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01200690.4 GEBIET DER ERFINDUNG Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein das Gebiet von Halbleiterbauelementen bzw. -vorrichtungen und -prozessen und insbesondere den Entwurf und die Herstellung eines Land-grid-array-Gehäuses bzw. eines Ball-grid-array-Gehäuses auf der Grundlage einer Flip-Chip-Montage im Allgemeinen mikromechanischer Vorrichtungen und insbesondere digitaler Mikrospiegelvorrichtungen. BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK Mikromechanische Vorrichtungen umfassen Stellglieder, Motoren, Sensoren, räumliche Lichtmodulatoren (SLM), digitale Mikrospiegelvorrichtungen oder verformbare Spiegelvorrichtungen (DMD) und andere. Das technische Potential dieser Vorrichtungen ist besonders augenfällig, wenn die Vorrichtungen unter Verwendung der Miniaturisierungsfähigkeit der Halbleitertechnologie mit Halbleiter-Schaltungs- anordnungen integriert werden. SLM sind Wandler, welche einfallendes Licht entsprechend einer elektrischen oder anderen Eingabe in einem speziellen Muster modulieren. Das einfallende Licht kann in der Phase, der Intensität, der Polarisation oder der Richtung moduliert werden. SLM der Klasse verformbarer Spiegel umfassen mikromechanische Felder elektronisch adressierbarer Spiegelelemente oder Pixel, welche selektiv bewegbar oder verformbar sind. Jedes Spiegelelement ist ansprechend auf eine elektrische Eingabe in eine integrierte Adressierungsschaltung, die mit den adressierbaren Spiegelelementen monolithisch in einem gemeinsamen Substrat ausgebildet ist, bewegbar. Einfallendes Licht wird durch Reflexion von jedem Element in der Richtung und/oder der Phase moduliert. Wie in weiteren Einzelheiten in dem am 29. Oktober 1991 erteilten, auf den Erwerber der vorliegenden Erfindung übertragenen US-Patent US-A-5 061 049 (Hornbeck, "Spatial Light Modulator and Method") dargelegt ist, werden SLM mit verformbaren Spiegeln häufig in drei allgemeinen Kategorien, nämlich der elastometrischen Kategorie, der Membrankategorie und der Auslegerkategorie, als DMD bezeichnet. Die letztgenannte Kategorie umfasst Torsionsausleger-DMD, DMD mit freitragenden Auslegern und -2- Biegeausleger-DMD. Jedes bewegbare Spiegelelement aller drei Typen von Ausleger-DMD weist einen verhältnismäßig dicken Metallreflektor auf, der in einer normalen, nicht ausgelenkten Position durch einen integralen, verhältnismäßig dünnen Metallausleger getragen wird. In der normalen Position ist der Reflektor von einer durch das Substrat getragenen darunter liegenden Steuerelektrode beabstandet, welche eine Spannung aufweisen kann, die durch die Adressierungsschaltung selektiv daran angelegt wird. Wenn die Steuerelektrode eine geeignete Spannung aufweist, wird der Reflektor elektrostatisch von dieser angezogen und bewegt sich aus der normalen Position zur Steuerelektrode und zum Substrat hin oder wird aus der normalen Position zur Steuerelektrode und zum Substrat hin ausgelenkt. Diese Bewegung oder Auslenkung des Reflektors bewirkt eine Verformung seines tragenden Auslegers, worin potentielle Energie gespeichert ist, welche dazu neigt, den Reflektor in seine normale Position zurückzuführen, wenn die Energie der Steuerelektrode fortgenommen wird. Die Verformung eines freitragenden Auslegers schließt das Biegen um eine zur Achse des Auslegers senkrechte Achse ein. Die Verformung eines Torsionsauslegers schließt eine Verformung durch Verdrehen um eine zur Auslegerachse parallele Achse ein. Die Verformung eines Biegeauslegers, der ein verhältnismäßig langer freitragender Ausleger ist, welcher durch einen verhältnismäßig kurzen Torsionsausleger mit dem Reflektor verbunden ist, weist beide Verformungstypen auf, wodurch ermöglicht wird, dass sich der Reflektor kolbenartig bewegt. Eine typische DMD weist ein Feld zahlreicher Pixel auf, wobei die Reflektoren von jedem von diesen selektiv positioniert werden, um Licht zu einer gewünschten Stelle zu reflektieren oder nicht. Um ein versehentliches Eingreifen eines Reflektors und seiner Steuerelektrode zu vermeiden, kann eine Aufsetzelektrode für jeden Reflektor hinzugefügt werden. Es wurde jedoch herausgefunden, dass ein ausgelenkter Reflektor manchmal an seiner Aufsetzelektrode haftet. Es wurde behauptet, dass dieses Haften durch eine intermolekulare Anziehung zwischen dem Reflektor und der Aufsetzelektrode oder durch Substanzen mit einer hohen Oberflächenenergie, die an der Oberfläche der Aufsetzelektrode und/oder an dem Abschnitt des Reflektors, der die Aufsetzelektrode -3- berührt, adsorbiert sind, hervorgerufen wird. Substanzen, die der Reflektor-Aufsetzelektroden-Grenzfläche eine so hohe Oberflächenenergie verleihen können, umfassen Wasserdampf oder andere Gase aus der Umgebung (beispielsweise Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Sauerstoff, Stickstoff) sowie Gase und organische Verbindungen, die sich durch die Herstellung der DMD ergeben oder von dieser zurückgelassen werden. Ein geeignetes DMD-Gehäuse ist in dem am 8. März 1994 erteilten auf den Erwerber der vorliegenden Erfindung übertragenen US-Patent US-A-5 293 511 (Poradish u.a., "Package for a Semiconductor Device") offenbart. Das Haften des Reflektors an der Aufsetzelektrode wurde durch Anlegen ausgewählter Anzahlen, Dauern, Formen und Beträge von Spannungsimpulsen an die Steuerelektrode gelöst. Einzelheiten können dem am 17. März 1992 erteilten US-Patent US-A-5 096 279 (Hornbeck u.a., "Spatial Light Modulator and Method") entnommen werden. Eine weitere Verbesserung des Problems des Anhaftens ist in dem am 19. Juli 1994 erteilten, auf den Erwerber der vorliegenden Erfindung übertragenen US-Patent US-A-5 331 454 offenbart (Hornbeck, "Low Reset Voltage Process for DMD"). Dieses Patent beschreibt eine Technik zum Passivieren oder Lubrifizieren des Abschnitts des Aufsetzelektrode, der in Eingriff mit dem verformten Reflektor gelangt, und/oder des Abschnitts des verformten Reflektors, der in Eingriff mit der Aufsetzelektrode gelangt. Die Passivierung wird durch Absenken der Oberflächenenergie der Aufsetzelektrode und/oder des Reflektors bewirkt, was wiederum durch durch chemische Dampfabscheidung erfolgendes Aufbringen einer Monoschicht einer langkettigen aliphatischen halogenierten polaren Verbindung, wie Perfluoralkylsäure, auf die eingriffsfähigen Oberflächen bewirkt wird. Objekte haften nicht leicht, falls überhaupt, an Oberflächen mit einer niedrigen Energie, und es wird gewöhnlich auch erwartet, dass sie für eine Sorption eine hohe Oberflächenenergie verleihender Substanzen, wie Wasserdampf, widerstandsfähig sind. Verfeinerungen des Passivierungsverfahrens sind in den US-Patenten US-A-5 939 785, erteilt am 17. August 1999 (Klonis u.a., "Micromechanical Device including Time-release Passivant") und US-A-5 936 758, erteilt am 10. August 1999 (Fisher u.a., "Method of Passivating a Micromechanical Device within a Hermetic Package") offenbart. Das Verfahren umfasst ein zeitliches Abgeben eines -4- Passivierungsmaterials, vorzugsweise eines Molekularsiebs oder Bindemittels, das mit dem Passivierungsmaterial imprägniert ist, von einer Quelle. Überdies gibt das Verfahren eine vorgegebene Menge des Passivierungsmaterials in dem Gehäuse gleich nach der Aktivierung der Vorrichtung ab und schweißt dann sofort eine hermetische Abdeckung (die während des Schweißprozesses von dem Passivierungsmaterial frei ist) an das Gehäuse an. In der internationalen Patentanmeldung WO 98/05935 ist ein Verfahren zum Verpacken von Sensoren und insbesondere ein Verfahren zum Verpacken und Schützen von Mikrosensoren beschrieben, wobei eine oder mehrere Schichten von Schutzbeschichtungen auf eine oder beide Seiten des Sensorgehäuses aufgebracht werden, um vor der Betriebsumgebung zu schützen. In der europäischen Patentanmeldung EP-A-0 675 536 ist ein Prozess zum Herstellen einer integrierten Schaltung beschrieben, wobei das Substrat mit einem Material beschichtet wird, das in Wasser verhältnismäßig unlöslich ist. Die beschriebene Empfindlichkeit der meisten mikromechanischen Vorrichtungen würde es sehr wünschenswert machen, sie während aller Prozessschritte, die an der Montage und dem Verpacken der Vorrichtung beteiligt sind, vor Staub, Teilchen, Gasen, Feuchtigkeit und anderen Umgebungseinflüssen zu schützen. Es ist daher besonders ungünstig, dass die herkömmliche Montage unter Verwendung eines Golddrahtbondens nicht die Entfernung von Schutzmaterial von den mikromechanischen Vorrichtungen nach Abschluss des Drahtbondens ermöglicht, so dass die Vorrichtungen während dieser Prozessschritte ungeschützt bleiben müssen. Folglich ist ein Ausbeuteverlust fast unvermeidbar. Überdies sind die heutige Gesamtgehäusestruktur für mikromechanische Vorrichtungen auf der Grundlage von Mehrniveaumetallisierungs-Keramikmaterialien und das Herstellungsverfahren kostspielig. Diese Tatsache steht in Widerspruch zu der Anforderung des Marktes für viele Anwendungen mikromechanischer Vorrichtungen, welche niedrige Vorrichtungskosten und damit niedrige Gehäusekosten fordern. -5- Es ist daher ein dringender Bedarf an einem kohärenten, kostengünstigen Verfahren zum Verkapseln mikromechanischer Chips und einer kostengünstigen, zuverlässigen Gehäusestruktur entstanden. Die Struktur sollte flexibel genug sein, um sie für verschiedene mikromechanische Produktfamilien und ein breites Spektrum von Entwurfsund Prozessvariationen anwenden zu können. Vorzugsweise sollten diese Innovationen erreicht werden, während die Herstellungszykluszeit verkürzt wird und der Durchsatz vergrößert wird. ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein kostengünstiges Keramikgehäuse in einer Land-grid-array- oder Ball-grid-array-Konfiguration für mikromechanische Komponenten hergestellt, indem der gesamte Wafer mit integrierten Schaltungen mit einem Schutzmaterial beschichtet wird, die Beschichtung für die Lötkügelchenbefestigung selektiv geätzt wird, die Chips isoliert werden, ein Chip durch Flip-Chip-Montage auf die Öffnung eines Keramiksubstrats montiert wird, die Zwischenräume zwischen den Lötverbindungen mit einer Polymerverkapselung unterfüllt werden, das Schutzmaterial von den Komponenten entfernt wird und eine Abdeckung an dem Substrat befestigt wird, um das Gehäuse zu dichten. Das Verfahren zum Herstellen von Land-grid-array-Vorrichtungen für Halbleiterchips weist die in Anspruch 1 angeführten Schritte auf. Die offenbarte Gehäusestruktur ist in Bezug auf die Löt- und Unterfüllungsmaterialien und geometrische Einzelheiten, wie den Speicherplatz für chemische Verbindungen innerhalb des eingeschlossenen Hohlraums des Gehäuses, flexibel. Die vorliegende Erfindung ist auf eine Vielzahl verschiedener mikromechanischer Halbleitervorrichtungen, beispielsweise Stellglieder, Motoren, Sensoren, räumliche Lichtmodulatoren und Vorrichtungen mit verformbaren Spiegeln, anwendbar. Bei allen Anwendungen erreicht die Erfindung technische Vorteile sowie eine erhebliche Kostenverringerung und Ertragserhöhung. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die mikromechanischen Komponenten Mikrospiegel für eine digitale Spiegelvorrichtung. In diesem -6- Fall ist die Abdeckung eine Platte aus Glas oder einem anderen für Licht transparenten Material, und das schützende Material ist ein Photoresist, welcher bei photolithographischen Prozessen verwendet wird. Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, dass die empfindlichen mikromechanischen Komponenten bis zur endgültigen Befestigung der Abdeckung sicher geschützt werden, was zu einer erheblich höheren Montage- und Prozessausbeute und zu einer erhöhten Qualität und Zuverlässigkeit der Vorrichtungen führt. Die Verwendung der vorliegenden Erfindung mit gut gesteuerten Prozessen zur Befestigung von Lötkügelchen und zur Lötverbindungsunterfüllung stellt ein Gehäuse mit niedrigen mechanischen Spannungen und die notwendige Steuerung zum Bereitstellen von Planaritätsanforderungen bereit. Die Erfindung ist auch auf Einzelniveau-Metallkeramiksubstrate anwendbar, welche kostengünstig hergestellt werden können. Die Erfindung macht Montage- und Verpackungsentwürfe und -prozesse zur Erzeugung von Land-grid-array- oder Ball-grid-array-Gehäusen flexibel. Diese Vorteile wurden durch die Lehren der Anmeldung erreicht, welche die Struktur und Verfahren, welche für die Massenproduktion geeignet sind, betreffen. KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG Die technischen Fortschritte, die durch die Erfindung erreicht werden, werden anhand der folgenden Beschreibung der bevorzugten und als Beispiel dienenden Ausführungsformen der Erfindung in Zusammenhang mit der anliegenden Zeichnung verständlich werden. Es zeigen: - Figur 1A eine schematische Draufsicht eines Halbleiterwafers, der mehrere integrierte Schaltungen mit mikromechanischen Komponenten aufweist, - die Figuren 1B bis 10 Flip-Chip-Montage-Prozessschritte zum Herstellen eines Land-grid-array-Gehäuses und eines Ball-grid-array-Gehäuses für einen Chip mit mikromechanischen Komponenten, -7- - Figur 1B einen schematischen Querschnitt eines Abschnitts des Halbleiterwafers in Figur 1A, wobei die Schnittansicht mehrere mikromechanische Komponenten zeigt, welche von einem Schutzmaterial beschichtet sind, - Figur 2 einen schematischen Querschnitt des in Figur 1B dargestellten Abschnitts des Halbleiterwafers nach dem selektiven Ätzen der Schutzbeschichtung, - Figur 3 einen schematischen Querschnitt des in Figur 2 dargestellten Abschnitts des Halbleiterwafers nach dem Aufbringen der Lötkügelchen, - Figur 4 einen schematischen Querschnitt eines diskreten Chips mit mikromechanischen Komponenten und Lötkügelchen nach dem Abtrennen von dem in Figur 3 dargestellten zusammengesetzten Wafer, - Figur 5 eine schematische Draufsicht des isolierenden Substrats, seiner zentralen Öffnung und zweier Anzahlen metallischer Kontaktstellen, - Figur 6 einen schematischen Querschnitt des in Figur 5 dargestellten Substrats nach dem Montieren des in Figur 4 dargestellten Chips, - Figur 7 einen schematischen Querschnitt des in Figur 6 dargestellten montierten Chips nach dem Füllen des Zwischenraums, der den Chip und das Substrat beabstandet, mit einer Polymerverkapselung, - Figur 8 einen schematischen Querschnitt des in Figur 7 dargestellten zusammengesetzten Chips nach dem Entfernen des Schutzmaterials von den mikromechanischen Komponenten, - Figur 9 einen schematischen Querschnitt des in Figur 8 dargestellten zusammengesetzten Chips nach dem Befestigen der Abdeckung, wodurch das Land-grid-array-Gehäuse fertig gestellt wird, und - Figur 10 einen schematischen Querschnitt der fertig gestellten Vorrichtung aus Figur 9 nach dem Befestigen mehrerer Lötkügelchen an dem Substrat und dem Erzeugen eines Ball-grid-array-Gehäuses. -8- DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN Figur 1A zeigt schematisch einen im Allgemeinen mit 100 bezeichneten Halbleiterwafer (gewöhnlich einen Siliciumwafer) mit mehreren Vorrichtungen 101, die noch nicht von dem Wafer vereinzelt worden sind. Ein Querschnitt entlang einer Linie A – A ist in Figur 1B in schematischer und vereinfachter Weise teilweise wiedergegeben. Wie Figur 1B angibt, trägt das Halbleiter-Grundmaterial (Silicium) 102 eine Anzahl von Vorrichtungen mit einer Länge 104. Jede Vorrichtung besteht aus einer integrierten Schaltung (in Figur 1B nicht dargestellt) und mehreren mikromechanischen Komponenten 103. Die mehreren Komponenten 103 belegen eine Länge 105 im Mittelabschnitt der Gesamtlänge 104 der Vorrichtung. Überdies sind die mehreren Komponenten 103 in einer Ebene konfiguriert. In den Randabschnitten jeder Vorrichtung gibt es mehrere metallische Anschlüsse 106, welche als elektrische Ein-/Ausgänge der integrierten Schaltung und der mikromechanischen Komponenten dienen. Die Anschlüsse 106 sind typischerweise metallisch, wobei üblicherweise verwendete Metalle in der Halbleiterindustrie Aluminium, Kupfer und Gold sind. Häufig werden Refraktärmetalle, wie Chrom, Molybdän, Titan oder Titan-Wolfram-Legierung, über Nickel, Kupfer oder Gold verwendet, wobei sie eine Oberflächenschicht aus einem lötmaterialkompatiblen Metall, wie Palladium oder Platin, aufweisen können. Die in Figur 1B mit "B" bezeichneten gestrichelten Linien geben die Stellen an, an denen die sich drehenden Sägen schließlich jede Vorrichtung vor der Montage in einem Vereinzelungsschritt von dem Wafer trennen. Die mikromechanischen Komponenten 103 können Stellglieder, Motoren, Sensoren, räumliche Lichtmodulatoren und verformbare Spiegelvorrichtungen einschließen. Als Beispiel und zu Erläuterungszwecken sind die mikromechanischen Komponenten 103 digitale Mikrospiegelvorrichtungen (DMD), welche von Texas Instruments Incorporated, Dallas, Texas, USA hergestellt werden. -9- Das Halbleiter-Grundmaterial ist gewöhnlich Silicium in einkristalliner Form. Das Material kann auch Silicium-Germanium, Galliumarsenid oder ein anderes Halbleitermaterial, das für die Herstellung von Bauelementen verwendet wird, sein. Die Schritte des Herstellungsprozessablaufs der bevorzugten Ausführungsform sind in den Figuren 1B bis 9 und 10 dargestellt. * Prozessschritt 1: Beschichten der Waferoberfläche. Um die vorliegende Erfindung voll ausnutzen zu können, ist es entscheidend, dass die Oberfläche des gesamten Wafers, einschließlich der mehreren mikromechanischen Komponenten 103, mit einem schützenden Material 107 beschichtet wird, wie in Figur 1B dargestellt ist. Beispielsweise kann das Material 107 eine Schicht aus Photoresistmaterial sein, welches bei photolithographischen Halbleiterprozessen verwendet wird. Diese Schicht kann die erhöhten Temperaturen aushalten, die später beim Wiederaufschmelzen des Lötmaterials und beim Härten der Unterfüllung verwendet werden. Die Schutzschicht verhindert jegliche Abscheidung von Staub oder Teilchen aus der Umgebung auf den mikromechanischen Vorrichtungen, und sie schützt die Vorrichtungen vor prozessbezogenen Beschädigungen (wie Kratzern), bis alle Prozessschritte abgeschlossen sind. Folglich trägt die Schutzschicht in erheblichem Maße dazu bei, die Ausbeute des Prozesses und die Qualität der Vorrichtungen zu verbessern. * Prozessschritt 2: selektives Ätzen. Wie in Figur 2 dargestellt ist, wird die Schutzschicht 107 selektiv geätzt, um die Anschlüsse 106 jeder Vorrichtung freizulegen. Die Abschnitte 107a der schützenden Beschichtung müssen jedoch über den mehreren mikromechanischen Komponenten 103 jeder Vorrichtung bleiben. * Prozessschritt 3: Aufbringen von Lötkügelchen. In dem in Figur 3 dargestellten nächsten Prozessschritt werden Lötkügelchen 301 auf die freigelegten Anschlüsse 106 aufgebracht, so dass ein Lötkügelchen auf jeden Anschluss aufgebracht wird. - 10 - Hier bringt der Begriff "Lötkügelchen" nicht unbedingt mit sich, dass die Lötkontakte kugelförmig sind, sondern sie können verschiedene Formen, wie jene einer Halbkugel, einer Halbkuppel, eines abgeschnittenen Kegels oder allgemein eines Höckers oder eines Zylinders mit geraden, konkaven oder konvexen Umrissen, aufweisen. Die genaue Form ist eine Funktion der Abscheidungstechnik (wie Aufdampfen, Plattieren oder vorgefertigte Einheiten) und der Aufschmelztechnik (beispielsweise durch Infrarotlicht oder durch Strahlungswärme) und der Materialzusammensetzung. Im Allgemeinen wird eine Mischung von Blei und Zinn verwendet, wobei andere Materialien Indium, Legierungen von Zinn und Indium, Zinnsilber, Zinn/Wismut oder leitfähige Klebstoffmischungen einschließen. Die Schmelztemperatur der Lötkügelchen 301 kann von der Schmelztemperatur der Lötkügelchen, die zum Verbinden der Vorrichtung mit dem Außenbereich verwendet werden, verschieden sein (gewöhnlich höher). Es sind mehrere Verfahren verfügbar, um eine Konsistenz der geometrischen Form durch Steuern der Materialmenge und der Gleichmäßigkeit der Aufschmelztemperatur zu erreichen. Typischerweise reicht der Durchmesser der Lötkügelchen von 0,1 bis 0,5 mm, er kann jedoch auch erheblich größer sein. Kommerzielle Lieferanten für vorgefertigte Lötkügelchen sind beispielsweise Indium Metals, Utica, N.Y., USA, Alpha Metals, Jersey City, N.J., USA. Weitere technische Einzelheiten zum Aufbringen von Lötkügelchen auf einen ganzen Wafer, ohne dass ein Kügelchen doppelt aufgebracht wird oder ausgelassen wird, können beispielsweise in den veröffentlichten europäischen Patentanmeldungen 0 918 354 (Heinen u.a., "Wafer-Scale Assembly of Chip-Size Packages") und 0 955 676 (Amador u.a., "Wafer-Scale Assembly of Chip-Size Packages"), worauf sich die vorliegende Erfindung bezieht, vorgefunden werden. * Prozessschritt 4: Trennen der Verbundstruktur. Die Linien 302 in Figur 3 erstrecken sich durch Oberflächenabschnitte, die von der schützenden Beschichtung befreit sind, sie geben jedoch die gleichen Positionen an wie die Linien "B" in Figur 1B. Die sich drehenden Sägen, welche sich entlang den - 11 - Sägestraßen (oder "Ritzstraßen") des Halbleiterwafers bewegen, trennen jeden Chip entlang der Linie 302 vom ursprünglichen Wafer ab. Ein solcher vereinzelter Chip ist in dem Querschnitt aus Figur 4 schematisch dargestellt. Die mehreren mikromechanischen Komponenten 103, die von der Beschichtung 107 geschützt sind, sind in einer Ebene im Mittelabschnitt des Chips konfiguriert. Die mehreren Anschlüsse 106 mit angebrachten Lötkügelchen 301 sind in Randabschnitten des Chips konfiguriert. Der Chip mit den mikromechanischen Vorrichtungen ist auf diese Weise für die Montage auf dem Substrat unter Verwendung der so genannten "Flip-Chip-Technologie" vorbereitet. * Prozessschritt 5: Bereitstellen des Substrats. Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet ein kostengünstiges elektrisch isolierendes Substrat aus Keramik mit einer ersten und einer zweiten Fläche, einer zentralen Öffnung und einer Einzelniveaumetallisierung. Beispielsweise zeigt Figur 5 die schematische Draufsicht eines allgemein mit 500 bezeichneten Substrats mit einem quadratischen Umriss 501 und einer zentralen Öffnung 502 mit einem quadratischen Umriss 503. Die Ansicht aus Figur 5 liegt auf der ersten Fläche 504 des Substrats. Die erste Fläche 504 weist die Einzelniveaumetallisierung des Substrats auf. Diese Metallisierung stellt mehrere erste Kontaktstellen 505 in der Nähe des Umrisses 503 der Öffnung bereit. Diese Kontaktstellen 505 sind in Figur 5 beispielhaft mit einer runden Form dargestellt. Sie können jedoch auch eine quadratische oder eine andere Form aufweisen. Die Kontaktstellen sind mit einem Netzwerk von Verbindungsleitungen verbunden, das mit dem Substrat und auch mit einem Teil der Einzelniveaumetallisierung verbunden ist, wenngleich dies in Figur 5 nicht dargestellt ist. Weiterhin weist die erste Fläche 504 mehrere zweite Kontaktstellen 506 auf, die fern von der Öffnung 502 sind. In Figur 5 sind die Kontaktstellen 506 in quadratischer Form dargestellt, welche in Feldern von Kontaktflecken angeordnet sind, welche entlang dem Umriss 501 des Substrats 500 angeordnet sind. Es sind verschiedene geometrische Formen und Anordnungen akzeptierbar. Die Kontaktstellen 506 sind auch elektrisch mit den - 12 - Verbindungsleitungen (in Figur 5 nicht dargestellt) verbunden. Üblicherweise verwendete Metalle für beide Kontaktstellen 505 und 506 umfassen Nickel, Kupfer und Gold. Sie haben eine Oberflächenschicht aus einem lötmaterialkompatiblen Metall, wie Palladium oder Platin. Figur 6 zeigt eine Schnittansicht des Substrats 500 entlang Linien C – C in Figur 5. Der Querschnitt durch das Keramikmaterial ist mit 601 bezeichnet. Zusätzlich zur ersten Substratfläche 504 zeigt Figur 6 die zweite Fläche 602. Die erste Fläche 504 und die zweite Fläche 602 sind im Wesentlichen parallel zueinander. Überdies sind in Figur 6 Querschnitte durch die mehreren ersten Kontaktstellen 505 und die mehreren zweiten Kontaktstellen 506 dargestellt. * Prozessschritt 6: Ausrichten des Chips und des Substrats. Ein einzelner Chip mit Lötkügelchen 301, wie in Figur 4 dargestellt ist, wird umgedreht und mit den mehreren ersten Kontaktstellen 505 des Substrats 500 ausgerichtet. Weil die Konfiguration der Lötkügelchen 301 die Konfiguration der Kontaktstellen 505 spiegelt, kann jedes Lötkügelchen 301 in vertikaler Ausrichtung mit seiner jeweiligen Kontaktstelle 505 angeordnet werden. Zwei Kameras liefern das Sichtsystem für die Ausrichtung, so dass die Ausrichtung automatisch ausgeführt werden kann, es kann jedoch ersetzend ein Mikroskop für die Sichtinspektion verwendet werden. Die Ausrichtung kann beispielsweise durch Drehen und Verschieben des Chips erreicht werden. Die Flip-Chip-Ausrichtung auf Substrate wird in der Industrie routinemäßig ausgeführt. Weitere Einzelheiten zu Ausrichtungstechniken können beispielsweise den vorstehend zitierten US-Patentanmeldungen entnommen werden. * Prozessschritt 7: Bilden von Lötverbindungen. Wie in Figur 6 dargestellt ist, wird ein Chip 610 mit Lötkügelchen 301 in Kontakt mit dem Substrat 601 gebracht, welches Kontaktstellen 505 aufweist, so dass die Lötkügelchen 301 gegen ihre jeweiligen Kontaktstellen 505 auf dem Substrat drücken. Als nächstes wird Wärmeenergie auf den Chip und das Substrat angewendet, wobei es sich vorzugsweise um schnell geregelte Strahlungswärme handelt. Der Erwärmungsschritt kann beispielsweise in einer Inertgasumgebung, beispielsweise trockenem Stickstoff oder - 13 - gefilterten Gasen, ausgeführt werden, um eine zusätzliche Prozesssteuerung bereitzustellen und zu verhindern, dass sich überschüssige Teilchen an der Chipoberfläche absetzen. Kontaktfreie oder kontaktierende Thermoelemente mit einer geschlossenen Regelschleife zu der Wärmequelle können die Temperatur sowohl auf dem Chip als auch auf dem Substrat überwachen. Für manche mikromechanische Vorrichtungen, wie Mikrospiegel, kann es wichtig sein, den Prozessschritt des Aufschmelzens des Lötmaterials unter Verwendung von Steuermerkmalen auszuführen, wie in den vorstehend zitierten veröffentlichten europäischen Patentanmeldungen 0 918 354 und 0 955 676 beschrieben ist. Ein wichtiges Merkmal besteht darin, die Ausrichtungs- und Erwärmungsschritte in einer einzigen Vorrichtung und in einem einzigen Vorgang auszuführen, ohne dass eine Bewegung vorgenommen wird und ohne dass das Risiko auftritt, die Ausrichtung zu verlieren, was bei einem herkömmlichen Erwärmungsvorgang in einem Kettenofen leicht auftreten könnte. Es folgt der Erwärmungsschritt, und er wird mit dem Ausrichtungsschritt kombiniert und stellt nicht lediglich das Erwärmen vormontierter Teile dar. Zusätzlich ermöglicht die Verwendung von Strahlungsenergiequellen im Gegensatz zu Öfen eine schnelle rampenförmige Temperaturänderung oder -profilierung und auch gleichmäßigere und leichter steuerbare Erwärmungs- und Kühlzyklen. Die Strahlungserwärmung ermöglicht einen glatten Übergang von der Umgebungstemperatur zu der gewünschten heißen Temperatur und ein schnelles thermisches Ansprechen. Die Strahlungsenergie wird vorzugsweise durch eine optische Wärmequelle in der Art von Glühlampen (Halogenlampen mit einem Wolframfaden und einer Xenonfüllung) bereitgestellt, welche nahes Infrarotlicht emittiert. Überdies kann durch die Verwendung ausgewählter reflektierender Oberflächen auf nicht aktiven Bereichen, die dem nahen Infrarotlicht ausgesetzt sind, die Baugruppe aus dem Chip und dem Substrat erwärmt werden, während der Rest der Oberflächen bei einer viel niedrigeren Temperatur bleibt. Folglich wird die Baugruppe schnell auf eine Temperatur aufgeheizt, bei der die Lötkügelchen 301 zu schmelzen oder aufzuschmelzen beginnen. Diese Temperatur beträgt typischerweise etwa 183 C. Während des - 14 - Aufschmelzens bildet das Lötmaterial eine metallurgische Bindung (eine so genannte "Lötverbindung") mit dem oberen Metall der Kontaktstellen 505. Ein anderes Steuermerkmal, das für mikromechanische Vorrichtungen, wie Mikrospiegel, besonders wichtig ist, betrifft die Gleichmäßigkeit der Höhe der geschmolzenen Lötkügelchen. Es ist vorteilhaft, Steuerungen ähnlich den Mechanismen zu verwenden, die in der vorstehend zitierten veröffentlichten europäischen Patentanmeldung 0 955 676 beschrieben sind. Bei dieser Vorrichtung sind drei äußerst präzise unabhängige Z-Achsen 120 getrennt angeordnet, und sie steuern gemeinsam die Z-Höhe, den Nickwinkel und den Rollwinkel des Substrats. Der erste Schritt besteht darin, das Substrat unter Verwendung aller drei Achsen zu den festen Lötkügelchen hin zu bewegen, bis das Substrat Kontakt mit den Kügelchen herstellt. Die Koplanarität (der Nickwinkel und der Rollwinkel) des Wafers mit den Kügelchen wird erhalten, indem ermöglicht wird, dass sich jeder der Z-Motoren unabhängig gegen die Ebene der Lötkügelchen absenkt. Das "Aufsetzen" des Wafers auf die Kügelchen kann an der Z-Motorsteuerung als eine plötzliche Änderung der Abstiegsgeschwindigkeit der Achse erfasst werden. Als nächstes wird das vorbestimmte Temperaturprofil ausgeführt. Während des Profils wird zu der Zeit, zu der alle Lötkügelchen geschmolzen sein sollten, die Z-Achsenposition auf eine Höhe verringert, die gleich dem Kügelchendurchmesser minus der bekannten Variation der Kügelchendurchmesser ist. Dieser Vorgang garantiert, dass selbst das kleinste Kügelchen in Kontakt mit dem Wafer steht. Der Durchmesser des kleinsten Kügelchens ist in der statistischen Änderung und der Konsistenz des Durchmessers der vom Verkäufer gelieferten Kügelchen enthalten. Sobald festgestellt wurde, dass alle Kügelchen in Kontakt mit dem Wafer stehen und ausreichend Zeit verstrichen ist, so dass alle Kügelchen geschmolzen sein sollten, wird die Z-Höhe auf das Niveau angehoben, bei dem sich die Lötkügelchen verfestigen sollen, wobei es sich um die endgültige Kügelchenabstandshöhe handelt. Bei dieser Höhe wird die Temperatur bis unter die Aufschmelztemperatur des Lötmaterials verringert, und die Lötkügelchen verfestigen sich alle. Die Höhe aller Lötkügelchen ist nun, unabhängig von der Form und dem Volumen der Kügelchen, gleich. Die bevorzugte Höhe der verfestigten Löthöcker liegt zwischen 25 und 150 m , häufig bei etwa 100 m . - 15 - Als Folge der gleichmäßigen Höhe der Lötverbindungen wird das Substrat 601 in Figur 6 in einer Ebene parallel zur Ebene der mikromechanischen Komponenten 103 positioniert. Insbesondere liegt die zweite Fläche 602 des Substrats 601 in einer zur Komponentenebene parallelen Ebene. Als weitere Konsequenz der gleichmäßigen Höhe der Lötkügelchen beabstandet ein Spalt den Chip 610 und das Substrat 601. Die Höhe des Spalts gleicht der Höhe der Lötkügelchen, und die Breite des Spalts gleicht dem Abstand zwischen den Lötkügelchen. * Prozessschritt 8: Füllen des Spalts. Um einen zusammenhängenden Materialrahmen um den Umkreis der Öffnung 502 des Substrats zu bilden, muss der Spalt, der den Chip 610 und das Substrat 601 beabstandet, gefüllt werden. Wie in Figur 7 dargestellt ist, wird das Füllen durch eine Polymerverkapselung 701 erreicht, die gemeinhin als das "Unterfüllungsmaterial" bezeichnet wird. In dem bevorzugten Prozess wird sorgfältig vorgegangen, um nicht nur einen zusammenhängenden Materialrahmen herzustellen, sondern gleichzeitig die mechanische Spannung an den Lötverbindungen zu verringern. Beispielsweise kann ein Prozess verwendet werden, der in der veröffentlichten europäischen Patentanmeldung 0 977 253 (Thomas, "Low Stress Method and Apparatus of Underfilling Flip-Chip Electronic Devices") und in den US-Patentanmeldungen 09/302 728 und 60/084 472 (Amador u.a., "Low Stress Method and Apparatus of Underfilling Flip-Chip Electronic Devices"), worauf sich die vorliegende Erfindung bezieht, beschrieben ist. In dem bevorzugten Prozess wird die Schmelztemperatur von 183 C für die eutektische Blei/Zinn-Mischung kurzzeitig auf etwa 220 C erhöht (während etwa 60 bis 120 s innerhalb der 20 Minuten des Lötmaterial-Aufschmelzzeitraums). Für alternative Lötmaterialauswahlen werden die Zeiten und Temperaturen geeignet modifiziert. Während des Wiederaufschmelzens liegt die Spannung in der Lötverbindung auf dem Nullniveau. Während des folgenden Abkühlens verfestigt sich das Lötmaterial, die Baugruppe wird jedoch bei einer erhöhten Temperatur zwischen 80 und 140 C, vorzugsweise zwischen 90 und 100 C, gehalten. In diesem Zeitraum nimmt die Spannung leicht von ihrem Nullniveau auf einen nicht kritischen Wert zu, der deutlich unter einem - 16 - Niveau liegt, das ein Risiko für strukturell schwache dielektrische Schichten des Chips oder für die Lötverbindungen darstellen könnte. Es ist entscheidend, dass nicht zugelassen wird, dass der Kühlprozess der Baugruppe bis zur Umgebungstemperatur fortgesetzt wird, sondern dass sie während des gesamten Unterfüllungszeitraums, der bis zu 20 Minuten dauern kann, auf einer konstanten erhöhten Temperatur gehalten wird. Beim Unterfüllungsprozess wird die Polymervorstufe auf die erste Fläche 504 des Substrats 601 angrenzend an den Umkreis des Chips 610 abgegeben. Die Kraft der Oberflächenspannung zieht das viskose Polymer in die Räume zwischen den verfestigten Löthöckern, welche die Öffnung 502 umgeben, und bildet den Meniskus 701a zur Öffnung hin und den Mechanismus 701b zum Feld der Kontaktstellen 506 hin (siehe Figur 7). Geeignete Polymervorstufen werden aus einem Material gebildet, das durch Wärmeoder Strahlungsenergie härtbar ist, und sie bestehen vorzugsweise aus einem Anhydrid-gehärteten Vorpolymer in der Art eines Epoxidharzes. Sie enthalten gewöhnlich einen Katalysator in der Art einer Aminverbindung und Füllstoffe, wie Silika oder Aluminiumoxid. Polymervorstufen sind im Handel erhältlich, beispielsweise von Dexter Hysol Corporation, USA unter dem Markennamen FP 4527. Nach Abschluss des Unterfüllungsprozesses geht die Baugruppe direkt von der vorstehend erwähnten angehobenen Temperatur zu der für das Polymerisieren ("Härten") der Unterfüllungsvorstufe benötigten erhöhten Temperatur über. Während dieser Zeitspanne (etwa 60 bis 120 Minuten) fallen die Spannungen auf sehr niedrige Niveaus ab. Nachdem das Verkapselungsmaterial vollständig gehärtet ist, wird die Temperatur während des Abkühlzeitraums auf die Umgebungstemperatur abfallen gelassen, während die Spannungen nur leicht zunehmen, wobei sie erheblich unterhalb eines Werts liegen, bei dem ein Risiko einer Beschädigung strukturell schwacher dielektrischer Filme oder Lötverbindungen auftreten würde. Wie beabsichtigt ist, werden die Spannungen in der gesamten Baugruppe in etwa gleichmäßig verteilt und zum größten Teil durch das Verkapselungsmaterial absorbiert. * Prozessschritt 9: Entfernen des Schutzmaterials. - 17 - Wie in Figur 7 dargestellt ist, verbleibt das Schutzmaterial 107 während des Unterfüllungsprozesses noch über der Oberfläche der mikromechanischen Komponenten. Nachdem die Umgebungstemperatur erreicht wurde, kann dieses Schutzmaterial sicher entfernt werden (siehe Figur 8), so dass die Oberflächen 103a der Komponenten 103 freigelegt werden. Wenn das Schutzmaterial aus Photoresist besteht, der in der Halbleitertechnologie gemeinhin verwendet wird, umfasst der Entfernungsschritt das Lösen der Photoresistschicht in üblicher Weise. Im Fall von Mikrospiegelkomponenten besteht dieser Prozessschritt auch aus dem Entfernen des Photoresists unter den Mikrospiegeln und dem Aktivieren der Komponenten unter Verwendung eines Plasmaätzens oder einer Kombination eines Plasmaätz-/UV-Härtungsprozesses zum Entfernen restlicher Verunreinigungen von den Spiegeloberflächen. * Prozessschritt 10: Einfügen eines Passivierungsmaterials. Für manche mikromechanische Vorrichtungen, wie Mikrospiegel, ist es vorteilhaft, dass in der Nähe der Komponenten gratartige Vorsprünge in dem Keramiksubstrat ausgebildet werden (in den Figuren 6 bis 10 nicht dargestellt). Diese Vorsprünge dienen dem Zweck des Speicherns chemischer Verbindungen, die nach dem Schließen durch die Abdeckung in dem Gehäusevolumen bleiben sollen. Diese Chemikalien werden typischerweise als Pillen oder körniges Material zugeführt und sind dafür geeignet, während der Lebensdauer der Vorrichtung fortlaufend Passivierungsmaterialien freizugeben, um alle sich berührenden Flächen der mikromechanischen Vorrichtungen zu beschichten. Weitere Einzelheiten über die Zusammensetzung, den Betrieb und das Verfahren der dosierten Abscheidung können in den vorstehend erwähnten US-Patenten US-A-5 939 785 und US-A-5 936 758 vorgefunden werden. * Prozessschritt 11: Anbringen der Abdeckung. Gleich nach dem Aufbringen jeder chemischen Verbindung wird eine Abdeckung 901 angebracht, um das Gehäuse zu schließen, wie in Figur 9 dargestellt ist. Typischerweise muss die Abdeckung 901 durch Ausheizen in einer Umgebung unter einem verringerten Druck vor der Anbringung von Verunreinigungen gereinigt und dehydriert werden. - 18 - Anschließend wird sie an der zweiten Fläche 602 des Substrats 601, vorzugsweise unter Verwendung eines Epoxidklebstoffs, angebracht. Die Temperatur und die Zeit, die erforderlich sind, um den Klebstoff zu polymerisieren, dienen auch dazu, einen Teil des Passivierungsmaterials innerhalb des Gehäuses zu sublimieren, so dass die aktiven Oberflächen der mikromechanischen Komponenten mit mindestens einer Monoschicht des Passivierungsmaterials beschichtet werden. Für Mikrospiegelvorrichtungen ist die Abdeckung 901 eine Platte aus Glas oder einem anderen Material, das für Licht im sichtbaren Bereich des elektromagnetischen Spektrums transparent ist. Anforderungen für die optische Flachheit der Platte sind im erwähnten US-Patent US-A-5 939 785 beschrieben. Es muss dafür gesorgt werden, dass die befestigte Abdeckung 901 in einer Ebene parallel zur Ebene der mehreren Mikrospiegel 103 liegt. Durch das Befestigen der Abdeckung 901 wird das zweite Niveau der Öffnung 502 geschlossen. Das erste Niveau der Öffnung wird durch den Chip 610 befestigendes Lötmaterial geschlossen, und alle Seiten der Öffnung werden durch die Rahmen der Löthöcker und das Unterfüllungsmaterial geschlossen. Die mikromechanischen Komponenten befinden sich demgemäß in einem vollkommen geschlossenen Gehäuse. * Prozessschritt 12: Markieren. Die eingeschlossenen mikromechanischen Vorrichtungen werden mit einer Identifikation in der Art des Vorrichtungstyps und der Vorrichtungsnummer, Herstellungsinformationen, dem Ursprungsland usw., markiert. * Prozessschritt 13: Befestigen von Lötkügelchen. Das in Figur 9 dargestellte Gehäuse ist ein so genanntes "Land-grid array"-Gehäuse mit Kontaktstellen 506, die für Druckkontakte ausgelegt sind, welche vielen Kundenbedürfnissen dienen. Falls ein so genanntes "Ball-grid array"-Gehäuse erwünscht ist, können "Lötkügelchen" 1001 an den Substratanschlüssen 506 in Figur 10 befestigt werden. Die Lötkügelchen können aus einer herkömmlichen Blei/Zinn-Legierung oder - 19 - einer bleifreien Mischung, wie vorstehend beschrieben wurde, bestehen. Der Durchmesser kann in weiten Bereichen variieren, wobei typische Größen von 0,5 bis 1,5 mm reichen. Nach dem elektrischen Testen der Land-grid-array-Vorrichtung bzw. der Ball-grid-array-Vorrichtung ist die fertige mikromechanische Vorrichtung für das Verpacken und Versenden fertig. Wenngleich diese Erfindung mit Bezug auf der Erläuterung dienende Ausführungsformen beschrieben wurde, sollte diese Beschreibung nicht einschränkend ausgelegt werden. Verschiedene Modifikationen und Kombinationen der der Erläuterung dienenden Ausführungsformen sowie andere Ausführungsformen der Erfindung werden Fachleuten beim Lesen der Beschreibung einfallen. Beispielsweise können die Dicke des Substrats und der Abdeckung sowie die Höhe, die von der Flip-Chip-Anordnung eingenommen wird, minimiert werden, um die Gesamtdicke der Vorrichtung zu verringern, wie es für spezifische Anwendungen erforderlich ist. In einem anderen Beispiel kann die Erfindung auf eine Stapelverarbeitung ausgedehnt werden, wodurch die Verpackungskosten weiter verringert werden. In einem anderen Beispiel kann der Ort der Substratkontakte zur "Außenwelt" von der Chipbefestigungsfläche zur Abdeckungsbefestigungsfläche des Substrats gewechselt werden. - 20 - 01200690.4 Patentansprüche 1. Verfahren zum Herstellen von Land-grid-Array-Vorrichtungen für Halbleiterchips (610) mit einer integrierten Schaltung, die mehrere mikromechanische Komponenten (103), die in einer Ebene im Mittelabschnitt des Chips (610) konfiguriert sind, und mehrere metallische Anschlüsse (106), die in den Chip (610) umgebenden Randabschnitten angeordnet sind, aufweist, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Wafers (100) mit einer Oberfläche, die mehrere der Chips (610) aufweist, Beschichten der Waferoberfläche mit einem Schutzmaterial (107), selektives Ätzen der Schutzbeschichtung, wodurch die Anschlüsse (106) von jedem der Chips (610) freigelegt werden, Aufbringen eines Lötkügelchens (301) auf jeden der freigelegten Anschlüsse (106), Zerlegen der sich ergebenden Verbundstruktur in diskrete Chips (610), Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats mit einer ersten und einer zweiten Fläche (504, 602) und einer Öffnung (502), wobei die Flächen (504, 602) im Wesentlichen parallel zueinander sind, mehreren ersten metallischen Kontaktstellen (505), die auf der ersten Fläche in der Nähe der Öffnung (502) angeordnet sind, und mehreren zweiten metallischen Kontaktstellen (506), die auf der von der Öffnung (502) fernen ersten Fläche angeordnet sind, Montieren von einem der diskreten Chips (610) auf den mehreren ersten Substratkontaktstellen (505) durch Bilden von Lötverbindungen, die durch einen Zwischenraum beabstandet sind, wodurch ein Niveau der Öffnung geschlossen wird, Steuern der Höhe der Lötverbindungen, um die Gleichmäßigkeit beizubehalten, wodurch das Substrat in einer zu der Komponentenebene parallelen Ebene positioniert wird, - 21 - Füllen des Zwischenraums mit einer Polymerverkapselung (701), wodurch die Öffnung durch einen zusammenhängenden Rahmen des Verkapselungsmaterials umgeben wird, Entfernen des Schutzmaterials (107), wodurch die Oberflächen der Komponenten freigelegt werden, und Befestigen einer Abdeckung (901) an der zweiten Substratfläche (602), wodurch die Abdeckung (901) in einer Ebene positioniert wird, die zu der Ebene der Komponenten parallel ist, wobei die Abdeckung (901) aus einem Material besteht, das für Licht im sichtbaren Bereich des elektromagnetischen Spektrums transparent ist, wodurch ein zweites Niveau der Öffnung geschlossen wird. 2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Schritte des Montierens, Steuerns und Füllens folgende Schritte aufweisen: Ausrichten von einem der diskreten Chips (610), welche die Lötkügelchen (301) aufweisen, mit den mehreren ersten Substratkontaktstellen (505), so dass jedes der Kügelchen (301) in Ausrichtung mit einer der Kontaktstellen (505) angeordnet wird, Kontaktieren der Kügelchen (301) und der Kontaktstellen (505), Zuführen von Wärmeenergie zu dem Chip (610) und dem Substrat (500), wodurch das Lötmaterial aufgeschmolzen wird, um Lötverbindungen zu bilden, und der Chip (610) durch einen Zwischenraum beabstandet an dem Substrat (500) montiert wird, wodurch eine Baugruppe gebildet wird, Steuern der Höhe der Lötverbindungen, um die Gleichmäßigkeit beizubehalten, wodurch das Substrat (500) in einer Ebene positioniert wird, die zu der Komponentenebene parallel ist, Abkühlen der Baugruppe von der Aufschmelztemperatur bis auf eine Temperatur, die noch erhöht ist und über der Umgebungstemperatur liegt, und Halten der erhöhten Temperatur auf einem im wesentlichen konstanten Niveau, - 22 - Füllen des Zwischenraums mit einer Polymervorstufe bei der erhöhten Temperatur, wodurch die Öffnung (502) von einem zusammenhängenden Rahmen aus der Vorstufe umgeben wird, Zuführen zusätzlicher Wärmeenergie zum Härten der Polymervorstufe, wodurch eine Polymerverkapselung (701) gebildet wird, und Abkühlen der Baugruppe bis auf die Umgebungstemperatur. 3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erhöhte Temperatur zwischen 90 und 130 C liegt. 4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erhöhte Temperatur etwa 100 C beträgt. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Schritt des Steuerns der Höhe der Lötverbindungen folgende Schritte aufweist: Anwenden von Strahlungsenergie, um einen flüssigen Zustand der Lötkügelchen zu erreichen, Kontaktieren des kleinsten Kügelchens, Abwarten bis eine metallurgische Wechselwirkung aufgetreten ist, Einrichten der gewünschten Verbindungshöhe und Entfernen der Strahlungsenergie. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem weiter mehrere Lötkügelchen (301) auf die mehreren zweiten Kontaktstellen (506) aufgebracht werden, wodurch die Land-grid-Array-Vorrichtung in eine Ball-grid-Array-Vorrichtung umgeformt wird. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem weiter chemische Verbindungen aufgebracht werden, bevor die Abdeckung (901) an der zweiten Substratoberfläche (601) befestigt wird. - 23 - 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Schutzmaterial (107) eine Schicht aus Photoresistmaterial ist, wie es bei photolithographischen Halbleiterprozessen verwendet wird. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei in dem Schritt des selektiven Ätzens entsprechend den Eigenschaften des verwendeten Photoresistmaterials maskiert, belichtet und selektiv geätzt wird. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei in dem Schritt des Zerlegens der Verbundstruktur gesägt wird. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei in dem Schritt des Entfernens des Schutzmaterials (107) die Schicht aus Photoresistmaterial aufgelöst wird.
