Sprachsituation einzelner Gebiete Mathematik Wissenschaft Sozialwissenschaft Unternehmen Ingenieurwissenschaft Geisteswissenschaft Geschichte
  1. Wissenschaft
  2. Physik
Elektrodynamik
Mechanik
Thermodynamik
Elektronik
Optik
Quantenmechanik
sitzungsberichte - BAdW-Publikationen
sitzungsberichte - BAdW-Publikationen
Sirospun - ein neues Verfahren kann den
Sirospun - ein neues Verfahren kann den
Sind Spitzenentladungen mitverantwortlich für
Sind Spitzenentladungen mitverantwortlich für
Simulationsstudien zu gluonischen oder Multiquark
Simulationsstudien zu gluonischen oder Multiquark
Simulationen kosmischer Röntgenquellen
Simulationen kosmischer Röntgenquellen
Simulation von Small-Tube-Driftkammern und Vergleich
Simulation von Small-Tube-Driftkammern und Vergleich
Simulation von CNFET basierten Digitalschaltungen
Simulation von CNFET basierten Digitalschaltungen
Simulation und Messung longitudinaler Raumladungseffekte
Simulation und Messung longitudinaler Raumladungseffekte
Simulation elektromagnetischer Wellen in
Simulation elektromagnetischer Wellen in
Simulation einer magnetischen Rastertunnelmikroskop
Simulation einer magnetischen Rastertunnelmikroskop
Simulation einer ballistischen Diode mit dem Drift-Diffusions
Simulation einer ballistischen Diode mit dem Drift-Diffusions
Simulation des HF-Feldes in Implantaten
Simulation des HF-Feldes in Implantaten
Simulation des elektromechanischen Verhaltens von
Simulation des elektromechanischen Verhaltens von
Simulation der Transport- und Depositionsvorgänge von
Simulation der Transport- und Depositionsvorgänge von
Simulation der longitudinalen Strahldynamik in
Simulation der longitudinalen Strahldynamik in
Silizium– und SiC–Leistungsdioden unter besonderer
Silizium– und SiC–Leistungsdioden unter besonderer
Silizium Germanium p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistoren
Silizium Germanium p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistoren
Silicat und Oxidkeramik
Silicat und Oxidkeramik
Silbercluster auf einer Quarzoberfl¨ache
Silbercluster auf einer Quarzoberfl¨ache
Signalintegrität in integrierten Schaltungen mit digitalen und
Signalintegrität in integrierten Schaltungen mit digitalen und
sign von Chip/Multichipmodulen1
sign von Chip/Multichipmodulen1