3 Der Bipolartransistor 3.2 3.2. Arbeitspunkteinstellung 28 Arbeitspunkteinstellung Wiederholung: Der Arbeitspunkt • legt die Großsignalgrößen IB, 0 , UBE, 0 , IC, 0 und UCE, 0 sowie die • Kleinsignalgrößen rBE , S und gEA fest. • bestimmt maximal möglichen Aussteuerbereich • soll für große Aussteueramplituden in die Mitte des Aussteuerbereiches (UCE, min . . . U0 ) gelegt werden Weiters soll der Arbeitspunkt einer Transistorschaltung möglichst stabil sein! Für uns ist es an dieser Stelle ausreichend zu fordern, dass der Kollektorstrom im Arbeitspunkt (IC, 0 ) • sich zufolge schwankender äußerer Einflüsse (z.B. Temperaturschwankungen) nicht ändert • und möglichst unabhängig von Parameterstreuungen des Transistors einzustellen ist. Temperaturabhängigkeit der Transistorkennlinie Die Parameter IS und UT in der Transistorgleichung IC = IS (e UBE UT − 1) (3.1) sind temperaturabhängig. Es gilt: IS = IS0 e WG BT −k und UT = kB T e (3.5) wobei WG = 1.1 eV in Silizium, kB = 1.38 · 10−23 J/K und e = 1.602 · 10−19 C. Diese Temperaturabhängigkeit bewirkt, dass sich die Transferkennlinie Glg. 3.1 und die Eingangskennlinie IB = IC (UBE )/B um ca. 2 mV/K hin zu niedrigeren Spannungen verschieben. Der Einfluss der Temperatur auf die Transferkennlinie und ein Ersatzschaltbild eines temperaturabhängigen Transistors, der durch die Hintereinanderschaltung eines temperaturunbhängigen Transistors und einer temperaturabhängigen Spannungsquelle modelliert wird, sind in Abb. 3.4 dargestellt. 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung Transistor auf Temperatur 29 Transistor auf Bezugstemperatur Abbildung 3.4: Temperaturabhängigkeit des Transistors Streuung der Großssignalverstärkung Bei Transistoren vom selben Typ kann die Stromverstärkung B in großen Bereichen schwanken. (Üblicherweise Schwankungen im Bereich von Bist /Bnom = −30% . . . + 50%). Zusätzlich ist B i.A. nicht konstant, sondern z.B. auch IC und temperaturabhängig. Die Auswirkung dieser Bauteilstreuung auf den möglichen Basisstrombereich bei gegebener Transferkennlinie sowie der daraus resultierende Streubereich in der Stromsteuerkennlinie sind in Abb. 3.5 dargestellt. Abbildung 3.5: Streuung der Großsignalverstärkung B Spannungs- und Stromeinstellung Die Temperaturabhängigkeit der Transistorkennlinien und die Streuung der Großsignalverstärkung werfen gewissermaßen Schwierigkeiten auf, wenn man fordert, dass der Kollektorstrom im AP bei sich ändernder Temperatur konstant bleibt und sich unabhängig von der tatsächlichen Großsingalverstärkung und fixer Beschaltung des Transistors auf einen vorgegebenen Wert IC, 0 soll einstellt. (Bei Großserienproduktion z.B. kann allein aus Kostengründen nicht jede Transistorschaltung entsprechend des tatsächlichen Bist nachkalibriert werden.) Die Auswirkung der Temperaturabhängigkeit der Transistorkennlinien und der Streuung 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 30 der Großsignalverstärkung auf den Arbeitspunkt soll nun für zwei verschiedene Möglichkeiten der AP-Einstellung (Spannungs- und Stromeinstellung) diskutiert werden. Spannungseinstellung Stromeinstellung - starke Temperaturabhängigkeit + keine Abhängigkeit von B-Streuungen + keine Temperaturabhängigkeit - starke Abhängigkeit von B-Streuungen Basis-Spannungsteiler und Basis-Vorwiderstand Der zusätzliche schaltungstechnische Aufwand zur Realisierung der Basisspannungsquelle bzw. der Basisstromquelle kann durch einen Basis-Spannungsteiler bzw. Basis-Vorwiderstand eliminiert werden. Im Folgenden zeichnen wir die Spannungsquelle zur Versorgung U0 nicht mehr explizit ein sondern zeichnen an den Punkten in der Schaltung, die auf Potential U0 liegen einen Pfeil ein. Die Punkte, die auf Bezugspotential 0 liegen werden mit einem waagrechten Strich eingezeichnet. Um den Arbeitspunkt (UBE, 0 , IB, 0 , IC, 0 ) grafisch zu ermitteln müssen Lastgeraden in die Transfer bzw. in die Eingangskennlinie eingezeichnet werden. (Es wird dabei angenommen, dass UCE, 0 > UCE, min .) 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung Basis-Spannungsteiler 31 Basis-Vorwiderstand Beide Schaltungen können in folgende Ersatzschaltung übergeführt werden. Funktionen der Arbeitsgeraden Die Arbeitsgeraden werden für die jeweilige Schaltung in die Transfer- bzw. in die Eingangskennlinie eingezeichent: + geringe Abhängigkeit von B-Streuungen + kaum Temperaturabhängigkeit - starke Temperaturabhängigkeit - starke Abhängigkeit von B-Streuungen 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 32 Strom- und Spannungsgegenkopplung → Regelung des AP Stromgegenkopplung Spannungsgegenkopplung Durch eine Ersatzspannungsquelle anstatt des Basisspannungsteilers erhält man: Die Arbeitsgeraden werden wieder für die jeweilige Schaltung in die Transfer- bzw. in die Eingangskennlinie eingezeichent: Flache AG zf. + geringe Temperaturabhängigkeit + geringe Abhängigkeit von B-Streuungen In beiden Fällen schön zu sehen: Regelung von IC (Kompensierung von B-Streuung) Durch die Gegenkopplung stellt sich für zu große B ein kleinerer IB ein und umgekehrt. + kaum Temperaturabhängigkeit + geringe Abhängigkeit von B-Streuungen 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 33 Aufgabe 13 Arbeitspunkteinstellung für den Bipolartransistor BC 546 B In diesem Beispiel sollen anhand des Bipolartransistors BC 546 B (siehe Datenblatt in Anhang B auf Seite 46) die soeben beschriebenen Varianten der Arbeitspunkteinstellung dimensioniert werden. In diesem Beispiel soll mit den Größen aus dem Datenblatt gerechnet werden. Kennlinien, die nicht im Datenblatt enthalten sind wurden mit einem CAD Programm für den BC 546 B aufgenommen. • In den folgenden Beispielen soll IC, 0 = 10 mA eingestellt werden. • Wenn nötig, nehmen Sie (in Analogie zum Datenblatt) UCE, 0 = 5 V an. • Überlegen Sie, für welche Fälle die Annahme UBE, 0 ≈ 0.7 V zulässig ist und wenden Sie diese Annahme in den jeweiligen Fällen an. a) Spannungs- und Stromeinstellung (a) Zeichnen Sie die Schaltungen zur Spannungs- und Stromeinstellung (b) Welche Spannung UBE,0 bzw. welchen Strom IB,0 müssen Sie (nominell) einprägen, um einen Strom IC, 0 = 10 mA einzustellen? - Welcher Großsignalverstärkung entspricht das? (c) Bestimmen Sie jeweils die Ströme IC, 0, min und IC, 0, max grafisch (d) Welche Vor- und Nachteile haben diese Schaltungen und welche Probleme können bei dieser Art der Arbeitspunkteinstellung auftreten? 100 VCE = 5V 20 °C 50 °C 90 80 60 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 0 50 40 1 30 20 10 0.1 0.0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VBE[V], BASE-­EMITTER VOLTAGE 1.2 0 50 100 150 200 IC /mA 70 10 IC /mA IC[mA], COLLECTOR CURRENT 100 10 250 300 IB /µA 20 350 IB /µA 30 40 400 50 450 60 500 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 40 40 50°C 30 IC /mA IC /mA 10 20 10 0 50 100 IB /µA 150 0 200 40 0.5 0.6 0.7 UBE /V 40 50°C 30 0.8 0.9 20°C IC /mA IC /mA 30 20 10 0 20°C 30 20 0 34 20 10 0 50 100 IB /µA 150 200 0 0.5 0.6 0.7 UBE /V 0.8 0.9 b) Basis-Spannungsteiler und Basis-Vorwiderstand (a) Zeichnen Sie die Schaltungen für mit Basisspannungsteiler und Basisvorwiderstand (b) Für welche Schaltung ist die Annahme UBE,0 ≈ 0.7 V zulässig? Warum (nicht)? (c) Dimensionieren Sie die Widerstände R1 , R2 und R. Nehmen sie für den BassisSpannungsteiler I2 = 100IB . Welche Vorteile und Nachteile hat dies z.B. gegenüber der Annahme I2 = 10IB ? 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 35 (d) Bestimmen Sie jeweils die Ströme IC, 0, min und IC, 0, max grafisch (e) Welche Vor- und Nachteile haben diese Schaltungen und welche Probleme können bei dieser Art der Arbeitspunkteinstellung auftreten? 40 50°C 40 20°C 30 IC /mA IC /mA 20 10 10 0.6 0.7 UBE/V 0.8 0 0.5 0.9 150 150 IB /µA 200 IB /µA 200 100 50 0 0.5 20°C 30 20 0 0.5 50°C 0.6 0.7 UBE/V 0.8 0.9 100 50 0.6 0.7 UBE/V 0.8 0.9 0 0.5 0.6 0.7 UBE/V 0.8 0.9 c) Strom- und Spannungsgegenkopplung (a) Zeichnen Sie die Schaltungen für Strom- und Spannungsgegenkopplung (b) Für welche Schaltung ist die Annahme UBE,0 ≈ 0.7 V zulässig? Warum (nicht)? (c) Dimensionieren Sie die Widerstände R1 , R2 und RE (Annahme URE = 1 V) sowie R und RC . Nehmen sie für den Bassis-Spannungsteiler I2 = 100IB . Welche Vorteile und Nachteile hat dies z.B. gegenüber der Annahme I2 = 10IB ? 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 36 (d) Bestimmen Sie jeweils die Ströme IC, 0, min und IC, 0, max grafisch 50°C 20 20°C 15 15 10 10 IC /mA IC /mA 20 5 0.6 0.7 UBE /V 0.8 0 0.9 60 60 50 50 40 40 30 30 IB /µA IB /µA 20°C 5 0 0.5 20 20 10 10 0 50°C 0.5 0.6 0.7 UBE /V 0.8 0.9 0.5 0 0.5 0.6 0.6 0.7 UBE /V 0.7 UBE /V 0.8 0.8 0.9 0.9