
Wartens
vergrößern
sowohl
später
muss
seine
und
ist
zeitinvariant sondern zeitvariant.
- SC / Seite 1-31 -
als
auch
Verstärkung
daher
nicht
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1.8.2 Linearität
(a)
x1(t)
(b)
c1
x1(t)
H
x2(t)
H
c1
y(t)
y(t)
H
x2(t)
c2
c2
Bild 1.8.2-1: (a) lineare Überlagerung zweier Signale, (b) äquivalentes System.
Bild 1.8.2-1(b) zeigt ein System, welches die rechte Seite der Gleichung des
Linearitätsprinzips grafisch veranschaulicht: y[ c1x1(t) + c2x2(t) ] = c1y[x1(t)] + c2y[x2(t)].
(a)
x(t)
(b)
c
H
y(t)
x(t)
H
c
y(t)
Bild 1.8.2-2: (a) Anregung eines Systems mit cx(t), (b) äquivalentes System.
Linearität beinhaltet Proportionalität: Bild 1.8.2-2(b) zeigt ein System, welches die Gleichung
des Proportionalitätsprinzips grafisch veranschaulicht: y[ c·x(t) ] = c · y[ x(t) ]. Die Skalierung eines Signals mit einem Konstanten Faktor darf über ein System verschoben werden.
(a)
U1
(b)
R1
R2
R1
U1
R2
Uoff
U2
U2
Bild 1.8.2-3: (a) Resistiver Spannungsteiler, (b) invertierender Verstärker mit OP.
Proportionalität beinhaltet Offset-Freiheit: Aus x(t)=0 folgt y(t)=0. (Nicht verwechseln: Für
einen Mathematiker ist ein System linear, wenn Geraden in Geraden abgebildet werden.)
System in Bild 1.8.2-3(a) ist linear, weil U2 = konstant * U1
System in Bild 1.8.2-3(b) ist nichtlinear, weil U20 wenn U1=0.
- SC / Seite 1-32 -
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Anmerkung zur Linearität:
Oben definierte Linearität gilt für die Signalverarbeitung. Hier ist es nützlich mit Hilfe der
Proportionalität alle konstanten Skalierungen in einem System zu einer einzigen Skalierung
zusammenzufassen. Für einen Mathematiker ist ein Offset keine Störung der Linearität.
1.8.3 Kausalität
Kausalität ist definiert als y(t) = f[x()] mit t. Das bedeutet:
Ein
kausales
System
kann
nur
auf
die
Gegenwart
und
die
Vergangenheit reagieren, nicht aber auf die Zukunft, es kann
also keine "hellseherischen" Fähigkeiten besitzen.
Beispiele für ein nicht kausale Systeme, die wir in der Signalverarbeitung oft gerne hätten:
idealer Tiefpass, idealer Bandpass, idealer Hochpass.
1.8.4 Stabilität
Bei der Stabilität redet man von der sogenannten BIBO-Stabilität: Es gibt ein konstantes K,
so dass für |x(t)|M garantiert werden kann |y[x(t)]|  KM. Das Akronym "BIBO" steht für
Bounded Input Bounded Output
Ist ein idealer Integrator BIBO-stabil?
Nein,
für
f->0
Ausgangsgröße
(z.B.
konstantes
beliebig
groß
Eingangssignal)
werden,
auch
kann
seine
wenn
das
Eingangssignal bestimmte Grenzwerte nicht überschreitet.
PS: Anmerkung zum LZI-System:
In der deutschsprachigen Literatur findet man häufig den Ausdruck LZI-System, welcher für
„lineares und zeitinvariantes System“ steht. In der angelsächsischen Schreibweise findet man
das Akronym LTI für „linear and time-invariant“.
- SC / Seite 1-33 -
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1.8.5 Anwendung der LZI-Eigenschaften <optional>
(a)
(a) Sprungfunktion (t)
(t)
1
0
(b)
t
T1
t
(t)
A1
(b) Rechteckfunktion (t)
T1
Bild 1.8.5
0
1
Bildteil (a): Einheitssprung  (t )  
0
für
t0
A
, Bildteil (b):  (t )  
sonst
0
für 0  t  T1
sonst
(t) kann mathematisch durch lineare Verknüpfungen und Skalierungen von (t) dargestellt
werden: als (t) = A ( (t) - (t-T1) ).
Der Ausgang eines RC-Tiefpasses mit der Zeitkonstanten =RC reagiert auf die
Eingangsfunktionen (t) bzw. (t-T1) mit
 0
f1(t)=y[(t)]= 
t / 
1  e
0
für t  0

, bzw. mit f2(t)= y[-(t-T1)] =  (T1 t ) / 
1
für t  0
e
für t  T1
für t  T1
.
Obiger RC-Tiefpass reagiert dann auf die Eingangsfunktion (t) mit der Summenantwort
0


y[A·1-A·2] = A·y(1) – A·y(2) = A·f1(t) – A·f2(t) =  A(1  e t /  )
 A(e T1 /   1)e t / 

für
t0
für 0  t  T1
für
t  T1
Die Impulsantwort h(t) des Tiefpasses kann auf 2 Wegen ermittelt werden:
(a) Als Antwort y(t) auf den Puls (t) mit Fläche 1 (i.e. A=1/T1) und T1→0. Für t≥T1:

 1 T1

T2
T3
T2
e t / 
1 T1 / 
1 T
1 0
e  1 e t /   1  1  1 2  1 3  ...  1e t /     1 2  1 3  ... e t /  T

T1
T1  1! 2!

3!
3!

  2!



(b) Als Ableitung der Einheitssprung-Antwort: h(t ) 
df1 (t , A  1)  0
  1 t / 
e
dt

- SC / Seite 1-34 -
für t  0
für t  0
.
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1.8.6 Zusammenhang von Impuls- und Sprungantwort bei LZI-Systemen:
Die linearen Operationen „Integration über die Zeitachse“ (beziehungseise 1/s im FrequenzBereich) und „LZI-System mit Impulsantwort h(t)“ (beziehungsweise Übertragungsfunktion
H(s) im Frequenz-Bereich) dürfen vertauscht werden. Da der Sprung das Integral des
Impulses ist, muss die Sprungantwort eines linearen Systems das Integral der Impulsantwort
sein, wie das Bild unten verdeutlicht.
(a)
(c)
(t-a)
(t-a)
(t-a)
(t-a)
Impuls
0
(b)
a
Sprung
Sprungantwort
(d)
1
(t-a)
(t-a)
Impuls
a
g(t-a)
t
(t-a) = (t-a)dt
0
h(t)
h(t-a)
h(t)
Impulsantwort
g(t-a)
Sprungantwort
t
Bild 1.8.6: Vertauschung von „LZI-System mit Impulsantwort h(t) bzw. Übertragungsfunktion H(s)“ und „Integration über die Zeitachse bzw. 1/s“ erlaubt. Folglich ist die
Sprungantwort das Integral der Impulsantwort.
Anmerkung: Die Übertragungsfunktion H(s) eines LZI-Systems ist die laplace-Transformierte
der Impulsantwort h(t).
- SC / Seite 1-35 -
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1.9 Schaltkreisanalyse: Techniken und Werkzeuge
In diesem Unterkapitel werden Schaltkreisanalysemethoden wie Berechnung den des
Arbeitspunktes, DC-, AC- und Transienten-Analyse erläutert.
Begriffe wie Groß- und Kleinsignal-Größen lassen sich am besten mit Hilfe praktischer
Beispiele erläutern. Um diese mit ASCII-Text beschreiben zu können verwenden wir unten
die Eingabesprache des analogen Schaltkreissimulators Spice.
1.9.1 Einfachste Grundlagen einer Spice - Schaltungsbeschreibung
Das Schaltkreis-Analyseprogramm Spice [1] (Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis) zur Simulation analoger Schaltungen wurde von der University of California,
Berkeley (UCB) entwickelt und 1973 erstmals öffentlich vorgestellt. Dabei wurde die zu
simulierende Schaltung mit einer ASCII-Textdatei (Spice Input Deck) beschrieben, deren
Syntax aller Kritik zum Trotz bis heute ein De-facto-Standard ist. Diese weltweite
„Normung“ ohne formale Norm ist nach wie vor für nahezu alle Spice - artigen Programme
Schnittstelle zwischen Schaltkreiseingabe-Editoren (Schematics Entry) und dem
Simulationskern. Dieser ist als C-Programm bei der UCB vom Internet ladbar. Hier werden
nur die für dieses Skript benötigten Anweisungen und Funktionen erläutert.
Listing 1.9.1: Beispiel für eine textuelle Spice - Eingabedatei (Spice Input Deck)
Die erste Zeile in einem Spice Input Deck ist IMMER Kommentar
* Eine Zeile mit einem * in der ersten Spalte ist eine Kommentarzeile
* Text, der einem Semikolon ';' folgt, ist Kommentar
* Spice unterscheidet nicht zwischen Groß- und Klein-Buchstaben
*
* Schaltungsknoten werden mit Nummern oder Strings beschriftet.
* Der Schaltungsknoten 0 ist prinzipiell Masse, 0V
*
* Eine Zeile beschreibt ein Bauelement oder eine Steueranweisung
* Ein Bauelement wird durch seinen Anfangsbuchstaben festgelegt, z.B. Vin
* Eine Steueranweisung beginnt mit einem Punkt, beispielsweise .OP
*
* Beschreibung der Testumgebung
Vin 1 0 DC 3V AC 1V SIN(1V 2V 1KHz); transient: Vin=1V+2Vˑsin(2πˑ1Khzˑt)
* Vxxx: unabh. Spannungsquelle, String "DC" ist default und optional
* Knoten sind mit Nummern nummeriert, Knoten 0 liegt immer auf 0V
*
R
L
C
*
*
*
Testschaltung: RLC-Tiefpass
1 2 10K ; von 10Kilo-Ohm,
2 3 22nH; Induktivität zwischen Knoten 2 und 3 von 22nH
3 0 10uF; Kapazität zwischen den Knoten 3 und 0 von 10 Mikrofarad
Um welches Bauelementenamens es sich handelt entscheidet in Initiale
Dimensionen wie V, A, H, F dürfen weggelassen werden
Skalierungsfaktoren sind u.a.: m, u, n, p, K, MEG, G
* Analysen: Steueranweisungen beginnen mit einem Punkt
.OP
.DC Vin 0 5 0.25; bedeutet: Vin = 0 – 5V, Schrittweite 1V
.AC DEC 20 1Hz 10KHz; f-Achse gem. LOG10, 20 Punkte/Dekade von 1Hz-10KHz
.TRAN 10ns 5ms; transiente Simulation mit t10ns, von 0-5ms.
Übung: Zeichnen Sie die Schaltung, die mit Listing 1 definiert wird.
- SC / Seite 1-36 -
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V(1,2)
(a)
1
R
V(2,3)
2
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V(1,2)
(b)
V(2,3)=0
1
3
2
R
3
L
Vin
Vin
V(3,0)
C
V(3)
0
0
Bild 1.9.1: (a) Schaltung gemäß Listing 1.9.1, (b) reduziert für Analysen .OP und .DC
1.9.2 Analysen
Bild 1.9.2 zeigt einen npn-Bipolartransistor mit einer Strom- und einer Spannungsquelle.
Knoten 0 ist immer Masse, die Knoten n1 und n2 wurden mit Labeln statt mit Nummern
bezeichnet. Die Analysen
 .OP und .DC berechnen Großsignallösungen mit Kapazitäten als Unterbrechungen
 .TRAN berechnet Großsignalmodelle gemäß Bildteil (a) über der Zeitachse,
 .AC berechnet Kleinsignale gemäß Bildteil (b) über der Frequenzachse (Bode-Diagramm).
Listing 1.9.2: Beispiel für eine Spice-Eingabedatei mit 1 Bipolartransistor und 2 Quellen.
Test eines Bipolartransistors
* Testumgebung
IB 0 n1 DC 1uA AC 1mA SIN(10uA 1uA 1KHz);
VCE n2 0 DC 5V AC 1V;
* DUT (Device Under Test): Bipolartransistor
Q n2 n1 0 BCY200; = Transistorname C B E Modellname
.MODEL BCY200 NPN(BF=200 CJC=20pF CJE=20pF IS=1E-16)
* nicht genannte Modellparameter werden auf Default-Werte gesetzt
* Analysen
.DC VCE 0 5V 0.1V IB 0 50uA 10uA; geschachtelte Schleife
.AC DEC 20 1Hz 10KHz; f-Achse gem. LOG10, 20 Punkte/Dekade von 1Hz-10KHz
.TRAN 10ns 5ms; Transiente Simulation, t10ns, von 0-5ms.
(a)
(a)
n2
CBC
CCE
n2
n1
IB
VCE
CBE
iB
CBE
rBE
Q
0
rCE
n1
gm uBE
CBC
CCE
0
Bild 1.9.2: (a) Schaltung gemäß Listing 1.9.2 für .TRAN - Analyse, (b) für .AC-Analyse
- SC / Seite 1-37 -
vCE
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1.9.2.1 .OP: Arbeitspunkt- (engl. Operating Point) Berechnung
Die .OP-Anweisung berechnet die Großsignal-Spannungen und Ströme zum Zeitpunkt t=0.
Im Arbeitspunkt werden nur die DC-Spannungen zum Zeitpunkt 0 betrachtet und alle
Knotenspannungen und Zweigströme mit Großsignalmodellen berechnet. Eine Graphik kann
nicht angefertigt werden, da sie nur einen Punkt enthalten würde.
Bei der OP-Analyse sind Kapazitäten Unterbrechungen und Induktivitäten Kurzschlüsse.
Großsignal-Berechnung bedeutet, dass für nichtlineare Bauelemente auch nichtlineare
Gleichungssysteme gelöst werden müssen.
Beispiel für eine Großsignalrechnung:
1
Für die Masche in Bild 1.9.2.1 gilt UR+UD–Vq=0 UR=Vq-UD. Mit
 nUuD

IR= UR/R und I D  I S   e T  1 ergibt sich aus ID=IR die




nichtlineare Gleichung
 nUuD
 Vq  U D
, die nach in UD gelöst werden muss.
I S   e T  1 


R


R
Vq
UR
2
D
UD
0
Bild 1.9.2.1: Masche
mit Diode als nichtlinearem Bauelement.
1.9.2.2 .DC: Statische Großsignal-Analyse
Die DC-Analyse berechnet das Großsignalverhalten über der Abszisse Strom o. Spannung.
Eine DC-Analyse ist eine Reihe von OP-Analysen, bei denen 1 oder 2 DC-Spannungen
schrittweise verändert werden. Dies eignet sich beispielsweise für die Berechnung des
Kennlinienfeldes eines Transistors gemäß Bild 1.9.2(a). Bei der .OP und .DC-Analyse sind
Kapazitäten Unterbrechungen und Induktivitäten Kurzschlüsse.
Die Steueranweisung
.DC VCE 0 5V 0.1V;
löste eine DC-Simulation aus, bei der VCE von 0V bis 5V in Schritten von 0.1V durchlaufen
wird.
Die Steueranweisung
.DC VCE 0 5V 0.1V IB 0 50uA 10uA; geschachtelte Schleife
fügt eine äußere Schleife hinzu, bei welcher der Strom IB von 0-50μA in Schritten von 10μA
verändert wird.
Steueranweisung sind so aufgebaut, dass die wichtigsten Parameter zuerst genannt werden, so
dass man möglichst viele weglassen kann. Für diese werden dann Default-Werte eingesetzt.
- SC / Seite 1-38 -
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1.9.2.3 .TRAN: Dynamische Großsignal-, Zeitbereichs- (engl. Time Domain) Analyse
Die Transienten-Analyse berechnet das Großsignalverhalten der über der Zeitachse.
Das Wort transient kommt vom lateinischen trans-ire = (hin)über-gehen. (Deutsch und
englisch steht „Transit...“ für „Durchgangs..., Übergangs...“.) Transienten sind typischerweise
Einschwingvorgänge, z.B. das Einschwingverhalten einer Schaltung nach dem Umschalten
einer anregenden Frequenz. Im eingeschwungenen Zustand nutzt man die  AC-Analyse.
Voraussetzung als Startpunkt einer Transientenanalyse ist die Ermittlung des Arbeitspunktes.
Er wird automatisch berechnet, auch wenn man keine OP-Anweisung gesetzt hat.
Die Spice-Anweisung
IB
0 n1 DC 1uA AC 1V SIN(10uA 1uA 1KHz);
Sagt aus, dass die Stromquelle (weil Initiale I) bei der Arbeitspunktberechnung den DC-Wert
10μA verwendet in der .AC-Analyse als Quelle 1 V und bei der Transientenanalyse einen
sinusförmigen Strom mit Offset 10 μA, Amplitude 1 μA und 1 KHz Frequenz.
1.9.2.4 .AC: Kleinsignal-, Frequenzbereichs- (engl. Frequency Domain) Analyse
Die AC-Analyse berechnet das Kleinsignalverhalten der Schaltung über der Frequenzachse.
Sie ist auch als Bode-Diagramm bekannt.
Als erstes wird mit den DC-Größen der Spannungsquellen mit den nichtlinearen Modellen ein
Arbeitspunkt berechnet,. Dann wird die Schaltung im Arbeitspunkt liniearisiert, indem man
im OP die Kleinsignalparameter ermittelt, zum Beispiel rCE=dUCE/dIC. Anschließend werden
die Bauelemente wie in Bild 1.9.2(b) durch entsprechende Kleinsignalmodelle ersetzt.
Arbeitspunkt-Spannungen und –Ströme werden auf Null gesetzt.
In einer linearen Schaltung verursacht eine sinusförmige Anregung nach Abklingen der
Transienten sinusförmige Spannungen und Ströme gleicher Frequenz. Das Verhältnis von
Eingangsspannung
zu
Ausgangsspannung(en)
kann
als
Amplitudenverhältnis
(Amplitudengang) und Phasenverschiebung (Phasengang) angegeben werden.
Die Spice-Anweisung
Vxxx ... AC Amplitude phi
Bezieht sich auf die Formel Uout(jω) = H(jω) Uin(jω), wobei Uin(jω) = Amplitudeej(ωt+phi) ist.
Der Anfangswinkel phi wird typischerweise weggelassen, sein Defaultwert ist 0. Die
Frequenzpunkte der Abszisse werden in der .AC - Steueranweisung festgelegt.
Als Amplitude gibt man bei Spannungen typischerweise 1V ein, weil dann alle anderen
Spannungswerte gleich der Verstärkung sind. Ob der Ausgangswert die real erreichbare
Maximalspannung überschreitet ist dabei irrelevant. Das Model ist linearisiert und berechnet
problemlos 200KV Ausgangsspannung bei einer Betriebsspannung von 3V.
- SC / Seite 1-39 -
Ck2
CE
CBC
VCC
Circuit Analysis Techniques
Spice: .TRAN
Ugen(t)
transient, time domain,
arbitrary input
rCE
LC
CCE
RC
Ck2
Rk1
Ugen
Rk1
R2
R1
R1
static
RC
Q
RE
rm
VCC
gm uBE
Q
RE
Spice:
.OP: operating point
.DC: abscissa is
Voltage or Current
rCE
RC
Spice: .TF (transfer function), frequency = 0
R2
0V
0V
- SC / Seite 1-40 -
RC
Q
RE
rm
gm uBE
CBE
Q
CE
ugen
Rload
dynamic
R2
R1
R2
RE
Rgen
Rgen
Ck1
Rk1
Ugen
0V
Rload
Spice: .AC, frequency domain <=> steady-state sinusoidal wave
Ck1
Rk1
R1
0V
Rload
Rgen
ugen
Rload
LARGE SIGNAL
small signal
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1.10 Referenzen
[1] UC Berkeley; http://bwrcs.eecs.berkeley.edu/Classes/IcBook/SPICE/
[2] Spice 3 User’s Manual, https://newton.ex.ac.uk/teaching/CDHW/Electronics2/userguide/
[3] Spice tutorial 1.3.0 documentation, http://vision.lakeheadu.ca/eng4136/spice/index.html#
- SC / Seite 1-41 -
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