Zur Beachtung: • Zur Prüfung sind außer Schreibgerät - KIT

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Schriftliche Prüfung im Fach
ELEKTROTECHNIK II FÜR WIRTSCHAFTSINGENIEURE
Übungsklausur 2015
Zur Beachtung:
Nur für Wiederholer:
Name:
MUSTERLÖSUNG
Adresse:
Vorname:
Matrikel Nr.:
Email:
Tel-Nr.:

Zur Prüfung sind außer Schreibgerät (keine Bleistifte) und Lineal keine Hilfsmittel
zugelassen. Die Verwendung von eigenem Konzeptpapier ist nicht gestattet.

Tragen Sie Name, Vorname und Matrikelnummer auf dem Deckblatt
und auch auf jedem Aufgabenblatt ein.
Prüfen Sie die Anzahl der Aufgabenblätter (4 Aufgaben) auf Vollständigkeit. 1 Deckblatt und
n Aufgabenblätter.

Die Aufgabenblätter müssen bei Abgabe zusammengeheftet sein!

Die Lösungen zu den Aufgaben sind in die dafür vorgesehenen Zwischenräume einzutragen.
Verwenden Sie ggf. für längere Zwischenrechnungen die linke leere Seite und die
angehefteten Seiten am Ende der Aufgaben. Bei den Wissens- und Verständnisfragen ist eine
Antwort in Stichworten oder einem kurzen Satz völlig ausreichend.

Bei Abgabe (nur bei offiziellem Klausurende) bleiben Sie bitte an Ihren Plätzen.
Die bearbeiteten Aufgabenblätter werden bei Ihnen abgeholt.
 Prüfungsergebnisse werden zusammen mit Ihrer Matrikelnummer voraussichtlich in 6 Wochen
durch Aushang bekannt gegeben. Der genaue Termin (Notenaushang und Einsicht) wird im
Internet unter http://www.iam.kit.edu/wet/ bekannt gemacht.
Bearbeitungszeit 90 Minuten
Klausurumfang vier Aufgabenbereiche mit insgesamt 50 – 60 Punkten
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Aufgabe 1: Elektrische Messtechnik (incl. Elektronenmikroskopie und Impedanz-Spektroskopie)
Frage 1.1
Bei den folgenden Antwort-Wahl-Fragen können jeweils eine oder mehrere Antworten richtig sein. Es
wird je Frage 1 Punkt vergeben, wenn genau alle richtigen Antworten und keine falschen Antworten
angekreuzt sind. (5 Punkte)
Welche Aussage zum Halleffekt ist richtig?
 Die Hallspannung ist proportional zum Probenstrom
 Kupfer (Cu) hat gegenüber Silizium (Si) eine höhere Hallspannung
 Die Hallspannung nimmt mit zunehmender Dicke der „Probe“ ab
Welche Aussage zu elektrodynamischen Messgeräten ist richtig?
 Der Drehwinkel des Zeigers eines Drehspul-Messgeräts ist quadratisch zum Messstrom
 Ein Dreheisen-Messgerät ist geeignet für Gleich- und Wechselstrommessung
 Mittels verschaltetem Strom- und Spannungspfad kann die Leistung direkt angezeigt werden
Welche Aussage zum Elektronenstrahl-Oszilloskop ist richtig?
 Lissajous-Figuren ergeben sich im x-y-Betrieb bei einem rationalen Frequenzverhältnis
 Die Beschleunigung der Elektronen in Richtung Leuchtschirm erfolgt magnetisch
 Im Y-t-Betrieb wird die x-Ablenkung mit einem definierten Sägezahnsignal realisiert
Welche Aussage zum AD-Wandler ist richtig?
 Wandler mit zukzessiver Annäherung an den Messwert arbeiten sehr schnell
 Wandler nach dem Zweirampen-Verfahren unempfindlich gegenüber Toleranzen von R und C
 Bei der zukzess. Annäherung entspricht der maximaler Fehler gleich dem kleinsten Gewicht
Eine Muskelzelle kann durch folgendes Ersatzschaltbild modelliert werden:
 Durch eine Reihenschaltung aus Spule und Widerstand.
 Durch eine Parallelschaltung aus Kondensator und Widerstand.
 Durch eine Parallelschaltung aus Kondensator und Spule.
Frage 1.2
Wie ist der Effektivwert ueff einer periodischen Spannung u(t) = u(t + T), T Periodendauer, definiert?
(1 Punkt)
T
u eff 
1
u( t )2 dt

T
0
1
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Frage 1.3
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Ein Widerstands-Temperatursensor R = f() soll möglichst genau mit Messgeräten, die sehr weit vom
Sensor entfernt sind, gemessen werden. Die sehr langen Zuleitungswiderstände RZ vom Sensor zu den
Messgeräten sollen den Messwert möglichst nicht verfälschen. Zur Verfügung stehen eine reale
Spannungsquelle (U0, Ri,q), ein reales Spannungsmessgerät (UM, Ri,U) mit Ri,U >> R, RZ und ein reales
Strommessgerät
(IM, Ri,I). Zeichnen Sie die hierzu notwendige Schaltung, die alle genannten Elemente (Quelle,
Messgeräte, Innenwiderstände, Zuleitungswiderstände und Temperatursensor) berücksichtigt. Wie nennt
man eine derartige Messanordnung? (4 Punkte)
IM
Ri,I
RZ
Ri,U
RZ
RZ
Ri,q
UM
U0
R
RZ
(1 P auf 4-Leiter-Ansatz, 2 P auf ESB mit Rz)
Vier-Leitertechnik: R 
20
Gegeben ist die (komplexe) Ortskurve einer einfachen elektrischen Impedanz, die aus zwei
klassischen Grundelementen (möglich sind R, L und C) zusammengesetzt ist. Zeichnen Sie die
elektrische Verschaltung dieser Elemente, die die gegebene Ortskurve erklärt. Berechnen Sie zudem
den Zahlenwert jedes Elements. Beachten Sie, dass die y-Achse den negativen Imaginärteil aufträgt
und  = 2f. (4 Punkte)
10
f
1 Hz
10 MHz
0
- Im (Z) / 1000 
Frage 1.4
UM
(1 P)
IM
0
10
20
Re (Z) / 1000
Reihenschaltung aus R und C (1 Punkt)
Z  R
1
jC
(1 Punkt)
 Im Z (  1  2 Hz
Re Z (  )
  20k  
  R  10 k 
(1 Punkt)
1
1
; C
mF (1 Punkt)
 C
20  2
2
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Aufgabe 2: Halbleitergrundlagen, Bauelemente (Diode, Transistor), Schaltungen
Frage 2.1
Gegeben sind zwei unterschiedliche Materialien. Geben Sie zu jedem Material den Bandabstand Wg
(Zahlenwert) und die Abhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration n von der Temperatur T (ggf.
Funktion) an. (2 Punkte)
Material
Kupfer (Cu)
Bandabstand Wg in eV
0
Silizium (Si)
1
Ladungsträgerkonzentration n
n=constant
n~e
(1 Punkt)
Wg
2kT
(1 Punkt)
Gegeben ist der logarithmische Verlauf der Ladungsträgerkonzentration n eines donator-dotierten
Halbleiters über der reziproken Temperatur. Benennen Sie die drei Bereiche und erläutern Sie kurz die
physikalische Ursache des jeweiligen Bereichs. (3 Punkte)
Bereich
T
1
Name
Störstellenreserve
Erklärung
Elektronen kommen von der Dotierung.
(1 Punkt)
2
Störstellenerschöpfung
3
Intrinsischer
Bereich
Alle Ladungsträger der Dotierung im
Leitungsband. Temperaturabhängigkeit
kommt von der temperaturabhängigen
Beweglichkeit der Ladungsträger. (2
Punkte)
Elektronen
kommen
aus
dem
Valenzband.
1 (Punkt)
log(n)
Frage 2.2

3
2
1
T-1
3
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Frage 2.3
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Zeichnen Sie das Bandschema für den Halbleiter aus Teilfrage 2.2 und kennzeichnen Sie die
Aktivierungsenergien. (3 Punkte)
Leitungsband
ED
Eg
Valenzband
(1 P auf Bandschema, je 1 P auf Energien)
Frage 2.4
Kennzeichnen Sie die folgende Aussagen mit richtig oder falsch. Ein Kreuz an der falschen Stelle gibt
Punktabzug (natürlich nur innerhalb dieser Frage)! (5 Punkte)
a)
b)
c)
d)
e)
Frage 2.5
Aussage
Ein pn-Übergang kann in Sperrbetrieb kann als abstimmbarer Kondensator
betrieben werden
Eine Raumladungszone kann auch bei einem Metall/Halbleiterkontakt
auftreten
Die „Diffusionsspannung“ ist unabhängig von Halbleitermaterial (wie Si,
Ge...)
Phosphor (5+) wirkt in Silizium und Germanium als Donator
richtig
X
Die Leistungsfähigkeit einer Solarzelle ist unabhängig vom Bandabstand
des verwendeten Materials
falsch
X
X
X
X
Erklären Sie mit Hilfe einer Skizze stichwortartig die grundlegende Funktion einer Solarzelle. (3 Punkte)
i
p-leitend
Raumladungszone
E
U
R
Die Energiezufuhr durch das Licht, das in die Sperrschicht
einstrahlt, führt zum Aufbrechen von Valenzbindungen in der
Sperrschicht. Das elektrische Feld der Raumladungszone
treibt die Elektronen als Überschussminoritätsträger von der
p- auf die n-Seite und die Löcher von der n- auf die p-Seite.
Bei Anschluss an einen Verbraucher fließt der Strom i. Die
Solarzelle arbeitet wie eine reale Stromquelle.
(1 Punkt auf Skizze, 2 Punkte auf Erklärung)
n-leitend
4
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Frage 2.6
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Erklären Sie anhand einer Skizze die Funktion eines n-Kanal-Feldeffekttransistors. Wieso kann ein
derartiger Transistor bei entsprechender Bauform auch als Gassensor eingesetzt werden? (3 Punkte)
uGS > 0
G
S
D
n
n+
n+
p-leitendes Substrat
S: Source, G: Gate, D: Drain
Schraffiert:
Oxidschicht
Funktion: Für uGS = 0 ist kein n-leitender Kanal vorhanden, einer der beiden n+p-Übergänge ist stets
gesperrt, es fließt praktisch kein Strom zwischen Drain und Source. Für uGS > 0 werden negative
Ladungen im Kanal influenziert. Wenn uGS genügend groß ist, entsteht ein n-leitender Kanal zwischen
Drain und Source. Es fließt ein Strom zwischen Drain und Source. Die Strom wird praktisch
leistungslos von uGS gesteuert (Strom iG = 0).
Wird das Gate offen gestaltet, kann sich Gas auf der Gateoberfläche chemisorbieren. Diese
Gasladungen steuern somit ebenso den Strom.
Frage 2.7
Gegeben ist das Schaltbild einer Diodenschaltung mit einer „normalen“ Si-Diode D1 und einer
Zenerdiode DZ, die eine Zenerspannung von Uz = 3V besitzt, siehe Schaltbild. Skizzieren Sie den
Verlauf der Ausgangsspannung (unbelasteter Ausgang), wenn die Amplitude der sinusförmigen
Eingangsspannung û1  10V beträgt. Welchen Zahlenwert hat die begrenzte Amplitude am Ausgang,
wenn D1 als „physikalische Diode“ betrachtet wird. (2 Punkte)
u1(t)
i

R1
2
t
D1
u2
u1
u2(t)
DZ
t
Amplitude der positiven Halbwelle: 3,6 V
5
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Aufgabe 3: Operationsverstärker und Schaltungen
Frage 3.1
Kennzeichnen Sie die Aussagen für Operationsverstärker-Schaltungen mit richtig bzw. falsch. Ein Kreuz
an der falschen Stelle gibt Punktabzug innerhalb der Aufgabe! (5 Punkte)
Aussage
Der Eingangswiderstand eines „Spannungsfolgers“ ist sehr klein
Der Eingangswiderstand eines invertierenden Verstärkers ist nahezu
unendlich groß
Der Ausgangswiderstand eines nichtinvertierenden Verstärkers ist
sehr klein
Durch entsprechende Beschaltung eines Operationsverstärkers mit R
und L lassen sowohl Integrierer als auch Differenzierer realisieren
Mit Hilfe eines mitgekoppelten Operationsverstärkers kann eine
sinusförmige Spannung in eine Rechteckspannung umgewandelt
werden
a)
b)
c)
d)
e)
Frage 3.2
richtig
falsch
X
X
X
X
X
Leiten Sie aus der gegeben Schaltung die komplexe Übertragungsfunktion der gegeben Schaltung her.
Um welchen Filtertyp handelt es sich? (3 Punkte)
(Tiefpass 1 Punkt)
L
R1
R2
uE
uA
Ansatz (1 Punkt) Wegen u 2  0 ist i E 
uE
R1  j L
iA 
mit i E  i A  0
uA
R2

u E R1  j L
(Lösung 1 Punkt)
6
uA
R2
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Frage 3.3
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Zeichnen Sie eine Operationsverstärkerschaltung (mehrere OPs möglich), die folgende mathematische
Operation durchführt: u A   (u E,1  u E,2 )dt (4 Punkte)
1 Punkt
R
R
1 Punkt
R
1 Punkt
R
u2
C
R
R
uA
u1
oder
R
L
wie oben
uA
7
Elektrotechnik II Übungsklausur 2015
Name:
Vorname:
Matrikel-Nr.:
Aufgabe 4: Elektrische Maschinen
Frage 4.1
Bei den folgenden Antwort-Wahl-Fragen können jeweils eine oder mehrere Antworten richtig sein. Es
wird je Frage 1 Punkt vergeben, wenn genau alle richtigen Antworten und keine falschen Antworten
angekreuzt sind. (3 Punkte)
Welche Aussage(n) zur Gleichstrommaschine ist (sind) richtig?
 Die Drehzahl der Nebenschlussmaschine wird maßgeblich von der Betriebsspannung bestimmt.
 Die Drehzahl der Reihenschlussmaschine ist nahezu unabhängig von der mechanischen
Belastung (Moment M).
 Die Reihenschlussmaschine kann auch mit Wechselstrom betrieben werden.
Welche Aussage(n) zur Gleichstrommaschine ist (sind) richtig?
 Im Motorbetrieb ist das mechanische Moment M proportional dem Strom IA.
 Wird die Felderregung  erhöht, so erhöht sich auch die Drehzahl der Maschine.
 Die Welligkeit der Generatorspannung nimmt mit zunehmender Anzahl an Ankerspulen zu.
Welche Aussage zur Synchronmaschine (SM) ist richtig?
 Die SM kann nicht von selbst anlaufen.
 Die Drehzahl kann durch die Höhe der Versorgungsspannung eingestellt werden.
 Die SM kann Blindleistung aufnehmen und auch abgeben.
Frage 4.2
Zeichnen Sie das (einfache) elektrische Ersatzschaltbild einer fremderregten Gleichstrommaschine mit
den Anschlussgrößen UA, IA, dem Ankerwiderstand RA und der induzierten Spannung U0. Leiten Sie die
Formel für die Drehzahl n als Funktion von UA, IA, RA, der Maschinenkonstante ku und dem magn. Fluss
 her. (5 Punkte)
Lösung:
IA
RA
U 0  ku    n
UA

I A  2r  n
A
I  2r
mit ku  A
A
U A  U0  I A ; U0  B  I  v 
n
U A I ARA

;
k u  ku 
8
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