VERSTÄRKERGRUNDSCHALTUNGEN

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Hochschule Bremen
FB Elektrotechnik
Labor für Bauelemente
und Schaltkreistechnik
Laborversuch
Verstärkergrundschaltungen / 1
VERSTÄRKERGRUNDSCHALTUNGEN
Emitter-, Kollektor und Basisschaltung
ALLGEMEINES:
Bipolare Transistoren lassen sich - bei festgelegtem Arbeitspunkt - in Bezug auf ihr Kleinsignalverhalten zB.
durch die h Parameter vollständig beschreiben (Vierpoltheorie). Dabei muß festgelegt sein, welche der
Transistor-Elektroden an den für Eingang und Ausgang des Vierpols gemeinsamen Masseanschluß gelegt wird:
 Emitterschaltung:
Eing.
Emitter wechselspannungsmäßig an Masse
Ausg.
C
B
E
Masse
 Kollektorschaltung:
Eing. B
B
Kollrktor wechselspannungsmäßig an Masse
E
Ausg.
C
 Basisschaltung:
Eing.
C
E
Masse
Ausg.
B
Basis wechselspannungsmäßig an Masse
Masse
Die für die Emitterschaltung zuständigen h-Parameter hikE für den in diesem Versuch verwendeten Transistor
BC 548 B können Datenbüchern bzw. Arbeitsblättern entnommen werden. Die für die Kollektor- bzw. Basisschaltung gültigen Parameter hikC bzw. hikB lassen sich aus den gegebenen Werten hikE einfach er-rechnen
(Umrechnungstabellen).
Wird der Transistor in den jeweiligen Grundschaltungen zur Verstärkung eingesetzt, muß er durch weitere
Bauelemente zur Einstellung des gewählten Arbeitspunktes und zur Einspeisung von Spannung (Strom) bzw.
Abnahme von verstärkter Spannung (Strom) ergänzt werden:
E
Eing.
RG

re
u0
REing r1
A
Ausg.
Transistor
Vierpol mit
hik E/K/B
r2
RL
ra
Masse
uE
u1 = uE
u2
uA = u2
Zur Berechnung der Betriebsgrößen (für die Gesamtschaltung, bezogen auf die Klemmen E und A):
Eingangs- und Ausgangswiderstand : re, ra
Spannungs-, Strom- und Leistungs- Verstärkung : vu, vi, vp
lassen sich gemäß der Vierpoltheorie einheitliche Berechnungsformeln für alle 3 möglichen Schaltungsarten
angeben, wobei die jeweils zugehörigen h-Parameter einzusetzen sind. Dieses Berechnungsverfahren soll hier
nicht angewendet werden (h-Parameter und Umrechnungsformeln fehlen).
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Laborversuch
Verstärkergrundschaltungen / 2
Weitere Möglichkeit: ausschließlichen Verwendung der h -Parameter für die Emitterschal-tung bzw. der
dynamischen Kenndaten des Transistors für diesen Betrieb (ohne Berücksichtigung der Rück-wirkung):
dynamischer Eingangswiderstand
rBE  h11
1
dynamischer Ausgangswiderstand
rCE 
h 22
h 21
Wechselstrom-Verstärkungsfaktor 
 h21 bzw. Steilheit s 
h11
In diesem Fall ergeben sich für die 3 Grundschaltungen unterschiedliche Berechnungsformeln für die interessierenden Betriebsgrößen.
Näherungen bei Vernachlässigung der Spannungsrückwirkung:
E - Schaltung:
K - Schaltung
B - Schaltung
Eingangswiderst. r1
rBE
rBE + *RL
rBE

Gesamt-Eing.W. re
r1 || R Eing
r1 || REing
r1 || REing
Ausgangswiderstand
r2
rCE
rBE  RG || REing

Gesamt-Ausg.W. ra
r2 || RL  RL
r2 || RL  r2

* RL
rBE
= - s*RL
Spannungsverstärkung
vu

1-
Leistungsverstärkung
vp
vp = vu*vi
„nutzbare“ Leistungsverst.
vpNutz
vpNutz =
rCE*(1+
 * RG|| REing
)
rBE  RG|| REing
r2 || RL  RL

* RL
rBE
= s*RL
rBE
 * RL
1
p( RL )
re
= vu2 *
p ( re )
RL
MEßSCHALTUNG
Mit der folgenden Meßschaltung lassen sich
 der geforderte Arbeitspunkt des Transistors: UCE = 5V, IC = 2mA unabhängig von der gewählten Grundschaltung einstellen,
 die Grundschaltungen durch ein einfaches Umstecken bzw. an Masse - Legen von Blockkondensatoren
realisieren und
 die genannten Betriebsgrößen re, ra und vu für die Grundschaltungen ermitteln:
+UB gegen M
RC
1k
Meßschaltung
+
B*
+
-
B
E
RB
10k
M
-
C
100 µF
C*
100 µF
BC 548 B
b
- +
RE
2k
100µF
-UB gegen M
E*
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Labor für Bauelemente
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Laborversuch
Verstärkergrundschaltungen / 3
AUFGABEN:
1) Die Meßschaltung ist zu diskutieren:
 Wie wird der Arbeitspunkt eingestellt?
Die dafür erforderlichen Spannungen +UB und -UB sind überschlägig zu berechnen mit den Annahmen UBE
 0,7V und UB0  0 (Spannung Basis gegen Masse) - und in der Schaltung einzustellen.
Der geforderte Arbeitspunkt ist zu kontrollieren und gegebenenfalls nachzustellen. (Strommesser nach der
Messung abklemmen!). Welcher Wert wird für UB0 tatsächlich gemessen? (Diskussion dazu im Bericht!)
 Wie werden die drei Grundschaltungen realisiert, d.h. welche Anschlüsse der obigen Meßschaltung sind
jeweils als Eingang, als Ausgang zu beschalten bzw. an Masse zu legen?
 Zur Kontrolle auf Verzerrungsfreiheit des Ausgangssignals ist der jeweils verwendete Ausgang bei den
Messungen mit Hilfe des Oszilloskops (Tastkopf nicht erforderlich) zu überwachen.
 Meßsignal 1KHz, unterschiedliche Amplituden (die Generatorausgangsspannung kann zusätzlich mit 2 Tasten
um je 20dB abgeschwächt werden).
2) Messung der Spannungsverstärkung vu :
Hier geht man zweckmäßig von einer festen Ausgangsspannung: ua = 100mV aus.
Die dafür erforderliche Eingangsspannung ist unter Umständen so klein, daß sie mit dem vorgesehenen
Generator trotz 40dB Abschwächung nicht mehr eingestellt werden kann. In diesem Fall ist über einen
zusätzlicher Spannungsteiler gegen Masse (zB 100 - 10, siehe auch Meßanordnung zu Punkt 3.) für eine
zusätzliche Abschwächung des Generatorsignals zu sorgen.
3) Messung des Gesamt-Eingangswiderstandes re :
Meßanordnung:
RG =50
Generator

10k
100
Teiler
10
uG
RG’

u0
E
Meßschaltung s.o.
Poti
mV
u
M
u0
Meßverfahren:
 Leerlaufspannung u = u0 (bei abgetrennter Meßschaltung) einstellen; zB. 2mV bei E-Schaltung.
 Anschalten der Meßschaltung und Einstellen des Poti’s so, daß u auf
 Ausmessen des eingestellten Poti-Widerstandes mit Multimeter.
 Wie ergibt sich daraus re ?
Das Verfahren ist zu diskutieren.
u0
zurückgeht.
2
A
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und Schaltkreistechnik
Laborversuch
Verstärkergrundschaltungen / 4
4) Messung des Gesamtausgangswiderstandes ra :
bei leerlaufendem und kurzgeschlossenem Eingang
Meßanordnung/Meßverfahren:
E
Meßschaltung s.o.
A
M
Poti
RG’
mV

u0
 Leerlaufspannung u0 bei Emitter- und Basis-Schaltung: 100mV; bei Kollektorschaltung: 10mV
Warum darf die Meßspannung nicht wesentlich größer gewählt werden? (Diskussion im Bericht!)
 Als Poti kann ein 1k - Wendelpotentiometer mit direkt ablesbaren Ohmwerten eingesetzt werden.
5) „nutzbare“ Leistungsverstärkung vp :
Aus den Meßwerten ist für die Schaltungen die „nutzbare“ Leistung zu berechnen.
Die in der Tabelle angegebene Formel ist zu erläutern !
6) Vergleich von Meß- und Rechenwerten :
Die Meßergebnisse sind mit den Rechenwerten, die sich aus den angegebenen Näherungsformeln ergeben zu
vergleichen und tabellarisch gegenüberzustellen.
Als dynamische Kenndaten können benutzt werden:
rBE  3,6 k
rCE  50 k
  250
SIMULATION DES VERSUCHES:
Die Meßergebnisse lassen sich mit guter Annäherung auch per Simulation mit dem Programm Multisim 2001
ermitteln. Die Bauteile-Bibliothek für Transistoren enthält ein Modell des Transistors BC548.. .
Darzustellen sind Arbeitspunkteinstellung (geeignete Wahl der beiden Betriebsspannungen!) und die dynamischen Betriebsgrößen für die 3 Schaltungsvarianten, sowie der Frequenzgang der Verstärkung für die Emitterschaltung.
SPANNUNGSQUELLEN / MEßGERÄTE:
HAMEG
HAMEG
LEADER
SIEMENS
FLUKE
HAMEG
Dreifachnetzteil
+UB, -UB
Funktionsgenerator Ri = 50
Meßsignal, 1KHz
Millivoltmeter (Ri = 10M)
Spannungsmessung
Multizet A1001
Strommessung
Multimeter 77 (Ri >1M)
Spannungen, Widerstände
Oszilloskop (Ri = 10M mit Tastkopf, 1M ohne Tastkopf)
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