Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen

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Analoge
CMOS-Schaltungen
PSPICE: Temperaturanalyse
Roland Pfeiffer
10. Vorlesung
Einführung
1. Vorlesung – 8. Vorlesung:
„Inverter-Verstärker“, einige Differenzverstärker, Miller-Verstärker
9. Vorlesung: Miller-Verstärker als Subcircuit
10. Vorlesung: Temperaturanalyse
11. Vorlesung: Rausch-Analyse
12. Vorlesung: Fourier-Analyse
13. Vorlesung: Einfluß des Layouts auf analoge Schaltungen
14. Vorlesung: Monte-Carlo-Analyse, Worst-Case-Analyse
15. Vorlesung: Transfer-Analyse, Sensitivity-Analyse
16. Vorlesung: Parameter-Analyse
17. Vorlesung: ABM-Bauelemente
18. Vorlesung: Transmission Line
19. Vorlesung: Oszillator-Schaltungen
20. Vorlesung: Abändern von Bauteilen
21. Vorlesung: „Optimizer“ zur Schaltungs-Optimierung
22. Vorlesung: „Smoke“ zur Schaltungs-Stress-Analyse
23. Vorlesung: Sample-and-Hold-Schaltung
24. Vorlesung: PSPICE und Systemtheorie
25. Vorlesung: Zukünftige analoge CMOS-Schaltungen
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 2
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
Wieso Temperaturanalyse ?
bisher nur simuliert:
Raumtemperatur
27°C
T
Temperaturverhalten
der Schaltung bzw. der Bauelemente ??
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 3
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
MOS-Temperaturverhalten
Analog-Verstärkerschaltungen: MOS in Sättigung
Sättigungsbereich NMOS:
I DS
kN W
2
=
⋅ ⋅ (U GS − U TN )
2 L
µ N ⋅ Cox' W
2
=
⋅ ⋅ (U GS − U TN )
2
L
Temperaturverhalten ??
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 4
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MOS-Temperaturverhalten
Sättigungsbereich NMOS:
I DS (T ) =
µ N (T ) ⋅ Cox' W
2
⋅
L
⋅ (U GS − U TN (T ))
2
Temperaturverhalten der Beweglichkeit (Spice):
T 
µ (T ) = µ (T0 ) ⋅  
 T0 
−UTE
allein betrachtet:
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 5
T ↑ ⇒ IDS ↓
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
MOS-Temperaturverhalten
Sättigungsbereich NMOS:
I DS (T ) =
µ N (T ) ⋅ Cox' W
2
⋅
L
⋅ (U GS − U TN (T ))
2
Temperaturverhalten der Einsatzspannung (Spice):
T

U TN , P (T ) = U TN , P (T0 ) − KT 1 ⋅  − 1
 T0 
allein betrachtet:
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 6
T ↑ ⇒ IDS ↑
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
MOS-Temperaturverhalten
Sättigungsbereich NMOS:
I DS (T ) =
µ N (T ) ⋅ Cox' W
2
⋅
L
⋅ (U GS − U TN (T ))
2
Wie wird der Drainstrom verhalten im Bereich kleiner und großes
Gate-Source Spannung ?
kleines UGS:
T↑
großes UGS:
T↑
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 7
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
MOS-Temperaturverhalten
Zeichnen Sie den Drainstrom in Abhängigkeit von der Gate-Source
Spannung !
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 8
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
MOS-Temperaturverhalten
Geben Sie ein numerisches Verfahren zur Gewinnung von
UGS(Drainstrom ≠ Funktion der Temperatur) ?
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 9
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
PSPICE-Simulation
Möglichkeit der PSPICE-Simulation ?
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C):
Eingabe
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C):
andere Möglichkeit der Eingabe (selber Effekt)
auch mit trennenden Kommas möglich
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 11
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C)
nach Simulation beim Aufruf von Probe:
Anzeige der darstellbaren Simulationen bei verschiedene Temperaturen
blau unterlegt: Auswahl der Simulationen bei angegebenen Temperatur
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 12
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C)
Verwenden Sie das angebene File und simulieren Sie bei einer
Temperatur von -25°C, 25°C und 75°C. Stellen Sie dann das Simulationsergebnisse geeignet dar !
Analog1_temp
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C)
Wieviel beträgt die optimale Gate-Source-Spannung für Drainstrom≠f(T) ?
Ist der Wert von der Gateweite abhängig?
Analog1_temp
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PSPICE-Simulation
Rechenfunktion unter Trace/Add Traces: Quadratwurzel SQRT()
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PSPICE-Simulation
W 100 µm
=
L
1µm
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MOS-Temperaturverhalten
praktisches Problem:
mehrere Stromspiegel unter Temperaturgradienten:
Wärmequelle
Lösung: UGS geeignet wählen !!
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Bauteil-Temperaturen
Problem:
PSPICE erlaubt keine direkte Temperaturangabe
für einzelne Bauelemente !!
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 18
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Bauteil-Temperaturen
Trick: Temperaturänderung analog RC !
aber vollständig neues Modell!
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 19
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedenen Bauteil-Temperaturen
Trick:
mehrere Modelkarten mit unterschiedlichem Modellparameter
"T_REL_GLOBAL=Temperaturunterschied zu globalen Temperatur"
für einzelne Bauelemente !!
Beispiel:
.model analogn10 NMOS level=7
+TNOM = 27,
TOX = 6.0E-9,
...
+MJ
= 0.346,
CJSW = 1.00E-10,
+T_REL_GLOBAL=10
XJ
= 1.81E-7
MJSW
= 0.255,
⇒ Model analogn10 wird immer bei Temperaturen simuliert,
die um 10° C/K über der globalen Temperatur liegen
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PSPICE-Simulation
Verwenden Sie das angebene File und simulieren Sie bei einem
W/L=100µm/1µm für alle Transistoren. Wie verhält sich der Drainstrom ?
Überprüfen Sie das Output-File bezüglich der Temperaturen der einzelnen
MOS-Transistoren !
Stromspiegel
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PSPICE-Simulation
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 22
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PSPICE-Simulation
Bei welchem W/L-Verhältnis beträgt Gate-Source-Spannung den vorher
festgestellten temperaturoptimierten Wert ?
StromspiegelWL
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PSPICE-Simulation
W
µm
≈
L
1µm
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PSPICE-Simulation
Verwenden Sie das angebene File und simulieren Sie bei einem
W/L= µm/1µm für alle Transistoren. Wie verhält sich jetzt der Drainstrom ?
Stromspiegel
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 25
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PSPICE-Simulation
Parameter mehrerer Bauelemente gleichzeitig verändern:
Bauelemente auswählen (blau auf lila), dann rechte Maustaste,
Edit Properties, eventuell Parts
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PSPICE-Simulation
Parameter mehrerer Bauelemente gleichzeitig verändern:
Parameter der betreffenden Bauelemente verändern,
dann Apply, Exit
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 27
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PSPICE-Simulation
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 28
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Versorgung von Analogschaltungen
Referenzspannungsquelle
Auf Analogschaltungen meist vorhanden:
Bandgap-Referenzspannungquelle erzeugt eine temperaturstabile Spannung
(typischer Wert 1,25 V). Diese Spannung wird über eine off-chip Präzisionswiderstand in einen temperaturstabilen Biasstrom umgewandelt (sehr
genaue Analogschaltungen) oder der Strom wird aus der Bandgap-Referenzspannungsquelle direkt entnommen, wobei der Strom leicht temperaturabhängig ist (allgemeine Analogschaltungen). Dieser sog. „Biasstrom“ dient
als Versorgung für die Analogschaltungen.
BandgapReferenzspannungsquelle
Biasstrom
Präzisions-R
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Bandgap-Referenz
Verhalten von UBE mit der Temperatur
k ⋅T  I 

⋅ ln
U BE (T ) =
q
 I S (T ) 
lineare Näherung:
U BE (T ) = U GO − N ⋅ T
N ≈1,6 mV/Kelvin
UGO Bandabstand ("Bandgap")/q für T → 0 Kelvin ≈1,2 V
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 30
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Bandgap-Referenz
Idee:
"Proportional To Absolute Temperature" PTAT
addieren, damit URef temperaturstabil !!
PTAT
PTAT ??
PTAT
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Bandgap-Referenz
Verhalten von ∆UBE mit der Temperatur bei verschiedenen
Emitterflächen (A ⇔ n·A)
A
n·A
k ⋅T
U BE,1 (T ) - U BE,2 (T ) = ∆U BE (T ) =
⋅ ln (n )
q
∆UBE geeignet als PTAT-Spannung
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 32
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Bandgap-Referenz
U Ref
k ⋅T
= U GO − N ⋅ T + K 0 ⋅
⋅ ln (n ) ≠ f (T )
q
⇒ U Ref = U GO = 1,2 V ≠ f (T )
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Bandgap-Referenz
ungenaues Ergebnis durch lineare Näherung etc. ⇒
besseres Ergebnis bei URef ≈ 1,25 V bei Zimmertemperatur
für URef ≈ f(T)
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 34
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Bandgap-Referenz
Schaltung (Prinzip):
A
n·A
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OpAmp
bei geeigneter
Rückkopplung:
V(-) = V(+) !!
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Bandgap-Referenz
Schaltung (Realisierung):
A
n·A
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Bandgap-Referenz
Schaltung (Design):
Verhältnis der Emitterflächen: n=10 (festgelegt)
I=100µA (festgelegt)
⇒
R1 = R2 =
A
n·A
=
100 µA
1,25 V − U BE ,1
100 µA
R3 =
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 37
U Ref − U BE ,1
U BE,1 − U BE , 2
100 µA
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PSPICE-Simulation
Schaltung (Design):
Feststellen der Werte von UBE,1 und UBE,2:
Bandgap1
Eigenschaften des Bipolartransistors: Emitterfläche Area Defaultwert 1
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 38
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PSPICE-Simulation
Schaltung (Design):
Feststellen der Werte von UBE,1 und UBE,2:
U BE ,1 ≈ 0,
V
U BE , 2 ≈ 0,
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 39
V
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Bandgap-Referenz
Schaltung (Design):
Verhältnis der Emitterflächen: n=10 (festgelegt)
hier: user_opamp
I=100µA (festgelegt)
⇒
R1 = R2 =
A
n·A
U Ref − U BE ,1
100µA
1,25 V − 0, V
≈
100 µA
R3 =
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 40
U BE,1 − U BE , 2
100 µA
≈
=
Ω
Ω
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PSPICE-Simulation
Simulieren Sie die untere Schaltung bei -25°C, 25°C,
75°C und 125°C und beobachten Sie die Ausgangsspannung !
Bandgap2
hier
user_opamp
einfügen
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 41
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PSPICE-Simulation
Achtung: unter PSPICE/Edit Simulation Setting/Configuration Files unter
Category: Library die *.lib des Subcircuits angeben und unter
"Add as Design" hinzufügen !!
"Add to Design"
nicht
"Add as Global"
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 42
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PSPICE-Simulation
Simulieren Sie die untere Schaltung bei -25°C, 25°C,
75°C und 125°C und beobachten Sie die Ausgangsspannung !
Bandgap2
VDD
auf 30V
erhöhen
wenn nicht erfolgreich:
UA741
aus library OPAMP
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 43
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
PSPICE-Simulation
Ausgangsspannung bei -25°C, 25°C, 75°C und 125°C
ungefähr konstant ⇒ Biasstrom ungefähr konstant
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 44
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Bandgap-Referenz
Ist die Bandgap-Schaltungstechnik für CMOS-Technologie
(p-Substrat) kompatibel ?
Analoge CMOS-Schaltungen Folie 45
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Temperaturanalyse bei analogen Schaltungen
PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C)
Verwenden Sie das angebene File und simulieren Sie bei einer
Temperatur von -25°C, 25°C und 75°C.
analog7opt
Biasstrom
aus
BandgapSchaltung
≠f(T) !!
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PSPICE-Simulation
Simulation bei verschiedene Temperaturen (°C)
ADIFFDC =
g M ,M 1
g 0, M 1 + g 0, M 2
2 ⋅ µ N (T ) ⋅ Cox' ⋅ (W / L) M 1 ⋅ I M 1
=
λ N ⋅ I M 1 + λP ⋅ I M 2
Biasstrom konstant ⇒ Differenzverstärkung ungefähr konstant
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PSPICE-Simulation
Ausgangsspannung bei -25°C, 25°C, 75°C
Differenzverstärkung ungefähr konstant
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