Technische Grundlagen der Informatik - fbi.h

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Technische Grundlagen der
Informatik
WS 2008/2009
2. Vorlesung
Klaus Kasper
WS 2008/2009
Technische Grundlagen der Informatik
Inhalt
• Wiederholung
– Strom und Spannung
– Ohmscher Widerstand und Ohmsches
Gesetz
– Leistung und Energie
•
•
•
•
Reihen- und Parallelschaltung
Kirchhoffsche Gesetze
Kapazität, Induktivität
Halbleiter, Halbleiterdiode
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Technische Grundlagen der Informatik
2
Organisation des Praktikums
•
•
•
•
Betreuung: Michael Müller, Klaus Kasper
Ort: D10 0.31
14-tägig (6 Praktikumstage)
2er Gruppen
• Vorbereitung: Umformungen, Schaltungsskizzen,
Hintergrund nachlesen, Wahrheitstabellen, KVDiagramme
• Durchführung: Aufgaben werden einzeln testiert
• Protokoll: kurze Darstellung der Experimente in
vollständigen Sätzen, Diskussion von Problemen
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Praktikum (Zug 1C)
• Montags 10:15 – 11:45
(Start X: 27.10.08, Start Y: 20.10.08)
• Dienstags 10:15 – 11:45
(Start X: 28.10.08, Start Y: 21.10.08)
• 6 Aufgaben
• Informationen zum Praktikum auf der
TGI-Materialienseite und auf dem
Moodle-Server
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Praktikum (Zug 1D)
• Montags 14:15 – 15:45
(Start X: 27.10.08, Start Y: 20.10.08)
• Freitags 10:15 – 11:45
(Start X: 24.10.08, Start Y: 17.10.08)
• 6 Aufgaben
• Informationen zum Praktikum auf der
TGI-Materialienseite und auf dem
Moodle-Server
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Digi Board
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Unterstützung
• Forum und Materialien auf dem MoodleServer der Hochschule (moodle.igdv.h-da.de)
• Schlüssel: TGI
• Tutorien mit Silvia Krug:
– Di, 14:15 - 15:45, D10/31 (1D)
– Di, 16:00 - 17:30, D10/30 (1C)
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Strom und Spannung
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Einfacher elektrischer Schaltkreis
I
U
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Strom/Spannung
I
Die Einheit des Stroms
ist Ampère (A).
U
Die Einheit der Spannung
ist Volt (V).
Die gerichtete Bewegung von Ladungsträgern bezeichnet
man als elektrischen Strom I. I ist die Ladungsmenge dQ,
die in einem Zeitabschnitt dt den Leitungsquerschnitt durchfließt.
Die elektrische Spannung U ist die treibende Kraft, die den
Strom I verursacht.
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Modell für Strom/Spannung
• Druck entspricht der
Spannung U.
• Wasser entspricht der
Ladungsmenge Q.
• Fluss ist definiert als
Wasser/Zeit.
• Fluss entspricht dem
Strom I.
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Ohmscher Widerstand und
Ohmsches Gesetz
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Messung von Strom und Spannung
Ampèremeter: möglichst geringer Innenwiderstand.
Voltmeter: möglichst hoher Innenwiderstand.
Warum?
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Ohmscher Widerstand (R)
• Der Strom durch einen Verbraucher ist
abhängig von der Größe der treibenden
Spannung.
• Sind die Eigenschaften eines Verbrauchers
unabhängig von dem durch ihn fließenden
Strom, spricht man von einem Ohmschen
Widerstand.
• Es gilt das Ohmsche Gesetz: Der Strom
ändert sich proportional zur Spannung. Den
Proportionalitätsfaktor R nennt man elektrischen Widerstand mit der Einheit Ohm (Ω).
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Ohmsches Gesetz
Bei einer gegebenen Spannung
U ist der Strom I durch einen
Ohmschen Widerstand R begrenzt.
Es gilt das Ohmsche Gesetz:
U
U
I = ⇔ U = R ⋅I ⇔ R =
R
I
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Analogie
I
R
U
I
1/R
∆I
∆U
U
I
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R
U
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Leistung und Energie
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SI-Einheiten
• SI: internationales Einheitensystem (Système
international d‘unités).
• Wurde 1960 eingeführt und ist bspw. In der EU im
amtlichen und geschäftlichen Verkehr
vorgeschrieben.
• Sieben Basiseinheiten: Meter (m), Kilogramm (kg),
Sekunde (s), Ampère (A), Kelvin (K), Mol (mol),
Candela (cd).
• Die Basisgrößen sind international definiert.
• Alle weiteren Größen und Einheiten werden
abgeleitet.
• Beispiel: 1V=1kg m2/A s3
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Elektrische Leistung (P)
• Die elektrische Leistung P ist das
Produkt aus Spannung U und Strom I.
• Die SI-Einheit der Leistung ist Watt (W).
P[W] = U[V] ⋅ I[A]
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Kleine Übung
Warum gilt für die Leistung PR an einem Ohmschen
Widerstand
2
PR = I ⋅ R
PR = U ⋅ I
= R ⋅I⋅I
= R ⋅I
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Energie
• Die Energie W ist eine über ein Zeitintervall
integrierte Leistung.
• Die SI-Einheit für Energie ist Joule (J) bzw.
Wattsekunde (Ws).
t2
W = ∫ P(t)dt
t1
für eine zeitlich konstante Leistung gilt
W = P ⋅ (t 2 − t1 )
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Reihen- und Parallelschaltung
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Reihenschaltung I
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Reihenschaltung II
In Reihe geschaltete Bauelemente sind vom selben
Strom durchflossen.
Der Gesamtwiderstand ist die Summe der Einzelwiderstände.
Die Gesamtspannung ist die Summe der Einzelspannungen über den Einzelwiderständen.
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Reihenschaltung III
R ges ⋅ I = U
n
= ∑ Ui
i =1
= R1 ⋅ I + R 2 ⋅ I + ⋯ + R n ⋅ I
n
R ges = ∑ R i
i =1
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Parallelschaltung I
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Parallelschaltung II
Parallel geschaltete Bauelemente
liegen an derselben Spannung.
Der Kehrwert des Gesamtwiderstandes ist die Summe der Kehrwerte der Einzelwiderstände.
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Parallelschaltung III
U
= Iges
R ges
n
= ∑ Ii
i =1
= I1 + I 2 + ⋯ + I n
= U / R1 + U / R 2 + ⋯ U / R n
n
1
= U⋅∑
i =1 R i
n
1
1
=∑
R ges i =1 R i
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Kirchhoffsche Gesetze
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1. Kirchhoffscher Satz (Knotenregel)
Die Knotenregel sagt aus, dass
sämtliche Ströme eines Knotens in
einer Schaltung in der Summe
immer Null ergeben müssen.
D.h. die Summe aller zufließenden
Ströme entspricht der Summe der
abfließenden Ströme.
n
∑I
i
=0
i =0
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2. Kirchhoffscher Satz
(Maschenregel)
Die Maschenregel besagt, dass
die Summe aller Spannungen
innerhalb einer Masche Null
ergeben muss. D.h. die Summe
der Spannungsquellen muss
gleich der Summe der einzelnen
Verbraucherspannungen sein.
n
∑U
i
=0
i=0
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Beispiel
I0
I3
I1
R2
R3
U2
U3
U0
I3
I1
R1
R3
R1
U0
U1
I2
R2
Zwei Knoten:
1. Knoten: I0 = I1 + I3
2. Knoten: I2 = I1 + I3
I 2 = I0
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Zwei Maschen:
1. Masche: -U0 + U1 + U2 = 0
2. Masche: -U1 + U3 = 0
U0 = U1 + U2 und U1 = U3
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Kapazität
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Kondensator
• ladungsspeicherndes Element
• Besteht aus zwei Elektroden, die
durch ein nichtleitendes Dielektrikum
getrennt sind.
• Die Kapazität C eines Kondensators
ist der Quotient aus Ladung Q und
Spannung U.
• C = Q/U
• Die Einheit der Kapazität C ist das
Farad [F].
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Aufladung eines Kondensators
6
5
UC [V]
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
Zeit [s]
Zeitlicher Verlauf der Aufladung mit
R = 200kΩ und C = 100µF.
Wie kann der zeitliche Verlauf mathematisch
dargestellt werden?
U C (t) = U B (1 − e
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− t / RC
)
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Übung: Aufladekurve eines
Kondensators
U C (t) = U B (1 − e
− t / RC
)
Welche Spannung können Sie am Kondensator
nach 20s messen, wenn Sie einen Kondensator
mit einem Wert von 100µF und einen Ohmschen
Widerstand mit einem Wert von 200kΩ verwenden?
Anmerkung: für t=0 war der Kondensator entladen.
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Aufladung eines Kondensators
6
U C (20s) = U B (1 − e −20s /100kΩ⋅200µF )
5
−1
= U B (1 − e )
= U B − 1/ e ⋅ U B
≈ 3,16V
UC [V]
= U B (1 − 1/ e)
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
Zeit [s]
Die Zeit, die RC entspricht, wird als Zeitkonstante τ der Schaltung bezeichnet. Aus der Zeitkonstante kann ein unbekannter Ohmscher
Widerstand oder eine unbekannte Kapazität eines Schaltkreises ermittelt
werden.
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Entladung eines Kondensators
6
5
UC [V]
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Zeit [s]
U C (t) = U B ( e
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− t / RC
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)
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Tiefpass
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Hochpass
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Induktivität
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Induktivität
• energiespeicherndes Element
• Besteht aus einer Spule, die
elektrisch leitend ist und häufig
um einen magnetischen Kern
gewickelt ist.
• Die Induktivität L ist ein Maß für
die Spannung U welche die
Induktivität einer Stromänderung
dI/dt entgegen setzt.
• Die Einheit der Induktivität ist das
Henry [H], das als H = Vs/A
definiert ist.
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Transformator
Anmerkung: Funktioniert in dieser Weise nur für
Wechselspannung.
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Halbleiter
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Leiter, Isolatoren, Halbleiter
-
-
-
-
LB
Leitungsband
LB
Bandlücke
+
Valenzband
VB
Leiter (Metalle)
Isolator
Bei elektrischen
Leitern sind
Elektronen im
LB beweglich.
Keine freien
Ladungsträger im
LB vorhanden.
Bandlücke ist
unüberwindbar
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VB
Halbleiter
Bandlücke für
einzelne Elektronen
überwindbar.
Elektronen im LB
und Löcher im VB
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Halbleiter I
LB
+
VB
Halbleiter
An sich sind auch Halbleiter Isolatoren.
Durch thermische Bewegung können
jedoch einzelne Elektron-Loch-Paare
entstehen.
Sowohl Elektronen als auch Löcher sind
im Gitter des Kristalls beweglich
elektrische Leitung.
Leitfähigkeit steigt (exponentiell) mit der
Temperatur. Temperatursensoren
Die technisch wichtigsten Halbleiter sind:
• Silizium (Si)
• Germanium (Ge)
Aus beiden Elementen werden hochreine Kristalle aus der
Schmelze gezogen und weiter verarbeitet (Wafer).
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Halbleiter II
Durch Dotierung von Halbleitern mit geringsten Mengen
bestimmter Elemente kann man besondere
elektronische Eigenschaften erzielen.
LB
+
VB
LB
VB
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+
Donatoren stellen Elektronen im
Leitungsband (LB) des Halbleiters zur
Verfügung.
n-Dotierung
Die Elektronen bewirken elektrische Leitung
Akzeptoren stellen „Löcher“ im
Valenzband (VB) des Halbleiters zur
Verfügung.
p-Dotierung
Die Löcher bewirken elektrische Leitung
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Halbleiter III
Durch Kombination von einem n-dotierten Halbleitern mit
einem p-dotierten Halbleitern kann man eine Diode
realisieren.
-LB
-
- -
n
-
p
I
+
VB
+
+
-
+
+
-
-
- -
n
VB
+
+
U
-LB
U
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Durchlass-Richtung:
n-Seite liefert Elektronen,
p-Seite Löcher. Elektronen
plumpsen in Löcher
(rekombinieren) Strom fließt
p
+
+
+
+
+
-
Sperr-Richtung:
Auf n-Seite fließen Elektronen weg,
Auf p-Seite die Löcher.
Durch Rekombination verarmt die
Übergangszone an Ladungsträgern. kein Strom
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Halbleiterdiode
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Modell der Diode
I
1/R
U
U
I
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U
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Halbleiterdiode
• Wenn an die p-leitende Seite der
Diode eine positive Spannung und
an die n-leitende Seite der Diode
eine negative Spannung angelegt
wird, kann Strom fließen.
• Liegt die Spannung in
umgekehrter Richtung an, sperrt
die Diode. Es fließt allerdings
trotzdem ein sehr kleiner Strom.
• Die Halbleiterdiode wirkt daher
wie ein Ventil bzw. Gleichrichter.
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Diodenkennlinien
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Elektrische Bauelemente
• lineare passive Bauelemente
– Ohmscher Widerstand
– Kapazität
– Induktivität
• nichtlineare passive Bauelemente
– Dioden
• aktive Bauelemente
– Transistoren
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